III-V族化合物,III-V族化合物是什么意思

III-V族化合物半導(dǎo)體;III-V group elements compound semiconductor
分子式：
CAS號(hào)：

性質(zhì)：元素周期表中III族的B，Al，Ga，In和V族的N，P，As，Sb形成的化合物半導(dǎo)體材料。III-V族化合物的表示式為A(III)B(V)，如BN，BP，BAs，BSb，AlN，AlP，AlAs，AlSb，GaN，GaP，GaAs，GaSb，InAs，InN，InP和InSb。其中BN，AlN，GaN和InN是纖維鋅礦結(jié)構(gòu)，其余十二種為閃鋅礦結(jié)構(gòu)。III-V族化合物的一個(gè)重要特點(diǎn)是含有一個(gè)V族的揮發(fā)性組元，在它們?nèi)埸c(diǎn)時(shí)，存在一個(gè)V族元素的離解壓，以磷化物離解壓為最高。III-V族半導(dǎo)體化合物制備方法有以下幾種：液封直拉法(LEC)、高壓液封直拉法(HPLEC)，水平區(qū)熔法(HB)和垂直梯度凝固法(VGF)等。薄膜制備方法有液相外延(LPE)，氣相外延(VPE)，分子束外延(MBE)，化學(xué)束外延(LBE)和金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相淀積(MOCVD)等。III-V族化合物半導(dǎo)體材料在光電子器件，光電集成，超高速微電子器件和超高頻微波器件及電路上得到重要應(yīng)用，有廣闊前景。

所謂III-V族化合物半導(dǎo)體，是指元素周期表中的III族與V族元素相結(jié)合生成的化合物半導(dǎo)體，主要包括鎵化砷（GaAs）、磷化銦（InP）和氮化鎵等。此類(lèi)材料具有閃鋅礦結(jié)構(gòu)(Zincblende)結(jié)構(gòu)。鍵結(jié)方式以共價(jià)鍵為主。由于五價(jià)原子比三價(jià)原子具有更高的陰電性，因此有少許離子鍵成份。正因?yàn)槿绱?，III-V族材料置于電場(chǎng)中，晶格容易被極化，離子位移有助于介電系數(shù)的增加，若電場(chǎng)頻率在紅外線范圍。GaAs材料的n型半導(dǎo)體中，電子移動(dòng)率((mn～8500)遠(yuǎn)大于Si的電子移動(dòng)率((mn～1450)，因此運(yùn)動(dòng)速度快，在高速數(shù)字集成電路上的應(yīng)用，比Si半導(dǎo)體優(yōu)越。但是，由于GaAs材料的集成電路制程極為復(fù)雜，成本也較昂貴，且成品的不良率高，單晶缺陷比Si多。因此GaAs要如同Si半導(dǎo)體普及應(yīng)用，仍有待研發(fā)技術(shù)的努力。但另一方面，其優(yōu)點(diǎn)是具備能夠發(fā)出激光等目前硅所沒(méi)有的特性。?
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