16日，三星電子宣布在基于EUV的高級(jí)節(jié)點(diǎn)方面取得了重大進(jìn)展，包括7nm批量生產(chǎn)和6nm客戶流片，以及成功完成5nm FinFET工藝的開發(fā)。 三星電子宣布其5納米（nm）FinFET工藝技術(shù)的開發(fā)
2019-04-18 15:48:47
6010 趙海軍博士和梁孟松博士表示，FinFET的研發(fā)工作繼續(xù)加速。該公司的14納米工藝目前正處于風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)階段，預(yù)計(jì)將在年底前實(shí)現(xiàn)盈利。 此外，該公司還開始與12nm工藝的客戶合作，提供了第一代FinFET技術(shù)的增強(qiáng)版本。并抓住5G / IoT /汽車和其他行業(yè)趨勢的機(jī)會(huì)實(shí)現(xiàn)突破
2019-08-20 09:25:016602 作為業(yè)界少數(shù)幾家加入FinFET俱樂部的公司，中芯國際已經(jīng)開始使用其14 nm FinFET制造技術(shù)批量生產(chǎn)芯片。該公司設(shè)法開發(fā)了依賴于此類晶體管的制造工藝。有點(diǎn)遺憾的是，中芯國際的FinFET
2019-11-19 10:40:266858 新思科技公司（Synopsys）在過去五年多與行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者合作共同開發(fā)了對(duì)FinFET技術(shù)的支持，通過提供經(jīng)生產(chǎn)驗(yàn)證的設(shè)計(jì)工具與IP來推進(jìn)對(duì)FinFET技術(shù)的采用。
2013-02-19 10:42:54823 那么20納米的平面型晶體管還有市場價(jià)值么？這是一個(gè)很好的問題，就在此時(shí)，在2013年初，20nm的平面型晶體管技術(shù)將會(huì)全面投入生產(chǎn)而16納米/14納米 FinFET器件的量產(chǎn)還需要一到兩年，并且還有
2013-03-15 09:02:541989 
16nm/14nm FinFET技術(shù)將是一個(gè)Niche技術(shù)，或者成為IC設(shè)計(jì)的主流？歷史證明，每當(dāng)創(chuàng)新出現(xiàn)，人們就會(huì)勾勒如何加以利用以實(shí)現(xiàn)新的、而且往往是意想不到的價(jià)值。FinFET技術(shù)將開啟電腦、通信和所有類型消費(fèi)電子產(chǎn)品的大躍進(jìn)時(shí)代。
2013-03-28 09:26:472161 在新思科技（Synopsys）于美國硅谷舉行年度使用者大會(huì)上，參與一場座談會(huì)的產(chǎn)業(yè)專家表示，鰭式電晶體（FinFET）雖有發(fā)展?jié)摿?，但也有風(fēng)險(xiǎn)，而且該技術(shù)的最佳時(shí)機(jī)尚未達(dá)到。Cavium 估計(jì)FinFET將使閘極電容提升40%。
2013-04-01 10:30:141173 Cadence系統(tǒng)芯片開發(fā)工具已經(jīng)通過臺(tái)積電（TSMC） 16納米 FinFET制程的設(shè)計(jì)參考手冊第0.1版與 SPICE 模型工具認(rèn)證,客戶現(xiàn)在可以享用Cadence益華電腦流程為先進(jìn)制程所提供的速度、功耗與面積優(yōu)勢。
2013-06-06 09:26:451236 在Synopsys 的協(xié)助下，臺(tái)灣聯(lián)電（UMC）首款基于14nm制程及FinFET晶體管技術(shù)的測試用芯片日前完成了流片。聯(lián)電公司早前曾宣布明年下半年有意啟動(dòng)14nm 制程FinFET產(chǎn)品的制造，而這
2013-06-28 09:57:581023 晶圓代工廠邁入高投資與技術(shù)門檻的鰭式場效電晶體制程世代后，與整合元件制造商的競爭將更為激烈，因此臺(tái)積電正積極籌組大聯(lián)盟，串連矽智財(cái)、半導(dǎo)體設(shè)備/材料，以及電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化供應(yīng)商等合作夥伴的力量，強(qiáng)化在FinFET市場的競爭力。
2013-07-24 10:12:501077 EDA 業(yè)者正大舉在FinFET市場攻城掠地。隨著臺(tái)積電、聯(lián)電和英特爾（Intel）等半導(dǎo)體制造大廠積極投入16/14奈米FinFET制程研發(fā)，EDA工具開發(fā)商也亦步亦趨，并爭相發(fā)布相應(yīng)解決方案，以協(xié)助IC設(shè)計(jì)商克服電晶體結(jié)構(gòu)改變所帶來的新挑戰(zhàn)，卡位先進(jìn)制程市場。
2013-08-26 09:34:041899 
大家都在談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">FinFET——可以說，這是MOSFET自1960年商用化以來晶體管最大的變革。幾乎每個(gè)人——除了仍然熱心于全耗盡絕緣體硅薄膜 （FDSOI）的人，都認(rèn)為20 nm節(jié)點(diǎn)以后，FinFET將成為SoC的未來。但是對(duì)于要使用這些SoC的系統(tǒng)開發(fā)人員而言，其未來會(huì)怎樣呢？
2013-12-09 13:49:542325 在近期內(nèi)，從先進(jìn)的芯片工藝路線圖中看已經(jīng)相當(dāng)清楚。芯片會(huì)基于今天的FinFET工藝技術(shù)或者另一種FD SOI工藝的平面技術(shù)，有望可縮小到10nm節(jié)點(diǎn)。但是到7nm及以下時(shí)，目前的CMOS工藝路線圖已經(jīng)不十分清晰。大量的金錢和精力都花在探索FinFET工藝，它會(huì)持續(xù)多久和為什么要替代他們？
2014-02-25 10:16:565279 在歷史上，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的成長仰賴制程節(jié)點(diǎn)每一次微縮所帶來的電晶體成本下降；但下一代晶片恐怕不會(huì)再伴隨著成本下降，這將會(huì)是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)近20~30年來面臨的最嚴(yán)重挑戰(zhàn)。FinFET會(huì)是半導(dǎo)體工藝演進(jìn)最佳選項(xiàng)？
2014-04-01 09:07:473015 
臺(tái)積電昨日宣布其將在未來一年內(nèi)調(diào)用至少100億美元的經(jīng)費(fèi)來增加在16nm FinFET芯片的工業(yè)生產(chǎn)。旨在進(jìn)一步提升其在FinFET技術(shù)上的領(lǐng)先地位。
2014-10-17 16:33:39965 當(dāng)今，英特爾在FinFET制程上仍屬于佼佼者，其他半導(dǎo)體廠商正嘗試開發(fā)3D FinFET與英特爾抗衡。IBM同樣在FinFET制程上表現(xiàn)突出，這也是英特爾的主要競爭對(duì)手。
2014-10-22 10:17:591615 昨日臺(tái)積電官方宣布，16nm FinFET Plus（簡稱16FF+）工藝已經(jīng)開始風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)。16FF+是標(biāo)準(zhǔn)的16nm FinFET的增強(qiáng)版本，同樣有立體晶體管技術(shù)在內(nèi)，號(hào)稱可比20nm SoC平面工藝性能提升最多40％，或者同頻功耗降低最多50％。
2014-11-14 09:31:582127 在我們大多數(shù)人“非黑即白”、“非此即彼”的觀念里，半導(dǎo)體廠商應(yīng)該不是選擇FinFET就是FD-SOI工藝技術(shù)。
2015-07-07 09:52:223744 華力微業(yè)界傳出大陸華力微電子高層近期來臺(tái)拜會(huì)聯(lián)發(fā)科，表達(dá)大陸半導(dǎo)體政策已不再滿足于28納米制程，希望先進(jìn)邏輯制程技術(shù)全面擁抱FinFET制程世代。
2015-08-09 13:03:071084 打開這一年來半導(dǎo)體最熱門的新聞，大概就屬FinFET了，例如：iPhone 6s內(nèi)新一代A9應(yīng)用處理器采用新晶體管架構(gòu)很可能為鰭式晶體管（FinFET），代表FinFET開始全面攻占手機(jī)處理器，三星
2015-09-19 16:48:004522 
獲得英 特爾（Intel）、三星、臺(tái)積電（TSMC）等大廠采用的FinFET制程，號(hào)稱能提供最高性能與最低功耗；但Jones指出，在約當(dāng)14納米節(jié) 點(diǎn)，F(xiàn)D-SOI每邏輯閘成本能比FinFET低16.8%，此外其設(shè)計(jì)成本也低25%左右，并降低了需要重新設(shè)計(jì)的風(fēng)險(xiǎn)。
2016-09-14 11:39:021835 
今日，三星電子正式宣布已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)基于10nm FinFET技術(shù)的SoC，這是業(yè)界內(nèi)首家提供10nm工藝代工廠商。新工藝下的SoC性能可以提供27%，功耗將降低40%。
2016-10-17 14:07:01873 據(jù)外媒報(bào)道，三星電子被指侵犯了與鰭式場效應(yīng)晶體管（FinFET）制程工藝相關(guān)的專利，面臨訴訟。韓媒稱，韓國科學(xué)技術(shù)院（KAIST）計(jì)劃對(duì)三星提起訴訟，指控后者侵犯其FinFET專利。KAIST稱，他們開發(fā)了10納米FinFET工藝，但是三星竊取了這項(xiàng)技術(shù)，并將其用于生產(chǎn)高通驍龍835芯片。
2016-12-05 15:35:27725 今年得獎(jiǎng)?wù)邽槊绹又荽髮W(xué)柏克萊分校講座教授胡正明，他也曾是臺(tái)積電前技術(shù)長，主辦單位表示，胡研發(fā)的3D鰭式電晶體（FinFET），突破物理極限，使元件更小，能源使用效率提高，堪稱半導(dǎo)體工業(yè)40多年來最大變革，也使得摩爾定律得以延續(xù)至今
2016-12-30 07:41:271295 日前，中科院微電子所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心在下一代新型FinFET邏輯器件工藝研究上取得重要進(jìn)展。微電子所殷華湘研究員的課題組利用低溫低阻NiPt硅化物在新型FOI FinFET上實(shí)現(xiàn)了全金屬
2017-01-13 09:27:373046 FinFET稱為鰭式場效晶體管（FinField-EffectTransistor;FinFET）是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體（CMOS）晶體管。
2017-02-04 10:30:2214159 
12納米領(lǐng)先性能(12LP)的FinFET半導(dǎo)體制造工藝。該技術(shù)預(yù)計(jì)將提高當(dāng)前代14納米 FinFET產(chǎn)品的密度和性能，同時(shí)滿足從人工智能、虛擬現(xiàn)實(shí)到高端智能手機(jī)、網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施等最具計(jì)算密集型處理需求的應(yīng)用。 這項(xiàng)全新的12LP技術(shù)與當(dāng)前市場上的16 /14納米 FinFET解決方案相比，電路密度提高
2017-09-25 16:12:368666 根據(jù)供應(yīng)鏈傳出的消息指出，中國大陸最大的晶圓代工廠中芯國際，目前最新的14納米FinFET制程已接近研發(fā)完成階段，其試產(chǎn)的良率已經(jīng)可以達(dá)到95%的水準(zhǔn)。因此，距離2019年正式量產(chǎn)的目標(biāo)似乎已經(jīng)不遠(yuǎn)了。
2018-06-15 14:09:468507 8月30日，中芯國際發(fā)布2018年中期業(yè)績，收入同比增長11.5%至17.22億美元；毛利同比增長5.6%至4.38億美元。中芯國際在14納米FinFET技術(shù)開發(fā)上獲得重大進(jìn)展。中芯國際的第一代FinFET技術(shù)研發(fā)已進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段。
2018-08-31 14:44:335140 現(xiàn)在，隨著FinFET存儲(chǔ)器的出現(xiàn)，需要克服更多的挑戰(zhàn)。這份白皮書涵蓋：FinFET存儲(chǔ)器帶來的新的設(shè)計(jì)復(fù)雜性、缺陷覆蓋和良率挑戰(zhàn)；怎樣綜合測試算法以檢測和診斷FinFET存儲(chǔ)器具體缺陷；如何通過內(nèi)建自測試（BIST）基礎(chǔ)架構(gòu)與高效測試和維修能力的結(jié)合來幫助保證FinFET存儲(chǔ)器的高良率。
2016-09-30 13:48:242721 
橫向?qū)щ姷腗OSFET，如下圖所示，這個(gè)結(jié)構(gòu)及其工作原理以前的文章介紹過：功率MOSFET的結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)，其由三個(gè)電極：G柵極、D漏極和S源極組成。圖1：平面橫向?qū)щ奙OSFET灰色Gate柵極的寬度
2017-01-06 14:46:20
Finfet技術(shù)（3D晶體管）詳解
2012-08-19 10:46:17
轉(zhuǎn)自http://www.eet-china.com/ART_8800697889_480201_NT_08124b24.HTM臺(tái)積電借16nm FinFET Plus及InFO WLP 通吃英特爾
2014-05-07 15:30:16
工藝技術(shù)的演進(jìn)遵循摩爾定律，這是這些產(chǎn)品得以上市的主要促成因素。對(duì)整個(gè)行業(yè)來說，從基于大體積平面晶體管向FinFET三維晶體管的過渡是一個(gè)重要里程碑。這一過渡促使工藝技術(shù)經(jīng)過了幾代的持續(xù)演進(jìn)，并且減小
2019-07-17 06:21:02
大家都在談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">FinFET——可以說，這是MOSFET自1960年商用化以來晶體管最大的變革。幾乎每個(gè)人——除了仍然熱心于全耗盡絕緣體硅薄膜(FDSOI)的人，都認(rèn)為20 nm節(jié)點(diǎn)以后，FinFET將成為SoC的未來。但是對(duì)于要使用這些SoC的系統(tǒng)開發(fā)人員而言，其未來會(huì)怎樣呢?
2019-09-27 06:59:21
finfet都用什么PR工具？現(xiàn)在后端工具inn成主流了嗎？沒用過Innovus想問一下也能跑skill嗎？
2021-06-25 08:09:39
22nm以后的晶體管技術(shù)領(lǐng)域，靠現(xiàn)行BulkMOSFET的微細(xì)化會(huì)越來越困難的，為此，人們關(guān)注的是平面型FD-SOI（完全空乏型SOI）元件與基于立體通道的FinFET。
2011-01-18 17:53:421508 逆向工程分析公司 Chipworks 稍早前公布英特爾（Intel） 22nm Ivy Bridge處理器的剖面圖，從中可見英特爾稱為叁閘極（tri-gate）電晶體的FinFET元件，從剖面圖看來，它實(shí)際上是幾乎呈現(xiàn)三
2012-05-23 09:54:442050 
知名芯片設(shè)計(jì)廠商ARM公司日前與臺(tái)積電公司簽訂了一份為期多年的新協(xié)議，根據(jù)該協(xié)議，雙方將就使用臺(tái)積電的FinFET工藝制造下一代64bit ARM處理器產(chǎn)品方面進(jìn)行合作。
2012-07-24 13:52:57911 GLOBALFOUNDRIES與ARM宣布簽訂一份為期多年的合約，共同推出採用GLOBALFOUNDRIES 20奈米製程與FinFET 技術(shù)的 ARM 處理器設(shè)計(jì)最佳化的系統(tǒng)單晶片 （SoC） 解決方案。
2012-08-15 09:37:141115 GLOBALFOUNDRIES推出專為成長快速的行動(dòng)市場所設(shè)計(jì)的新技術(shù)，加速其頂尖的發(fā)展藍(lán)圖。該公司推出的14nm-XM技術(shù)，將為客戶提供3D「FinFET」電晶體的效能及能源優(yōu)勢，不僅可降低風(fēng)險(xiǎn)，更能
2012-09-24 10:39:38757 該14納米產(chǎn)品體系與芯片是ARM、Cadence與IBM之間在14納米及以上高級(jí)工藝節(jié)點(diǎn)上開發(fā)系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC）多年努力的重要里程碑。使用FinFET技術(shù)以14納米標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)的SoC能夠大幅降低功耗。 這
2012-11-16 14:35:551270 雖然開發(fā)先進(jìn)微縮制程的成本與技術(shù)難度愈來愈高，但站在半導(dǎo)體制程前端的大廠們?nèi)岳^續(xù)在這條道路上努力著。Cadence日前宣布，配備運(yùn)用IBM的FinFET制程技術(shù)而設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)之ARM Cortex-M0處理
2012-11-17 10:29:36844 全球晶圓代工業(yè)者正加緊展開FinFET布局。繼格羅方德宣布將于2013年量產(chǎn)14奈米FinFET后，臺(tái)灣晶圓雙雄臺(tái)積電與聯(lián)電亦陸續(xù)公布FinFET制程發(fā)展藍(lán)圖與量產(chǎn)時(shí)程表，希冀藉此一新技術(shù)，提供
2012-12-20 08:43:111508 新思科技公司日前宣布：該公司與三星在FinFET技術(shù)上的多年合作已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了一個(gè)關(guān)鍵性的里程碑，即采用三星的14LPE工藝成功實(shí)現(xiàn)了首款測試芯片的流片
2013-01-09 12:11:311062 新思科技提供其基于FinFET技術(shù)的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)綜合解決方案。
2013-02-18 13:20:081149 ，采用臺(tái)積公司先進(jìn)的16納米FinFET （16FinFET）工藝打造擁有最快上市、最高性能優(yōu)勢的FPGA器件。
2013-05-29 18:21:14869 全球電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新領(lǐng)先企業(yè)Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司（NASDAQ： CDNS）今天宣布，立即推出基于臺(tái)積電16納米FinFET制程的DDR4 PHY IP（知識(shí)產(chǎn)權(quán)）。
2014-05-21 09:44:541769 全球知名電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新領(lǐng)先公司Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司 （NASDAQ： CDNS），今日宣布臺(tái)積電采用了Cadence?16納米FinFET單元庫特性分析解決方案。
2014-10-08 19:03:221594 美國加州圣何塞（2014年9月26日）-全球知名的電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)者Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司（NASDAQ： CDNS）今日宣布為臺(tái)積電16納米FinFET+ 制程推出一系列IP組合。
2014-10-08 19:19:22919 了90%基于FinFET設(shè)計(jì)的量產(chǎn)流片。全球超過20家行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)性企業(yè)已經(jīng)使用該平臺(tái)成功地完成了超過100次FinFET流片。
2015-04-01 16:42:271007 Mentor Graphics公司（納斯達(dá)克代碼：MENT）今天宣布，Calibre? nmPlatform 已通過TSMC 10nm FinFET V0.9 工藝認(rèn)證。此外，Mentor
2015-09-21 15:37:101300 三星于2015年第一季度發(fā)布了半導(dǎo)體芯片行業(yè)首款采用14nmLPE （Low-Power Early） 工藝量產(chǎn)的Exynos 7 Octa處理器，成為FinFET邏輯制程上的行業(yè)引領(lǐng)者。
2016-01-15 17:12:47927 2016年5月19日，北京訊——ARM今日發(fā)布了首款采用臺(tái)積電公司（TSMC）10納米FinFET工藝技術(shù)的多核 64位 ARM?v8-A 處理器測試芯片。仿真基準(zhǔn)檢驗(yàn)結(jié)果顯示，相較于目前常用于多款頂尖智能手機(jī)計(jì)算芯片的16納米FinFET+工藝技術(shù)，此測試芯片展現(xiàn)更佳運(yùn)算能力與功耗表現(xiàn)。
2016-05-19 16:41:50662 據(jù)外媒報(bào)道，三星電子被指侵犯了與鰭式場效應(yīng)晶體管（FinFET）制程工藝相關(guān)的專利，面臨訴訟。韓媒稱，韓國科學(xué)技術(shù)院（KAIST）計(jì)劃對(duì)三星提起訴訟，指控后者侵犯其FinFET專利。
2016-12-05 20:08:05559 2015年，基于FinFET 工藝的IC產(chǎn)品將大量面市，除了英特爾的X86處理器和一些ASIC處理器外，F(xiàn)PGA也正式步入FinFET 3D晶體管時(shí)代，2月23日，羊年大年初五，賽靈思率先發(fā)布基于16nm FinFET 3D晶體管的FPGA新品，再次創(chuàng)下業(yè)界第一，開啟了FinFET FPGA的新時(shí)代。
2019-10-06 11:57:003095 加利福尼亞，圣克拉拉（2017年6月14日）—— 格芯今日宣布推出其具有7納米領(lǐng)先性能的（7LP）FinFET半導(dǎo)體技術(shù)，其40%的跨越式性能提升將滿足諸如高端移動(dòng)處理器、云服務(wù)器和網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施
2017-06-14 16:24:51877 本文介紹設(shè)計(jì)人員如何采用針對(duì)FinFET工藝的IP而克服數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)的挑戰(zhàn)。
2017-09-18 18:55:33
17 Mentor Calibre? nmPlatform 和 Analog FastSPICE? （AFS?） Platform 獲得 TSMC 12nm FinFET Compact
2017-10-11 11:13:422372 我們首先來了解一下什么是FinFET技術(shù)。
2017-12-26 16:44:2924211 FinFET 同樣帶來了更多限制，例如電壓閾值感知間隔、植入層規(guī)則等。這些因素將影響擺設(shè)、布局規(guī)劃和優(yōu)化引擎，還會(huì)直接影響設(shè)計(jì)的利用率和面積。多重圖案拆分收斂和時(shí)序收斂相互依存，可以增加設(shè)計(jì)收斂時(shí)間。
2018-04-04 14:23:001101 TSMC最新版5nm FinFET 和 7nm FinFET Plus 工藝的認(rèn)證。Mentor 同時(shí)宣布，已更新了 Calibre nmPlatform 工具，可支持TSMC的晶圓堆疊封裝 (WoW)技術(shù)
2018-05-17 15:19:003391 韓國三星為了多元化營收來源，這兩年晶圓代工業(yè)務(wù)為重點(diǎn)發(fā)展項(xiàng)目，2018年率先推出7納米EUV制程，搶在臺(tái)積電、格羅方德與英特爾之前推出。但三星如今似乎“吃緊弄破碗”，FinFET制程惹上了麻煩。根據(jù)
2018-06-20 14:19:002262 根據(jù)美國德克薩斯州聯(lián)邦法院的裁決，三星電子侵犯了一家韓國大學(xué)關(guān)于雙柵極FinFET半導(dǎo)體工藝的技術(shù)專利，必須賠償4億美元。
2018-06-22 16:28:343915 中芯國際最新的14納米FinFET制程已接近研發(fā)完成階段，其試產(chǎn)的良率已經(jīng)可以達(dá)到95%的水準(zhǔn)，距離2019年正式量產(chǎn)的目標(biāo)似乎已經(jīng)不遠(yuǎn)
2018-07-06 15:23:523383 格芯方面表示，他們正在重新部署具備領(lǐng)先優(yōu)勢的FinFET發(fā)展路線圖，以服務(wù)未來幾年采用該技術(shù)的下一波客戶。公司將相應(yīng)優(yōu)化開發(fā)資源，讓14/12納米 FinFET平臺(tái)更為這些客戶所用，提供包括射頻、嵌入式存儲(chǔ)器和低功耗等一系列創(chuàng)新IP及功能。
2018-08-31 15:12:043042 關(guān)鍵詞：格芯 , FinFET 功能豐富的半導(dǎo)體平臺(tái)為下一代計(jì)算應(yīng)用提供具有競爭力的性能和可擴(kuò)展性 格芯今日在其年度全球技術(shù)大會(huì)(GTC)上宣布計(jì)劃在其14/12nm FinFET產(chǎn)品中引入全套
2018-10-04 00:09:01125 三個(gè)月前，晶圓代工大廠格芯突然宣布擱置7納米FinFET項(xiàng)目，業(yè)內(nèi)嘩然。在臺(tái)積電、三星等競爭對(duì)手正在努力搶占7nm制程市場之時(shí)，格芯為何作出此舉？放棄7nm制程后，格芯未來的路又將走向何方？這是業(yè)界關(guān)心的問題。
2018-12-03 14:30:562838 4月16日，三星官網(wǎng)發(fā)布新聞稿，宣布已經(jīng)完成5納米FinFET工藝技術(shù)開發(fā)，現(xiàn)已準(zhǔn)備好向客戶提供樣品。
2019-04-16 17:27:233008 通過這些EDA創(chuàng)新，如果你是即將采用FinFET工藝的數(shù)字設(shè)計(jì)人員且最近的節(jié)點(diǎn)是20nm，那么FinFETs只不過是一種漸進(jìn)的變化。BEOL沒有新的內(nèi)容，物理設(shè)計(jì)在很大程度上仍舊保持不變，而EDA工具負(fù)責(zé)執(zhí)行必要的分析。
2019-10-12 08:39:464060 FinFET技術(shù)是電子行業(yè)的下一代前沿技術(shù)，是一種全新的新型的多門3D晶體管。
2019-09-23 08:53:363193 Nandra補(bǔ)充說，“FinFET固有增益很高，但是跨導(dǎo)（gm）實(shí)際上很低，和頻率（ft）一樣。更先進(jìn)的幾何布局比平面器件更容易實(shí)現(xiàn)匹配，能夠很好的控制晶體管特性。結(jié)果是，您可以開發(fā)性能更好的電路。而且，還有其他的令人驚奇的地方。例如，輸出電流較小，因此，您開發(fā)的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器會(huì)更小。”
2019-09-25 14:27:2111473 
的12LP+FinFET解決方案，以擴(kuò)展高性能DRAM。12LP+FinFET解決方案將提供2.5D封裝設(shè)計(jì)服務(wù)，可加速人工智能（AI）應(yīng)用上市時(shí)間。
2019-11-06 15:59:552940 據(jù)介紹，14nm FinFET工藝使得界面態(tài)密度（Nit）提升40%以上，閃爍噪聲提高64%，數(shù)字邏輯功能芯片功耗降低34%。憑借14nm FinFET先進(jìn)工藝優(yōu)勢，144MP功耗有望降低42%。
2020-01-25 15:40:001317 
據(jù)中國臺(tái)灣消息報(bào)道，中國大陸芯片代工廠商中芯國際已經(jīng)從競爭對(duì)手臺(tái)積電手中，奪得華為旗下芯片企業(yè)海思半導(dǎo)體公司的14納米FinFET工藝的芯片代工訂單。
2020-01-14 15:31:432677 關(guān)注半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的臺(tái)灣《電子時(shí)報(bào)》（DigiTimes）1 月 13 日報(bào)道稱，中國大陸芯片代工廠商中芯國際擊敗臺(tái)積電，奪得華為旗下芯片企業(yè)海思半導(dǎo)體公司的 14 納米 FinFET 工藝芯片代工訂單。
2020-01-16 09:00:015094 如果說在2019 年年中三星宣稱將在2021年推出其“環(huán)繞式柵極（GAA）”技術(shù)取代FinFET晶體管技術(shù)，FinFET猶可淡定；而到如今，英特爾表示其5nm制程將放棄FinFET而轉(zhuǎn)向GAA，就已有一個(gè)時(shí)代翻篇的跡象了。
2020-03-16 15:36:392616 臺(tái)積電3納米將繼續(xù)采取目前的FinFET晶體管技術(shù)，這意味著臺(tái)積電確認(rèn)了3納米工藝并非FinFET技術(shù)的瓶頸，甚至還非常有自信能夠在相同的FinFET技術(shù)下，在3納米制程里取得水準(zhǔn)以上的良率。這也代表著臺(tái)積電的微縮技術(shù)遠(yuǎn)超過其他的芯片制造商。
2020-06-12 17:31:232929 FinFET（鰭式場效應(yīng)晶體管）在當(dāng)前的晶圓代工領(lǐng)域可謂是大放異彩的核心技術(shù)，臺(tái)積電甚至打算一路用到3nm時(shí)代。
2020-09-15 15:42:171794 作者：泛林Nerissa Draeger博士 FinFET在22nm節(jié)點(diǎn)的首次商業(yè)化為晶體管——芯片“大腦”內(nèi)的微型開關(guān)——制造帶來了顛覆性變革。與此前的平面晶體管相比，與柵極三面接觸的“鰭”所形成
2021-01-25 15:25:402858 
據(jù)消息，IP和定制芯片企業(yè)芯動(dòng)科技已完成全球首個(gè)基于中芯國際FinFET N＋1先進(jìn)工藝的芯片流片和測試，所有IP全自主國產(chǎn)，功能一次性通過。 在半導(dǎo)體領(lǐng)域，芯片流片也就等同于試生產(chǎn)，即設(shè)計(jì)完電路
2020-10-16 10:26:1112497 
據(jù)科創(chuàng)板日報(bào)報(bào)道稱，中芯國際的第二代FinFET已進(jìn)入小量試產(chǎn)。 科創(chuàng)板中芯國際在互動(dòng)平臺(tái)表示，公司第一代FinFET14納米已于2019年四季度量產(chǎn)；第二代FinFETN+1已進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段
2020-12-04 18:08:151858 中芯國際在互動(dòng)平臺(tái)上回答投資者時(shí)表示，第二代FinFET 已進(jìn)入小量試產(chǎn)。 在回答投資者 近來公司 7 納米產(chǎn)品生產(chǎn)研發(fā)進(jìn)展如何？的問題時(shí)，中芯國際表示，公司第一代 FinFET 14nm 已于
2020-12-07 11:23:372570 據(jù)最新消息，我國芯片生產(chǎn)巨頭中芯國際在互動(dòng)平臺(tái)公開表示，該司即將在2020年底小批量試產(chǎn)第二代FinFET N+1芯片，目前這一芯片已經(jīng)進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段。去年年底，中芯國際率先完成任務(wù)，完成了第一代FinFET 14nm芯片的量產(chǎn)工作。
2020-12-08 15:41:092788 FinFET晶體管架構(gòu)是當(dāng)今半導(dǎo)體行業(yè)的主力軍。但是，隨著器件的持續(xù)微縮，短溝道效應(yīng)迫使業(yè)界引入新的晶體管架構(gòu)。在本文中，IMEC的3D混合微縮項(xiàng)目總監(jiān)Julien Ryckaert勾勒出了向2nm及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)發(fā)展的演進(jìn)之路。
2020-12-24 15:54:06289 ? ? FinFET晶體管架構(gòu)是當(dāng)今半導(dǎo)體行業(yè)的主力軍。但是，隨著器件的持續(xù)微縮，短溝道效應(yīng)迫使業(yè)界引入新的晶體管架構(gòu)。在本文中，IMEC的3D混合微縮項(xiàng)目總監(jiān)Julien Ryckaert勾勒出了
2020-12-30 17:45:162676 雖然柵極間距(GP)和鰭片間距(FP)的微縮持續(xù)為FinFET平臺(tái)帶來更高的性能和更低的功耗，但在5nm及更先進(jìn)節(jié)點(diǎn)上，兼顧寄生電容電阻的控制和實(shí)現(xiàn)更高的晶體管性能變得更具挑戰(zhàn)。
2022-05-05 16:00:291209 
FinFET在22nm節(jié)點(diǎn)的首次商業(yè)化為晶體管——芯片“大腦”內(nèi)的微型開關(guān)——制造帶來了顛覆性變革。與此前的平面晶體管相比，與柵極三面接觸的“鰭”所形成的通道更容易控制。但是，隨著3nm和5nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)面臨的難題不斷累積，FinFET的效用已經(jīng)趨于極限。
2022-08-01 15:33:11952 ASIC設(shè)計(jì)服務(wù)暨IP研發(fā)銷售廠商智原科技（Faraday Technology Corporation，TWSE： 3035）今日推出支援多家晶圓廠FinFET工藝的芯片后端設(shè)計(jì)服務(wù)（design implementation service），由客戶指定制程（8納米、7納米、5納米及更先進(jìn)工藝）及生產(chǎn)的晶圓廠。
2022-10-25 11:52:17724 最小 Lg 是溝道柵極控制的函數(shù)，例如從具有不受約束的溝道厚度的單柵極平面器件轉(zhuǎn)移到具有 3 個(gè)柵極圍繞薄溝道的 FinFET，從而實(shí)現(xiàn)更短的 Lg。FinFET 的柵極控制在鰭底部最弱，優(yōu)化至關(guān)重要。
2023-01-04 15:54:511488 臺(tái)積電官網(wǎng)宣布推出大學(xué)FinFET專案，目的在于培育未來半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)人才并推動(dòng)全球?qū)W術(shù)創(chuàng)新。
2023-02-08 11:21:01279 臺(tái)積電宣布推出大學(xué)FinFET專案，目的在于培育未來半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)人才并推動(dòng)全球?qū)W術(shù)創(chuàng)新。
2023-04-23 09:29:035165 推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展并使今天的芯片成為可能的關(guān)鍵技術(shù)趨勢之一是采用FinFET工藝。工程師介紹，另一種有前途的技術(shù)是環(huán)柵（GAA）晶體管。這提供了柵極和溝道之間最顯著的電容耦合。GAAfinFET
2023-07-07 09:58:374434 
今天要介紹的數(shù)字后端基本概念是FinFET Grid，它也是一種設(shè)計(jì)格點(diǎn)。介紹該格點(diǎn)前，我們首先來了解一下什么是FinFET技術(shù)。
2023-07-12 17:31:45731 
當(dāng)做到FinFET工藝時(shí)才了解到這個(gè)名詞，在平面工藝時(shí)都沒有接觸SHE（self-heating effect）這個(gè)概念。為什么到FinFET下開始需要注意SHE的影響了呢？下面參考一些材料總結(jié)一下分享，如有不準(zhǔn)確的地方請幫指正。
2023-12-07 09:25:09677 
且值此具有歷史意義的時(shí)刻，位于法國格勒諾布爾的行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)Dolphin Design，已于近期成功流片首款內(nèi)置先進(jìn)音頻IP的12 nm FinFET測試芯片，這無疑是公司發(fā)展路上一座新的里程碑。
2024-02-22 15:53:11173
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