OptiMOS?功率MOSFET擁有一流的出色表現(xiàn)。其特點(diǎn)包括極低的RDS(on) 以及高效率和高功率密度,是開(kāi)關(guān)頻率較高的應(yīng)用的理想之選。
StrongIRFET?功率MOSFET專門(mén)為工業(yè)級(jí)應(yīng)用設(shè)計(jì),特別適合于開(kāi)關(guān)頻率較低以及需要較高載流能力的應(yīng)用。
這一強(qiáng)大的產(chǎn)品組合涵蓋10V–300V區(qū)間,具有卓越的性能和出色的性價(jià)比,可滿足廣泛的需求。
打卡任意三個(gè)產(chǎn)品,或下載兩個(gè)文檔,可獲得最多兩次抽獎(jiǎng)機(jī)會(huì)
英飛凌最新的 OptiMOS? 6 功率 MOSFET 系列可實(shí)現(xiàn)最高水平的系統(tǒng)效率。OptiMOS? 6 采用最先進(jìn)的溝槽工藝,在開(kāi)關(guān)/導(dǎo)通損耗和電流能力方面有顯著改進(jìn)。這些改進(jìn)可降低系統(tǒng)損耗,從而提高功率密度、電路板溫度和整體系統(tǒng)可靠性。目標(biāo)應(yīng)用包括開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS) 、可再生能源、Oring 電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、LEV 和電池供電應(yīng)用。
該系列包含多款產(chǎn)品,包含全新推出的200V,以及120V, 100V,與40V家族。
重新定義行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)
英飛凌新的200v MOSFET系列采用最新的OptiMOS?6
MOSFET溝槽技術(shù),可實(shí)現(xiàn)高功率密度、高效率和系統(tǒng)可靠性。
? 低傳導(dǎo)損耗
? 開(kāi)關(guān)損耗低
? 改善了EMI
? 減少了并聯(lián)的需要
? 并聯(lián)時(shí)更好的電流共享
? 符合RoHS,無(wú)鉛
? 與上一代相比,室溫下RDS(開(kāi)啟)減少42%,175°C時(shí)減少53%
? 降低了Qrr和提高了電容線性度,提高了開(kāi)關(guān)性能
? 在不影響EMI的情況下,降低傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗
? 改進(jìn)了SOA以增加保護(hù)開(kāi)關(guān)應(yīng)用中的MOSFET電流處理
? 設(shè)計(jì)優(yōu)化和生產(chǎn)精度使可靠的高性能技術(shù)
OptiMOS 6 200V 介紹視頻
StrongIRFET?功率MOSFET專門(mén)為工業(yè)級(jí)應(yīng)用設(shè)計(jì),特別適合于開(kāi)關(guān)頻率較低以及需要較高載流能力的應(yīng)用。
StrongIRFET? 2系列,采用新一代功率MOSFET技術(shù),可滿足 開(kāi)關(guān)電源、 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、電池供電、電池管理、UPS、輕型電動(dòng)車和太陽(yáng)能等多種應(yīng)用需求。
該系列產(chǎn)品實(shí)用性強(qiáng)、性價(jià)比高,對(duì)于追求便捷選購(gòu)的設(shè)計(jì)師而言,堪稱理想之選。 該系列產(chǎn)品針對(duì)低開(kāi)關(guān)頻率和高開(kāi)關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,可為各種應(yīng)用提供支持,實(shí)現(xiàn)靈活設(shè)計(jì)。新產(chǎn)品支持各類封裝,包括TO-220, TO-220 FullPAK、D2PAK、D2PAK 7引腳以及DPAK封裝。
與之前的 StrongIRFET? 器件相比,這項(xiàng)新技術(shù)可提供高達(dá) 40% 的 RDS(on) 改進(jìn)和高達(dá) 60% 的 Qg 降低,從而轉(zhuǎn)化為更高的功率效率,從而提高整體系統(tǒng)性能。 更高的額定電流可實(shí)現(xiàn)更高的載流能力,無(wú)需再并聯(lián)多個(gè)器件,從而降低了 BOM 成本并節(jié)省了電路板面積。
StrongIRFET? 2 系列功率 MOSFET 技術(shù)適用于各種應(yīng)用,例如 SMPS、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電池供電、電池管理、UPS 和輕型電動(dòng)汽車。
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2. 活動(dòng)期限:即日起——2024年7月31日
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