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電子發(fā)燒友網(wǎng)>EDA/IC設(shè)計(jì)>EDA技術(shù)探索之閾值電壓

EDA技術(shù)探索之閾值電壓

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2018-10-24 09:30:3616608

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EDA技術(shù)包括那些

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本帖最后由 xiaoxiao981212 于 2012-9-12 18:06 編輯 EDA技術(shù)主要是指面向?qū)S眉呻娐吩O(shè)計(jì)的計(jì)算機(jī)技術(shù),與傳統(tǒng)的專用集成電路設(shè)計(jì)技術(shù)相比,其特點(diǎn)有
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2016-03-09 23:09:10

STM32的AD閾值電壓可以為5V嗎?

STM32是3.3V供電的芯片,在用AD的時(shí)候,閾值電壓能否接到0-5V上?
2013-02-28 18:18:59

[求助]求《eda技術(shù)實(shí)用教程》!

求《eda技術(shù)實(shí)用教程》電子書(shū)!,潘松 黃繼業(yè)主編,第二或者第三版都可以。
2009-11-06 15:05:19

【打卡第11課】橋式電路管子誤觸發(fā)因素討論及 MOSFET 閾值電壓選取

`大家上午好!這是張飛電子90天硬件工程師講解mos管視頻教程, 每日一課,20天的打卡學(xué)習(xí)計(jì)劃,機(jī)會(huì)難得,希望壇友們積極參與,學(xué)習(xí)過(guò)程中遇到的問(wèn)題,可以留言交流,老師都會(huì)一一解答!為了提升壇友們
2021-06-08 21:43:47

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什么是EDA技術(shù)?EDA是電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(Electronic Design Automation)縮寫(xiě),是90年代初從CAD(計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì))、CAM(計(jì)算機(jī)輔助制造)、CAT(計(jì)算機(jī)輔助測(cè)試
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6月11日,由開(kāi)放原子開(kāi)源基金會(huì)主辦,openDACS工作委員會(huì)承辦,深圳市華秋電子技術(shù)有限公司、芯華章科技股份有限公司協(xié)辦的2023開(kāi)放原子全球開(kāi)源峰會(huì)開(kāi)源EDA分論壇成功召開(kāi)。論壇以“共建、共享
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單向晶閘管(SCR)與低電壓閾值電壓穩(wěn)壓管并聯(lián)用作開(kāi)關(guān)時(shí)無(wú)法正常導(dǎo)通是什么原因?

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2017-11-27 17:18:4367572

小波閾值去噪的應(yīng)用

介紹了小波閾值去噪的三種應(yīng)用:小波閾值去噪技術(shù)在ECG信號(hào)處理中的應(yīng)用、小波閾值去噪技術(shù)在電能質(zhì)量檢測(cè)中的應(yīng)用和小波閾值技術(shù)在生物醫(yī)學(xué)信號(hào)處理中的應(yīng)用。利用小波閾值去噪是新發(fā)展起來(lái)的去除噪聲的方法,利用小波閾值去噪具有良好的效果,可以有效提高信噪比。
2018-01-10 14:25:085533

單限比較器原理及閾值電壓介紹

本文開(kāi)始介紹了單限比較器的電路和單限比較器的理論分析及計(jì)算,其次介紹了單限電壓比較器的工作原理,最后介紹了單限比較器閾值電壓計(jì)算。
2018-02-26 15:58:0264104

eda是什么技術(shù)_eda為什么又叫單片機(jī)

本文開(kāi)始詳細(xì)的闡述了eda是什么技術(shù)以及eda的設(shè)計(jì)方法,其次闡述了eda的設(shè)計(jì)技巧,詳細(xì)的分析了eda為什么又叫單片機(jī)的原因,最后介紹了EDA的應(yīng)用及發(fā)展趨勢(shì)。
2018-03-12 11:40:5318120

簡(jiǎn)述什么是eda技術(shù)_eda技術(shù)好學(xué)嗎_如何學(xué)習(xí)EDA技術(shù)

由于電子技術(shù)的飛速發(fā)展,使得基于EDA技術(shù)的電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)方法得以廣泛應(yīng)用。EDA技術(shù)已成為現(xiàn)代系統(tǒng)設(shè)計(jì)和電子產(chǎn)品研發(fā)的有效工具,成為電子工程師應(yīng)具備的基本能力。本文首先介紹了EDA技術(shù)主要特征及精髓,其次介紹了EDA技術(shù)的因公及發(fā)展趨勢(shì),最后闡述了如何高效的學(xué)習(xí)EDA技術(shù)。
2018-04-27 09:21:5536453

如何通過(guò)調(diào)整門極驅(qū)動(dòng)負(fù)壓,來(lái)限制SiC MOSFET閾值漂移的方法

由于寬禁帶半導(dǎo)體SiC的固有特征,以及不同于Si材料的半導(dǎo)體氧化層界面特性,會(huì)引起閾值電壓變化以及漂移現(xiàn)象。為了理解這些差異,解釋這些差異與材料本身特性的關(guān)系,評(píng)估其對(duì)應(yīng)用、系統(tǒng)的影響,需要更多的研究及探索。
2018-11-08 16:48:268362

閃存物理結(jié)構(gòu),閃存器件原理

圖3-4是閃存芯片里面存儲(chǔ)單元的閾值電壓分布函數(shù),橫軸是閾值電壓,縱軸是存儲(chǔ)單元數(shù)量。其實(shí)在0或1的時(shí)候,并非所有的存儲(chǔ)單元都是同樣的閾值電壓,而是以這個(gè)電壓為中心的一個(gè)分布。讀的時(shí)候采樣電壓值,落在1范圍里面,就認(rèn)為是1;落在0范圍里面,就認(rèn)為是是0。
2018-11-13 15:44:2911001

MOS管閾值電壓與溝長(zhǎng)和溝寬的關(guān)系

關(guān)于 MOSFET 的 W 和 L 對(duì)其閾值電壓 Vth 的影響,實(shí)際在考慮工藝相關(guān)因素后都是比較復(fù)雜,但是也可以有一些簡(jiǎn)化的分析,這里主要還是分析當(dāng)晶體管處在窄溝道和短溝道情況下,MOSFET 耗盡區(qū)的電荷的變化,從而分析其對(duì)晶體管的閾值電壓的作用。
2019-06-18 17:19:4635146

技術(shù) | 隱性/顯性通信電壓閾值的測(cè)試為什么重要?

為什么廠家在產(chǎn)品投入使用前,都必須要進(jìn)行CAN節(jié)點(diǎn)DUT的輸入電壓閾值測(cè)試呢?
2019-07-02 15:10:103215

Gan-ON-SI中負(fù)偏壓引起的閾值電壓不穩(wěn)定性的論文免費(fèi)下載

本文報(bào)道了一個(gè)深入研究的負(fù)閾值電壓不穩(wěn)定性的gan-on-si金屬絕緣體半導(dǎo)體高電子遷移率晶體管部分凹陷algan?;谝唤M在不同溫度下進(jìn)行的應(yīng)力/恢復(fù)實(shí)驗(yàn),我們證明:1)在高溫和負(fù)柵偏壓(-10v
2019-10-09 08:00:002

GaN基MIS-HEMTs閾值電壓漂移的快速動(dòng)力學(xué)論文免費(fèi)下載

利用一個(gè)簡(jiǎn)單的示波器裝置,研究了由正向柵偏壓引起的gan基金屬絕緣體半導(dǎo)體hemts閾值電壓漂移(vth)的快速動(dòng)力學(xué)。我們發(fā)現(xiàn),vth的對(duì)數(shù)恢復(fù)時(shí)間依賴性,以前發(fā)現(xiàn)的恢復(fù)時(shí)間從10 ms到1 ms
2019-10-09 08:00:000

AlGaN和GaN界面陷阱對(duì)AlGaN與GaN及HEMT負(fù)閾值電壓漂移的影響說(shuō)明

反向柵極偏置應(yīng)力后的負(fù)閾值電壓漂移表明,與非應(yīng)力條件相比,信道中存在更多的載流子。我們提出algan/gan界面態(tài)的存在是導(dǎo)致負(fù)閾值電壓漂移的原因,并發(fā)展了一種對(duì)algan/gan界面態(tài)進(jìn)行電學(xué)表征的方法。通過(guò)技術(shù)計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)(tcad)atlas仿真驗(yàn)證了結(jié)果,并與實(shí)
2019-10-09 08:00:0010

AN-680: ADG451/ADG452/ADG453閾值電壓與數(shù)字電壓 VL

AN-680: ADG451/ADG452/ADG453閾值電壓與數(shù)字電壓 VL
2021-03-18 20:33:082

如何突破EDA封鎖 卷起來(lái)的閾值電壓

Vt roll-off核心是(同一個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)下面)閾值電壓與柵長(zhǎng)之間的關(guān)系。當(dāng)溝道長(zhǎng)度比較長(zhǎng)的時(shí)候,Vt值是比較穩(wěn)定的。隨著溝道長(zhǎng)度的減小,閾值電壓會(huì)下降(對(duì)于PMOS而言是絕對(duì)值的下降)。
2022-12-30 15:14:411332

EDA技術(shù)探索之DIBL應(yīng)用分析

DIBL不僅只發(fā)生在亞閾值區(qū),引起閾值電壓的下降。在飽和區(qū)晶體管導(dǎo)通后,由于勢(shì)壘的降低,同樣會(huì)引入更多的載流子注入,從而降低晶體管的導(dǎo)通電阻。
2023-01-07 11:46:322684

TPS3828-33DBVR帶看門狗計(jì)時(shí)器的電壓監(jiān)控器

TPS382x 系列監(jiān)控器主要為 DSP 以及基于處理器的系統(tǒng)提供電路初始化和計(jì)時(shí)監(jiān)控等功能。上電期間,RESET 會(huì)在電源電壓 VDD 超出 1.1V 時(shí)置為有效。因此VDD 保持在閾值電壓
2023-01-12 09:18:351147

MOSFET的閾值、ID-VGS特性及溫度特性

繼上一篇MOSFET的開(kāi)關(guān)特性之后,本篇介紹MOSFET的重要特性--柵極閾值電壓、ID-VGS特性、以及各自的溫度特性。
2023-02-09 10:19:255046

EDA探索之控制閾值電壓

精確控制集成電路中MOSFET的閾值電壓對(duì)電路的可靠性至關(guān)重要。通常情況下,閾值電壓是通過(guò)向溝道區(qū)的離子注入來(lái)調(diào)整的。
2023-02-09 14:26:361147

控制閾值電壓

此外,襯底偏壓也能影響閾值電壓。當(dāng)在襯底和源極之間施加反向偏壓時(shí),耗盡區(qū)被加寬,實(shí)現(xiàn)反轉(zhuǎn)所需的閾值電壓也必須增加,以適應(yīng)更大的Qsc。
2023-02-09 14:26:381661

NMOS晶體管的閾值電壓公式 nmos晶體管的閾值電壓與哪些因素有關(guān)

nmos晶體管的閾值電壓公式為Vt=Vt0-γ(2φF/Cox),其中Vt0為晶體管的基礎(chǔ)閾值電壓,γ為晶體管的偏置系數(shù),φF為晶體管的反向偏置電勢(shì),Cox為晶體管的歐姆容量。
2023-02-11 16:30:149783

不同Vt cell工藝是怎么實(shí)現(xiàn)的?閾值電壓和哪些因素有關(guān)系?

Vt指的是MOS管的閾值電壓(threshold voltage)。具體定義(以下圖NMOS為例):當(dāng)柵源電壓(Vgs)由0逐漸增大,直到MOS管溝道形成反型層(圖中的三角形)所需要的電壓閾值電壓
2023-03-10 17:43:114541

影響第三代半導(dǎo)體SiC MOS閾值電壓不穩(wěn)定的因素有哪些?如何應(yīng)對(duì)?

條件。因此SiC MOSFET閾值電壓的準(zhǔn)確測(cè)試,對(duì)于指導(dǎo)用戶應(yīng)用,評(píng)價(jià)SiC MOSFET技術(shù)狀態(tài)具有重要意義。
2023-05-09 14:59:06853

8.2.9 閾值電壓控制∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

8.2.9閾值電壓控制8.2金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)第8章單極型功率開(kāi)關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容:8.2.8UMOS的先進(jìn)設(shè)計(jì)∈《碳化硅
2022-03-02 09:27:23531

eda工具的技術(shù)來(lái)源 eda技術(shù)的設(shè)計(jì)方法

EDA工具的技術(shù)來(lái)源主要包括描述統(tǒng)計(jì)學(xué)、可視化技術(shù)探索性數(shù)據(jù)分析方法、數(shù)據(jù)挖掘技術(shù),以及可交互性與用戶界面設(shè)計(jì)。這些技術(shù)和方法的應(yīng)用使得EDA工具成為數(shù)據(jù)分析和發(fā)現(xiàn)中不可或缺的工具之一。
2023-07-21 15:09:44535

閾值電壓對(duì)傳播延遲和躍遷延遲的影響

如果你能看到下面的方程式-我相信你可以很容易地弄清楚閾值電壓對(duì)電池延遲的影響。(注:以下電阻公式是關(guān)于NMOS的。您也可以為PMOS導(dǎo)出類似的公式(只需將下標(biāo)“n”替換為“p”)。
2023-09-07 10:03:59649

影響MOSFET閾值電壓的因素

影響MOSFET閾值電壓的因素? MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管)是一種常用的半導(dǎo)體器件,具有高輸入阻抗、低輸出阻抗、高增益等特點(diǎn)。MOSFET的閾值電壓是決定其工作狀態(tài)的重要參數(shù),影響著
2023-09-17 10:39:446679

為什么亞閾值區(qū)電流飽和條件是Vds是Vt的三四倍以上?

為什么亞閾值區(qū)還有電流?為什么亞閾值區(qū)電流飽和條件是Vds是Vt的三四倍以上? 亞閾值區(qū)是指晶體管工作狀態(tài)下,柵極電壓小于閾值電壓的區(qū)域。在這個(gè)區(qū)域內(nèi),晶體管會(huì)出現(xiàn)漏電流,造成能量浪費(fèi)和損耗。因此
2023-09-21 16:09:15917

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