高性能同步器件在統(tǒng)一封裝中堆棧 2 個 NexFET MOSFET 可支持高電流、多相位 POL 應(yīng)用


    北京2010年6月9日電 /美通社亞洲/ -- 德州儀器 (TI) 宣布推出一款可在 25 A 電流下實現(xiàn)超過 90% 高效率的同步 MOSFET 半橋，其占位面積僅為同類競爭功率 MOSFET 器件的 50%。TI 全新 CSD86350Q5D 功率模塊通過高級封裝將 2 個非對稱 NexFET 功率 MOSFET 進(jìn)行完美整合，可為服務(wù)器、臺式機(jī)與筆記本電腦、基站、交換機(jī)、路由器以及高電流負(fù)載點(diǎn) (POL) 轉(zhuǎn)換器等低電壓同步降壓半橋應(yīng)用實現(xiàn)高性能。

    NexFET 功率模塊除提高效率與功率密度外，還能夠以高達(dá) 1.5 MHz 的開關(guān)頻率生成高達(dá) 40 A 的電流，可顯著降低解決方案尺寸與成本。優(yōu)化的引腳布局與接地引線框架可顯著縮短開發(fā)時間，改善整體電路性能。此外，NexFET 功率模塊還能夠以低成本方式實現(xiàn)與 GaN 等其他半導(dǎo)體技術(shù)相當(dāng)?shù)男阅堋?br>CSD86350Q5D 功率模塊的主要特性與優(yōu)勢：
    -- 5 毫米 x 6 毫米 SON 外形僅為兩個采用 5 毫米 x 6 毫米 QFN 封裝的分立式
       MOSFET 器件的 50%；
    -- 可在 25 A 的工作電流下實現(xiàn)超過 90% 的電源效率，與同類競爭器件相比，效
       率高 2%，功率損耗低 20 %；
    -- 與同類解決方案相比，無需增加功率損耗便可將頻率提高 2 倍；
    -- 底部采用裸露接地焊盤的 SON 封裝可簡化布局。

    供貨與價格情況
    采用 5 毫米 x 6 毫米 SON 封裝的 NexFET 功率模塊器件現(xiàn)已開始批量供貨，可通過 TI 及其授權(quán)分銷商進(jìn)行訂購。此外，樣片與評估板也已同步開始提供。

    查閱有關(guān) TI NexFET 功率 MOSFET 技術(shù)的更多詳情：
    -- 通過 TI E2E(TM) 社區(qū)的 NexFET 論壇向同行工程師咨詢問題，并幫助解決技術(shù)
    -- 查看針對 NexFET 技術(shù)專門優(yōu)化的 DC-DC 控制器：TPS40303、TPS40304、
       TPS40305、TPS51217 以及 TPS51218