最高的64層3D NAND芯片。據(jù)techweb的消息顯示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)今年年底預(yù)計(jì)正式量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存，明年開始逐步提升產(chǎn)能，預(yù)計(jì)2020年底有望將產(chǎn)能提升至月產(chǎn)6萬片晶圓的規(guī)模。
2019-08-27 09:32:51
2187 9月2日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式對(duì)外宣布，其基于Xtacking?架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存（每顆裸芯片的存儲(chǔ)容量為256千兆字位，每個(gè)存儲(chǔ)單元為三個(gè)字位的三維閃存）正式量產(chǎn)，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。
2019-09-02 14:31:151204 7月24日國(guó)外消息：SanDisk在3D NAND方面正在走自己的技術(shù)路線-- 在同一個(gè)區(qū)域記錄層的堆疊在一個(gè)閃存芯片放到另一個(gè)提供更多的容量之內(nèi)。
2013-07-25 10:24:23988 最新的3D垂直閃存與傳統(tǒng)的NAND存儲(chǔ)芯片相比，具有包括讀寫速度快1倍、使用壽命多10倍及能耗減少50%等眾多優(yōu)勢(shì)。
2013-08-29 10:46:512064 
近日中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)最引人關(guān)注的爆炸性新聞是武漢新芯計(jì)劃2018年量產(chǎn)48層3D NAND，及它的投資240億美元的計(jì)劃。
2016-05-24 10:29:501322 256Gb 3D V-NAND閃存芯片。目前備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃存儲(chǔ)器已經(jīng)出現(xiàn)在市場(chǎng)上了，TechInsights的拆解團(tuán)隊(duì)總算等到了大好機(jī)會(huì)先睹為快。
2016-07-13 10:32:436006 目前3D NAND僅由三星電子獨(dú)家量產(chǎn)。而進(jìn)入了最近兩個(gè)月，先有東芝（Toshiba）殺入敵營(yíng)，如今美光（Micron）也宣布研發(fā)出3D NAND 芯片，而且已經(jīng)送樣，三星一家獨(dú)大的情況將畫下
2016-08-11 13:58:0640846 
目前NAND閃存需求依然居高不下，廠商也有動(dòng)力擴(kuò)大產(chǎn)能了，SK Hynix公司日前宣布本月底將量產(chǎn)48層堆棧的3D NAND閃存，這是三星之后第二家量產(chǎn)48層堆棧3D閃存的公司。
2016-11-09 11:35:16833 蘋果供應(yīng)商海力士（SK Hynix）今天發(fā)布了72層，256Gb 3D NAND 閃存芯片。這種芯片比 48層技術(shù)多1.5倍，單個(gè) 256Gb NAND 閃存芯片可以提供 32GB 閃存，這種芯片比 48 層 3D NAND 芯片的內(nèi)部運(yùn)行速度快兩倍，讀寫性能快 20%。
2017-04-11 07:49:041500 國(guó)產(chǎn)手機(jī)勢(shì)頭越來越強(qiáng)勁，把三星和蘋果的市場(chǎng)份額搶占不少，但繁榮背后是對(duì)核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國(guó)廠商壟斷了。近日，高啟全接受媒體采訪時(shí)表示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)將在2019年開始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存，這個(gè)消息無疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。
2017-05-09 15:10:042255 電子發(fā)燒友早八點(diǎn)訊：三星今天在韓國(guó)宣布，開始大規(guī)模量產(chǎn)64層堆疊、256Gb（32GB）、3bit的V-NAND閃存芯片，是為第四代3D閃存。
2017-06-16 06:00:002000 提升, 已成為閃存市場(chǎng)的主要供應(yīng)廠商之一，并在今年成功推出128層QLC 3D NAND閃存芯片, 是目前行業(yè)內(nèi)首款單顆Die容量1.33Tb的NAND閃存?；蹣s科技身為SSD主控芯片的
2020-09-11 10:03:292569 2018年底長(zhǎng)江存儲(chǔ)實(shí)現(xiàn)32層64Gb 3D NAND Flash量產(chǎn)。它注定將開創(chuàng)中國(guó)存儲(chǔ)芯片的歷史。
2019-01-28 17:18:5517026 美光在二季度財(cái)報(bào)電話會(huì)議上透露，該公司即將開始基于全新 RG 架構(gòu)的第四代 3D NAND 存儲(chǔ)器的量產(chǎn)工作。按照計(jì)劃，美光將于 2020 Q3 采集開始生產(chǎn)，并于 Q4 像商業(yè)客戶發(fā)貨。作為這家硬件制造商的一次重大技術(shù)轉(zhuǎn)型，第四代 3D NAND 存儲(chǔ)器的層數(shù)達(dá)到了 128 層。
2020-04-03 09:24:154035 2020中國(guó)北京國(guó)際3D打印與汽車智造展覽會(huì)2020 China(Beijing) International 3D Printing and Automotive Intelligent
2019-12-20 16:11:32
什么是3D NAND？什么是4D NAND？3D NAND與4D NAND之間的差別在哪兒？
2021-06-18 06:06:00
3D NAND能否帶動(dòng)SSD市場(chǎng)爆炸性成長(zhǎng)？如何提升SSD壽命及效能？3D NAND及PCIe NVMe SSD能晉升巿場(chǎng)主流的原因是什么？
2021-04-02 07:17:39
3D NAND技術(shù)資料：器件結(jié)構(gòu)及功能介紹
2019-09-12 23:02:56
什么是3D圖形芯片？3D圖像生成算法的原理是什么？
2021-06-04 06:29:06
3D打印將精準(zhǔn)的數(shù)字技術(shù)、工廠的可重復(fù)性和工匠的設(shè)計(jì)自由結(jié)合在一起，解放了人類創(chuàng)造東西的能力。本文是對(duì)當(dāng)下3D打印技術(shù)帶來便利的總結(jié)，節(jié)選自中信出版社《3D打印:從想象到現(xiàn)實(shí)》一書?；⑿?b class="flag-6" style="color: red">會(huì)繼續(xù)摘編該書精華。
2019-07-09 07:02:03
線下實(shí)景，客戶可以通過3d線上展示平臺(tái)進(jìn)入展商實(shí)景工廠，進(jìn)一步考察展商規(guī)模、實(shí)力、供應(yīng)等真實(shí)情況，實(shí)現(xiàn)線上驗(yàn)廠，進(jìn)而為展商帶來訂單，達(dá)成線上會(huì)展的全方位展示，客戶先線上考察，后線下拜訪，節(jié)約雙方時(shí)間
2020-09-24 14:46:05
產(chǎn)品，如今正在量產(chǎn)中，19nm生產(chǎn)96層256Mb的3D NAND Flash，將在明年實(shí)現(xiàn)。疫情帶來的影響還在持續(xù)，遠(yuǎn)程服務(wù)的諸多應(yīng)用持續(xù)帶動(dòng)數(shù)據(jù)中心需求，而消費(fèi)類電子產(chǎn)品的平板、筆記本電腦等也因遠(yuǎn)程
2020-11-19 09:09:58
128層甚至更高，外圍電路可能會(huì)占到芯片Xtacking技術(shù)將外圍電路連接到存儲(chǔ)單元之上，從而實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)3D NAND更高的存儲(chǔ)密度。據(jù)悉，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的64層3D NAND閃存產(chǎn)品將在2020年進(jìn)入
2020-03-19 14:04:57
給PCB添加了3D模型之后，讓封裝旋轉(zhuǎn)45度，自己填加的3D模型旋轉(zhuǎn)45度后，代表3D模型的機(jī)械層不會(huì)和PCB重合；而用封裝向?qū)М嫷哪Ｐ?b class="flag-6" style="color: red">會(huì)和PCB重合。請(qǐng)問這個(gè)改怎么解決？雖然旋轉(zhuǎn)45度之后，在3D 模式下，3D圖也是旋轉(zhuǎn)了45度，但是在2D模式下的機(jī)械層看著很不舒服。
2017-07-20 22:46:11
請(qǐng)教大家一個(gè)問題： Altium designer 的3D封裝在機(jī)械層是有線的，我的板子在機(jī)械層也畫了線來切掉一部分。那么在PCB的生產(chǎn)加工中，3D封裝位于機(jī)械層的線是否會(huì)影響加工效果。請(qǐng)實(shí)際操作過的回答下，非常感謝。如下圖：
2016-07-22 14:05:18
3D NAND的生產(chǎn)狀況。之前西部資料制定過一個(gè)目標(biāo)，希望今年采用BiCS 3技術(shù)生產(chǎn)的64層3D NAND能占到3D NAND產(chǎn)量的75%，不過現(xiàn)在這個(gè)數(shù)字有望能提升到90%以上。另一組資料顯示
2022-02-03 11:41:35
6工廠，于2018年9月正式落成，主要是量產(chǎn)最新研發(fā)的96層3D NAND，這次西部數(shù)據(jù)宣布延后導(dǎo)入新設(shè)備，應(yīng)是第二期設(shè)備，第一期已于落成時(shí)導(dǎo)入。不過，這次西部數(shù)據(jù)宣布四日市工廠將減少投入晶圓，可能是
2022-02-01 23:19:53
pcb 3D導(dǎo)step用creo打開為什么絲印層顯示不出來 PCB3D.doc (219 KB )
2019-05-10 00:18:51
2.5V NAND，有效降低功耗，未來EDSFF將在散熱方面會(huì)有更杰出的表現(xiàn)，同時(shí)也希望對(duì)NAND進(jìn)行進(jìn)一步優(yōu)化。長(zhǎng)江存儲(chǔ)：2019年量產(chǎn)64層3D NAND長(zhǎng)江存儲(chǔ)作為NAND Flash產(chǎn)業(yè)新晉者
2018-09-20 17:57:05
利用低溫制造存儲(chǔ)電路完成。在同一個(gè)3D芯片的不同層放上邏輯和存儲(chǔ)電路，BeSang的工藝中每個(gè)晶圓包含了更多的裸片，這使得單位裸片的成本也降低了?！ eSang CEO Sang-YunLee說
2008-08-18 16:37:37
使用DLP技術(shù)的3D打印光固化成形法 (SLA)，一個(gè)常見的3D打印工藝，與傳統(tǒng)打印很相似。與硒鼓將碳粉沉積在紙張上很類似，3D打印機(jī)在連續(xù)的2D橫截面上沉淀數(shù)層材料，這些材料一層層的疊加
2022-11-18 07:32:23
的NU4000芯片，賦予機(jī)器終端“人眼 + 人腦”的能力，并針對(duì)中國(guó)市場(chǎng)調(diào)優(yōu)，為客戶提供高效、優(yōu)質(zhì)的本地化支持?！?b class="flag-6" style="color: red">中國(guó)，北京——2021年11月25日，全球3D芯片的引領(lǐng)者銀牛的母公司，銀牛微電子宣布，面向機(jī)器人
2021-11-29 11:03:09
減少NAND閃存產(chǎn)能投資，以便減少NAND供應(yīng)，緩解市場(chǎng)對(duì)降價(jià)的預(yù)期。 64層和96層堆棧閃存命運(yùn)各不同今年將是96層3D閃存爆發(fā)的元年。在64層堆棧之后，2018年下半年各大廠商也開始量產(chǎn)96層堆棧
2021-07-13 06:38:27
AD 在3D顯示下，怎么去除3D封裝的顯示，我只看焊盤，有時(shí)候封裝會(huì)遮掩底部的焊盤
2019-09-23 00:42:42
「重定向設(shè)置」中進(jìn)行相應(yīng)的參數(shù)設(shè)置。步驟二：當(dāng)3D模型超出打印機(jī)空間時(shí)，浩辰3D會(huì)自動(dòng)識(shí)別相應(yīng)的參數(shù)，將超出打印機(jī)空間外的零件模型部分顯示為紅色。步驟三：使用浩辰3D的「重定向」命令條，通過「定位」選項(xiàng)
2021-05-27 19:05:15
在3D打印機(jī)上使用SLC顆粒的SD NAND代替?zhèn)鹘y(tǒng)使用TLC或QLC顆粒的TF卡。內(nèi)置SLC晶圓，自帶壞塊管理，10W次擦寫壽命，1萬次隨機(jī)掉電測(cè)試。解決TF卡在3D打印機(jī)上常讀寫錯(cuò)誤、壞死
2022-07-12 10:48:46
三星宣布開始量產(chǎn)兩種新型30nm制程NAND閃存芯片
三星近日宣布將開始量產(chǎn)兩款30nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品。其中一種閃存產(chǎn)品采用類似DDR內(nèi)存的雙倍傳輸技術(shù)，據(jù)三星公司
2009-12-02 08:59:23533 三星推出64GB moviNAND閃存芯片
三星近日公布了兩款采用新制程技術(shù)的閃存產(chǎn)品。其中moviNAND閃存芯片產(chǎn)品使用了三星最新的3xnm制程NAND芯片，單片封裝的最大容量可達(dá)64GB
2010-01-14 17:00:04713 Hynix宣布已成功開發(fā)出26nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品
南韓Hynix公司本周二宣布，繼半年前成功開發(fā)出基于32nm制程的NAND閃存芯片產(chǎn)品，并于去年8月份開始量產(chǎn)這種閃存芯片
2010-02-11 09:11:081045 鎂光年中量產(chǎn)25nm NAND閃存
鎂光公司NAND閃存市場(chǎng)開發(fā)部門的經(jīng)理Kevin Kilbuck近日透露鎂光計(jì)劃明年將其NAND閃存芯片制程轉(zhuǎn)向25nm以下級(jí)別，他表示鎂光今年年中將開始批
2010-03-04 11:02:511088 NOR閃存/NAND閃存是什么意思
NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現(xiàn)在：
1) 閃存芯片讀寫的基本單位不同
2010-03-24 16:34:358226 上周東芝及西部數(shù)據(jù)宣布，已研發(fā)出堆疊64層的3D NAND Flash制程，并將于2017年上半年開始量產(chǎn)，不過恐怕仍無法超車NAND Flash市占王三星。
2016-08-02 14:53:261209 據(jù)報(bào)道，蘋果供應(yīng)商海力士(SK Hynix)日前推出了基于三級(jí)單元陣列的 72 層，256Gb 的 3D NAND 閃存芯片。通過堆疊，這比以前的 48 層技術(shù)多出 1.5 倍的單元，單個(gè)
2017-04-12 01:07:11991 現(xiàn)在，西數(shù)全球首發(fā)了96層堆棧的3D NAND閃存，其使用的是新一代BiCS 4技術(shù)（下半年出樣，2018年開始量產(chǎn)），除了TLC類型外，其還會(huì)支持QLC，這個(gè)意義是重大的。
2017-06-28 11:22:40710 6月29日消息 據(jù)外媒NEOWIN報(bào)道，英特爾今天宣布推出SSD 545s固態(tài)硬盤，它是主流的SATA驅(qū)動(dòng)器，使用Silicon Motion控制器和IMFT的64層3D TLC閃存。 這是世界上首款可供商用的64層3D NAND SSD產(chǎn)品，且目前僅提供512 GB容量版本。
2017-06-29 17:56:05755 三星是全球最大的NAND閃存芯片制造商，這次開足馬力讓第四代3D NAND閃存芯片大規(guī)模生產(chǎn)，可以緩解閃存、SSD目前短缺的狀況，當(dāng)然也能拉低產(chǎn)品的售價(jià)。
2017-07-05 08:47:54573 的廠商競(jìng)爭(zhēng)，以及日經(jīng)貼般的MLC/TLC顆粒的優(yōu)劣問題。、 那么，到底什么是閃存顆？2D NAND和3D NAND之間又有哪些區(qū)別和聯(lián)系？ 閃存顆粒到底是什么？ 閃存顆粒，又稱閃存，是一種非易失性存儲(chǔ)器，即在斷電的情況下依舊可以保存已經(jīng)寫入的數(shù)據(jù)
2017-10-13 20:33:26
6 上周，隨著英特爾和美光宣布未來雙方將各自獨(dú)立開發(fā)3D NAND，其維持多年的長(zhǎng)期合作關(guān)系也將結(jié)束。與此同時(shí)，有外媒報(bào)道，英特爾將于紫光合作，在中國(guó)生產(chǎn)3D NAND閃存芯片。在未來幾年，英特爾將會(huì)
2018-01-16 14:37:554492 
NAND閃存芯片是智能手機(jī)、SSD硬盤等行業(yè)中的基礎(chǔ)，也是僅次于DRAM內(nèi)存的第二大存儲(chǔ)芯片，國(guó)內(nèi)的存儲(chǔ)芯片幾乎100%依賴進(jìn)口。好在國(guó)產(chǎn)NAND閃存目前已經(jīng)露出了曙光，紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)正在
2018-05-16 10:06:003750 位于武漢“中國(guó)光谷”的國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目芯片生產(chǎn)機(jī)臺(tái)11日正式進(jìn)場(chǎng)安裝，這標(biāo)志著國(guó)家存儲(chǔ)器基地從廠房建設(shè)階段進(jìn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段，我國(guó)首批擁有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的32層三維NAND閃存芯片將于年內(nèi)量產(chǎn)，從而填補(bǔ)我國(guó)主流存儲(chǔ)器領(lǐng)域空白。
2018-06-20 10:26:001858 層數(shù)的增加也就意味著對(duì)工藝、材料的要求會(huì)提高，要想達(dá)到140層堆疊就必須使用新的基礎(chǔ)材料。而且在堆疊層數(shù)增加的時(shí)候，存儲(chǔ)堆棧的高度也在增大，然而每層的厚度卻在縮小，以前的32/36層3D NAND
2018-05-28 16:25:4847895 面對(duì)2018年各大閃存顆粒廠商已經(jīng)大規(guī)模量產(chǎn)64層堆棧3D NAND的情況，三星正式宣布開始量產(chǎn)第五代V-NAND閃存顆粒，堆棧數(shù)將超過90層。
2018-07-24 14:36:327167 由于NAND閃存價(jià)格上漲，SSD普及的道路走的異常艱難，同容量下SSD和HDD的價(jià)格始終相差懸殊，但美光今天新推出MX500系列SSD采用了64層3D TLC NAND閃存，把SSD的價(jià)格和性能控制在一個(gè)很好的平衡點(diǎn)，具有極高的性價(jià)比和極強(qiáng)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，或許可以打破這一困境。
2018-07-24 16:01:364734 ，第一代3D NAND閃存的成本也符合預(yù)期，堆棧層數(shù)達(dá)到64層的第二代3D NAND閃存也在路上了，今年底就要大規(guī)模量產(chǎn)了。
2018-08-03 16:15:031188 昨日長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式公開了其突破性技術(shù)——XtackingTM。據(jù)悉，該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能，更高的存儲(chǔ)密度，以及更短的產(chǎn)品上市周期。
2018-08-10 09:14:394625 紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)展儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器（NAND Flash）報(bào)捷，已自主開發(fā)完成最先進(jìn)的64層3D NAND芯片專利，預(yù)計(jì)明年完成生產(chǎn)線建置、2020年量產(chǎn)，震撼業(yè)界。
2018-08-13 09:45:002185 32-48層，廠商們還在研發(fā)64層甚至更高層數(shù)的堆棧技術(shù)。四大NAND豪門的3D NAND閃存及特色在主要的NAND廠商中，三星最早量產(chǎn)了3D NAND，其他幾家公司在3D NAND閃存量產(chǎn)上要落后三星
2018-10-08 15:52:39395 關(guān)鍵詞：東芝 , NAND , 閃存 , 芯片 芯片制造商?hào)|芝公司宣布已開始采樣64GB的NAND閃存芯片，并將其與控制芯片封裝在一起。 東芝目前向包括蘋果在內(nèi)的許多智能手機(jī)和平板電腦制造商提供
2018-11-09 17:28:02268 研發(fā)支持原廠3D TLC NAND高品質(zhì)固件的固態(tài)硬盤完整解決方案。據(jù)了解，MAS0902固態(tài)硬盤主控芯片，已經(jīng)適配了全球全部量產(chǎn)的所有3D MLC/TLC NAND閃存顆粒，繼在今年9月國(guó)內(nèi)首發(fā)量產(chǎn)
2018-11-19 17:22:316838 今年8月初，NAND閃存巨頭三星電子宣布開始量產(chǎn)業(yè)界首款消費(fèi)級(jí)QLC SSD，SATA接口，最大容量4TB，采用第四代V－NAND，64層3D堆疊，單芯片容量1Tb（128GB）。
2018-11-23 08:36:52935 推出64層/72層3D NAND，預(yù)計(jì)從下半年開始將陸續(xù)進(jìn)入量產(chǎn)階段，屆時(shí)3D NAND產(chǎn)能將大幅增加。
2018-12-10 10:00:571115 國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片再下一城，日前有產(chǎn)業(yè)鏈方面的消息稱，中國(guó)長(zhǎng)江存儲(chǔ)將如期在今年年底量產(chǎn)64層3D NAND閃存芯片，這對(duì)價(jià)格本就在不斷下探的閃存市場(chǎng)無疑又將帶來一波新的沖擊。
2019-04-01 16:53:121582 紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)YMTC是國(guó)內(nèi)三大存儲(chǔ)芯片陣營(yíng)中主修NAND閃存的公司，也是目前進(jìn)度最好的，去年小規(guī)模生產(chǎn)了32層堆棧的3D NAND閃存，前不久紫光在深圳第七屆中國(guó)電子信息博覽會(huì)
2019-04-18 16:18:522080 據(jù)Digitimes報(bào)道，長(zhǎng)江存儲(chǔ)（YMTC）將于年底前投入64層3D閃存的量產(chǎn)工作。其中風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)預(yù)計(jì)三季度啟動(dòng)，目前良率已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了顯著爬升。
2019-05-08 09:18:442618 現(xiàn)在，長(zhǎng)江存儲(chǔ)聯(lián)席首席技術(shù)官、技術(shù)研發(fā)中心高級(jí)副總裁程衛(wèi)華接受采訪時(shí)表示，公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。
2019-09-02 16:30:002263 NAND閃存，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。作為中國(guó)首款64層3DNAND閃存，該產(chǎn)品將亮相IC China 2019紫光集團(tuán)展臺(tái)。
2019-09-02 16:27:503468 長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3D NAND閃存是全球首款基于Xtacking?架構(gòu)設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的閃存產(chǎn)品，擁有同代產(chǎn)品②中最高的存儲(chǔ)密度。Xtacking?可實(shí)現(xiàn)在兩片獨(dú)立的晶圓上分別加工外圍電路和存儲(chǔ)單元
2019-09-03 10:07:021051 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技（YMTC）本周早些時(shí)候表示，已經(jīng)開始批量生產(chǎn)采用專有Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND存儲(chǔ)器。
2019-09-09 10:22:161661 據(jù)悉，長(zhǎng)江存儲(chǔ)是紫光集團(tuán)收購(gòu)武漢新芯科技之后成立的，于2016年7月在中國(guó)武漢成立，是一家專注于3D NAND閃存芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷售的IDM存儲(chǔ)器公司。
2019-10-01 17:23:002612 近日，紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布，開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。產(chǎn)品將應(yīng)用于固態(tài)硬盤、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用。這是中國(guó)首次實(shí)現(xiàn)64層3D NAND閃存芯片的量產(chǎn)，將大幅拉近中國(guó)與全球一線存儲(chǔ)廠商間的技術(shù)差距。
2019-09-17 11:45:193516 紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布，開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:09682 紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)近日宣布，已開始量產(chǎn)基于自主研發(fā)Xtacking架構(gòu)的64層三維閃存（3DNAND），容量為256Gb，以滿足固態(tài)硬盤（SSD）嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用的需求，這也是中國(guó)首款64
2019-10-08 09:19:53906 紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式宣布，公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking？架構(gòu)的中國(guó)首款64層256Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。
2019-10-08 11:29:181357 美光宣布，已經(jīng)完成第四代3D NAND閃存的首次流片，應(yīng)用了全新的替換柵極(RG)架構(gòu)，并計(jì)劃在明年投入量產(chǎn)。
2019-10-14 16:04:32791 閃存控制芯片及儲(chǔ)存解決方案整合服務(wù)領(lǐng)導(dǎo)廠商 群聯(lián)電子 （PHISON; TPEx:8299） 與長(zhǎng)江存儲(chǔ)自2016年開始接洽合作，從最早期的32層 3D NAND導(dǎo)入驗(yàn)證群聯(lián)eMMC控制芯片PS8226，至近期的64層3D NAND，群聯(lián)全系列的NAND控制芯片均有支持且已進(jìn)入量產(chǎn)階段。
2020-05-07 14:48:091032 ，已成為閃存市場(chǎng)的主要供應(yīng)廠商之一，并在今年成功推出128層QLC 3D NAND閃存芯片，是目前行業(yè)內(nèi)首款單顆Die容量1.33Tb的NAND 閃存?；蹣s科技身為SSD主控芯
2020-09-11 11:12:161889 ，已成為閃存市場(chǎng)的主要供應(yīng)廠商之一，并在今年成功推出128層QLC 3D NAND閃存芯片，是目前行業(yè)內(nèi)首款單顆Die容量1.33Tb的NAND 閃存?；蹣s科技身為SSD主控芯
2020-09-11 11:12:191922 ，已成為閃存市場(chǎng)的主要供應(yīng)廠商之一，并在今年成功推出128層QLC 3D NAND閃存芯片，是目前行業(yè)內(nèi)首款單顆Die容量1.33Tb的NAND 閃存?；蹣s科技身為SSD主控芯
2020-09-11 11:12:341883 我們都知道，構(gòu)成SSD的主要IC有主控芯片和NAND閃存，目前閃存制造廠主要分為三星與東芝聯(lián)合的ToggleDDR陣營(yíng)和英特爾與美光為首的ONFI陣營(yíng)，今天小編就來你了解閃存產(chǎn)品的核心—NAND閃存芯片的分類。
2020-09-18 14:34:527052 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，專注于3D NAND閃存設(shè)計(jì)制造的長(zhǎng)江存儲(chǔ)，將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:492025 美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù)，達(dá)到了創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚(yáng)鑣之后，自己獨(dú)立研發(fā)的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:212081 IT之家11月12日消息 今日，美光科技宣布已批量出貨全球首款 176 層 3D NAND 閃存，刷新行業(yè)紀(jì)錄，實(shí)現(xiàn)閃存產(chǎn)品密度和性能上的提升。 IT之家了解到，這款 176 層 NAND 產(chǎn)品采用
2020-11-12 13:04:571857 存儲(chǔ)器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計(jì)通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu)，可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計(jì)算以及智能手機(jī)存儲(chǔ)
2020-11-12 16:02:552599 芯片巨頭美光11月10日正式宣布，將向客戶交付176層TLC NAND閃存。 這使得美光成為全球第一家量產(chǎn)176層TLC NAND閃存的芯片商。 176層NAND支持的接口速度為 1600MT
2020-11-13 14:25:131552 ? ? NAND非易失性閃存存儲(chǔ)器作為存儲(chǔ)行業(yè)的突破性革新已有多年發(fā)展歷史，隨著2D NAND容量達(dá)到極限，以及晶體管越來越小，NAND的編程時(shí)間變長(zhǎng)，擦寫次數(shù)變少，能夠?qū)?nèi)存顆粒堆疊起來的3D
2020-12-09 10:35:492766 在3D NAND技術(shù)賽跑中，三星長(zhǎng)期處于領(lǐng)先地位，截至目前，其3D NAND閃存已經(jīng)陸續(xù)演進(jìn)至128層。
2022-06-14 15:21:152100 
長(zhǎng)江存儲(chǔ)一直是我國(guó)優(yōu)秀的存儲(chǔ)芯片企業(yè)，從成立之初就保持著高速穩(wěn)定的發(fā)展?fàn)顟B(tài)，用短短3年的時(shí)間，接連推出了32層NAND閃存，以及64層堆棧3D NAND閃存，成功進(jìn)入了華為Mate40手機(jī)的供應(yīng)鏈。
2022-06-17 10:56:216521 我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:392147 三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲(chǔ)領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)愈加激烈，三星電子計(jì)劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存，三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53282 在CITE 2020上，紫光集團(tuán)帶來了大量產(chǎn)品，其中包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)的128層QLC三維閃存和新華三半導(dǎo)體高端路由器芯片EasyCore等。作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存，長(zhǎng)江存儲(chǔ)X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。
2020-08-15 09:32:144019
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