在IC版圖[layout]時，Design Rules中往往會注明金屬線大于一定寬度時要挖slot，同時也會對metal density做出限定，小于規(guī)定的百分比時就要加dummy metal，由此看到的是這兩條規(guī)則向著同一目的，那就是整個芯片上的金屬的均勻性。

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試想芯片上的金屬密度不夠均勻，有的地方密度大，有的地方密度小，那么在經(jīng)過金屬淀積后，metal density小的地方已經(jīng)出現(xiàn)了低凹，再進行刻蝕和拋光后，原本Layout（版圖）上
metal density較低的區(qū)域，對應(yīng)在wafer上此時的metal的厚度要相比metal density較高區(qū)域的薄。故直接影響到wafer的平坦度，從而影響后續(xù)工序的精準(zhǔn)度，造成
IC之電性不良、直接影響wafer的良率。

當(dāng)整個芯片layout金屬密度過低時，wafer 上對應(yīng)需要刻蝕掉的metal量就多，容易造成刻蝕不干凈，有過多metal殘留于wafer上，影響后續(xù)工序。而當(dāng)整個芯片layout金屬密度過高時，則wafer 上對應(yīng)需要刻蝕掉的metal量就少，容易造成刻蝕過量，對正常的metal導(dǎo)線也去刻蝕掉。