全橋驅(qū)動(dòng)器UBA2030T原理圖和應(yīng)用知識(shí)
全橋驅(qū)動(dòng)器UBA2030T原理圖和應(yīng)用知識(shí)
1前言
飛利浦公司利用“BCD750功率邏輯工藝方法”制造的UBA2030T,是為驅(qū)動(dòng)全橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中的功率MOSFET而專門設(shè)計(jì)的高壓IC。UBA2030T只需用很少量的外部元件,即可組成高強(qiáng)度放電(HID)燈電子鎮(zhèn)流器電路,并且為HID燈驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)提供了解決方案。
2封裝、內(nèi)部結(jié)構(gòu)及引腳功能
UBA2030T采用24腳SO封裝,頂視圖如圖1所示。
UBA2030T芯片集成了自舉二極管、振蕩器、高壓和低壓電平移相器、高端(左、右)和低端(左、右)驅(qū)動(dòng)器及控制邏輯等電路,其內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖如圖2所示。
表1列出了UBA2030T的引腳功能。
2主要參數(shù)及特點(diǎn)
2.1主要參數(shù)
UBA2030T的主要參數(shù)及參考數(shù)據(jù)如表2所列。
2.2主要特點(diǎn)
圖1SO24封裝頂視圖
UBA2030T的主要特點(diǎn)如下:
內(nèi)置自舉二極管,用作驅(qū)動(dòng)全橋電路可使外部元件減少到最低限度;
高壓輸入直達(dá)570V,為驅(qū)動(dòng)內(nèi)部電路和全橋
圖2UBA2030T的內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖
表1引腳功能
腳號(hào) | 符號(hào) | 功能描述 |
---|---|---|
1 | GLR | 低端右邊MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)器輸出 |
2 | PGND | 低端左、右MOSFET的源極功率地 |
3 | GLL | 低端左邊MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)器輸出 |
4,6,9,16,17,19 | n.c. | 不連接 |
5 | RC | 內(nèi)部振蕩器RC輸入 |
7 | BE | 控制輸入使能 |
8 | BER | 橋路參考輸入使能 |
10 | FSL | 浮置電源電壓左邊輸出 |
11 | GHL | 高端左邊MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器輸出 |
12 | SHL | 高端左邊MOSFET源極 |
13 | SHR | 高端右邊MOSFET源極 |
14 | GHR | 高端右邊MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器輸出 |
15 | FSR | 浮置電源電壓右邊輸出 |
18 | HV | 高壓電源輸入 |
20 | EXO | 外部振蕩器輸入 |
21 | SD | 關(guān)閉輸入 |
22 | DTC | 死區(qū)時(shí)間控制輸入 |
23 | VDD | 內(nèi)部(低壓)電源 |
24 | SGND | 信號(hào)地 |
表2主要參數(shù)及參考數(shù)據(jù)
全橋驅(qū)動(dòng)器UBA2030T及其應(yīng)用
表2主要參數(shù)及參考數(shù)據(jù) 符號(hào)? 參數(shù)? 條件? 最小值? 典型值? 最大值? 單位?
高壓?
VHV? 高壓電源(電壓)? ? 0? -? 570? V?
啟動(dòng)(經(jīng)腳HV施加)?
Istrtu? 啟動(dòng)電流? ? -? 0.7? 1.0? mA?
Vth(osc,strt)? 啟動(dòng)振蕩門限電壓? 在fbridge=500Hz下,無載? 14.0? 15.5? 17.0? V?
Vth(osc,strt)? 停止振蕩門限電壓? 在fbridge=500Hz下,無載? 11.5? 13.0? 14.5? V?
輸出驅(qū)動(dòng)器?
Io(source)? 輸出源電流? VDD=VFSL=VFSR=15VVGHR=VGHL=VGLR=VGLL=0V? 140? 190? 240? mA?
Io(sink)? 輸出灌電流? VDD=VFSL=VFSR=15VVGHR=VGHL=VGLR=VGLL=15V? 200? 260? 320? mA?
內(nèi)部振蕩器?
fbridge? 橋路振蕩器頻率? EXQ腳連接到SGND? 50? -? 50000? Hz?
外部振蕩器?
fosc(ext)? 外部振蕩器頻率? RC腳連接到SGNDfbridge=fosc(ext)/2? 100? -? 100000? Hz?
死區(qū)時(shí)間?
tdead? 死區(qū)時(shí)間控制范圍(外部可調(diào))? ? 0.4? -? 4? μs?
橋路使能?
IIH? 高電平輸入電流? 使能激活? 100? -? 700? μA?
IIL? 低電平輸入電流? 使能堵塞? 0? -? 20? μA?
關(guān)閉?
VIH? 高電平輸入電壓? 關(guān)閉激活:1ΔVSD/Δt1>5V/ms? 4.5? -? VDD?? V?
VIL? 低電平輸入電壓? 關(guān)閉阻塞:1ΔVSD/Δt1>5V/ms? 0? -? 0.5? V?
II(SD)? 輸入電流? ? 0? -? 50? μA?
?VDD范圍:0V~18V
中的MOSFET,IC提供自己產(chǎn)生的低電源電壓;
利用在DTC腳和SGND腳之間連接的電阻器RDT來設(shè)定死區(qū)時(shí)間tdead,并且RDT=270tdead-70,RDT(min)=50kΩ,RDT(max)=1MΩ(RDT的單位為kΩ時(shí),tdead的單位為μs);
振蕩器頻率可調(diào),當(dāng)使用內(nèi)部振蕩器時(shí),橋路(bridge)頻率可利用外部電阻器ROSC和電容器COSC設(shè)定:fbridge=1/(2×8×ROSC×COSC),并要求ROSC=200kΩ~2MΩ;
內(nèi)置PMOS高壓移相器,以控制橋路使能功能;
具有關(guān)閉功能,只要在SD腳上的輸入達(dá)到4.5V,全橋中的4只MOSFET則被關(guān)斷。
3應(yīng)用介紹
UBA2030T典型應(yīng)用主要是在高壓的(HPS)燈和金屬鹵燈這類HID燈電子鎮(zhèn)流器電路中作為全橋驅(qū)動(dòng)器。
3.1基本應(yīng)用電路
用UBA2030T作驅(qū)動(dòng)器和HID燈為負(fù)載的全橋基本拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)如圖3所示。在這個(gè)應(yīng)用電路中,
圖3UBA2030T作驅(qū)動(dòng)器、HID燈為負(fù)載的全橋基本電路
圖4帶外部控制電路的HID燈全橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
圖5控制電路以橋路高端作參考的HID燈驅(qū)動(dòng)器電路
圖6用低壓DC電源為內(nèi)部電路
提供電流的HID燈全橋驅(qū)動(dòng)器電路
BER腳、BE腳、EXO腳和SD腳都接系統(tǒng)地,沒有使用橋路使能和關(guān)閉功能。當(dāng)使用內(nèi)部振蕩器時(shí),橋路換向頻率由ROSC和COSC的取值決定。當(dāng)HV施加電壓超過振蕩觸發(fā)門限(典型值是15.5V)時(shí),振蕩器開始振蕩。如果在HV腳上的電壓降至振蕩器停止門限(典型值是13V)電壓,IC將重新進(jìn)入啟動(dòng)狀態(tài)。
一旦IC開始正常工作,在功率開關(guān)HL(Q1)和LR(Q4)導(dǎo)通時(shí),HR(Q3)和LL(Q2)則截止;當(dāng)HR(Q3)和LL(Q2)導(dǎo)通時(shí),HL(Q1)和LR(Q4)則截止。UBA2030T提供的換向邏輯,保證了在HID燈中能產(chǎn)生交變電流。
HID燈的啟動(dòng)需要施加一個(gè)3kV~10kV的高壓脈沖。由帶負(fù)阻特性的觸發(fā)元件、電容器和升壓線圈等組成的點(diǎn)火器電路,在通電之后能產(chǎn)生足夠使HID燈擊穿的高電壓,使燈引燃。為防止HID燈出現(xiàn)“聲共振”現(xiàn)象,導(dǎo)致電弧不穩(wěn),燒壞燈管,對(duì)于HID燈驅(qū)動(dòng)電路,往往還要采取“聲共振”抑制措施。
3.2帶外部振蕩器控制的應(yīng)用電路
圖4示出的是帶外部振蕩器控制電路的HID燈全橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。在該應(yīng)用電路中,UBA2030T的RC腳、BER腳和BE腳連接系統(tǒng)地,橋路換向頻率由外部振蕩器決定,關(guān)閉輸入腳(SD腳)可以用作關(guān)斷全橋電路中的全部MOSFET。
3.3控制電路以橋路高端作參考的HID燈全橋驅(qū)動(dòng)器電路
UBA2030T在驅(qū)動(dòng)HID燈全橋系統(tǒng)中作為換向器元件使用。HID燈的使用壽命依賴于通過石英壁的鈉遷移量。為使鈉遷移比率減至最小,HID燈以系統(tǒng)地為參考時(shí),必須在負(fù)壓下工作。圖5示出的是控制單元以橋路高端作參考的HID燈全橋驅(qū)動(dòng)器電路。在該應(yīng)用電路中,BER腳和HV腳都連接到系統(tǒng)地。
圖6所示的以橋路高端作為參考的又一種HID燈全橋驅(qū)動(dòng)電路。BER腳連接系統(tǒng)地,通過HV腳流入IC內(nèi)部低壓電路的電流可以由低壓DC電源(如電池)提供,如圖6中虛線所示。RDT的數(shù)值在50kΩ與1000kΩ之間。當(dāng)RDT=220KΩ時(shí),死區(qū)時(shí)間tdead是1μs.
在任何應(yīng)用中,在IC腳HV上的電壓不能低于在VDD腳上的電壓。否則,不論是在啟動(dòng)狀態(tài)還是進(jìn)入正常工作期間,全橋都不會(huì)正確工作。在啟動(dòng)階段,IC的EXO腳和SD腳都應(yīng)處于低電平。在EXO腳和SD腳的電壓為時(shí)間函數(shù)時(shí),其變化速率應(yīng)大于5V/ms。
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