作者：王烈洋 黃小虎 占連樣 珠海歐比特控制工程股份有限公司隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展， 存儲器的種類日益繁多，每一種存儲器都有其獨有的操作時序，為了提高存儲器芯片的測試效率，一種多功能存儲器芯片
2019-07-26 06:53:39
，并且它還表示在BTXXTALYSTRAP0SP0和BTXXTALYSTRAPHL1上的1的值使得CYW20706／07能夠讀取來自非易失性存儲器。問題：你能幫助我理解如何將XTAL頻率信息存儲到
2018-11-15 15:55:17
我需要把一個數(shù)組保存到非易失性存儲器中，這樣我就可以通過電源周期來維護數(shù)據(jù)。我已經(jīng)看到EEPROM模塊，并考慮使用這一點，但我不確定這個模塊的操作。我試圖做到以下幾點：我想保存到非易失性存儲器陣列
2019-07-24 13:39:00
常用存儲器存儲器的種類RAM存儲器非易失性存儲器存儲器的種類易失性存儲器： 掉電數(shù)據(jù)會丟失讀寫速度較快內(nèi)存非易失性存儲器：掉電數(shù)據(jù)不會丟失讀寫速度較慢機械硬盤RAM存儲器RAM是“Random
2021-12-10 07:09:20
您好，我在MCU上使用程序內(nèi)存的一部分作為NVM（非易失性存儲器）。我已經(jīng)設(shè)法寫和讀，但是現(xiàn)在我面臨的問題是，我想避免編譯器覆蓋我用于NVM的程序內(nèi)存空間。MCU是PIC32 MX230F064 D。程序存儲器的最后一頁是NVM的一頁。謝謝，問候，
2019-09-18 10:31:51
急求，有沒有大佬可以分享一下GF的45nm SOI RF庫？
2021-06-22 06:49:40
存儲器可分為哪幾類？存儲器有哪些特點？存儲器有哪些功能？
2021-10-20 06:46:21
數(shù)據(jù)存儲器 FLASH程序存儲器 FLASH數(shù)據(jù)存儲器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲器各有什么區(qū)別？特點？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲器包含三部分，片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
汽車系統(tǒng)的設(shè)計變得越來越復(fù)雜，因為要不斷的加入新的功能，如高級駕駛輔助，圖形儀表，車身控制和車輛信息娛樂系統(tǒng)。為了確保可靠、安全的操作，每個子系統(tǒng)均需要使用特定的非易失性存儲器，以便在復(fù)位操作和電源
2019-07-23 06:15:10
具有記憶功能。按照存儲介質(zhì)的特性，可以分“易失性存儲器”和“非易失性存儲器”兩類。易失性存儲器斷電后，里面存儲
2022-02-11 07:51:30
1000~0x13FFF。在本文的設(shè)計中按照下表來分配FRAM存儲器：地址范圍容量功能說明0x4400~0x63FF8KB代碼存儲器保存用戶代碼0x6400~0xE3FF32KB數(shù)據(jù)存儲器作為存儲器
2019-06-12 05:00:08
。RAM類型的存儲器易于使用、性能好，可是它們同樣會在掉電的情況下會失去所保存的數(shù)據(jù)。非易失性存儲器在掉電的情況下并不會丟失所存儲的數(shù)據(jù)。然而所有的主流的非易失性存儲器均源自于只讀存儲器(ROM)技術(shù)
2011-11-19 11:53:09
。RAM類型的存儲器易于使用、性能好，可是它們同樣會在掉電的情況下會失去所保存的數(shù)據(jù)。非易失性存儲器在掉電的情況下并不會丟失所存儲的數(shù)據(jù)。然而所有的主流的非易失性存儲器均源自于只讀存儲器(ROM)技術(shù)
2011-11-21 10:49:57
S25FS128SDSNFI100，MirrorBit?閃存非易失性存儲器 1.8 V帶CMOS I/O的單電源 具有多I/O的串行外圍接口
2023-02-07 14:23:17
德國英飛凌(Infineon Technologies AG)正在與X-Fab Semiconductor Foundries AG商談出售其150毫米晶圓廠的計劃。德國X-Fab公司是一家晶圓代工廠商，英飛凌正在尋求出
2006-03-13 13:07:59
263 【賽迪網(wǎng)訊】8月24日消息，德國金融時報報道稱，歐洲最大的芯片制造商英飛凌有意將其位于慕尼黑別拉奇(Munich Perlach)的芯片生產(chǎn)廠出售給同業(yè)X-Fab，
2006-03-13 13:08:31576 摘 要： 本文簡單介紹了鐵電存儲器、磁性隨機存儲器和相變存儲器這三種比較有發(fā)展?jié)摿?b class="flag-6" style="color: red">存儲器的原理、研究進展及存在的問題等。引言 更高密度、更大帶寬、更
2006-03-24 13:32:182412 
面向納電子時代的非易失性存儲器
摘要
目前主流的基于浮柵閃存技術(shù)的非易失性存儲器（NVM）技術(shù)有望成為未來幾年的參考技術(shù)。但是，閃存本身固有的
2009-12-25 09:37:28636 X-FAB推出單塊嵌入式NVRAM作為專業(yè)晶圓代工解決方案
業(yè)界領(lǐng)先的模擬/混合信號晶圓廠以及“超越摩爾定律”技術(shù)的專家，X-FAB Silicon Foundries，今天成為第一家也是唯一
2010-03-05 11:43:45994 非易失性存儲器的可配置性
隨著消費者要求新產(chǎn)品定期增加功能或提高應(yīng)用靈活性，開發(fā)人員對修改系統(tǒng)應(yīng)用功能的快捷性和簡便性要求越來越高
2010-05-12 09:56:06843 
德州儀器(TI)推出的TPS79918低壓差(LDO)線性調(diào)節(jié)器為新的Intel StrataFlash嵌入式存儲器(P30) 提供了所需性能。英特爾公司正從它的第三代180nm StrataFlash嵌入式存儲器(J30)轉(zhuǎn)向它的第四代130
2010-07-13 10:03:26521 
本文對目前幾種比較有競爭力和發(fā)展?jié)摿Φ男滦?b class="flag-6" style="color: red">非易失性存儲器做了一個簡單的介紹。
鐵電存儲器(FeRAM)
鐵電存儲器是一種在斷電時不會丟失內(nèi)容的非易
2010-08-31 10:50:591942 
Synopsys, Inc.宣布：即日起推出面向多種180納米工藝技術(shù)的DesignWare? AEON?非易失性存儲器(NVM)知識產(chǎn)權(quán)(IP)。
2011-06-29 09:04:28983 Ramtron宣布推出世界上最低功耗的非易失性存儲器。該16 kb器件的型號為FM25P16，是業(yè)界功耗最低的非易失性存儲器，為對功耗敏感的系統(tǒng)設(shè)計開創(chuàng)了全新的機遇.
2012-02-07 09:00:551190 X-FAB Silicon Foundries 日前推出全新的 XT018 制程，這是180奈米200V MOS的獨立溝槽電介質(zhì)（SOI）代工制程。
2012-11-28 10:04:091410 X-FAB 24日宣布針對高性能模擬應(yīng)用設(shè)計，加強XP018工藝多樣性同時降低芯片的生產(chǎn)成本。音頻、傳感器界面與5V電源管理，對于成本敏感的消費應(yīng)用與需要180nm技術(shù)模擬集成是理想的選擇。
2013-06-25 10:52:14726 艾邁斯半導(dǎo)體晶圓代工事業(yè)部總經(jīng)理Markus Wuchse表示：“在我們的奧地利工廠中啟用aC18技術(shù)對我們來說是一項里程碑。基于我們在350
nm制程中的成功實踐，新款hitkit設(shè)計套件使艾邁斯半導(dǎo)體可以為晶圓代工客戶快速提供基于
180nm制程的復(fù)雜的模擬半導(dǎo)體產(chǎn)品原型以及高質(zhì)量的量產(chǎn)產(chǎn)品?！?/div>
2016-07-21 08:51:552227 汽車系統(tǒng)的設(shè)計變得越來越復(fù)雜，因為要不斷的加入新的功能，如高級駕駛輔助，圖形儀表，車身控制和車輛信息娛樂系統(tǒng)。為了確保可靠、安全的操作，每個子系統(tǒng)均需要使用特定的非易失性存儲器，以便在復(fù)位操作和電源切換期間存儲信息。
2018-04-29 11:02:007701 
關(guān)鍵詞：180nm , CMOS工藝技術(shù) , Synopsys , 非易失性存儲器IP , 可重編程 全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體設(shè)計、驗證和制造軟件及知識產(chǎn)權(quán)（IP）供應(yīng)商新思科技有限公司（Synopsys
2018-10-14 17:36:01374 非易失性存儲器是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲的數(shù)據(jù)不會消失者的電腦存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時隨時改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
2018-12-23 13:31:0010224 非易失性存儲器技術(shù)是在關(guān)閉計算機或者突然性、意外性關(guān)閉計算機的時候數(shù)據(jù)不會丟失的技術(shù)。非易失性存儲器技術(shù)得到了快速發(fā)展，非易失性存儲器主要分為塊尋址和字節(jié)尋址兩類。
2019-01-23 11:33:4117003 非易失性存儲器技術(shù)是在關(guān)閉計算機或者突然性、意外性關(guān)閉計算機的時候數(shù)據(jù)不會丟失的技術(shù)。非易失性存儲器技術(shù)得到了快速發(fā)展，非易失性存儲器主要分為塊尋址和字節(jié)尋址兩類。
2019-04-07 14:33:008357 全球領(lǐng)先的模擬/混合信號代工廠商X-FAB Silicon Foundries，今天宣布推出針對不斷增長的48V汽車電源系統(tǒng)（48V board net）和電池管理系統(tǒng)芯片市場的新型高壓器件。
2019-07-11 17:46:332288 X-FAB針對可攜式模擬應(yīng)用提供180nm優(yōu)化的工藝。XP018工藝的多樣選擇以降低芯片的成本。這些選項是成本敏感的消費性應(yīng)用與需要180nm技術(shù)、模擬集成的理想選擇。
2019-10-14 17:17:16922 X-FAB針對可攜式模擬應(yīng)用提供180nm優(yōu)化的工藝。XP018工藝的多樣選擇以降低芯片的成本。這些選項是成本敏感的消費性應(yīng)用與需要180nm技術(shù)、模擬集成的理想選擇。
2019-12-26 15:29:45797 據(jù)外媒報道稱，GlobalFoundries（格芯）今天宣布已經(jīng)完成了22FDX（22 nm FD-SOI）技術(shù)開發(fā)，而這項技術(shù)用于生產(chǎn)嵌入式磁阻非易失性存儲器（eMRAM）。
2020-02-28 11:24:282405 據(jù)外媒報道稱，美國半導(dǎo)體晶圓代工廠商GlobalFoundries（格芯）宣布已經(jīng)完成了22FDX（22 nm FD-SOI）技術(shù)開發(fā)，而這項技術(shù)用于生產(chǎn)嵌入式磁阻非易失性存儲器（eMRAM）。
2020-03-03 15:57:27490 近日，格芯宣布基于22nm FD-SOI （22FDX）工藝平臺，新型存儲器eMRAM（嵌入式、磁阻型非易失性存儲器）已投入生產(chǎn)。
2020-03-11 10:54:37713 新興的非易失性存儲器技術(shù)主要有五種類型：閃存（Flash），鐵電隨機存取存儲器（FeRAM），磁性隨機存取存儲器（MRAM），相變存儲器（PCM）和RRAM。
2020-05-21 16:34:311840 良好的設(shè)計是成功制造非易失性存儲器產(chǎn)品的重要關(guān)鍵，包括測試和驗證設(shè)備性能以及在制造后一次在晶圓和設(shè)備級別進行質(zhì)量控制測試。新興的非易失性存儲器技術(shù)的制造和測試，這些技術(shù)將支持物聯(lián)網(wǎng)，人工智能以及先進
2020-06-09 13:46:16847 
X-FAB是全球領(lǐng)先的模擬/混合信號和MEMS代工廠之一。該公司的模塊化CMOS和SOI工藝處理尺寸涵蓋1.0 μm ~ 0.13 μm，同時SiC（碳化硅）和MEMS工藝也名列前茅。X-FAB在德國、法國、馬來西亞和美國共擁有六個生產(chǎn)基地，全球員工約3800名。
2020-06-20 09:47:443044 X-FAB射頻技術(shù)總監(jiān)Greg U‘Ren博士補充道：“與Attopsemi的緊密合作為我們的客戶使用XR013創(chuàng)造了一個高性價比的OTP存儲器解決方案，這將對我們的客戶增加其片上功能起到關(guān)鍵作用，為他們進一步創(chuàng)新打下堅實的基礎(chǔ)，并使不同地理位置的要求得到關(guān)注。”
2020-10-14 17:29:252556 SRAM為數(shù)據(jù)訪問和存儲提供了一個快速且可靠的手段。由系統(tǒng)電源或其他備用電源（如電池）供電時，他們就具有非易失性。表1給出了幾種給定的非易失性存儲器存儲技術(shù)的優(yōu)缺點。 表1非易失性存儲器比較
2020-10-23 14:36:121516 
非易失性存儲器X24C44中文數(shù)據(jù)手冊分享。
2021-04-14 10:20:48
6 非易失性存儲器X24C45中文數(shù)據(jù)手冊分享。
2021-04-14 10:30:0915 AN-579：使用帶非易失性存儲器的數(shù)字電位器的多功能可編程放大器
2021-04-25 20:34:3712 FM33256B-G器件將FRAM存儲器與基于處理器的系統(tǒng)最常用的功能集成在一起，主要功能包括非易失性存儲器，實時時鐘，低VDD復(fù)位，看門狗定時器，非易失性事件計數(shù)器，可鎖定的64位序列號區(qū)域以及可用于斷電（NMI）中斷或其他目的的通用比較器。該器件的工作電壓為2.7V至3.6V。
2021-05-17 16:43:53912 
非易失性存儲器S25FL512S手冊免費下載。
2021-06-10 09:46:242 FM25V02A是使用高級鐵電工藝的256Kbit非易失性存儲器。FRAM是非易失性的；與RAM相同，它能夠執(zhí)行讀和寫操作。它提供151年的可靠數(shù)據(jù)保留時間，并解決了由串行閃存、EEPROM和其他非易失性存儲器造成的復(fù)雜性、開銷和系統(tǒng)級可靠性的問題。賽普拉斯代理英尚微電子提供技術(shù)相關(guān)支持。
2021-07-27 15:23:082426 模擬晶圓代工龍頭企業(yè)X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）和國產(chǎn)SiC功率器件供應(yīng)商派恩杰聯(lián)合對外宣布，雙方就批量生產(chǎn)SiC晶圓建立長期戰(zhàn)略合作關(guān)系，此前雙方已經(jīng)合作近三年時間。
2021-09-07 10:06:42924 所謂的寄存器、內(nèi)存等用于存儲信息的復(fù)雜結(jié)構(gòu)。存儲器的分類存儲器分為易失性存儲器和非易失性存儲器；所謂易失性存儲器是指設(shè)備掉電，存儲的信息自動清除，而非易失性存儲器具有存儲時間長的功能。易失性存儲器主要指RAM，而RAM分為動態(tài)RAM（
2021-11-26 19:36:0437 應(yīng)用范圍，讓用戶可以借助這一工具檢查不想要的襯底耦合效應(yīng)。作為全球首家為BCD-on-SOI工藝提供此類分析功能的代工廠，X-FAB將這一最初面向XH018和XP018 180nm Bulk CMOS工藝
2022-04-22 15:39:39322 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MCU片內(nèi)非易失性存儲器操作應(yīng)用筆記.zip》資料免費下載
2022-09-22 10:00:540 DRAM屬于易失性存儲器，也就是大家常說的內(nèi)存。今天，我們再來看看半導(dǎo)體存儲的另一個重要領(lǐng)域，也就是非易失性存儲器（也就是大家熟悉的閃存卡、U盤、SSD硬盤等）。
2022-10-13 09:24:131348 來源：X-FAB PhotonixFab將為光電子產(chǎn)品的創(chuàng)新及商業(yè)化打通路徑，實現(xiàn)高產(chǎn)能制造 中國北京，2023年6月15日——全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon
2023-06-19 15:54:25453 
X-FAB Silicon Foundries SE正在以進一步實質(zhì)性的方式推進其電流隔離技術(shù)。X-FAB在2018年推出的突破性工藝的基礎(chǔ)上，該工藝專為彈性分立電容或電感耦合器而設(shè)計，現(xiàn)在可用
2023-11-07 16:02:34305 。與2021年推出的上一代SPAD一樣，這款近紅外SPAD也基于X-FAB的180 nm XH018工藝。通過在制造工藝中增加額外的步驟顯著增強了信號，同時仍然保持相同的低本底噪聲，且不會對暗計數(shù)率、寄生脈沖
2023-11-20 09:11:53398 模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries公司宣布，新增集成無源器件（IPD）制造能力，最新推出XIPD工藝，進一步增強其在射頻領(lǐng)域的廣泛實力。
2023-11-21 17:03:00385 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《基于非易失性存儲器的數(shù)字電位器的多功能可編程放大器.pdf》資料免費下載
2023-11-24 16:04:350 如何充分利用單片機（MCU）的非易失性存儲器 單片機（MCU）的非易失性存儲器（NVM）是存儲數(shù)據(jù)和程序的重要組成部分。它可以保留數(shù)據(jù)，即使在斷電或復(fù)位后也不會丟失。為了充分利用MCU的NVM，我們
2023-12-15 10:10:49507 
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