假設(shè)電荷最初存儲在電極①（加有10V電壓）下面的勢阱中，如圖2（a）所示，加在CCD所有電極上的電壓，通常都要保持在高于某一臨界值電壓Vth，Vth稱為CCD閾值電壓，設(shè)Vth=2V。所以每個電極下面都有一定深度的勢阱。顯然，電極①下面的勢阱最深，如果逐漸將電極②的電壓由2V增加到10V，這時，①、②兩個電極下面的勢阱具有同樣的深度，并合并在一起，原先存儲在電極①下面的電荷就要在兩個電極下面均勻分布，（b）和（c）所示，然后再逐漸將電極下面的電壓降到2V，使其勢阱深度降低，（d）和（e）所示，這時電荷全部轉(zhuǎn)移到電極②下面的勢阱中，此過程就是電荷從電極①到電極②的轉(zhuǎn)移過程。如果電極有許多個，可將其電極按照1、4、7…，2、5、8…和3、6、9…的順序分別連在一起，加上一定時序的驅(qū)動脈沖，即可完成電荷從左向右轉(zhuǎn)移的過程。用3相時鐘驅(qū)動的CCD稱為3相CCD。

　　特性

　?、僬{(diào)制傳遞函數(shù)MTF特性：固態(tài)圖像傳感器是由像素矩陣與相應(yīng)轉(zhuǎn)移部分組成的。固態(tài)的像素盡管己做得很小，并且其間隔也很微小，但是，這仍然是識別微小圖像或再現(xiàn)圖像細微部分的主要障礙。

　　②輸出飽和特性：當飽和曝光量以上的強光像照射到圖像傳感器上時，傳感器的輸出電壓將出現(xiàn)飽和，這種現(xiàn)象稱為輸出飽和特性。產(chǎn)生輸出飽和現(xiàn)象的根本原因是光敏二極管或MOS電容器僅能產(chǎn)生與積蓄一定極限的光生信號電荷所致。

　?、郯递敵鎏匦裕喊递敵鲇址Q無照輸出，系指無光像

　　CCD傳感器信號照射時，傳感器仍有微小輸出的特性，輸出來源于暗〔無照）電流。

　?、莒`敏度：單位輻射照度產(chǎn)生的輸出光電流表示固態(tài)圖象傳感器的靈敏度，它主要與固態(tài)圖像傳感器的像元大小有關(guān)。

　?、迯浬ⅲ猴柡推毓饬恳陨系倪^亮光像會在象素內(nèi)產(chǎn)生與積蓄起過飽和信號電荷，這時，過飽和電荷便會從一個像素的勢阱經(jīng)過襯底擴散到相鄰像素的勢阱。這樣，再生圖像上不應(yīng)該呈現(xiàn)某種亮度的地方反而呈現(xiàn)出亮度，這種情況稱為彌散現(xiàn)象。

　?、逇埾瘢簩δ诚袼貟呙璨⒆x出其信號電荷之后，下一次掃描后讀出信號仍受上次遺留信號電荷影響的現(xiàn)象叫殘像。

　?、叩刃г肼暺毓饬浚寒a(chǎn)生與暗輸出（電壓）等值時的曝光量稱為傳感器的等效噪聲曝光量。