據(jù)香港《南華早報(bào)》網(wǎng)站5月27日?qǐng)?bào)道，現(xiàn)如今，市場(chǎng)上最先進(jìn)的計(jì)算機(jī)芯片使用7納米晶體管。中國(guó)科學(xué)院微電子研究所微電子設(shè)備與集成技術(shù)領(lǐng)域的專(zhuān)家殷華湘說(shuō)，他的團(tuán)隊(duì)已經(jīng)研發(fā)出3納米晶體管——相當(dāng)于一條人類(lèi)DNA鏈的寬度，在一個(gè)指甲蓋大小的芯片上能安裝數(shù)百億個(gè)這種晶體管。
2019-05-28 11:33:06
2405 IBM今日宣布，IBM與其研究聯(lián)盟合作伙伴Global Foundries以及三星公司為新型的芯片制造了5納米大小的晶體管。研究團(tuán)隊(duì)將硅納米層進(jìn)行水平堆疊，而非傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體行業(yè)的垂直堆疊構(gòu)架，這使得5納米晶體管的工藝有了實(shí)現(xiàn)可能。這項(xiàng)技術(shù)有可能應(yīng)用于自動(dòng)駕駛、人工智能和5G網(wǎng)絡(luò)。
2017-06-07 14:28:091090 1000本電子專(zhuān)業(yè)書(shū)籍免費(fèi)大放送https://bbs.elecfans.com/forum.php?mod=viewthread&tid=287358&fromuid=286650055《最優(yōu)控制理論(中科院）》科學(xué)出版社-2003.pdf(4M)希望大家多頂頂，提升提升人氣。
2013-01-14 16:19:50
`中科院3D打印機(jī)CEST400|國(guó)產(chǎn)工業(yè)級(jí)3D打印機(jī)中科院廣州電子采用全球領(lǐng)先的3D打印技術(shù)和設(shè)備，自2001年改制以來(lái)，依托國(guó)有科研機(jī)構(gòu)技術(shù)底蘊(yùn)，穩(wěn)定的技術(shù)隊(duì)伍，專(zhuān)注主研方向和產(chǎn)品，在高等教育
2018-08-10 17:27:37
對(duì)象與類(lèi),構(gòu)造函數(shù)與析構(gòu)函數(shù),堆與拷貝構(gòu)造函數(shù),靜態(tài)數(shù)據(jù)成員與靜態(tài)成員函數(shù)，繼承，多態(tài)與虛函數(shù)，多重繼承，友元，運(yùn)算符重載，模板，異常處理等內(nèi)容。中科院C++課件及范實(shí)例代碼(研究生應(yīng),例程特經(jīng)典)
2008-10-07 10:06:34
點(diǎn)擊上方“碼農(nóng)突圍”，馬上關(guān)注這里是碼農(nóng)充電第一站，回復(fù)“666”，獲取一份專(zhuān)屬大禮包真愛(ài)，請(qǐng)?jiān)O(shè)置“星標(biāo)”或點(diǎn)個(gè)“在看”2020年1月15日，中國(guó)科學(xué)院計(jì)算技術(shù)研究所（以下簡(jiǎn)稱(chēng)中科院計(jì)算...
2021-07-21 06:13:57
大多數(shù)快速成長(zhǎng)起來(lái)的新興產(chǎn)業(yè)一樣，關(guān)鍵技術(shù)儲(chǔ)備欠缺，持續(xù)競(jìng)爭(zhēng)力培育不夠，研發(fā)投入不足，創(chuàng)新能力不強(qiáng)，同質(zhì)化競(jìng)爭(zhēng)加劇，產(chǎn)品良莠不齊……各種各樣的問(wèn)題接踵而至?！ ∵@讓中科院院長(zhǎng)白春禮深感憂(yōu)慮。就在上周剛剛
2012-07-18 11:31:19
解決RISC-V操作系統(tǒng)的諸多痛點(diǎn)問(wèn)題。
2021年起北京市與中科院戰(zhàn)略合作，發(fā)揮北京市應(yīng)用牽引和芯片定義的優(yōu)勢(shì)，北京市經(jīng)濟(jì)和信息化局組織產(chǎn)業(yè)界成立開(kāi)芯院，創(chuàng)新“產(chǎn)學(xué)研”協(xié)同模式，加速“香山”的技術(shù)演進(jìn)
2023-05-28 08:43:00
拿到一款MCU后，如何快速上手？推薦大家來(lái)看看中科院唐博士的系列博文《唐博士手把手教你玩轉(zhuǎn)飛思卡爾Kinectis MCU》（K20為例）。以下摘自博文手段：1.題外話(huà)從1983年我開(kāi)始從事Z80
2014-12-25 22:47:18
、3dmax、photoshop、dialux及辦公軟件OFFICE、WORD、EXCEL； 5、具有獨(dú)立完成項(xiàng)目設(shè)計(jì)的成功案例； 6、具有良好的團(tuán)隊(duì)協(xié)作意識(shí)，有項(xiàng)目管理經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先。中科院建筑設(shè)計(jì)
2013-10-23 09:56:10
與團(tuán)隊(duì)合作精神；5. 有研發(fā)團(tuán)隊(duì)的管理工作經(jīng)歷優(yōu)先。三、福利待遇 參照中科院海西研究院（福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所）相應(yīng)規(guī)定給予薪酬等待遇，年底有項(xiàng)目獎(jiǎng)金； 符合泉州市及所屬縣（市、區(qū)）相關(guān)政策的創(chuàng)業(yè)創(chuàng)新
2017-06-30 16:27:40
://www.szhrss.gov.cn/tzgg/201408/t20140805_2541538.htm7)出站后留深享受深圳市財(cái)政支助的科研啟動(dòng)經(jīng)費(fèi)30萬(wàn)元/三年（可作為個(gè)人津貼）；8)中科院深圳先進(jìn)院開(kāi)辦了優(yōu)質(zhì)
2017-07-05 19:51:02
`中科院擁有國(guó)內(nèi)乃至國(guó)際一流的創(chuàng)新性研發(fā)機(jī)構(gòu)和科研團(tuán)隊(duì)、凝聚著全球最優(yōu)秀的科學(xué)家，實(shí)力雄厚。如今中科院深化在網(wǎng)絡(luò)攝像機(jī)領(lǐng)域的探索，攜手ithink公司震撼推出國(guó)內(nèi)首款內(nèi)置電池網(wǎng)絡(luò)攝像機(jī)——手立視Q系
2015-02-05 10:09:03
``如題 中科院清庫(kù)房的設(shè)備 另有其他一些電子元器件。有想拿去玩玩的加微信qixiong225 論壇不常上 咸魚(yú)鏈接https://2.taobao.com/item.htm?id=526428926106&spm=686.1000925.0.0.qjp7si ``
2016-02-17 16:14:49
中科院電子技術(shù)考研真題
2011-08-07 15:04:03
芯片加工，MEMS傳感器、光電子器件的研究背景或工作經(jīng)驗(yàn)；4.動(dòng)手能力強(qiáng)，善于學(xué)習(xí)溝通，吃苦耐勞，有團(tuán)隊(duì)合作精神； 5.有半導(dǎo)體相關(guān)工作2年以上工作經(jīng)驗(yàn)優(yōu)先考慮； 崗位待遇：中科院蘇州納米所南昌研究院為
2017-07-12 17:19:13
據(jù)新華社7月2日?qǐng)?bào)道，相變存儲(chǔ)器，具有功耗低、寫(xiě)入速度快、斷電后保存數(shù)據(jù)不丟失等優(yōu)點(diǎn)，被業(yè)界稱(chēng)為下一代存儲(chǔ)技術(shù)的最佳解決方案之一。記者近日從中科院上海微系統(tǒng)所獲悉，由該所研發(fā)的國(guó)際領(lǐng)先的嵌入式相變存儲(chǔ)器現(xiàn)已成功應(yīng)用在打印機(jī)領(lǐng)域，并實(shí)現(xiàn)千萬(wàn)量級(jí)市場(chǎng)化銷(xiāo)售，未來(lái)中國(guó)在該領(lǐng)域有望實(shí)現(xiàn)“彎道超車(chē)”。
2019-07-16 06:44:43
供應(yīng)晶圓芯片，型號(hào)有： 可控硅， 中、大功率晶體管，13000系列晶體管，達(dá)林頓晶體管，高頻小信號(hào)晶體管，開(kāi)關(guān)二極管，肖特基二極管，穩(wěn)壓二極管等。有意都請(qǐng)聯(lián)系：沈女士***
2020-02-17 16:24:13
晶體管測(cè)量模塊的基本特性有哪些？晶體管測(cè)量模塊的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開(kāi)關(guān)電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話(huà)研究所誕生。1948年，晶體管的發(fā)明給當(dāng)時(shí)的電子工業(yè)界來(lái)帶來(lái)了前所未有的沖擊。而且，正是這個(gè)時(shí)候成為了今日電子時(shí)代的開(kāi)端。之后以計(jì)算機(jī)為首，電子技術(shù)取得急速
2019-05-05 00:52:40
【不懂就問(wèn)】圖中的晶體管驅(qū)動(dòng)電路，在變壓器Tr的副邊輸出電阻R3上并聯(lián)的二極管D2，說(shuō)D2的作用是在輸入端有正脈沖輸入時(shí)使得變壓器次級(jí)產(chǎn)生的的正脈沖通過(guò)D2，直接驅(qū)動(dòng)MOSFET管Q2，達(dá)到提高導(dǎo)
2018-07-09 10:27:34
，這改善了晶體管性能，且降低了器件功耗。3. III-V族材料上柵堆疊：Intel、Sematech等已在討論在未來(lái)設(shè)計(jì)中采用InGaAs/高k界面。這種方法也能改善性能降低功耗。4. 量子阱
2014-01-04 09:52:44
，滿(mǎn)足未來(lái)輕薄化的需求?！ ?b class="flag-6" style="color: red">芯片晶體管橫截面 到了3nm之后，目前的晶體管已經(jīng)不再適用，目前，半導(dǎo)體行業(yè)正在研發(fā)nanosheet FET（GAA FET）和nanowire FET（MBCFET
2020-07-07 11:36:10
大幅漲價(jià)、鴻蒙加速物聯(lián)網(wǎng)生態(tài)構(gòu)建、半導(dǎo)體供應(yīng)鏈國(guó)產(chǎn)替代加速、RISC-V或成AIoT需求碎片化的解決之道五大行業(yè)催化劑下，AloT未來(lái)發(fā)展可期。細(xì)分領(lǐng)域中，MCU需求方興未艾，國(guó)產(chǎn)企業(yè)垂直領(lǐng)域?qū)ち紮C(jī)
2022-08-18 18:19:45
本帖最后由 江口kk 于 2014-8-11 20:26 編輯
Banana PI開(kāi)源項(xiàng)目與中科院先研院舉行開(kāi)源硬件介紹交流活動(dòng)LeMaker團(tuán)隊(duì)Banana Pi項(xiàng)目組日前與中國(guó)科學(xué)院深圳
2014-08-09 21:08:11
什么是IGBT(絕緣柵雙極晶體管)？IGBT是 "Insulated Gate Bipolar Transistor"的首字母縮寫(xiě)，也被稱(chēng)作絕緣柵雙極晶體管。IGBT被歸類(lèi)為功率
2019-05-06 05:00:17
什么是IGBT(絕緣柵雙極晶體管)？IGBT是 "Insulated Gate Bipolar Transistor"的首字母縮寫(xiě)，也被稱(chēng)作絕緣柵雙極晶體管。IGBT被歸類(lèi)為功率
2019-03-27 06:20:04
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)...
2022-02-16 06:48:11
2）。然后，門(mén)重新控制了薄體?！ D2.鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管 此外，從平面移動(dòng)到3D可降低亞閾值斜率和Ioff電流。體積將增加，漏電流將小于平面設(shè)計(jì)?！ ‰p柵極與三柵鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管 雙柵極
2023-02-24 15:20:59
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個(gè)晶體管來(lái)代替，MFR151管子能用哪個(gè)來(lái)代替？或是誰(shuí)有這兩個(gè)高頻管子的原件庫(kù)？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
與銷(xiāo)售集團(tuán)總裁Stacy Smith英特爾公司執(zhí)行副總裁兼制造、運(yùn)營(yíng)與銷(xiāo)售集團(tuán)總裁Stacy Smith全球首次展示“Cannon Lake”10納米晶圓，采用超微縮技術(shù)，擁有世界上最密集的晶體管和最小
2017-09-22 11:08:53
源電流IDSS是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管中，柵極電壓UGS＝0時(shí)的漏源電流。（2）夾斷電壓夾斷電壓UP是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管中，使漏源間剛截止時(shí)的柵極電壓。如同4-25所示為N溝道
2019-04-04 10:59:27
了“芯片里程表(Odometer for silicon chip)”的概念，并開(kāi)發(fā)出一種電路用于測(cè)量可能影響芯片性能的晶體管老化指標(biāo)，他希望能將這種電路集成進(jìn)微處理器芯片設(shè)計(jì)中，以協(xié)助微處理器自動(dòng)檢測(cè)運(yùn)轉(zhuǎn)
2017-06-15 11:41:33
互補(bǔ)晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
的電荷量變化小于一個(gè)電子，則不會(huì)有電流通過(guò)量子點(diǎn)。因此，電流-電壓關(guān)系不是正常的線(xiàn)性關(guān)系，而是階梯形關(guān)系。該實(shí)驗(yàn)是歷史上第一次手動(dòng)控制電子的運(yùn)動(dòng)，為制造單個(gè)電子晶體管提供了實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ)?！?絕緣柵雙極晶體管
2023-02-03 09:36:05
晶體管通道完全閉合；二維過(guò)渡金屬二硫化物受損于其比透明導(dǎo)電氧化物還低的載流子遷移率?！ ≡谛录悠?麻省理工學(xué)院研究與技術(shù)聯(lián)盟，正在先行研發(fā)一種有前景的替代材料：GaN。從光學(xué)角度看，GaN的帶隙為
2020-11-27 16:30:52
達(dá)林頓晶體管是一對(duì)雙極晶體管，連接在一起，從低基極電流提供非常高的電流增益。輸入晶體管的發(fā)射極始終連接到輸出晶體管的基極;他們的收藏家被綁在一起。結(jié)果，輸入晶體管放大的電流被輸出晶體管進(jìn)一步放大
2023-02-16 18:19:11
?！ 槭裁词褂闽捠綀?chǎng)效應(yīng)晶體管器件代替MOSFET？ 選擇鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件而不是傳統(tǒng)的MOSFET有多種原因。提高計(jì)算能力意味著增加計(jì)算密度。需要更多的晶體管來(lái)實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)，這導(dǎo)致了更大的芯片。但是
2023-02-24 15:25:29
各位高手，小弟正在學(xué)習(xí)單結(jié)晶體管，按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真，大多數(shù)都不成功，請(qǐng)問(wèn)誰(shuí)有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
噴墨印刷技術(shù)或?qū)⒖芍圃?b class="flag-6" style="color: red">新型晶體管
2012-08-20 09:51:53
運(yùn)動(dòng)的少子擴(kuò)散引起的散粒噪聲，所以噪聲低。場(chǎng)效應(yīng)晶體管有哪幾種分類(lèi)場(chǎng)效應(yīng)管分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）兩大類(lèi)。按溝道材料型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種；按導(dǎo)電方式：耗盡
2019-05-08 09:26:37
載流子導(dǎo)電，所以稱(chēng)之為單極型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱(chēng)之為雙極型器件。（3）有些場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負(fù)，靈活性比晶體管好。（4）場(chǎng)效應(yīng)管能在很小
2021-05-13 07:09:34
。（2）場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱(chēng)之為單極型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱(chēng)之為雙極型器件。（3）有些場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負(fù)，靈活性比晶體管
2017-05-06 15:56:51
）場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱(chēng)之為單極型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱(chēng)之為雙極型器件。（3）有些場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負(fù)，靈活性比晶體管
2009-04-25 15:43:51
晶體管開(kāi)關(guān)對(duì)電子產(chǎn)品至關(guān)重要。了解晶體管開(kāi)關(guān)，從其工作區(qū)域到更高級(jí)的特性和配置。 晶體管開(kāi)關(guān)對(duì)于低直流開(kāi)/關(guān)開(kāi)關(guān)的電子設(shè)備至關(guān)重要，其中晶體管在其截止或飽和狀態(tài)下工作。一些電子設(shè)備（如 LED
2023-02-20 16:35:09
IGBT是由哪些部分組成的？絕緣柵雙極型晶體管IGBT有哪些特點(diǎn)？如何去使用絕緣柵雙極型晶體管IGBT呢？
2021-11-02 06:01:06
絕緣柵雙極晶體管（IGBT）有哪些應(yīng)用呢？如何去實(shí)現(xiàn)絕緣柵雙極晶體管（IGBT）的電磁兼容設(shè)計(jì)呢？
2022-01-14 07:02:41
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
來(lái)至網(wǎng)友的提問(wèn)：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們?cè)谛吞?hào)上的大致區(qū)別是什么？例如《晶體管電路設(shè)計(jì)》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）?，F(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計(jì)中最常用的型號(hào)是哪些？
2017-10-11 23:53:40
選定方法數(shù)字晶體管的型號(hào)說(shuō)明IO和IC的區(qū)別GI和hFE的區(qū)別VI(on)和VI(off)的區(qū)別關(guān)于數(shù)字晶體管的溫度特性關(guān)于輸出電壓 - 輸出電流特性的低電流領(lǐng)域（數(shù)字晶體管的情況）關(guān)于數(shù)字晶體管
2019-04-09 21:49:36
晶體管可以讓工程師開(kāi)發(fā)出速度更快、集成度和效率更高的集成電路，進(jìn)而設(shè)計(jì)出更輕薄的筆記本電腦，散發(fā)的熱量遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于現(xiàn)在的水平。這些晶體管包含很多由砷化銦鎵做成的納米管，并沒(méi)有采用傳統(tǒng)的材料硅。生產(chǎn)工藝采用
2011-12-08 00:01:44
突破現(xiàn)有的邏輯門(mén)電路設(shè)計(jì)，讓電子能持續(xù)在各個(gè)邏輯門(mén)之間穿梭。此前，英特爾等芯片巨頭表示它們將尋找能替代硅的新原料來(lái)制作7nm晶體管，現(xiàn)在勞倫斯伯克利國(guó)家實(shí)驗(yàn)室走在了前面，它們的1nm晶體管由納米碳管
2016-10-08 09:25:15
晶體管的代表形狀晶體管分類(lèi)圖：按照該分類(lèi)，掌握其種類(lèi)1. 按結(jié)構(gòu)分類(lèi)根據(jù)工作原理不同分類(lèi)，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個(gè)）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經(jīng)構(gòu)成
2019-05-05 01:31:57
受益于集成器件保護(hù)，直接驅(qū)動(dòng)GaN器件可實(shí)現(xiàn)更高的開(kāi)關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級(jí)可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開(kāi)關(guān)特性可實(shí)現(xiàn)提高開(kāi)關(guān)模式電源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
2000一5000（α＝0.995-0.9998）?！ ∈且訮型襯底作為集電極，因此只有集成元器件之間采用PN結(jié)隔離槽的集成電路才能制作這種結(jié)構(gòu)的管子。由于這種結(jié)構(gòu)管子的載流子是沿著晶體管斷面的垂直
2019-04-30 06:00:00
絕緣柵雙極晶體管IGBT又叫絕緣柵雙極型晶體管。一．絕緣柵雙極晶體管IGBT的工作原理： 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)分析略。本講義附加了相關(guān)資料，供感興趣
2009-05-12 20:44:23
絕緣柵雙極晶體管基礎(chǔ)IGBT結(jié)構(gòu)及工作原理IGBT是強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道，而這個(gè)通道卻具有很高的電阻率
2009-05-24 16:43:05
絕緣柵雙極晶體管晶體管的發(fā)展1947年的圣誕前某一天，貝爾實(shí)驗(yàn)室中，布拉頓平穩(wěn)地用刀片在三角形金箔上劃了一道細(xì)痕，恰到好處地將頂角一分為二，分別接上導(dǎo)線(xiàn)，隨即準(zhǔn)確地壓進(jìn)鍺晶體表面的選定部位。電流表
2012-08-02 23:55:11
絕緣柵雙極型晶體管檢測(cè)方法
2009-12-10 17:18:39
絕緣柵雙級(jí)晶體管IGBT
2012-08-20 09:46:02
電極-發(fā)射極電流與幾乎零柵流驅(qū)動(dòng)器。典型的 IGBT絕緣柵雙極性晶體管，即 IGBT，結(jié)合了 MOSFET 的絕緣柵(因此得名第一部分)技術(shù)和傳統(tǒng)雙極性晶體管的輸出性能特性，因此得名第二部分。這種混合
2022-04-29 10:55:25
導(dǎo)讀：近日，英飛凌宣布推出700瓦L波段射頻功率晶體管。該晶體管具備業(yè)界最高的L波段輸出功率（700瓦），適用于工作頻率范圍為1200 MHz~1400 MHz的雷達(dá)系統(tǒng)。這種新型器件可通過(guò)減少
2018-11-29 11:38:26
比如華為的麒麟芯片晶體管數(shù)量、功耗控制，芯片內(nèi)總線(xiàn)連接？澎湃芯片的失敗是不是它的研發(fā)團(tuán)隊(duì)在這些方面的不足？
2020-03-15 17:31:09
這個(gè)達(dá)林頓晶體管廠(chǎng)家是哪家
2022-05-30 16:36:56
。2000 年 12 月，英特爾(Intel)公司率先開(kāi)發(fā)出柵極長(zhǎng)度為 30 納米的單晶體管;2001 年 11 月，英特爾宣布己開(kāi)發(fā)出柵長(zhǎng)僅為 15 納米的新型晶體管，同時(shí)單個(gè)晶體管的實(shí)際工作 頻率己經(jīng)
2018-05-11 10:20:05
中科院化學(xué)所成功研制出新型高性能鋰離子電池負(fù)極材料
鋰離子電池是目前能量密度最高的綠色二次電池，已廣泛應(yīng)用于筆記本電腦、手機(jī)、攝影機(jī)等消費(fèi)電
2008-11-26 08:20:10647 
美國(guó)麻省理工研發(fā)出新型電池
讓電池真正“驅(qū)動(dòng)”汽車(chē)，這是人們長(zhǎng)期以來(lái)對(duì)電動(dòng)汽車(chē)的期望。日前，美國(guó)麻省理工學(xué)院的新型
2009-12-15 11:25:19894 法國(guó)研究人員開(kāi)發(fā)出新型智能晶體管
法國(guó)研究人員最新開(kāi)發(fā)出一種新型智能晶體管，它能夠模仿神經(jīng)系統(tǒng)的運(yùn)行模式，對(duì)圖像進(jìn)行識(shí)別，幫助電腦完成更加復(fù)
2010-01-27 10:43:27442 在國(guó)家自然科學(xué)基金委、科技部和中科院的支持下，中科院半導(dǎo)體所吳南健研究員、張萬(wàn)成和付秋喻等成功研制出新型視覺(jué)芯片。
2011-09-15 09:22:001217 南車(chē)與中科院聯(lián)合組建研發(fā)中心將致力于以碳化硅功率器件為主的新型“綠色中國(guó)芯”研發(fā)，全力打造強(qiáng)大的新型電力電子器件研發(fā)與產(chǎn)業(yè)平臺(tái)
2011-12-23 19:54:56740 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，MIT 的科學(xué)家已經(jīng)研發(fā)出了一種新型晶體管，新的晶體管通過(guò)材料原子結(jié)構(gòu)中的洞孔來(lái)讓電流通過(guò)，速度是當(dāng)前晶體管的 4 倍左右。
2013-01-04 09:02:442916 液流電池作為一種新型的電化學(xué)儲(chǔ)能技術(shù)，是清潔能源大規(guī)模儲(chǔ)能的首選技術(shù)之一。近日，中科院大連化學(xué)物理所研發(fā)出新型的長(zhǎng)壽命、可自我恢復(fù)的鋅碘液流電池，有效解決了目前儲(chǔ)能電池存在的循環(huán)壽命短、功率密度
2018-05-31 16:02:002397 松下宣布研發(fā)出新型MIS結(jié)構(gòu)的Si基GaN功率晶體管，可以連續(xù)穩(wěn)定的工作，柵極電壓高達(dá)10V，工作電流在20A，擊穿電壓達(dá)到730V。
2018-03-15 09:56:086681 
港媒稱(chēng)，內(nèi)地的科學(xué)家說(shuō)，他們已經(jīng)研發(fā)出一種晶體管，這種晶體管將大大增強(qiáng)芯片的性能，并大幅降低它們的能耗。
2019-05-31 11:23:326162 現(xiàn)如今，市場(chǎng)上最先進(jìn)的計(jì)算機(jī)芯片使用7納米晶體管。中國(guó)科學(xué)院微電子研究所微電子設(shè)備與集成技術(shù)領(lǐng)域的專(zhuān)家殷華湘說(shuō)，他的團(tuán)隊(duì)已經(jīng)研發(fā)出3納米晶體管——相當(dāng)于一條人類(lèi)DNA鏈的寬度，在一個(gè)指甲蓋大小的芯片上能安裝數(shù)百億個(gè)這種晶體管。
2019-06-13 16:08:275171 眾所周知，手機(jī)芯片對(duì)于手機(jī)就像主機(jī)對(duì)于電腦一樣，十分重要。而在前段時(shí)間高通發(fā)布的合作伙伴中有很大一部分來(lái)自中國(guó)，像小米，OPPO，vivo等都是其重要的客戶(hù)。
2019-12-18 16:57:555435 近日，中科院對(duì)外宣布，中國(guó)科學(xué)家研發(fā)除了新型垂直納米環(huán)柵晶體管，這種新型晶體管被視為2nm及一下工藝的主要技術(shù)候選。這意味著此項(xiàng)技術(shù)成熟后，國(guó)產(chǎn)2nm芯片有望成功“破冰”，意義重大。
2020-01-14 17:23:254168 近年來(lái)，我國(guó)在高新技術(shù)研發(fā)方面不斷獲得新突破，原本的薄弱領(lǐng)域更是逐步建立起技術(shù)壁壘，在全球市場(chǎng)中站穩(wěn)腳跟，例如國(guó)產(chǎn)芯片。
2020-01-14 17:53:503408 近日，中科院對(duì)外宣布，中國(guó)科學(xué)家研發(fā)出了新型垂直納米環(huán)柵晶體管，這種新型晶體管被視為2nm及一下工藝的主要技術(shù)候選。這意味著此項(xiàng)技術(shù)成熟后，國(guó)產(chǎn)2nm芯片有望成功“破冰”，意義重大。
2020-01-15 09:40:328863 目前最為先進(jìn)的芯片制造技術(shù)為7nm+Euv工藝制程，比較出名的就是華為的麒麟990 5G芯片，內(nèi)置了超過(guò)100億個(gè)晶體管。
2020-01-16 08:48:442110 中科院今天宣布，國(guó)內(nèi)學(xué)者研發(fā)出了一種簡(jiǎn)單的制備低維半導(dǎo)體器件的方法——用“納米畫(huà)筆”勾勒未來(lái)光電子器件，它可以“畫(huà)出”各種需要的芯片。
2020-03-11 16:28:333185 最近中科院傳來(lái)喜訊，中國(guó)在核心電子材料技術(shù)上取得了巨大的突破，成功研發(fā)出了硅-石墨烯-鍺復(fù)合材料晶體管，這種未來(lái)芯片的核心材料讓電磁波在內(nèi)的傳播延遲被縮短1000倍。
2020-03-14 15:09:032437 近日，由中科院大連化學(xué)物理研究所（DICP）的劉健教授和吳忠?guī)浗淌陬I(lǐng)導(dǎo)的研究小組開(kāi)發(fā)出了用Fe 1－x S修飾的介孔碳球作為鋰電反應(yīng)器的納米反應(yīng)器。硫磺電池正極。該納米反應(yīng)器展示出優(yōu)異的多硫化物催化活性和循環(huán)穩(wěn)定性。這項(xiàng)研究于4月16日發(fā)表在《先進(jìn)能源材料》上。
2020-04-20 15:13:173136 
據(jù)麥姆斯咨詢(xún)報(bào)道，中科院分子影像重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室在成功研發(fā)出新型近紅外二區(qū)熒光成像系統(tǒng)及手術(shù)導(dǎo)航技術(shù)基礎(chǔ)上，進(jìn)一步利用熒光探針吲哚菁綠（ICG），開(kāi)展近紅外二區(qū)熒光成像在人體肝癌成像上的應(yīng)用，解決了近紅外二區(qū)熒光成像臨床轉(zhuǎn)化的問(wèn)題。
2020-06-01 16:11:346357 中科院微電子所近期發(fā)表了先導(dǎo)工藝研發(fā)中心團(tuán)隊(duì)在垂直納米環(huán)柵器件領(lǐng)域獲得的最新進(jìn)展，該類(lèi)型器件通過(guò)在垂直方向構(gòu)建晶體管結(jié)構(gòu)，大大減少了器件占用面積，在3nm以下先進(jìn)集成電路制造工藝領(lǐng)域極具應(yīng)用潛力
2021-06-04 11:16:233644 
據(jù)了解，中科院攻克的疊層垂直納米環(huán)柵晶體管技術(shù)要比GAA環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)更加先進(jìn)，這種新型晶體管技術(shù)是2nm制程的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，也就是說(shuō)在2nm制程上，我國(guó)已經(jīng)成功取得了突破。
2022-06-23 09:24:541458 去年IBM的2nm芯片橫空出世，并且同年傳出了中科院2nm芯片的新聞，據(jù)觀(guān)察，后續(xù)網(wǎng)上出現(xiàn)了類(lèi)似“2nm芯片沒(méi)啥用”這樣的言論，那么IBM和中科院2nm芯片是什么意思呢？為什么會(huì)有人說(shuō)2nm芯片沒(méi)啥
2022-06-23 10:27:2411861 5納米是指芯片的特征尺寸，特征尺寸越小，制造出來(lái)mos管就更小，成本也就更低。5納米芯片意味著芯片更小，在單位面積內(nèi)晶體管更為密切，功耗也更低。
2022-06-29 16:59:1441808 也開(kāi)始聯(lián)手研發(fā)2nm及其相關(guān)技術(shù)。 國(guó)外都在追逐2nm工藝，國(guó)內(nèi)自然也就不能拖后腿。雖然我國(guó)芯片行業(yè)總體水平還是比較低，但是據(jù)報(bào)道，中科院已經(jīng)連續(xù)傳出了兩則關(guān)于2nm技術(shù)有關(guān)的新聞，不過(guò)論國(guó)產(chǎn)2nm芯片有望成功嗎。 中科院所攻克的疊層垂直納米環(huán)柵晶體
2022-06-30 10:01:392424 在芯片設(shè)計(jì)和制造中，納米表示的是芯片中晶體管與晶體管之間的距離，在體積相同大小的情況下，7納米工藝的芯片容納的晶體管的數(shù)量，幾乎是14納米工藝芯片的2倍。
2022-07-06 16:35:55123297 IBM 的概念納米片晶體管在氮沸點(diǎn)下表現(xiàn)出近乎兩倍的性能提升。這一成就預(yù)計(jì)將帶來(lái)多項(xiàng)技術(shù)進(jìn)步，并可能為納米片晶體管取代 FinFET 鋪平道路。更令人興奮的是，它可能會(huì)導(dǎo)致更強(qiáng)大的芯片類(lèi)別的開(kāi)發(fā)。
2023-12-26 10:12:55199
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