東芝存儲(chǔ)公司6日宣布推出一種新的存儲(chǔ)器（SCM）XL-FLASH，并開始提供樣品。該產(chǎn)品使用1位/單元SLC技術(shù)，使用96層堆疊工藝實(shí)現(xiàn)3D閃存BiCSFLASH的高速讀寫。128Gbit芯片的樣品
2019-08-07 18:11:29
4996 被東芝（Toshiba）視為營運(yùn)重建支柱的半導(dǎo)體部門新整編方案內(nèi)容曝光，據(jù)悉東芝擬把在三重縣四日市工廠進(jìn)行生產(chǎn)的“NAND型快閃存儲(chǔ)器（Flash Memory）”事業(yè)分拆出來。
2015-12-22 08:17:04669 全球第2大NAND型快閃存儲(chǔ)器（Flash Memory）廠商東芝（Toshiba）將在 2017 年度采用被稱為“納米壓印（Nano-imprint Lithography，NIL）”的新技術(shù)
2016-06-04 09:39:01687 NAND Flash是一種非易失存儲(chǔ)器，也就是掉電不丟失類型，現(xiàn)在我們常見的存儲(chǔ)設(shè)備基本都是NAND Flash，比如U盤、固態(tài)硬盤，手機(jī)存儲(chǔ)等等，電腦傳統(tǒng)硬盤除外。
2022-11-10 17:08:321684 
閃速存儲(chǔ)器 （Flash Memory）簡稱閃存器或閃存，是一種非易失性存儲(chǔ)器(Non-volatile Memory， NVM)。目前常用的兩種閃存器是或非閃存器 (NOR Flash）和與非閃存
2023-11-23 09:36:17917 
Flash SSD/DOM業(yè)者導(dǎo)入十倍于MLC耐用品質(zhì)等級(jí)的iSLC存儲(chǔ)器技術(shù)，加上導(dǎo)入種種維護(hù)、監(jiān)控SSD內(nèi)部Flash在擦寫均勻度（Wear Leveling）、品質(zhì)與穩(wěn)定性的關(guān)鍵技術(shù)，使得MLC可以導(dǎo)入輕量級(jí)工控應(yīng)用，而iSLC存儲(chǔ)器將成為工控應(yīng)用的新寵。
2013-03-05 10:50:331544 作為業(yè)界領(lǐng)先的固態(tài)存儲(chǔ)控制芯片及整體解決方案提供商，國科微受邀參會(huì)并展示了基于東芝XL-Flash閃存技術(shù)的超低延遲NVMe SSD原型機(jī)。
2019-09-04 09:47:052059 最新發(fā)布的存儲(chǔ)器價(jià)格報(bào)告指出，存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)新年伊始就迎來供需結(jié)構(gòu)反轉(zhuǎn)的消息。
2020-01-21 08:17:001427 概念理解：FLASH存儲(chǔ)器又成為閃存，它與EEPROM都是掉電后數(shù)據(jù)不丟失的存儲(chǔ)器，但是FLASH得存儲(chǔ)容量都普遍的大于EEPROM，，在存儲(chǔ)控制上，最主要的區(qū)別是FLASH芯片只能一大片一大片
2022-03-02 07:20:19
存儲(chǔ)空間是如何進(jìn)行配置的？存儲(chǔ)器的特點(diǎn)是什么？FLASH和OTP存儲(chǔ)器的功耗模式有哪幾種狀態(tài)？
2021-10-21 08:28:25
Flash存儲(chǔ)器分為哪幾類？Flash存儲(chǔ)器有什么特點(diǎn)？Flash與DRAM有什么區(qū)別？
2021-06-18 07:03:45
嵌入式系統(tǒng)的海量存儲(chǔ)器多采用Flash存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)擴(kuò)展，由于Flash存儲(chǔ)器具有有限寫入次數(shù)的壽命限制，因此對(duì)于Flash存儲(chǔ)器局部的頻繁操作會(huì)縮短Flash存儲(chǔ)器的使用壽命。如何設(shè)計(jì)出一個(gè)合理
2019-08-16 07:06:12
Flash存儲(chǔ)器是一種基于浮柵技術(shù)的非揮發(fā)性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，一般有NOR、NAND、 DINOR和AND 等幾種類型。作為一類非易失性存儲(chǔ)器 ,Flash存儲(chǔ)器具有自己獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn):不需要特殊的外部高
2020-11-16 14:33:15
最近工作上需要對(duì)英飛凌XC886這款單片機(jī)的Flash進(jìn)行讀寫，以下為簡要的幾點(diǎn)總結(jié)：一、Flash存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)：XC886共有32KFlash，地址映射如下圖所示：共三塊P-Flash用來存儲(chǔ)程序
2022-01-26 06:46:26
?！ ? 存儲(chǔ)器和儲(chǔ)存的要求不同，具體取決于其特性，包括現(xiàn)在已??經(jīng)過時(shí)的技術(shù) (來源：Lauro Rizza) 為了實(shí)現(xiàn)隨時(shí)間進(jìn)展的存儲(chǔ)器和儲(chǔ)存而開發(fā)的技術(shù)，可說是人類聰明才智的典范。發(fā)明這些技術(shù)的人們利用
2017-07-20 15:18:57
， 每塊區(qū)域的大小是 512MB（1）Block0 內(nèi)部區(qū)域功能劃分Block0 主要用于設(shè)計(jì)片內(nèi)的 FLASH，0x0000 0000-0x0007FFFF：取決于 BOOT 引腳，為 FLASH、系統(tǒng)存儲(chǔ)器、 SRAM 的別名。0x08000000-0x0807FFFF：片內(nèi) FLASH，我們編寫.
2022-01-20 08:21:34
技術(shù)的日趨成熟,存儲(chǔ)器價(jià)格會(huì)回穩(wěn).然而就DRAM市場來說,誰也不知道DRAM的供貨何時(shí)才會(huì)穩(wěn)定下來.再來看市場需求狀況,雖然有些存儲(chǔ)器市場分段的市場需求正在增長,但是這些分段的增長幅度并不高,可見主要的問題是來自于供給側(cè).
2019-07-16 08:50:19
的存儲(chǔ)器的位置。存儲(chǔ)器映射有兩種映射規(guī)則--大端映射和小端映射。存儲(chǔ)器映射是指把芯片中或芯片外的FLASH，RAM，外設(shè)，BOOTBLOCK等進(jìn)行統(tǒng)一編址。即用地址來表示對(duì)象。這個(gè)地址絕大多數(shù)是由廠家
2014-03-24 11:57:18
EVERSPIN非易失性存儲(chǔ)器嵌入式技術(shù)
2020-12-21 07:04:49
512KB FLASH，64KB SRAM可是在看到手冊(cè)上的存儲(chǔ)器映像時(shí)，系統(tǒng)存儲(chǔ)器并沒有包括在512KB的FLASH中，那這BOOTLOADER存在哪了呢？沒有接觸過BOOTLOADER，十分不解，還請(qǐng)大家給解答。
2014-11-26 21:05:35
STM32F系列單片機(jī)內(nèi)部含有較大容量的FLASH存儲(chǔ)器
2021-08-05 07:43:37
。RM0008文檔中可以看出，STM32采用的是Cortex-M3內(nèi)核，因此，有必要了解Cortex-M3的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)。圖中還可以看出，Cortex-M3是通過各個(gè)總線和Flash、SROM相連接的。2
2018-08-14 09:22:26
?！ ?、硬盤存儲(chǔ)器 信息可以長期保存，可以讀寫，容量大，但是不方便攜帶?！ ?、移動(dòng)存儲(chǔ)器 主要包括閃存盤（優(yōu)盤）、移動(dòng)硬盤、固態(tài)硬盤（SSD）?！ ?、閃存盤（優(yōu)盤） 采用Flash存儲(chǔ)器（閃存
2019-06-05 23:54:02
flash中運(yùn)行。嵌入式系統(tǒng)多用一個(gè)小容量的nor flash存儲(chǔ)引導(dǎo)代碼，用一個(gè)大容量的nand flash存放文件系統(tǒng)和內(nèi)核。
1.2 存儲(chǔ)器RAM介紹
RAM有兩大類，一種稱為靜態(tài)RAM（Static
2023-05-19 15:59:37
1. 嵌入式的外部存儲(chǔ)器嵌入式系統(tǒng)中，外部的存儲(chǔ)器一般是Nand flash和Nor flash，都稱為非易失存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器的物理構(gòu)成包含頁內(nèi)地址，頁（Page），塊（Block）?？梢缘贸?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)器
2021-12-10 08:26:49
作者：王烈洋 黃小虎 占連樣 珠海歐比特控制工程股份有限公司隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展， 存儲(chǔ)器的種類日益繁多，每一種存儲(chǔ)器都有其獨(dú)有的操作時(shí)序，為了提高存儲(chǔ)器芯片的測(cè)試效率，一種多功能存儲(chǔ)器芯片
2019-07-26 06:53:39
通過quad SPI接口選擇FLASH存儲(chǔ)器與RT1172一起使用時(shí)，應(yīng)該將其設(shè)置為Buffer Read模式還是Continuous Read模式？
2023-04-27 06:03:21
我正在學(xué)習(xí)如何在微控制器斷電后使用 STM32L431CC FLASH 存儲(chǔ)器存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。通過Keil編譯，我得到：程序大?。篊ode=34316 RO-data=1228 RW-data=364
2023-01-12 07:47:33
Flash類型與技術(shù)特點(diǎn)有哪些？如何去選擇uClinux的塊驅(qū)動(dòng)器？如何去設(shè)計(jì)Flash存儲(chǔ)器？
2021-04-27 06:20:01
FLASH芯片的結(jié)構(gòu)與特點(diǎn)FLASH存儲(chǔ)器測(cè)試程序原理
2021-04-14 06:03:00
TPMS技術(shù)及輪胎定位原理是什么？如何解決TPMS輪胎換位和調(diào)換輪胎時(shí)的重新定位問題？怎么實(shí)現(xiàn)外置編碼存儲(chǔ)器輪胎定位技術(shù)？
2021-05-14 06:13:50
我們正在嘗試將內(nèi)部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲(chǔ)器（而不是 EEPROM）。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲(chǔ)器，如果可能，我們?nèi)绾问褂?。?qǐng)指導(dǎo)我們實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)
2023-04-04 08:16:50
未來DDR4、NAND Flash存儲(chǔ)器芯片該如何發(fā)展
2021-03-12 06:04:41
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 FLASH程序存儲(chǔ)器 FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器各有什么區(qū)別？特點(diǎn)？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器包含三部分，片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴(kuò)展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
目前高級(jí)應(yīng)用要求新的存儲(chǔ)器技術(shù)能力出現(xiàn)。隨著電子系統(tǒng)需要更多的代碼和數(shù)據(jù)，所導(dǎo)致的結(jié)果就是對(duì)存儲(chǔ)器的需求永不停歇。相變存儲(chǔ)器(PCM)以創(chuàng)新的關(guān)鍵技術(shù)特色滿足了目前電子系統(tǒng)的需要。針對(duì)電子系統(tǒng)的重點(diǎn)
2018-05-17 09:45:35
深入分析STM32單片機(jī)的RAM和FLASH學(xué)習(xí)2019-9-272642閱讀97點(diǎn)贊8評(píng)論最近在一個(gè)問答社區(qū)回答了一個(gè)問題，關(guān)于單片機(jī)存儲(chǔ)器的，于是有了想專門寫一篇關(guān)于單片機(jī)存儲(chǔ)器的想法。作為
2022-01-26 08:09:05
有兩個(gè)問題請(qǐng)教板上各位大牛，謝謝了。
1、6657芯片中是不是沒有程序存儲(chǔ)器，是不是必須要外接flash才能存入程序？
2、如果使用外接的flash程序存儲(chǔ)器，如何從外部設(shè)備啟動(dòng)呢？有沒有這樣的例程或者手冊(cè)可以供我參考？我想外接一個(gè)flash存儲(chǔ)器（通過SPI或者EMIF外接）作為程序存儲(chǔ)器，謝謝！
2018-06-21 18:24:08
怎樣去設(shè)計(jì)DSP自動(dòng)引導(dǎo)裝載系統(tǒng)的硬件？對(duì)FLASH存儲(chǔ)器進(jìn)行燒寫有哪些步驟？怎樣使用FLASH存儲(chǔ)器去設(shè)計(jì)引導(dǎo)裝載系統(tǒng)？
2021-04-27 07:13:39
網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)器技術(shù)是如何產(chǎn)生的？怎樣去設(shè)計(jì)一種網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)器？
2021-05-26 07:00:22
)、EEPROM和Flash。這些存儲(chǔ)器不僅寫入速度慢，而且只能有限次的擦寫，寫入時(shí)功耗大。鐵電存儲(chǔ)器能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術(shù)一樣，是一種非易失性的存儲(chǔ)器。鐵電存儲(chǔ)器在這兩類存儲(chǔ)類型間搭起了一座
2011-11-19 11:53:09
)、EEPROM和Flash。這些存儲(chǔ)器不僅寫入速度慢，而且只能有限次的擦寫，寫入時(shí)功耗大。鐵電存儲(chǔ)器能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術(shù)一樣，是一種非易失性的存儲(chǔ)器。鐵電存儲(chǔ)器在這兩類存儲(chǔ)類型間搭起了一座
2011-11-21 10:49:57
。與 NOR 閃速存儲(chǔ)器相比較，東芝公司開發(fā)的 NAND 閃速存儲(chǔ)器卻能夠進(jìn)行高度集成，寫人方式也因采用了被稱為隧道的方式，即利用了氧化膜所引起的隧道效應(yīng)現(xiàn)象，故與 NOR 閃速存儲(chǔ)器相比，具有
2018-04-09 09:29:07
存儲(chǔ)設(shè)備，包括Flash和EEPROM。一、Flash和EEPROM之間的差異Flash和EEPROM均被視為非易失性存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器意味著該設(shè)備能夠保存數(shù)據(jù)且無需持續(xù)供電，即使關(guān)閉電源也能保存
2023-04-07 16:42:42
東芝彩電存儲(chǔ)器數(shù)據(jù):東芝25E3XC2 24C08 M37222M6-084SP.bin 東芝2550XHC 24C04 M37222M6-B83SP.bin 東芝2840XH 24C02 東芝
2008-03-23 10:11:15
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MD25Q32CSIG FLASH芯片代燒錄 GD存儲(chǔ)器ICGD
品牌：GD兆易創(chuàng)新
類型:存儲(chǔ)器
存儲(chǔ)容量：32M
產(chǎn)品說明：用于閃存 可代燒錄
2021-12-06 10:45:05
從C8 0 5 1F0 2 x Fl a s h 存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)可以知道，C8051F02x 的Flash 存儲(chǔ)器中，不僅具有64KB 的Flash 存儲(chǔ)器（其地址為0x0000~0xFFFF，該存儲(chǔ)器可以用來存儲(chǔ)程序代碼和非易失性數(shù)據(jù)），還有一
2009-04-15 10:50:33124 以基于TMS320C32 DSP 開發(fā)的故障錄波裝置為模型，介紹AMD公司的Flash 存儲(chǔ)器Am29F040的原理和應(yīng)用；利用它的操作過程實(shí)現(xiàn)斷電后仍然可以將子程序保存在Flash存儲(chǔ)器內(nèi)的特性， 結(jié)合TMS320C
2009-04-16 09:52:5111 以基于TMS320C32 DSP 開發(fā)的故障錄波裝置為模型，介紹AMD公司的Flash 存儲(chǔ)器Am29F040的原理和應(yīng)用；利用它的操作過程實(shí)現(xiàn)斷電后仍然可以將子程序保存在Flash存儲(chǔ)器內(nèi)的特性， 結(jié)合TMS320C
2009-05-15 14:20:5321 較為詳細(xì)地介紹嵌入式操作系統(tǒng)uClinux 平臺(tái)下的Flash 存儲(chǔ)技術(shù)，并給出基于三星S3C4510 系統(tǒng)下Flash 存儲(chǔ)器的具體設(shè)計(jì)實(shí)例。
2009-05-15 15:47:2410 TCL 2501東芝機(jī)芯 (25英寸)存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)
2009-06-05 13:32:268 TCL AT29128東芝純存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)
2009-06-12 11:25:1923 NAND FLASH開始廣泛應(yīng)用于星載存儲(chǔ)器,針對(duì)FLASH的數(shù)據(jù)高效管理成為該類存儲(chǔ)器研究的重要組成部分。本文以商用文件系統(tǒng)YAFFS2為基礎(chǔ),結(jié)合空間應(yīng)用的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)特點(diǎn),引入文件系統(tǒng)的概
2010-02-24 14:41:2610 LM3S 系列微控制器Flash 存儲(chǔ)器應(yīng)用
在眾多的單片機(jī)中都集成了 Flash 存儲(chǔ)器系統(tǒng)，該存儲(chǔ)器系統(tǒng)可用作代碼和數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)。它在整個(gè)存儲(chǔ)器中所處的位置在最起始
2010-03-27 15:29:5848 NAND FLASH開始廣泛應(yīng)用于星載存儲(chǔ)器,針對(duì)FLASH的數(shù)據(jù)高效管理成為該類存儲(chǔ)器研究的重要組成部分。本文以商用文件系統(tǒng)YAFFS2為基礎(chǔ),結(jié)合空間應(yīng)用的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)特點(diǎn),引入文件系統(tǒng)的概
2010-07-17 18:06:2914 內(nèi)建自測(cè)試是一種有效的測(cè)試存儲(chǔ)器的方法。分析了NOR型flash存儲(chǔ)器的故障模型和測(cè)試存儲(chǔ)器的測(cè)試算法，在此基礎(chǔ)上，設(shè)計(jì)了flash存儲(chǔ)器的內(nèi)建自測(cè)試控制器?？刂破鞑捎昧艘环N23
2010-07-31 17:08:5435 Flash 存儲(chǔ)器的簡介
在眾多的單片機(jī)中都集成了 Flash 存儲(chǔ)器系統(tǒng)，該存儲(chǔ)器系統(tǒng)可用作代碼和數(shù)據(jù)
2010-11-11 18:25:094564 
ARM嵌入式應(yīng)用程序架構(gòu)設(shè)計(jì)實(shí)例精講--ARM基礎(chǔ)應(yīng)用實(shí)驗(yàn)05Flash存儲(chǔ)器
2016-07-08 11:08:190 電子專業(yè)單片機(jī)相關(guān)知識(shí)學(xué)習(xí)教材資料——ARM基礎(chǔ)應(yīng)用實(shí)驗(yàn)05Flash存儲(chǔ)器
2016-09-13 17:23:280 受到眾多買家競購東芝存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)的影響，近段時(shí)間以來東芝公司的媒體曝光率極高。如果拋去對(duì)于東芝存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)將花落誰家的紛擾猜測(cè)，將目光對(duì)準(zhǔn)市場與產(chǎn)品技術(shù)，可以發(fā)現(xiàn)近年來東芝公司除去存儲(chǔ)器之外，仍有不少值得推介的新品。
2017-04-26 10:36:451345 近日消息，據(jù)日本共同社報(bào)道，東芝公司預(yù)計(jì)在本月27日將與優(yōu)先談判方美日韓聯(lián)合體正式簽約，出售旗下半導(dǎo)體子公司東芝存儲(chǔ)器。對(duì)于東芝存儲(chǔ)器，富士康曾給出了比美日韓的2萬億日元(約合179億美元)更高
2017-06-26 11:46:11243 FLASH存儲(chǔ)器又稱閃存 ，是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存
2017-10-11 14:11:3722155 FLASH存儲(chǔ)器（也就是閃存）就 是非易失隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器（NVRAM），特點(diǎn)是斷電后數(shù)據(jù)不消失，因此可以作為外部存儲(chǔ)器使用。而所謂的內(nèi)存是揮發(fā)性存儲(chǔ)器，分為DRAM和SRAM兩大類，其中常說的內(nèi)存
2017-10-11 14:39:468295 FLASH存儲(chǔ)器又稱閃存，是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子
2017-10-11 15:16:1715617 Flash存儲(chǔ)器技術(shù)趨于成熟，應(yīng)用廣泛，它結(jié)合了OTP存儲(chǔ)器的成本優(yōu)勢(shì)和EEPROM的可再編程性能，是目前比較理想的存儲(chǔ)器。Flash存儲(chǔ)器具有電可擦除、無需后備電源來保護(hù)數(shù)據(jù)、可在線編程、存儲(chǔ)密度
2017-10-11 18:57:413776 
FLASH存儲(chǔ)器又稱閃存，是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，由于其斷電時(shí)仍能保存數(shù)據(jù)，FLASH存儲(chǔ)器通常被用來保存設(shè)置信息，如在電腦的BIOS（基本輸入輸出
2017-10-13 16:34:3020879 flash存儲(chǔ)器，及閃速存儲(chǔ)器，這一類型的存儲(chǔ)器具有速度快、方便等特點(diǎn)，是人們使用電腦辦公或者娛樂時(shí)必備的工具。
2017-10-30 08:54:3431401 在市場NAND Flash快閃存儲(chǔ)器供應(yīng)仍有缺口，導(dǎo)致價(jià)格繼續(xù)維持高位的情況下，包括國際大廠三星、SK海力士、東芝，以及中國廠商長江存儲(chǔ)存紛紛宣布擴(kuò)產(chǎn)以增加產(chǎn)能之際，7日美商存儲(chǔ)器大廠美光（Micron）也宣布擴(kuò)產(chǎn)，以補(bǔ)足市場供不應(yīng)求的缺口。
2018-06-11 12:01:00922 ，存儲(chǔ)器內(nèi)的信息仍然存在，主要是閃存（Nand FLASH 和 NOR FLASH），NOR 主要應(yīng)用于代碼存儲(chǔ)介質(zhì)中，而 NAND 則用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。
2018-04-09 15:45:33109972 6月1日，東芝發(fā)布公告稱其已經(jīng)完成東芝存儲(chǔ)器株式會(huì)社股權(quán)轉(zhuǎn)讓相關(guān)事宜。自2017年東芝發(fā)布公示表明會(huì)將旗下合并報(bào)表子公司東芝存儲(chǔ)器株式會(huì)社的全部股權(quán)轉(zhuǎn)讓給以貝恩資本（Bain Capital
2018-06-02 11:30:007055 FLASH存儲(chǔ)器（FLASH Memory）是非易失存儲(chǔ)器，即使在供電電源關(guān)閉后仍然能保留信 息， 可以對(duì)存儲(chǔ)器單元塊進(jìn)行擦除和再編程，并且不需要額外的編程電壓。FLASH存儲(chǔ)器具有工 作電壓低、擦寫速度快、功耗低、壽命長、價(jià)格低廉、控制方法靈活、體積小等優(yōu)點(diǎn)。
2019-08-09 08:00:002748 
據(jù)報(bào)導(dǎo)，多位關(guān)系人士透露，從東芝獨(dú)立出來的全球第二大NAND型快閃存儲(chǔ)器（Flash Memory）廠商東芝存儲(chǔ)器（TMC）已著手進(jìn)行準(zhǔn)備原定于今年9月的IPO，預(yù)估TMC上市后市值將超過2萬億日元。
2019-02-24 10:09:003006 NAND Flash受到東芝存儲(chǔ)器工廠停電事件，將帶動(dòng)NAND Flash價(jià)格止跌走揚(yáng)，威剛科技初估，NAND Flash價(jià)格將調(diào)漲10%至15%；另一存儲(chǔ)器模組廠十銓科技也認(rèn)為不論DRAM或NAND Flash，下半年都將有很大的成長空間。
2019-07-09 16:02:202513 7月18日，日本東芝電子(中國)有限公司通過企業(yè)官方網(wǎng)站發(fā)布公告稱，東芝電子旗下子公司東芝存儲(chǔ)器株式會(huì)社將于2019年10月1日起正式更名為“Kioxia”，中文名為“鎧俠株式會(huì)社”。而東芝電子(中國)有限公司也將在2020年春天同步更名，新名稱定為“鎧俠電子(上海)有限公司”。
2019-07-24 09:41:1619857 XL-FLASH是基于該公司創(chuàng)新的BiCS FLASH 3D閃存技術(shù)，每單元1比特SLC，將為數(shù)據(jù)中心和企業(yè)存儲(chǔ)帶來低延遲和高性能的解決方案。樣品將于9月開始出貨，預(yù)計(jì)將于2020年開始量產(chǎn)。
2019-08-06 15:21:363826 近日，據(jù)外媒報(bào)道，東芝存儲(chǔ)器美國子公司宣布推出一種新的存儲(chǔ)器（Storage Class Memory）解決方案：XL-Flash，該技術(shù)是基于創(chuàng)新的Bics Flash 3D NAND技術(shù)和SLC
2019-08-07 10:56:32665 ，既能持久存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，又具備極高的速度，因而也被成為Persistent Memory持久內(nèi)存，它是近年來半導(dǎo)體存儲(chǔ)的發(fā)展新方向。東芝宣布了XL-Flash，它就屬于持久內(nèi)存類型。 為了讓NAND閃存的速度能夠達(dá)到內(nèi)存級(jí)的水平，東芝在BiCS 3D閃存結(jié)構(gòu)之上進(jìn)
2020-09-16 14:37:473196 超低延時(shí)閃存是當(dāng)前非常熱門的技術(shù)趨勢(shì)，東芝推出的XL-FLASH是超低延時(shí)存儲(chǔ)介質(zhì)的代表，讀延時(shí)可以達(dá)到普通3D TLC NAND的十分之一。Memblaze聯(lián)手東芝對(duì)XL-FLASH的低延時(shí)潛力
2019-08-18 09:03:00776 東芝存儲(chǔ)器宣布正式更名為Kioxia公司，代表著公司以“記憶”提升世界的使命。有消息稱光寶（Lite-On）要將旗下的存儲(chǔ)業(yè)務(wù)部門出售給東芝，而今落定東芝以1.65億美元的價(jià)格正式收購光寶固態(tài)硬盤SSD業(yè)務(wù)，交易預(yù)計(jì)于2020年上半年結(jié)束。
2019-09-01 09:58:201292 東芝存儲(chǔ)器控股公司已與光寶科技（LITE-ON Technology Corporation）簽訂收購后者固態(tài)硬盤（SSD）業(yè)務(wù)的最終協(xié)議。收購價(jià)格為1.65億美元。
2019-09-03 10:14:541471 至于原因，東芝認(rèn)為3D XPoint成本太高，在容量/價(jià)格比上難以匹敵3D NAND 技術(shù)，現(xiàn)在市面上96層堆疊的閃存已經(jīng)大量涌現(xiàn)，可以在容量上輕松碾壓3D XPoint。
2020-01-02 09:27:342655 隨著當(dāng)前移動(dòng)存儲(chǔ)技術(shù)的快速發(fā)展和移動(dòng)存儲(chǔ)市場的高速擴(kuò)大，FLASH型存儲(chǔ)器的用量迅速增長。FLASH芯片由于其便攜、可靠、成本低等優(yōu)點(diǎn)，在移動(dòng)產(chǎn)品中非常適用。市場的需求催生了一大批FLASH芯片研發(fā)
2020-08-13 14:37:296064 
相信有很多人都對(duì)計(jì)算機(jī)里的各種存儲(chǔ)器（ROM、RAM、FLASH 等等）傻傻分不清，就會(huì)存在，內(nèi)存條是 dram 還是 nand？nand flash 和 nor flash 的區(qū)別又是什么？程序
2020-12-17 14:56:3810522 介紹了 Flash 存儲(chǔ)器的特性和應(yīng)用場合 ，在16 位地址總線中擴(kuò)展大容量存儲(chǔ)的一般方法。討論了 MCS-51 系列單片機(jī)與 Flash 存儲(chǔ)器的硬件接口方式和軟件編程過程 ，以及在應(yīng)用中應(yīng)該注意的問題 ，并以 W29C040為例 ，給出了實(shí)際原理圖和有關(guān)實(shí)現(xiàn)。
2021-03-18 09:50:047 存儲(chǔ)器解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)者鎧俠株式會(huì)社(Kioxia Corporation)今天宣布推出第二代XL-FLASH?。這是一種基于其BiCS FLASH? 3D閃存技術(shù)的存儲(chǔ)級(jí)存儲(chǔ)器(SCM)解決方案
2022-08-03 09:11:51439 NAND Flash。2007年，東芝推出3D NAND，三星也在2012年發(fā)布其第一代3D NAND。NAND Flash 技術(shù)幾十年發(fā)展保留了相同的概念、堆疊（stack）和架構(gòu)，存儲(chǔ)密度隨時(shí)間呈指數(shù)
2022-11-25 14:57:351637 Flash存儲(chǔ)器是一種非易失性存儲(chǔ)器，即使在供電電源關(guān)閉后仍能保持片內(nèi)信息。
2023-09-09 16:22:282620 摘要：本文主要對(duì)兩種常見的非易失性存儲(chǔ)器——NAND Flash和NOR Flash進(jìn)行了詳細(xì)的比較分析。從存儲(chǔ)容量、性能、成本等方面進(jìn)行了深入探討，以幫助讀者更好地理解這兩種存儲(chǔ)器的特性和應(yīng)用。
2023-09-27 17:46:06490 隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求日益增長。作為一種新型的非易失性存儲(chǔ)器，NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等優(yōu)勢(shì)，在各個(gè)領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。本文將對(duì)NAND Flash存儲(chǔ)器的工作原理、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、性能指標(biāo)及應(yīng)用領(lǐng)域進(jìn)行詳細(xì)解析，以期為讀者提供一個(gè)全面的了解。
2023-09-27 18:26:171446 Flash存儲(chǔ)器的寫操作具有特殊性，它只能將數(shù)據(jù)位從1寫成0，而不能從0寫成1。因此，在對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行寫入操作之前，必須先執(zhí)行擦除操作，將預(yù)寫入的數(shù)據(jù)位初始化為1。
2024-02-19 11:37:28541 
前言 NAND Flash 和 NOR Flash是現(xiàn)在市場上兩種主要的閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出 NOR Flash 技術(shù),徹底改變了原先由 EPROM 和 EEPROM 一統(tǒng)天下
2024-03-01 17:08:45160 
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