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存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)技術(shù)革新,DRAM有望進(jìn)行量產(chǎn)

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2013-06-17 09:53:19962

存儲(chǔ)器廠商發(fā)力,10納米DRAM技術(shù)待攻克

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2016-11-22 16:06:151561

傳三星將擴(kuò)產(chǎn)DRAM 存儲(chǔ)器好景恐難延續(xù)

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2024-02-19 10:56:36267

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動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)第四季價(jià)格持續(xù)下跌,存儲(chǔ)器封測(cè)廠受到客戶要求降價(jià),近期已同意本季調(diào)降調(diào)降封測(cè)售價(jià)5%到10%,將沖擊本季毛利表現(xiàn)。
2011-11-19 00:26:271152

DRAM,SRAM,SDRAM的關(guān)系與區(qū)別

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2012-08-15 17:11:45

DRAM存儲(chǔ)原理和特點(diǎn)

  DRAM是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲(chǔ)電荷的多寡來(lái)代表一個(gè)二進(jìn)制bit是1還是0。與SRAM相比的DRAM的優(yōu)勢(shì)在于結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,每一個(gè)bit的數(shù)據(jù)都只需一個(gè)電容跟一個(gè)晶體管來(lái)處
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2020-09-25 08:01:20

存儲(chǔ)器 IC 分類的糾結(jié)

以分成SRAM(Static RAM:靜態(tài)RAM)和DRAM(dynamic RAM:動(dòng)態(tài)RAM)。ROM是Read Only Memory的縮寫,翻譯過(guò)來(lái)就是只讀存儲(chǔ)器。常見(jiàn)的ROM又可分為掩膜ROM
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2017-12-21 17:10:53

存儲(chǔ)器的層次結(jié)構(gòu)及其分類

目錄【1】存儲(chǔ)器的層次結(jié)構(gòu)【2】存儲(chǔ)器的分類【3】SRAM基本原理:結(jié)構(gòu):芯片參數(shù)與引腳解讀:CPU與SRAM的連接方式【4】DRAM基本原理:結(jié)構(gòu)芯片引腳解讀:【5】存儲(chǔ)器系統(tǒng)設(shè)計(jì)【6】存儲(chǔ)器擴(kuò)展
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存儲(chǔ)器的編碼方法

存儲(chǔ)器的帶寬信息。具體的,可以采用存儲(chǔ)器的SMART技術(shù)獲取存儲(chǔ)器的帶寬信息,上述帶寬信息可以包括存儲(chǔ)器的類型、存儲(chǔ)器的型號(hào)、存儲(chǔ)器的剩余帶寬、存儲(chǔ)器當(dāng)前的讀寫速率等。102、依據(jù)上述帶寬信息選取編碼
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存儲(chǔ)器芯片與CPU芯片是怎樣進(jìn)行連接的

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存儲(chǔ)器重新映射(Remap)的原因

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2018-06-10 00:47:17

ARM存儲(chǔ)器有哪幾種呢

從個(gè)人電腦的角度看嵌入式開(kāi)發(fā)板——小白學(xué)ARM(五)各種存儲(chǔ)器——SRAM、DRAM、SDRAM、ROM、NOR、NAND???mini2440開(kāi)發(fā)板vs個(gè)人電腦各種存儲(chǔ)器——SRAM、DRAM
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EVERSPIN非易失性存儲(chǔ)器嵌入式技術(shù)解析

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FPGA讀寫DRAM存儲(chǔ)器的代碼

各位大神好,我想用FPGA讀寫DRAM存儲(chǔ)器,求大神指點(diǎn)哪位大佬有代碼分析一份更是感激不盡,好人一生平安。
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Flash存儲(chǔ)器分為哪幾類?Flash存儲(chǔ)器有什么特點(diǎn)?

Flash存儲(chǔ)器分為哪幾類?Flash存儲(chǔ)器有什么特點(diǎn)?Flash與DRAM有什么區(qū)別?
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Flash存儲(chǔ)器的使用壽命有什么辦法延長(zhǎng)嗎?

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2019-08-16 07:06:12

KeyStone存儲(chǔ)器架構(gòu)

。KeyStone 系列器件以該技術(shù)為構(gòu)建基礎(chǔ),能夠進(jìn)一步將軟錯(cuò)誤保護(hù)擴(kuò)展至存儲(chǔ)器的所有層級(jí)。圖 6 - 多內(nèi)核虛擬存儲(chǔ)器  層級(jí)系統(tǒng)中的存儲(chǔ)器控制可支持多級(jí)保護(hù),并可用于實(shí)現(xiàn)對(duì)代碼段進(jìn)行全面校正,并對(duì)數(shù)據(jù)空間
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MCU存儲(chǔ)器的資料大合集

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TDK幫助機(jī)器人實(shí)現(xiàn)技術(shù)革新的傳感解決方案

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半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的分類

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如何利用固態(tài)存儲(chǔ)器進(jìn)行ECC算法分析與實(shí)現(xiàn)?

特錯(cuò)誤和檢測(cè)雙比特錯(cuò)誤,但對(duì)雙比特以上的錯(cuò)誤不能保證檢測(cè)。它克服了傳統(tǒng)奇偶校驗(yàn)只能檢出奇數(shù)位出錯(cuò)、校驗(yàn)碼冗長(zhǎng)、不能糾錯(cuò)的局限性。文中在高速大容量固態(tài)存儲(chǔ)器的硬件結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上,詳細(xì)介紹了ECC校驗(yàn)碼的生成規(guī)則以及ECC校驗(yàn)流程,以及如何利用固態(tài)存儲(chǔ)器進(jìn)行ECC算法分析與實(shí)現(xiàn)
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如何去設(shè)計(jì)Flash存儲(chǔ)器?

Flash類型與技術(shù)特點(diǎn)有哪些?如何去選擇uClinux的塊驅(qū)動(dòng)?如何去設(shè)計(jì)Flash存儲(chǔ)器?
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2021-07-14 07:04:49

如何采用LINUX實(shí)現(xiàn)嵌入式網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)

本文提出了一個(gè)網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)器的基本解決方案,實(shí)現(xiàn)了網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)器的基本功能。
2021-04-26 06:50:19

怎么實(shí)現(xiàn)外置編碼存儲(chǔ)器輪胎定位技術(shù)?

TPMS技術(shù)及輪胎定位原理是什么?如何解決TPMS輪胎換位和調(diào)換輪胎時(shí)的重新定位問(wèn)題?怎么實(shí)現(xiàn)外置編碼存儲(chǔ)器輪胎定位技術(shù)?
2021-05-14 06:13:50

技術(shù)世代即將來(lái)臨,存儲(chǔ)器依然炙手可熱

?過(guò)去存儲(chǔ)器與晶圓代工業(yè)大致上可以說(shuō)是「楚河漢界,井水不犯河水」。但在即將來(lái)臨的時(shí)代,存儲(chǔ)器業(yè)者覬覦占了全球65%的非存儲(chǔ)器市場(chǎng),而存儲(chǔ)器技術(shù)從過(guò)去的DRAM、3D NAND,正逐漸走向磁阻式存儲(chǔ)器
2018-12-24 14:28:00

求助 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 FLASH程序存儲(chǔ)器 FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的區(qū)別

數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 FLASH程序存儲(chǔ)器 FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器各有什么區(qū)別?特點(diǎn)?小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器包含三部分,片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴(kuò)展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46

淺析DRAM和Nand flash

包括:DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH。DRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(Dynamic RAM),“動(dòng)態(tài)”二字指沒(méi)隔一段時(shí)間就會(huì)刷新充電一次,不然內(nèi)部的數(shù)據(jù)就會(huì)消失。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM的基本單元
2019-09-18 09:05:09

相變存儲(chǔ)器(PCM) :新的存儲(chǔ)器技術(shù)創(chuàng)建 新的存儲(chǔ)器使用模式

目前高級(jí)應(yīng)用要求新的存儲(chǔ)器技術(shù)能力出現(xiàn)。隨著電子系統(tǒng)需要更多的代碼和數(shù)據(jù),所導(dǎo)致的結(jié)果就是對(duì)存儲(chǔ)器的需求永不停歇。相變存儲(chǔ)器(PCM)以創(chuàng)新的關(guān)鍵技術(shù)特色滿足了目前電子系統(tǒng)的需要。針對(duì)電子系統(tǒng)的重點(diǎn)
2018-05-17 09:45:35

計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器的新技術(shù)描述

本文分別介紹了存儲(chǔ)器的分類、組成、層次結(jié)構(gòu)、常見(jiàn)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器的選擇,最后描述了計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器的一些新技術(shù)。存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備,用來(lái)存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中全部信息,包括輸入的原始數(shù)據(jù)
2021-09-09 07:47:39

詳細(xì)介紹關(guān)于SRAM隨機(jī)存儲(chǔ)器的特點(diǎn)及結(jié)構(gòu)

隨著微電子技術(shù)的迅猛發(fā)展,SRAM存儲(chǔ)器逐漸呈現(xiàn)出高集成度、快速及低功耗的發(fā)展趨勢(shì)。在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的發(fā)展中,靜態(tài)存儲(chǔ)器(SRAM)由于其廣泛的應(yīng)用成為其中不可或缺的重要一員。下面詳細(xì)介紹關(guān)于SRAM
2022-11-17 16:58:07

請(qǐng)問(wèn)怎樣去設(shè)計(jì)一種網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)器?

網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)器技術(shù)是如何產(chǎn)生的?怎樣去設(shè)計(jì)一種網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)器?
2021-05-26 07:00:22

鐵電存儲(chǔ)器技術(shù)原理

。正如你所猜想的一樣,被稱為只讀存儲(chǔ)器的東西肯定不容易進(jìn)行寫入操作,而事實(shí)上是根本不能寫入。所有由ROM技術(shù)研發(fā)出的存儲(chǔ)器則都具有寫入信息困難的特點(diǎn)。這些技術(shù)包括有EPROM(幾乎已經(jīng)廢止
2011-11-19 11:53:09

鐵電存儲(chǔ)器技術(shù)原理

。正如你所猜想的一樣,被稱為只讀存儲(chǔ)器的東西肯定不容易進(jìn)行寫入操作,而事實(shí)上是根本不能寫入。所有由ROM技術(shù)研發(fā)出的存儲(chǔ)器則都具有寫入信息困難的特點(diǎn)。這些技術(shù)包括有EPROM(幾乎已經(jīng)廢止
2011-11-21 10:49:57

相變存儲(chǔ)器:能實(shí)現(xiàn)全新存儲(chǔ)器使用模型的新型存儲(chǔ)器

相變存儲(chǔ)器:能實(shí)現(xiàn)全新存儲(chǔ)器使用模型的新型存儲(chǔ)器 從下面的幾個(gè)重要特性看,相變存儲(chǔ)器(PCM)技術(shù)均符合當(dāng)前電子系統(tǒng)對(duì)存儲(chǔ)器子系統(tǒng)的需求: 容量
2009-12-31 10:09:301115

基于當(dāng)代DRAM結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)器控制器設(shè)計(jì)

基于當(dāng)代DRAM結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)器控制器設(shè)計(jì) 1、引言 當(dāng)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)越來(lái)越受存儲(chǔ)性能的限制。處理器性能每年以60%的速率增長(zhǎng),存儲(chǔ)器芯片每年僅僅增加10%的
2009-12-31 10:57:03714

全球最薄動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)

日本半導(dǎo)體巨頭爾必達(dá)及其子公司秋田爾必達(dá)22日宣布,已開(kāi)發(fā)出全球最薄的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM),4塊疊加厚度僅為0.8毫米
2011-06-23 08:43:36993

存儲(chǔ)器芯片DRAM/NAND/RRAM技術(shù)詳解

日前,存儲(chǔ)器芯片主要供應(yīng)商之一美光公司(Micron)在香港舉行了 2014 夏季分析師大會(huì),會(huì)上美光的高層管理人員就 DRAM、NAND 和新型存儲(chǔ)器的市場(chǎng)趨勢(shì)、技術(shù)發(fā)展以及 Micron 的公司
2017-10-20 16:08:2649

FPGA存儲(chǔ)器項(xiàng)使用DRAM的方法技術(shù)解析

FPGA中的存儲(chǔ)DRAM 某些FPGA終端,包含板載的、可以動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)的存儲(chǔ)塊(DRAM),這些存儲(chǔ)塊可以在FPGA VI中直接訪問(wèn),速率非常高。 DRAM可以用來(lái)緩存大批量的數(shù)據(jù),而且速度可以
2017-11-15 15:13:062740

快速發(fā)展的無(wú)線標(biāo)準(zhǔn)以及如何應(yīng)對(duì)技術(shù)革新者們面臨的困境

在這個(gè)科技飛速進(jìn)步的時(shí)代,技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者(即革新者)們正面臨著技術(shù)革新所帶來(lái)的困境。一方面,技術(shù)革新為公司贏得市場(chǎng)立足點(diǎn),以及擴(kuò)大市場(chǎng)份額的機(jī)會(huì)。但另一方面,隨著市場(chǎng)的成熟,這個(gè)加速公司成長(zhǎng)的競(jìng)爭(zhēng)
2017-11-17 17:36:51686

DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH三大存儲(chǔ)器分析

存儲(chǔ)器芯片領(lǐng)域,主要分為兩類:易失性和非易失性。易失性:斷電以后,存儲(chǔ)器內(nèi)的信息就流失了,例如 DRAM,主要用來(lái)做PC機(jī)內(nèi)存(如DDR)和手機(jī)內(nèi)存(如LPDDR),兩者各占三成。非易失性:斷電以后
2018-04-09 15:45:33109972

DRAM存儲(chǔ)器市場(chǎng)將保持量?jī)r(jià)齊增態(tài)勢(shì)

和美光均采用IDM模式繼續(xù)保持壟斷地位,合計(jì)市占率超過(guò)95%,國(guó)產(chǎn)廠商開(kāi)始積極布局,2018年將實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),有望逐步改變當(dāng)前產(chǎn)業(yè)格局。DRAM消費(fèi)產(chǎn)品中,移動(dòng)終端、服務(wù)器和PC依舊占據(jù)頭三名,合計(jì)占比86%,未來(lái)將繼續(xù)拉動(dòng)DRAM消費(fèi)增長(zhǎng)。
2018-05-17 10:12:003074

主流存儲(chǔ)器DRAM技術(shù)優(yōu)勢(shì)和行業(yè)應(yīng)用分析

DRAM技術(shù)上取得的進(jìn)步伴隨著多內(nèi)核處理器的出現(xiàn)、新的操作系統(tǒng),以及跨多種不同運(yùn)算平臺(tái)和應(yīng)用的越來(lái)越多的不同要求,包括服務(wù)器、工作站、海量存儲(chǔ)系統(tǒng)、超級(jí)計(jì)算機(jī)、臺(tái)式電腦和筆記本電腦和外設(shè)。存儲(chǔ)器技術(shù)
2020-05-21 07:52:006238

探析5G時(shí)代的技術(shù)革新挑戰(zhàn)

3G提高了通信速度,4G改變了我們的生活,5G時(shí)代則因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">技術(shù)的革命性,整個(gè)社會(huì)形態(tài)與商業(yè)形態(tài)都被深刻影響,對(duì)于芯片封裝測(cè)試領(lǐng)域同樣也帶來(lái)了許多新的技術(shù)革新。
2018-12-04 16:30:364583

新型的存儲(chǔ)器技術(shù)有哪些 新型存儲(chǔ)器能解決哪些問(wèn)題

盡管ㄧ些新存儲(chǔ)器技術(shù)已經(jīng)研發(fā)出來(lái),但在這競(jìng)爭(zhēng)激烈的市場(chǎng),只有極少數(shù)能夠成功。 圖1是ㄧ些新存儲(chǔ)器技術(shù)的列表。然而,無(wú)論哪一個(gè)技術(shù)勝出,這些新型非易失性技術(shù)系統(tǒng)的功耗肯定會(huì)低于現(xiàn)有的嵌入式 NOR 閃存和 SRAM,或是,離散 的 DRAM 和 NAND 閃存的系統(tǒng)。
2018-12-24 11:04:3410846

紫光存儲(chǔ)新調(diào)整 ,國(guó)微轉(zhuǎn)讓DRAM業(yè)務(wù)

隨著福建晉華和合肥長(zhǎng)鑫兩大陣營(yíng)投入研發(fā) DRAM 技術(shù),若兩大廠研發(fā)成功且量產(chǎn),西安紫光國(guó)芯的DRAM設(shè)計(jì)實(shí)力恐與這兩家再度拉大,合并紫光國(guó)芯后的紫光存儲(chǔ)要如何進(jìn)行大整合,以發(fā)揮集團(tuán)的存儲(chǔ)戰(zhàn)力,還待時(shí)間觀察。
2019-02-25 10:22:499118

注重使用體驗(yàn) 空調(diào)產(chǎn)品紛紛在出風(fēng)方面進(jìn)行技術(shù)革新

,也能有效避免因室內(nèi)外溫差過(guò)大引起的身體不適。與此同時(shí),空調(diào)廠家紛紛在空調(diào)的出風(fēng)方面進(jìn)行技術(shù)革新,用技術(shù)手段不斷提升用戶使用體驗(yàn)。
2019-05-23 16:43:58630

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)亮相閃存技術(shù)峰會(huì) 引領(lǐng)中國(guó)DRAM技術(shù)突破

作為中國(guó)DRAM產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)正在加速?gòu)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM的技術(shù)追趕者向技術(shù)引領(lǐng)者轉(zhuǎn)變,用自主研發(fā)的DRAM技術(shù)和專利,引領(lǐng)中國(guó)實(shí)現(xiàn)DRAM零的突破。
2019-09-19 10:26:00463

憑借創(chuàng)新太極旋風(fēng)刀,看蘇泊爾破壁機(jī)如何技術(shù)革新

了這樣的領(lǐng)導(dǎo)品牌?;谠趶N電行業(yè)深耕幾十載所積淀的技術(shù)力量,蘇泊爾持續(xù)進(jìn)行技術(shù)革新,以多款擁有不俗市場(chǎng)表現(xiàn)的靜音破壁機(jī),帶領(lǐng)破壁機(jī)行業(yè)從野蠻增長(zhǎng)逐漸轉(zhuǎn)型為高速有序增長(zhǎng)。 今年夏天,蘇泊爾上市了行業(yè)首款創(chuàng)新多維靜音技術(shù)破壁
2019-08-20 22:19:14756

存儲(chǔ)器將與晶圓代工跨界經(jīng)營(yíng)全新存儲(chǔ)器

過(guò)去存儲(chǔ)器與晶圓代工可以說(shuō)是“楚河漢界,井水不犯河水”。但在即將來(lái)臨的時(shí)代,存儲(chǔ)器業(yè)者覬覦占了全球65%的非存儲(chǔ)器市場(chǎng),而存儲(chǔ)器技術(shù)從過(guò)去的DRAM、3D NAND,正逐漸走向磁阻式存儲(chǔ)器(MRAM)等完全不同模式的新技術(shù)。
2019-09-10 15:24:41742

中國(guó)將自主研發(fā)DRAM存儲(chǔ)器

業(yè)內(nèi)研究人員表示,中國(guó)目前有三家廠商正在建設(shè)的閃存與存儲(chǔ)器工廠,旨在確保自身能夠在NAND與DRAM方面實(shí)現(xiàn)自給自足。
2019-09-20 16:53:011653

存儲(chǔ)器技術(shù)迎來(lái)革新存儲(chǔ)市場(chǎng)回轉(zhuǎn)有望

據(jù)近日?qǐng)?bào)道,面對(duì)存儲(chǔ)器半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)低迷,三星電子,SK海力士,鎂光企圖通過(guò)新舊世代的產(chǎn)品交替,克服危機(jī)。
2019-10-25 10:22:53632

DRAM現(xiàn)貨價(jià)急漲,存儲(chǔ)器價(jià)格將持續(xù)走揚(yáng)

據(jù)臺(tái)媒報(bào)道,由于第一季度表現(xiàn)良好,加上存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)下半年需求有望升溫,臺(tái)灣存儲(chǔ)器模組廠宇瞻股價(jià)一路高漲15.9%。
2020-03-08 18:32:312079

三星成首家在DRAM生產(chǎn)采用EUV技術(shù)存儲(chǔ)器供應(yīng)商

電子DRAM芯片產(chǎn)品與技術(shù)執(zhí)行副總裁指出,隨著以EUV技術(shù)所生產(chǎn)出的新型DRAM芯片量產(chǎn),展示著三星對(duì)提供革命性的DRAM芯片解決方案以支援全球IT客戶需求的承諾。這項(xiàng)重大進(jìn)展也說(shuō)明了三星將如何透過(guò)即時(shí)開(kāi)發(fā)高端制程技術(shù)來(lái)生產(chǎn)高端存儲(chǔ)器芯片市場(chǎng)的下一代產(chǎn)品,繼續(xù)
2020-04-03 15:47:511009

存儲(chǔ)器和新興非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的特點(diǎn)

良好的設(shè)計(jì)是成功制造非易失性存儲(chǔ)器產(chǎn)品的重要關(guān)鍵,包括測(cè)試和驗(yàn)證設(shè)備性能以及在制造后一次在晶圓和設(shè)備級(jí)別進(jìn)行質(zhì)量控制測(cè)試。新興的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的制造和測(cè)試,這些技術(shù)將支持物聯(lián)網(wǎng),人工智能以及先進(jìn)
2020-06-09 13:46:16847

一文分析2020年存儲(chǔ)器的行業(yè)現(xiàn)狀

獨(dú)立存儲(chǔ)器市場(chǎng)和相關(guān)技術(shù)的摘要,包括NAND,DRAM,持久性存儲(chǔ)器,NOR,(NV)SRAM,新興的NVM等。
2020-10-20 10:41:444025

易失性存儲(chǔ)DRAM是什么,它的主要原理是怎樣的

DRAM是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲(chǔ)電荷的多寡來(lái)代表一個(gè)二進(jìn)制bit是1還是0。與SRAM相比的DRAM的優(yōu)勢(shì)在于結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,每一個(gè)bit的數(shù)據(jù)都只需一個(gè)電容跟一個(gè)晶體管來(lái)處
2020-12-11 15:11:293686

DRAM、NAND和嵌入式存儲(chǔ)器技術(shù)的觀察與分析

最近Techinsights舉辦了一場(chǎng)關(guān)于存儲(chǔ)技術(shù)的網(wǎng)絡(luò)研討會(huì),Jeongdong Choe博士介紹了他對(duì)最新的DRAM,NAND,新興和嵌入式存儲(chǔ)器技術(shù)的觀察與分析。以下概述了討論的相關(guān)主題。DRA
2020-12-24 13:13:46752

美光科技在日本廣島開(kāi)始量產(chǎn)尖端存儲(chǔ)器DRAM

最新消息,據(jù)日本共同社報(bào)道,美光科技位于日本廣島縣東廣島市的子公司“日本美光存儲(chǔ)器公司”,已于16日在該市廣島工廠啟動(dòng)最尖端DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)的量產(chǎn)。 據(jù)悉,量產(chǎn)的最新產(chǎn)品
2022-11-28 10:40:52914

動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器集成工藝(DRAM)詳解

在當(dāng)前計(jì)算密集的高性能系統(tǒng)中,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM)和嵌入式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(embedded-DRAM,eDRAM)是主要的動(dòng)態(tài)快速讀/寫存儲(chǔ)器。先進(jìn)的 DRAM 存儲(chǔ)單元有兩種,即深溝
2023-02-08 10:14:575004

淺析動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM集成工藝

在當(dāng)前計(jì)算密集的高性能系統(tǒng)中,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM)和嵌入式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(embedded-DRAM,eDRAM)是主要的動(dòng)態(tài)快速讀/寫存儲(chǔ)器
2023-02-08 10:14:39547

dram存儲(chǔ)器斷電后信息會(huì)丟失嗎 dram的存取速度比sram快嗎

DRAM(Dynamic Random Access Memory)存儲(chǔ)器是一種易失性存儲(chǔ)器,意味著當(dāng)斷電時(shí),存儲(chǔ)在其中的信息會(huì)丟失。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM使用電容來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù),電容需要持續(xù)地充電來(lái)保持?jǐn)?shù)據(jù)的有效性。一旦斷電,電容會(huì)迅速失去電荷,導(dǎo)致存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)丟失。
2023-07-28 15:02:032207

DRAM內(nèi)存分為哪幾種 dram存儲(chǔ)器存儲(chǔ)原理是什么

DRAM(Dynamic Random Access Memory)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)元是電容器和晶體管的組合。每個(gè)存儲(chǔ)單元由一個(gè)電容器和一個(gè)晶體管組成。電容器存儲(chǔ)位是用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的。晶體管用于控制電容器
2023-08-21 14:30:021030

三星正在研發(fā)新型LLW DRAM存儲(chǔ)器

近日,三星宣布正在研發(fā)一種新型的LLW DRAM存儲(chǔ)器,這一創(chuàng)新技術(shù)具有高帶寬和低功耗的特性,有望引領(lǐng)未來(lái)內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展。
2024-01-12 14:42:03282

國(guó)產(chǎn)深海1萬(wàn)米六維力傳感器引領(lǐng)卡脖子技術(shù)革新

國(guó)產(chǎn)深海萬(wàn)米六維力傳感器引領(lǐng)卡脖子技術(shù)革新
2024-02-20 16:09:00193

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