做， 使用TLP脈沖方波評(píng)估芯片的ESD性能，可以是Wafer，die或封裝后成品。? 通常0V打到fail ? ESD-gun 靜電槍測(cè)試? 模擬單板、系統(tǒng)外部接口在帶電插拔等情況下的ESD放電，板級(jí)、系統(tǒng)級(jí)
2021-11-24 10:48:32
ESD測(cè)試臺(tái)面搭建，圖中紅圈的電阻需要接嗎。水平和垂直耦合面是要接的，紅圈中為啥也有470k電阻？
2021-03-03 23:20:04
系統(tǒng)級(jí)ESD現(xiàn)象和器件級(jí)ESD現(xiàn)象有什么差異？ESD事件保護(hù)的系統(tǒng)級(jí)設(shè)計(jì)方法有哪幾種？
2021-06-08 07:20:49
能夠承受ESD的沖擊，并繼續(xù)正常工作。ESD保護(hù)方法為了給電子系統(tǒng)提供ESD保護(hù)，可以從不同的角度來(lái)著手。一種方法是在半導(dǎo)體芯片內(nèi)建ESD保護(hù)架構(gòu)。不過(guò)，日趨縮小的CMOS芯片已經(jīng)越來(lái)越不足以承受進(jìn)行
2011-07-05 14:19:03
水平，以便使那些采用了對(duì)ESD越來(lái)越敏感的IC的終端產(chǎn)品保持高可靠性。 ESD波形 以系統(tǒng)級(jí)的方法來(lái)定義典型的ESD事件所采用的最常見(jiàn)的波形，是以其亞納秒上升時(shí)間和高電流電平(參見(jiàn)圖1)為顯著特征
2010-08-18 19:44:07
作者: TI專家 Bruce Trump翻譯: TI信號(hào)鏈工程師 Michael Huang (黃翔) 我們已經(jīng)把芯片級(jí)的ESD性能寫(xiě)入數(shù)據(jù)手冊(cè)多年，但這些參數(shù)僅適用于在芯片焊接到電路板前。那么在
2018-09-21 09:54:40
原理為了防止ESD損傷芯片，一般芯片內(nèi)部各個(gè)引腳（除GND pin 或NC pin 外）都有對(duì)地二極管，簡(jiǎn)單的等效電路如下圖所示：利用二極管的正向?qū)ㄐ?b class="flag-6" style="color: red">測(cè)試芯片各引腳二極管特性，假設(shè)二極管因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">ESD 或高壓被反向擊穿造成損壞，那么芯片對(duì)應(yīng)管腳一般表現(xiàn)為對(duì)地短路。4）測(cè)試方法將萬(wàn)用表紅表筆接地，黑表
2022-01-18 09:30:14
本帖最后由 testest 于 2020-5-17 20:51 編輯
芯片IC可靠性測(cè)試、靜電測(cè)試、失效分析芯片可靠性驗(yàn)證 ( RA)芯片級(jí)預(yù)處理(PC)& MSL試驗(yàn)
2020-05-17 20:50:12
芯片IC可靠性測(cè)試、靜電測(cè)試、失效分析芯片可靠性驗(yàn)證 ( RA)芯片級(jí)預(yù)處理(PC) & MSL試驗(yàn) 、J-STD-020 & JESD22-A113 ；高溫存儲(chǔ)試驗(yàn)(HTSL
2020-04-26 17:03:32
芯片功能測(cè)試常用5種方法有板級(jí)測(cè)試、晶圓CP測(cè)試、封裝后成品FT測(cè)試、系統(tǒng)級(jí)SLT測(cè)試、可靠性測(cè)試。
2023-06-09 16:25:42
和功耗。晶圓級(jí)芯片級(jí)封裝(WLCSP)的運(yùn)用對(duì)減小這些設(shè)備電子組件的尺寸起到了極大的助推作用。此類(lèi)新型應(yīng)用包括介入性檢測(cè)、醫(yī)學(xué)植入體和一次性便攜式監(jiān)護(hù)儀。但是為了最大限度地發(fā)揮出WLCSP封裝在性能
2018-10-17 10:53:16
`看到這篇對(duì)GALAXY S5的拆解，感覺(jué)真是到位，所有的元器件都列出來(lái)了iFixit、ChipWorks是一對(duì)好基友網(wǎng)站，前者擅長(zhǎng)拆解維修，后者專精芯片級(jí)分析與顯微觀察。對(duì)于某一款設(shè)備，通常都是
2014-04-14 23:06:26
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:54 編輯
芯片級(jí)拆解：剖析新型LED燈泡設(shè)計(jì)的藝術(shù)
2012-08-20 19:45:33
芯片級(jí)維修資料分享（一）關(guān)于臺(tái)式機(jī)主板維修分享
2019-08-28 14:47:21
AD7793，想請(qǐng)問(wèn)一下INL的測(cè)試采用什么方法比較合理？
2023-12-01 07:30:13
的性能指標(biāo)，設(shè)計(jì)有效的方法來(lái)測(cè)試。實(shí)際上入侵檢測(cè)系統(tǒng)的測(cè)試是一個(gè)難度較大的問(wèn)題，也是一件費(fèi)時(shí)耗力的工作。對(duì)于這一工作，許多研究機(jī)構(gòu)都進(jìn)行了相應(yīng)的研究，給出了自己的測(cè)試方法和測(cè)試結(jié)果。例如MIT的林肯實(shí)驗(yàn)室
2019-08-19 06:55:17
第二章 驗(yàn)證flow驗(yàn)證的Roadmap驗(yàn)證的目標(biāo)UVM驗(yàn)證方法學(xué)ASIC驗(yàn)證分解驗(yàn)證策略和任務(wù)的分解AMBA可重用、靈活性、兼容性、廣泛支持一.驗(yàn)證的Roadmap1.ASIC芯片項(xiàng)目流程市場(chǎng)需求
2021-11-01 06:28:47
晶圓級(jí)芯片級(jí)封裝; 49 bumps; 3.29×3.29×0.54mm（包括背面涂層）
2022-12-06 06:06:48
PCB布板時(shí)的ESD保護(hù)設(shè)計(jì)方法是什么？
2023-04-06 17:49:21
SiC SBD 晶圓級(jí)測(cè)試 求助：需要測(cè)試的參數(shù)和測(cè)試方法謝謝
2020-08-24 13:03:34
USB元件提供ESD保護(hù)。 業(yè)界制定了不少針對(duì)不同瞬態(tài)干擾的ESD標(biāo)準(zhǔn)，比如針對(duì)系統(tǒng)級(jí)ESD事件的IEC61000-4-2國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。另外還有一些元器件級(jí)的ESD敏感度測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)，如人體模型(HBM)和機(jī)器
2013-12-27 16:21:39
【芯片級(jí)維修工程師】電腦主板維修范例大全 下載 (474.94 KB)2010-11-28 17:16 本帖隱藏的內(nèi)容需要
2010-12-02 21:47:40
`iPhone4S手機(jī)芯片級(jí)拆解`
2012-08-20 21:09:03
Circuits第 3 頁(yè) 共 127 頁(yè)8.2 動(dòng)態(tài)浮接閘級(jí)之ESD 防護(hù)技術(shù)
2011-02-24 09:55:18
。芯片級(jí)一般用HBM做測(cè)試，而電子產(chǎn)品則用IEC 6 1000-4-2的放電模型做測(cè)試。為對(duì) ESD 的測(cè)試進(jìn)行統(tǒng)一規(guī)范，在工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)方面，歐共體的 IEC 61000-4-2 已建立起嚴(yán)格的瞬變沖擊抑制標(biāo)準(zhǔn)
2019-04-23 16:38:13
；該系統(tǒng)主要被用于產(chǎn)品的研發(fā)與測(cè)試分析 這一類(lèi)ESD 可以理解為板級(jí)的ESD 3. 隨著中美貿(mào)易不斷升級(jí)，2017年開(kāi)始國(guó)家加大半導(dǎo)體，芯片等相關(guān)公司的投資， 在武漢，廈門(mén) 合肥 南京 杭州成都等城市
2020-02-29 16:39:46
。生產(chǎn)嵌入式芯片的廠家也已有百家之多。然而，嵌入式芯片的應(yīng)用開(kāi)發(fā)方式基本上還是一直采用基于芯片級(jí)的應(yīng)用開(kāi)發(fā)方式。由于不同生產(chǎn)廠家生產(chǎn)的芯片其系統(tǒng)構(gòu)架和指令系統(tǒng)不一樣，嵌入式芯片應(yīng)用的多樣性和廣泛性導(dǎo)致
2012-11-19 11:53:48
進(jìn)行芯片級(jí)拆解與比對(duì)，詳細(xì)的拆解進(jìn)行橫向比較，為您更清楚地揭示其中的微妙差異。Nook Table這里我們?yōu)槟尸F(xiàn)的是Nook Tablet，這個(gè)薄板有很酷的一個(gè)大夾子。同樣，它的內(nèi)部也很酷，我們來(lái)看
2012-02-03 14:54:54
什么是EMI？ESD噪聲抑制方法有哪些？
2021-06-04 06:36:14
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:46 編輯
保護(hù)元件免受ESD的方法 為了給電子系統(tǒng)提供ESD保護(hù)，可以從不同的角度來(lái)著手。一種方法是在半導(dǎo)體芯片內(nèi)建ESD保護(hù)架構(gòu)
2013-01-04 14:58:24
為了給電子系統(tǒng)提供ESD保護(hù)，可以從不同的角度來(lái)著手。一種方法是在半導(dǎo)體芯片內(nèi)建ESD保護(hù)架構(gòu)。不過(guò)，日趨縮小的CMOS芯片已經(jīng)越來(lái)越不足以承受進(jìn)行內(nèi)部2KV等級(jí)的ESD保護(hù)所需要的面積。真正有效
2014-02-14 10:30:16
時(shí)鐘頻率的不斷提高使相位噪聲和抖動(dòng)在系統(tǒng)時(shí)序上占據(jù)日益重要的位置。本文介其概念及其對(duì)系統(tǒng)性能的影響，并在電路板級(jí)、芯片級(jí)和單元模塊級(jí)分別提供了減小相位噪聲和抖動(dòng)的有效方法。
2019-06-05 07:13:30
[/td][td=140]芯片級(jí)系統(tǒng)級(jí)上升時(shí)間2-10ns0.7-1ns峰值電流/KV0.66A3.75A2.測(cè)試設(shè)備不同MK2-芯片級(jí)靜電槍-系統(tǒng)級(jí)3.測(cè)試方法不同芯片級(jí)HBM測(cè)試需要對(duì)IC按照
2020-10-16 16:36:22
0.7-1ns峰值電流/KV0.66A3.75A2.測(cè)試設(shè)備不同，MK2芯片級(jí)，靜電槍系統(tǒng)級(jí)3.測(cè)試方法不同芯片級(jí)HBM測(cè)試需要對(duì)IC按照POWER,GND,IO進(jìn)行分組測(cè)試系統(tǒng)級(jí)HBM測(cè)試分成兩種方式：1
2022-09-19 09:53:25
。芯片級(jí)一般用HBM做測(cè)試，而電子產(chǎn)品則用IEC 6 1000-4-2的放電模型做測(cè)試。為對(duì) ESD 的測(cè)試進(jìn)行統(tǒng)一規(guī)范，在工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)方面，歐共體的 IEC 61000-4-2 已建立起嚴(yán)格的瞬變沖擊抑制標(biāo)準(zhǔn)
2021-08-10 07:00:00
我們已經(jīng)把芯片級(jí)的ESD 性能寫(xiě)入數(shù)據(jù)手冊(cè)多年， 但這些參數(shù)僅適用于在芯片焊接到電路板前。那么在電路板上的ESD性能如何呢？
2021-04-09 06:00:54
基于無(wú)線測(cè)試配置來(lái)研究和比較各種多DUT測(cè)試方案
2021-05-10 06:44:44
摘要：文中通過(guò)分析目前電子設(shè)備板級(jí)熱仿真建模技術(shù)存在的不足，基于設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)共享技術(shù)，系統(tǒng)研究了PCB 板卡的疊層銅分布和熱過(guò)孔仿真建模對(duì)芯片溫度預(yù)測(cè)精度帶來(lái)的較大影響，并結(jié)合實(shí)際應(yīng)用給出了仿真優(yōu)化
2018-09-26 16:22:17
對(duì)于單顆的芯片，目的驗(yàn)證其從封裝完成，經(jīng)過(guò)儲(chǔ)存、運(yùn)輸直到焊接到系統(tǒng)板之前的靜電防護(hù)水平，建議采用芯片級(jí)的測(cè)試方式，測(cè)試電壓通常在2000V左右。對(duì)于系統(tǒng)板和整機(jī)，為驗(yàn)證其抗干擾的能力，建議用靜電槍測(cè)試，接觸式放電8KV，空氣放電15KV.
2022-09-19 09:57:03
過(guò)關(guān)，不過(guò)，對(duì)小型電子產(chǎn)品進(jìn)行靜電屏蔽也比較容易，只需在機(jī)殼上面貼一層薄薄的導(dǎo)電薄膜（或涂一層可導(dǎo)電的油漆）即可，因此，對(duì)敏感器件進(jìn)行靜電屏蔽是小型電子產(chǎn)品對(duì)付ESD測(cè)試比較常用的方法。
2021-01-08 16:08:07
脈沖有沒(méi)有正確送到CPU芯片的復(fù)位腳。 4.查總線 數(shù)據(jù)總線、地址總線、控制總線的任何一根開(kāi)路或短路都可引發(fā)故障，可以通過(guò)測(cè)試平行總線的對(duì)地電阻比較某路有沒(méi)有故障來(lái)判斷，或者觀察各路總線的波形來(lái)判斷。 5.查接口芯片 接口芯片是壞得最多的一類(lèi)元件，可通過(guò)代換或?qū)Ｓ脙x器檢測(cè)來(lái)判斷是否損壞
2012-04-18 16:31:12
的集成度。現(xiàn)在一塊單一的芯片就集成了從ＡＤＣ轉(zhuǎn)換到中頻調(diào)制輸出的大部分功能。因此，模塊級(jí)和芯片級(jí)的射頻測(cè)試點(diǎn)會(huì)減少很多，發(fā)射器系統(tǒng)級(jí)和天線端的測(cè)試和故障分析就變得更加重要。
2019-06-28 07:44:08
Ramon Navarro簡(jiǎn)介本應(yīng)用筆記說(shuō)明用于從印刷電路板(PCB)移除引線框芯片級(jí)封裝(LFCSP)的建議程序。LFCSP符合JEDEC MO-220和MO-229外形要求。本應(yīng)用筆
2018-10-24 10:31:49
怎樣在IAP源碼的基礎(chǔ)上做芯片級(jí)的改動(dòng)呢？STM32的啟動(dòng)過(guò)程是怎樣的？
2021-11-02 06:13:23
面積，而硅片面積的增加增大了IC設(shè)計(jì)的成本?！ ‘?dāng)前，新的ESD設(shè)計(jì)技術(shù)解決了這個(gè)問(wèn)題：鎮(zhèn)流電阻可以通過(guò)高效的面積使用方法來(lái)實(shí)現(xiàn)。新的設(shè)計(jì)方法能確保實(shí)現(xiàn)較小的I/O，更小的IC芯片尺寸，因而每一個(gè)晶圓上
2012-12-11 13:39:47
你好，我尋求CSG325 0.8mm間距BGA封裝的布局信息。我想找到類(lèi)似于UG112第87和88頁(yè)中的建議，其中列出了焊盤(pán)尺寸，焊接掩模開(kāi)口，焊盤(pán)尺寸等。是否有像CSG325這樣的芯片級(jí)封裝的類(lèi)似
2019-04-12 13:51:20
如何利用EDA工具去提高系統(tǒng)級(jí)芯片測(cè)試的效率？
2021-05-07 06:08:41
。這一規(guī)范的ESD保護(hù)電壓水平高很多，因此與HBM不兼容。HBM規(guī)范要求的測(cè)試集中在500V。另一方面，IEC中的空氣放電方法要求的測(cè)試可以超過(guò)15，000V。這意味著，在芯片組的ESD保護(hù)能力
2019-05-22 05:01:12
`淺析ESD 防護(hù)與ESD 防護(hù)器件中心議題：? 靜電釋放的危害和ESD 保護(hù)的重要性? 相對(duì)于壓敏MOV和聚合物PESD，硅基ESD 在ESD 保護(hù)方面的比較優(yōu)勢(shì)解決方案：?硅基ESD采用硅芯片
2017-07-31 14:59:33
本帖最后由 llgzcts 于 2012-4-8 01:22 編輯
介紹一個(gè)關(guān)于電腦主板維修的好資料的下載地址：電腦硬件芯片級(jí)維修培訓(xùn)實(shí)用資料大全(650M)實(shí)用資料打包下載網(wǎng)實(shí)用資料打包下載網(wǎng)
2012-04-08 01:03:34
。芯片級(jí)一般用HBM做測(cè)試，而電子產(chǎn)品則用IEC 6 1000-4-2的放電模型做測(cè)試。為對(duì) ESD 的測(cè)試進(jìn)行統(tǒng)一規(guī)范，在工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)方面，歐共體的 IEC 61000-4-2 已建立起嚴(yán)格的瞬變沖擊抑制
2020-07-07 08:26:54
等。芯片級(jí)一般用HBM做測(cè)試，而電子產(chǎn)品則用IEC 6 1000-4-2的放電模型做測(cè)試。為對(duì) ESD 的測(cè)試進(jìn)行統(tǒng)一規(guī)范，在工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)方面，歐共體的 IEC 61000-4-2 已建立起嚴(yán)格的瞬變沖擊
2018-10-23 16:08:45
。芯片級(jí)一般用HBM做測(cè)試，而電子產(chǎn)品則用IEC 6 1000-4-2的放電模型做測(cè)試。為對(duì) ESD 的測(cè)試進(jìn)行統(tǒng)一規(guī)范，在工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)方面，歐共體的 IEC 61000-4-2 已建立起嚴(yán)格的瞬變沖擊抑制標(biāo)準(zhǔn)
2019-04-27 08:00:00
計(jì)算機(jī)芯片級(jí)維修中心（芯片級(jí)維修培訓(xùn)教材）
2009-04-05 01:17:54
SRAM中晶圓級(jí)芯片級(jí)封裝的需求
2020-12-31 07:50:40
金屬觸點(diǎn)ESD測(cè)試問(wèn)題像圖中這種串口通訊觸點(diǎn)（4.2V,TX,RX），如果還是不能通過(guò)空氣放電15KV，接觸放電8KV，然后板子空間有限，這種情況如何改善能一步通過(guò)ESD測(cè)試？
2023-02-02 11:01:38
飛凌干貨丨6步講解應(yīng)對(duì)ESD基本方法ESD試驗(yàn)作為EMC測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)的一項(xiàng)基本測(cè)試項(xiàng)目，往往由硬件工程師來(lái)考慮。對(duì)于整機(jī)來(lái)說(shuō)，ESD抗干擾能力不僅僅來(lái)自芯片的ESD耐壓和PCB的布局布線，與工藝結(jié)構(gòu)也有
2021-02-07 13:22:05
（full-waverectifiers）等?！ ? 比較器的設(shè)計(jì) 本文設(shè)計(jì)的比較器是一個(gè)高增益的三級(jí)比較器，第一級(jí)為普通差分放大器，第二級(jí)為折疊式共源共柵差分放大器，第三級(jí)為共源極放大器和一個(gè)推挽式反向放大器
2011-08-18 09:20:12
摘要：介紹了一種研究器件和電路結(jié)構(gòu)在EsD期間新的特性測(cè)試方法—一TLP法，該方法不僅可替代HBM測(cè)試，還能幫助電路設(shè)計(jì)師詳細(xì)地分析器件和結(jié)構(gòu)在ESD過(guò)程中的運(yùn)行機(jī)制，有目的
2010-04-29 10:48:53
29 福祿克DTX-1800維修維修內(nèi)容：主機(jī)屏幕爆屏、無(wú)法開(kāi)機(jī)、測(cè)試指標(biāo)偏移、無(wú)法充電、適配器接口損壞更換、電池內(nèi)阻增大更換、原廠校準(zhǔn)、芯片級(jí)維修等，各種疑難雜癥。
2023-10-10 16:11:30
服務(wù)范圍大規(guī)模集成電路芯片檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)●JESD22-A103/ A104/ A105/ A108/ A110●J-STD-020●JS-001/002●JESD78檢測(cè)項(xiàng)目（1）芯片級(jí)可靠性驗(yàn)證試驗(yàn)
2024-03-14 16:28:30
論述了一種測(cè)試混合信號(hào)集成電路襯底噪聲波形的方法采用電壓比較器利用襯底電壓對(duì)比
較器狀態(tài)的影響對(duì)噪聲作出統(tǒng)計(jì)測(cè)試根據(jù)測(cè)試結(jié)果重建噪聲波形設(shè)計(jì)了一
2010-08-29 16:08:4614 基于IEEE1149．4的測(cè)試方法研究
根據(jù)混合信號(hào)邊界掃描測(cè)試的工作機(jī)制，提出了符合1149．4標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)試方法，并用本研究室開(kāi)發(fā)的混合信號(hào)邊界掃描測(cè)試系統(tǒng)進(jìn)行了測(cè)試
2009-05-04 22:29:18
1007 
測(cè)試一直是靜電與電磁防護(hù)研究的瓶頸. 針對(duì)ESD 輻射場(chǎng) 測(cè)試問(wèn)題, 提出了能量有效帶寬和動(dòng)態(tài)范圍有效帶寬的概念, 并根據(jù)IEC61000
2011-06-20 16:45:2429 《開(kāi)關(guān)電源維修技能實(shí)訓(xùn):芯片級(jí)》共8章，系統(tǒng)講解了電源中的各種元器件的檢測(cè)方法及常用維修工具的使用方法、基本電路、電腦電源分析與檢修、顯示器電源分析與檢修、UPS電源分
2011-10-21 17:10:140 清晰易懂 表明esd如何發(fā)生，如何避免esd
2016-02-22 18:05:450 蓄電池測(cè)試系統(tǒng)中SVPWM與SPWM的比較研究
2016-03-30 14:59:5915 ESD模型和測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)
2016-12-10 14:02:2017 基于電壓比較器襯底噪聲的測(cè)試方法
2017-01-22 13:38:085 IT硬件能耗測(cè)試方法應(yīng)用研究_黃植勤
2017-03-19 11:27:342 STUN協(xié)議的實(shí)現(xiàn)原理及測(cè)試方法研究_吳任國(guó)
2017-03-19 11:28:020 MEMS制造中精確測(cè)量薄膜厚度的方法研究與比較_陳莉
2017-03-19 18:58:182 翻譯: TI信號(hào)鏈工程師 Michael Huang (黃翔) 我們已經(jīng)把芯片級(jí)的ESD性能寫(xiě)入數(shù)據(jù)手冊(cè)多年，但這些參數(shù)僅適用于在芯片焊接到電路板前。那么在電路板上的ESD性能如何呢？ 我們用多次電擊若干個(gè)芯片的每個(gè)引腳的方法來(lái)確保其ESD性能。它模擬了在觸摸和裝配過(guò)程中芯片遭遇的惡劣情景。
2017-04-08 04:09:112932 
CE標(biāo)志測(cè)試以滿足歐共體理事會(huì)指令89/336／EEC要求測(cè)試根據(jù)EN 61000-4-2。EN 61000-4-2是由CENELEC和他們使用IEC標(biāo)準(zhǔn)IEC 61000-4-2作為ESD測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)
2017-08-31 11:05:2033 ADI公司的iCoupler產(chǎn)品提供了一種替代光耦合器的隔離 解決方案，具有出色的集成度、性能和功耗特性。一個(gè) iCoupler隔離通道包括CMOS輸入和輸出電路與一個(gè)芯片級(jí) 變壓器（見(jiàn)圖1）。由于
2017-09-13 08:08:034 每一個(gè)輸入/輸出相對(duì)于其他所有的輸入/輸出的正向ESD脈沖測(cè)試。
2018-11-24 09:23:0717325 盡管業(yè)界廣泛采用IJTAG（IEEE 1687）測(cè)試架構(gòu)進(jìn)行芯片級(jí)測(cè)試，但很多公司在芯片級(jí)測(cè)試向量轉(zhuǎn)換，以及自動(dòng)測(cè)試設(shè)備 (ATE) 調(diào)試測(cè)試保留了非常不同的方法。因此，每個(gè)特定芯片必須由 DFT 工程師編寫(xiě)測(cè)試向量，然后由測(cè)試工程師進(jìn)行轉(zhuǎn)換，以便在每種測(cè)試儀類(lèi)型上調(diào)試每個(gè)場(chǎng)景。
2019-10-11 15:36:233515 
芯片級(jí)守護(hù) 華為P30系列如何從底層保證通信安全？
2019-08-28 11:18:283901 在做ESD放電測(cè)試時(shí)通常采用兩種方法：接觸放電和空氣放電。
2019-09-02 08:49:244173 
根據(jù)AEC-Q200-002，HBM的ESD測(cè)試流程如圖3所示，級(jí)分類(lèi)如表1所示。根據(jù)圖3的流程進(jìn)行測(cè)試，耐電壓的分級(jí)如表1所示進(jìn)行分類(lèi)。
2020-07-01 15:33:313731 
提出一種用于UHF無(wú)源RFID標(biāo)簽芯片阻抗測(cè)試的新方法。利用ADS仿真軟件對(duì)測(cè)試原理進(jìn)行了仿真并實(shí)際制作了測(cè)試板。利
2021-03-22 17:16:213021 
作者: TI專家 Bruce Trump
翻譯: TI信號(hào)鏈工程師 Michael Huang (黃翔)?
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我們已經(jīng)把芯片級(jí)的ESD性能寫(xiě)入數(shù)據(jù)手冊(cè)多年，但這些參數(shù)僅適用于在芯片焊接
2021-11-22 16:13:172835 Fairchild 模擬開(kāi)關(guān)產(chǎn)品 ESD 測(cè)試方法概述
2022-11-14 21:08:280 ESD和浪涌問(wèn)題往往是基帶工程師最頭疼的問(wèn)題，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)嚴(yán)苛，問(wèn)題神出鬼沒(méi)。特別是ESD問(wèn)題，沒(méi)有解決問(wèn)題的標(biāo)準(zhǔn)路徑，只能靠反復(fù)地構(gòu)思方案并驗(yàn)證。
2023-03-14 14:36:2012660 ESD按照發(fā)生階段主要分為兩類(lèi)：1.發(fā)生在芯片上PCB板前的過(guò)程中（生產(chǎn) 、封裝、運(yùn)輸、銷(xiāo)售、上板）這類(lèi)ESD事件完全需要由芯片自己承受。
2023-05-16 16:21:317698 
芯片功能測(cè)試常用5種方法有板級(jí)測(cè)試、晶圓CP測(cè)試、封裝后成品FT測(cè)試、系統(tǒng)級(jí)SLT測(cè)試、可靠性測(cè)試。
2023-06-09 15:46:581666 
ESD靜電放電在芯片實(shí)際使用過(guò)程中越來(lái)越影響到芯片的可靠性，是影響芯片質(zhì)量和性能的重要因素之一。因此，ESD抗干擾測(cè)試是非常重要的，防止ESD對(duì)芯片造成損壞。
2023-10-08 16:24:01565 ESD和浪涌問(wèn)題往往是基帶工程師最頭疼的問(wèn)題，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)嚴(yán)苛，問(wèn)題神出鬼沒(méi)。特別是ESD問(wèn)題，沒(méi)有解決問(wèn)題的標(biāo)準(zhǔn)路徑，只能靠反復(fù)地構(gòu)思方案并驗(yàn)證。
想要盡量避免以上問(wèn)題，就必須選擇合適的防護(hù)器件，設(shè)計(jì)上做足防護(hù)措施。本文告訴你ESD和浪涌的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)，測(cè)試方法，以及如何選擇TVS器件。
2023-10-09 12:18:282401 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《IEC61967-2芯片級(jí)RE測(cè)試應(yīng)用筆記.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-12-14 10:03:060
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