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DRAM有什么特點(diǎn)呢?它的工藝是什么情況?(通常所說(shuō)的內(nèi)存就是
DRAM)答:1)
DRAM需要
進(jìn)行周期性的刷新操作,我們不應(yīng)將SRAM與只讀
存儲(chǔ)器(ROM)和Flash Memory相混淆,因?yàn)?/div>
2012-08-15 17:11:45
DRAM是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲(chǔ)電荷的多寡來(lái)代表一個(gè)二進(jìn)制bit是1還是0。與SRAM相比的DRAM的優(yōu)勢(shì)在于結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,每一個(gè)bit的數(shù)據(jù)都只需一個(gè)電容跟一個(gè)晶體管來(lái)處
2020-12-10 15:49:11
DRAM存儲(chǔ)器M12L1616lA資料分享
2021-05-12 08:06:46
才會(huì)停止DRAM的投資。從目前各新興存儲(chǔ)器的技術(shù)進(jìn)展來(lái)看,讀寫速度都已紛紛進(jìn)入10ns的目標(biāo)區(qū),而且不需要更新電流(refresh current),對(duì)功耗問(wèn)題大有好處。況且這些技術(shù)也都可以3D堆疊
2018-10-12 14:46:09
一種特定的類型:DRAM。DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)是一種基于充電電容器的存儲(chǔ)技術(shù),實(shí)現(xiàn)起來(lái)非??烨冶阋?。它還允許高密度。但是DRAM并非沒(méi)有缺陷。DRAM中的一位可以存儲(chǔ)為電容器上是否存在電荷
2020-09-25 08:01:20
以分成SRAM(Static RAM:靜態(tài)RAM)和DRAM(dynamic RAM:動(dòng)態(tài)RAM)。ROM是Read Only Memory的縮寫,翻譯過(guò)來(lái)就是只讀存儲(chǔ)器。常見(jiàn)的ROM又可分為掩膜ROM
2012-01-06 22:58:43
第4章 存儲(chǔ)器教材課后思考題與習(xí)題:4.1解釋概念:主存、輔存、Cache、RAM、SRAM、DRAM、ROM、PROM、EPROM、EEPROM、CDROM、Flash Memory主存:主存儲(chǔ)器
2021-07-26 08:08:39
技術(shù)的日趨成熟,存儲(chǔ)器價(jià)格會(huì)回穩(wěn).然而就DRAM市場(chǎng)來(lái)說(shuō),誰(shuí)也不知道DRAM的供貨何時(shí)才會(huì)穩(wěn)定下來(lái).再來(lái)看市場(chǎng)需求狀況,雖然有些存儲(chǔ)器市場(chǎng)分段的市場(chǎng)需求正在增長(zhǎng),但是這些分段的增長(zhǎng)幅度并不高,可見(jiàn)主要的問(wèn)題是來(lái)自于供給側(cè).
2019-07-16 08:50:19
內(nèi)部程序,其特點(diǎn)是價(jià)格便宜。 2、可編程的只讀存儲(chǔ)器(PROM): 它的內(nèi)容可由用戶根據(jù)自已所編程序一次性寫入,一旦寫入,只能讀出,而不能再進(jìn)行更改,這類存儲(chǔ)器現(xiàn)在也稱為OTP(Only Time
2017-10-24 14:31:49
更改內(nèi)部程序,其特點(diǎn)是價(jià)格便宜。 2、可編程的只讀存儲(chǔ)器(PROM): 它的內(nèi)容可由用戶根據(jù)自已所編程序一次性寫入,一旦寫入,只能讀出,而不能再進(jìn)行更改,這類存儲(chǔ)器現(xiàn)在也稱為OTP(Only
2017-12-21 17:10:53
目錄【1】存儲(chǔ)器的層次結(jié)構(gòu)【2】存儲(chǔ)器的分類【3】SRAM基本原理:結(jié)構(gòu):芯片參數(shù)與引腳解讀:CPU與SRAM的連接方式【4】DRAM基本原理:結(jié)構(gòu)芯片引腳解讀:【5】存儲(chǔ)器系統(tǒng)設(shè)計(jì)【6】存儲(chǔ)器擴(kuò)展
2021-07-29 06:21:48
存儲(chǔ)器的理解存儲(chǔ)器是由簡(jiǎn)單的電子器件例如PMOS管、NMOS管進(jìn)行組合形成邏輯上的與非或門,之后在此基礎(chǔ)上,形成組合邏輯用于存儲(chǔ)信息,例如R-S鎖存器和門控D鎖存器,進(jìn)而進(jìn)一步組合復(fù)雜化,形成我們
2021-12-10 06:54:11
存儲(chǔ)器的帶寬信息。具體的,可以采用存儲(chǔ)器的SMART技術(shù)獲取存儲(chǔ)器的帶寬信息,上述帶寬信息可以包括存儲(chǔ)器的類型、存儲(chǔ)器的型號(hào)、存儲(chǔ)器的剩余帶寬、存儲(chǔ)器當(dāng)前的讀寫速率等。102、依據(jù)上述帶寬信息選取編碼
2019-11-15 15:44:06
存儲(chǔ)器可劃分為哪幾類?存儲(chǔ)器的層次結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的?存儲(chǔ)器芯片與CPU芯片是怎樣進(jìn)行連接的?
2021-09-16 07:12:10
的應(yīng)用就是應(yīng)用程序存儲(chǔ)在Flash/ROM中,初始這些存儲(chǔ)器地址是從0開(kāi)始的,但這些存儲(chǔ)器的讀時(shí)間比SRAM/DRAM長(zhǎng),造成其內(nèi)部執(zhí)行頻率不高,故一般在前面一段程序?qū)⒋a搬移到SRAM/DRAM中去,然后重新映射存儲(chǔ)器空間,將相應(yīng)SRAM/DRAM映射到地址0,重新執(zhí)行程序可達(dá)到高速運(yùn)行的目的。
2018-06-10 00:47:17
從個(gè)人電腦的角度看嵌入式開(kāi)發(fā)板——小白學(xué)ARM(五)各種存儲(chǔ)器——SRAM、DRAM、SDRAM、ROM、NOR、NAND???mini2440開(kāi)發(fā)板vs個(gè)人電腦各種存儲(chǔ)器——SRAM、DRAM
2021-12-21 06:01:19
EVERSPIN非易失性存儲(chǔ)器嵌入式技術(shù)
2020-12-21 07:04:49
各位大神好,我想用FPGA讀寫DRAM存儲(chǔ)器,求大神指點(diǎn)哪位大佬有代碼分析一份更是感激不盡,好人一生平安。
2018-01-14 15:31:32
Flash存儲(chǔ)器分為哪幾類?Flash存儲(chǔ)器有什么特點(diǎn)?Flash與DRAM有什么區(qū)別?
2021-06-18 07:03:45
嵌入式系統(tǒng)的海量存儲(chǔ)器多采用Flash存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)擴(kuò)展,由于Flash存儲(chǔ)器具有有限寫入次數(shù)的壽命限制,因此對(duì)于Flash存儲(chǔ)器局部的頻繁操作會(huì)縮短Flash存儲(chǔ)器的使用壽命。如何設(shè)計(jì)出一個(gè)合理
2019-08-16 07:06:12
。KeyStone 系列器件以該技術(shù)為構(gòu)建基礎(chǔ),能夠進(jìn)一步將軟錯(cuò)誤保護(hù)擴(kuò)展至存儲(chǔ)器的所有層級(jí)。圖 6 - 多內(nèi)核虛擬存儲(chǔ)器 層級(jí)系統(tǒng)中的存儲(chǔ)器控制器可支持多級(jí)保護(hù),并可用于實(shí)現(xiàn)對(duì)代碼段進(jìn)行全面校正,并對(duì)數(shù)據(jù)空間
2011-08-13 15:45:42
SRAM(StaticRandom-AccessMemory):靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器,所謂的“靜態(tài)”,是指這種存儲(chǔ)器只要保持通電,里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。DRAM(Dynamic Random
2021-11-03 06:22:12
具有非易失性,即使切斷電源,信息也不會(huì)丟失,而且它和DRAM一樣可隨機(jī)存取。表1存儲(chǔ)器的技術(shù)規(guī)格比較在性能方面,自旋注入MRAM的讀取1擦寫時(shí)間都很短,均在2ns~20ns之間。它不需要閃存所必需
2023-04-07 16:41:05
具有非易失性,即使切斷電源,信息也不會(huì)丟失,而且它和DRAM一樣可隨機(jī)存取。表1存儲(chǔ)器的技術(shù)規(guī)格比較在性能方面,自旋注入MRAM的讀取1擦寫時(shí)間都很短,均在2ns至20ns之間。它不需要閃存所必需
2022-02-11 07:23:03
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM是什么?有何優(yōu)缺點(diǎn)?動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM是什么?有何優(yōu)缺點(diǎn)?
2021-12-24 07:04:20
先進(jìn)的傳感器技術(shù)和軟件技術(shù)。TDK通過(guò)提供高性能的復(fù)合型傳感器和創(chuàng)新型軟件組成的傳感器融合等,強(qiáng)勢(shì)支援無(wú)人機(jī)的技術(shù)革新和市場(chǎng)發(fā)展?! o(wú)人機(jī)是一種電動(dòng)型無(wú)人航空器(UAV),市面上的主流產(chǎn)品為超過(guò)4個(gè)
2020-07-09 11:37:02
狀態(tài)取反寫入存儲(chǔ)器。如果讀出狀態(tài)不在車庫(kù)內(nèi),則產(chǎn)生刷進(jìn)脈沖,在車庫(kù)內(nèi)刷出。大致思路是這樣,用74LS123進(jìn)行延時(shí),延時(shí)信號(hào)觸發(fā)存儲(chǔ)器的讀寫端,數(shù)據(jù)通過(guò)74LS244傳輸,中間用74LS175固定和取反
2016-07-23 00:01:59
問(wèn):動(dòng)態(tài)儲(chǔ)器和靜態(tài)存儲(chǔ)器有什么區(qū)別?答:當(dāng)然動(dòng)態(tài)儲(chǔ)器(DRAM)與靜態(tài)存儲(chǔ)器(SRAM)除了速度外,它們的價(jià)格也是一個(gè)天一個(gè)地,依據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行設(shè)計(jì),以降底產(chǎn)品成本,下面是它們的價(jià)紹.SRAM(靜態(tài)
2011-11-28 10:23:57
存儲(chǔ)器是怎樣進(jìn)行分類的?分為哪幾類?為什么要對(duì)DRAM進(jìn)行刷新?如何進(jìn)行刷新?
2021-09-28 08:50:24
代碼執(zhí)行應(yīng)用則要求存儲(chǔ)器的隨機(jī)訪存速度更快。經(jīng)過(guò)研究人員對(duì)浮柵存儲(chǔ)技術(shù)的堅(jiān)持不懈的研究,現(xiàn)有閃存的技術(shù)能力在2010年底應(yīng)該有所提升,盡管如此,現(xiàn)在人們?cè)絹?lái)越關(guān)注有望至少在2020年末以前升級(jí)到更小
2019-06-26 07:11:05
性存儲(chǔ)器:指當(dāng)電源被關(guān)斷之后,數(shù)據(jù)隨即消失的存儲(chǔ)器(如.RAM隨機(jī)存儲(chǔ)器 ) 。這種存儲(chǔ)器的特點(diǎn)是一般采用CMOS技術(shù),以降低功耗。并且采用并行方式傳輸數(shù)據(jù),因而具有高速存取數(shù)據(jù)的能力。這種存儲(chǔ)器
2020-12-25 14:50:34
在單板設(shè)計(jì)中,無(wú)論是涉及到一個(gè)簡(jiǎn)易的CPU、MCU小系統(tǒng)或者是復(fù)雜的單板設(shè)計(jì),都離不開(kāi)存儲(chǔ)器設(shè)計(jì):
1、存儲(chǔ)器介紹
存儲(chǔ)器的分類大致可以劃分如下:
ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,ROM在系統(tǒng)
2023-05-19 15:59:37
Memory4、EPROM——(UV)Erazible Programmable ROM5、EEPROM/E2PROM——Electrical ErasableProgrammable ROM6、靜態(tài)存儲(chǔ)器 SRAM——Static RAM(動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器 DRAM——Dynamic RAM)7、按字節(jié)尋
2022-01-26 07:30:11
據(jù)新華社7月2日?qǐng)?bào)道,相變存儲(chǔ)器,具有功耗低、寫入速度快、斷電后保存數(shù)據(jù)不丟失等優(yōu)點(diǎn),被業(yè)界稱為下一代存儲(chǔ)技術(shù)的最佳解決方案之一。記者近日從中科院上海微系統(tǒng)所獲悉,由該所研發(fā)的國(guó)際領(lǐng)先的嵌入式相變存儲(chǔ)器現(xiàn)已成功應(yīng)用在打印機(jī)領(lǐng)域,并實(shí)現(xiàn)千萬(wàn)量級(jí)市場(chǎng)化銷售,未來(lái)中國(guó)在該領(lǐng)域有望實(shí)現(xiàn)“彎道超車”。
2019-07-16 06:44:43
的測(cè)試系統(tǒng)應(yīng)運(yùn)而生。本文提出了一種多功能存儲(chǔ)器芯片的測(cè)試系統(tǒng)硬件設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn),對(duì)各種數(shù)據(jù)位寬的多種存儲(chǔ)器芯片(SRAM、MRAM、NOR FALSH、NAND FLASH、EEPROM等)進(jìn)行了詳細(xì)的結(jié)口
2019-07-26 06:53:39
本文介紹了一種0.13微米CMOS T藝下FPGA中嵌入式存儲(chǔ)器模塊的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)。
2021-04-09 06:02:09
基于傳統(tǒng)六晶體管(6T)存儲(chǔ)單元的靜態(tài)RAM存儲(chǔ)器塊一直是許多嵌入式設(shè)計(jì)中使用ASIC/SoC實(shí)現(xiàn)的開(kāi)發(fā)人員所采用的利器,因?yàn)檫@種存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)非常適合主流的CMOS工藝流程,不需要增添任何額外的工藝步驟。那么究竟怎么樣,才能實(shí)現(xiàn)嵌入式ASIC和SoC的存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)呢?
2019-08-02 06:49:22
如何實(shí)現(xiàn)擴(kuò)展存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)?
2021-10-28 08:08:51
特錯(cuò)誤和檢測(cè)雙比特錯(cuò)誤,但對(duì)雙比特以上的錯(cuò)誤不能保證檢測(cè)。它克服了傳統(tǒng)奇偶校驗(yàn)只能檢出奇數(shù)位出錯(cuò)、校驗(yàn)碼冗長(zhǎng)、不能糾錯(cuò)的局限性。文中在高速大容量固態(tài)存儲(chǔ)器的硬件結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上,詳細(xì)介紹了ECC校驗(yàn)碼的生成規(guī)則以及ECC校驗(yàn)流程,以及如何利用固態(tài)存儲(chǔ)器進(jìn)行ECC算法分析與實(shí)現(xiàn)?
2019-07-31 06:47:09
Flash類型與技術(shù)特點(diǎn)有哪些?如何去選擇uClinux的塊驅(qū)動(dòng)器?如何去設(shè)計(jì)Flash存儲(chǔ)器?
2021-04-27 06:20:01
擴(kuò)展存儲(chǔ)器讀寫實(shí)驗(yàn)的目的是什么?怎樣去設(shè)計(jì)一種擴(kuò)展存儲(chǔ)器讀寫的電路?擴(kuò)展存儲(chǔ)器讀寫實(shí)驗(yàn)的流程有哪些?
2021-07-14 07:04:49
本文提出了一個(gè)網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)器的基本解決方案,實(shí)現(xiàn)了網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)器的基本功能。
2021-04-26 06:50:19
TPMS技術(shù)及輪胎定位原理是什么?如何解決TPMS輪胎換位和調(diào)換輪胎時(shí)的重新定位問(wèn)題?怎么實(shí)現(xiàn)外置編碼存儲(chǔ)器輪胎定位技術(shù)?
2021-05-14 06:13:50
?過(guò)去存儲(chǔ)器與晶圓代工業(yè)大致上可以說(shuō)是「楚河漢界,井水不犯河水」。但在即將來(lái)臨的時(shí)代,存儲(chǔ)器業(yè)者覬覦占了全球65%的非存儲(chǔ)器市場(chǎng),而存儲(chǔ)器技術(shù)從過(guò)去的DRAM、3D NAND,正逐漸走向磁阻式存儲(chǔ)器
2018-12-24 14:28:00
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 FLASH程序存儲(chǔ)器 FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器各有什么區(qū)別?特點(diǎn)?小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器包含三部分,片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴(kuò)展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
包括:DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH。DRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(Dynamic RAM),“動(dòng)態(tài)”二字指沒(méi)隔一段時(shí)間就會(huì)刷新充電一次,不然內(nèi)部的數(shù)據(jù)就會(huì)消失。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM的基本單元
2019-09-18 09:05:09
目前高級(jí)應(yīng)用要求新的存儲(chǔ)器技術(shù)能力出現(xiàn)。隨著電子系統(tǒng)需要更多的代碼和數(shù)據(jù),所導(dǎo)致的結(jié)果就是對(duì)存儲(chǔ)器的需求永不停歇。相變存儲(chǔ)器(PCM)以創(chuàng)新的關(guān)鍵技術(shù)特色滿足了目前電子系統(tǒng)的需要。針對(duì)電子系統(tǒng)的重點(diǎn)
2018-05-17 09:45:35
本文分別介紹了存儲(chǔ)器的分類、組成、層次結(jié)構(gòu)、常見(jiàn)存儲(chǔ)器及存儲(chǔ)器的選擇,最后描述了計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器的一些新技術(shù)。存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備,用來(lái)存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中全部信息,包括輸入的原始數(shù)據(jù)
2021-09-09 07:47:39
隨著微電子技術(shù)的迅猛發(fā)展,SRAM存儲(chǔ)器逐漸呈現(xiàn)出高集成度、快速及低功耗的發(fā)展趨勢(shì)。在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的發(fā)展中,靜態(tài)存儲(chǔ)器(SRAM)由于其廣泛的應(yīng)用成為其中不可或缺的重要一員。下面詳細(xì)介紹關(guān)于SRAM
2022-11-17 16:58:07
網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)器技術(shù)是如何產(chǎn)生的?怎樣去設(shè)計(jì)一種網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)器?
2021-05-26 07:00:22
。正如你所猜想的一樣,被稱為只讀存儲(chǔ)器的東西肯定不容易進(jìn)行寫入操作,而事實(shí)上是根本不能寫入。所有由ROM技術(shù)研發(fā)出的存儲(chǔ)器則都具有寫入信息困難的特點(diǎn)。這些技術(shù)包括有EPROM(幾乎已經(jīng)廢止
2011-11-19 11:53:09
。正如你所猜想的一樣,被稱為只讀存儲(chǔ)器的東西肯定不容易進(jìn)行寫入操作,而事實(shí)上是根本不能寫入。所有由ROM技術(shù)研發(fā)出的存儲(chǔ)器則都具有寫入信息困難的特點(diǎn)。這些技術(shù)包括有EPROM(幾乎已經(jīng)廢止
2011-11-21 10:49:57
相變存儲(chǔ)器:能實(shí)現(xiàn)全新存儲(chǔ)器使用模型的新型存儲(chǔ)器
從下面的幾個(gè)重要特性看,相變存儲(chǔ)器(PCM)技術(shù)均符合當(dāng)前電子系統(tǒng)對(duì)存儲(chǔ)器子系統(tǒng)的需求:
容量
2009-12-31 10:09:301115 基于當(dāng)代DRAM結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)器控制器設(shè)計(jì)
1、引言
當(dāng)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)越來(lái)越受存儲(chǔ)性能的限制。處理器性能每年以60%的速率增長(zhǎng),存儲(chǔ)器芯片每年僅僅增加10%的
2009-12-31 10:57:03714 日本半導(dǎo)體巨頭爾必達(dá)及其子公司秋田爾必達(dá)22日宣布,已開(kāi)發(fā)出全球最薄的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM),4塊疊加厚度僅為0.8毫米
2011-06-23 08:43:36993 日前,存儲(chǔ)器芯片主要供應(yīng)商之一美光公司(Micron)在香港舉行了 2014 夏季分析師大會(huì),會(huì)上美光的高層管理人員就 DRAM、NAND 和新型存儲(chǔ)器的市場(chǎng)趨勢(shì)、技術(shù)發(fā)展以及 Micron 的公司
2017-10-20 16:08:2649 FPGA中的存儲(chǔ)塊DRAM 某些FPGA終端,包含板載的、可以動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)的存儲(chǔ)塊(DRAM),這些存儲(chǔ)塊可以在FPGA VI中直接訪問(wèn),速率非常高。 DRAM可以用來(lái)緩存大批量的數(shù)據(jù),而且速度可以
2017-11-15 15:13:062740 在這個(gè)科技飛速進(jìn)步的時(shí)代,技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者(即革新者)們正面臨著技術(shù)革新所帶來(lái)的困境。一方面,技術(shù)革新為公司贏得市場(chǎng)立足點(diǎn),以及擴(kuò)大市場(chǎng)份額的機(jī)會(huì)。但另一方面,隨著市場(chǎng)的成熟,這個(gè)加速公司成長(zhǎng)的競(jìng)爭(zhēng)
2017-11-17 17:36:51686 存儲(chǔ)器芯片領(lǐng)域,主要分為兩類:易失性和非易失性。易失性:斷電以后,存儲(chǔ)器內(nèi)的信息就流失了,例如 DRAM,主要用來(lái)做PC機(jī)內(nèi)存(如DDR)和手機(jī)內(nèi)存(如LPDDR),兩者各占三成。非易失性:斷電以后
2018-04-09 15:45:33109972 和美光均采用IDM模式繼續(xù)保持壟斷地位,合計(jì)市占率超過(guò)95%,國(guó)產(chǎn)廠商開(kāi)始積極布局,2018年將實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),有望逐步改變當(dāng)前產(chǎn)業(yè)格局。DRAM消費(fèi)產(chǎn)品中,移動(dòng)終端、服務(wù)器和PC依舊占據(jù)頭三名,合計(jì)占比86%,未來(lái)將繼續(xù)拉動(dòng)DRAM消費(fèi)增長(zhǎng)。
2018-05-17 10:12:003074 DRAM技術(shù)上取得的進(jìn)步伴隨著多內(nèi)核處理器的出現(xiàn)、新的操作系統(tǒng),以及跨多種不同運(yùn)算平臺(tái)和應(yīng)用的越來(lái)越多的不同要求,包括服務(wù)器、工作站、海量存儲(chǔ)系統(tǒng)、超級(jí)計(jì)算機(jī)、臺(tái)式電腦和筆記本電腦和外設(shè)。存儲(chǔ)器技術(shù)
2020-05-21 07:52:006238 3G提高了通信速度,4G改變了我們的生活,5G時(shí)代則因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">技術(shù)的革命性,整個(gè)社會(huì)形態(tài)與商業(yè)形態(tài)都被深刻影響,對(duì)于芯片封裝測(cè)試領(lǐng)域同樣也帶來(lái)了許多新的技術(shù)革新。
2018-12-04 16:30:364583 盡管ㄧ些新存儲(chǔ)器技術(shù)已經(jīng)研發(fā)出來(lái),但在這競(jìng)爭(zhēng)激烈的市場(chǎng),只有極少數(shù)能夠成功。 圖1是ㄧ些新存儲(chǔ)器技術(shù)的列表。然而,無(wú)論哪一個(gè)技術(shù)勝出,這些新型非易失性技術(shù)系統(tǒng)的功耗肯定會(huì)低于現(xiàn)有的嵌入式 NOR 閃存和 SRAM,或是,離散 的 DRAM 和 NAND 閃存的系統(tǒng)。
2018-12-24 11:04:3410846 隨著福建晉華和合肥長(zhǎng)鑫兩大陣營(yíng)投入研發(fā) DRAM 技術(shù),若兩大廠研發(fā)成功且量產(chǎn),西安紫光國(guó)芯的DRAM設(shè)計(jì)實(shí)力恐與這兩家再度拉大,合并紫光國(guó)芯后的紫光存儲(chǔ)要如何進(jìn)行大整合,以發(fā)揮集團(tuán)的存儲(chǔ)戰(zhàn)力,還待時(shí)間觀察。
2019-02-25 10:22:499118 ,也能有效避免因室內(nèi)外溫差過(guò)大引起的身體不適。與此同時(shí),空調(diào)廠家紛紛在空調(diào)的出風(fēng)方面進(jìn)行技術(shù)革新,用技術(shù)手段不斷提升用戶使用體驗(yàn)。
2019-05-23 16:43:58630 作為中國(guó)DRAM產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)正在加速?gòu)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM的技術(shù)追趕者向技術(shù)引領(lǐng)者轉(zhuǎn)變,用自主研發(fā)的DRAM技術(shù)和專利,引領(lǐng)中國(guó)實(shí)現(xiàn)DRAM零的突破。
2019-09-19 10:26:00463 了這樣的領(lǐng)導(dǎo)品牌?;谠趶N電行業(yè)深耕幾十載所積淀的技術(shù)力量,蘇泊爾持續(xù)進(jìn)行技術(shù)革新,以多款擁有不俗市場(chǎng)表現(xiàn)的靜音破壁機(jī),帶領(lǐng)破壁機(jī)行業(yè)從野蠻增長(zhǎng)逐漸轉(zhuǎn)型為高速有序增長(zhǎng)。 今年夏天,蘇泊爾上市了行業(yè)首款創(chuàng)新多維靜音技術(shù)破壁
2019-08-20 22:19:14756 過(guò)去存儲(chǔ)器與晶圓代工可以說(shuō)是“楚河漢界,井水不犯河水”。但在即將來(lái)臨的時(shí)代,存儲(chǔ)器業(yè)者覬覦占了全球65%的非存儲(chǔ)器市場(chǎng),而存儲(chǔ)器技術(shù)從過(guò)去的DRAM、3D NAND,正逐漸走向磁阻式存儲(chǔ)器(MRAM)等完全不同模式的新技術(shù)。
2019-09-10 15:24:41742 業(yè)內(nèi)研究人員表示,中國(guó)目前有三家廠商正在建設(shè)的閃存與存儲(chǔ)器工廠,旨在確保自身能夠在NAND與DRAM方面實(shí)現(xiàn)自給自足。
2019-09-20 16:53:011653 據(jù)近日?qǐng)?bào)道,面對(duì)存儲(chǔ)器半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)低迷,三星電子,SK海力士,鎂光企圖通過(guò)新舊世代的產(chǎn)品交替,克服危機(jī)。
2019-10-25 10:22:53632 據(jù)臺(tái)媒報(bào)道,由于第一季度表現(xiàn)良好,加上存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)下半年需求有望升溫,臺(tái)灣存儲(chǔ)器模組廠宇瞻股價(jià)一路高漲15.9%。
2020-03-08 18:32:312079 電子DRAM芯片產(chǎn)品與技術(shù)執(zhí)行副總裁指出,隨著以EUV技術(shù)所生產(chǎn)出的新型DRAM芯片量產(chǎn),展示著三星對(duì)提供革命性的DRAM芯片解決方案以支援全球IT客戶需求的承諾。這項(xiàng)重大進(jìn)展也說(shuō)明了三星將如何透過(guò)即時(shí)開(kāi)發(fā)高端制程技術(shù)來(lái)生產(chǎn)高端存儲(chǔ)器芯片市場(chǎng)的下一代產(chǎn)品,繼續(xù)
2020-04-03 15:47:511009 良好的設(shè)計(jì)是成功制造非易失性存儲(chǔ)器產(chǎn)品的重要關(guān)鍵,包括測(cè)試和驗(yàn)證設(shè)備性能以及在制造后一次在晶圓和設(shè)備級(jí)別進(jìn)行質(zhì)量控制測(cè)試。新興的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的制造和測(cè)試,這些技術(shù)將支持物聯(lián)網(wǎng),人工智能以及先進(jìn)
2020-06-09 13:46:16847 獨(dú)立存儲(chǔ)器市場(chǎng)和相關(guān)技術(shù)的摘要,包括NAND,DRAM,持久性存儲(chǔ)器,NOR,(NV)SRAM,新興的NVM等。
2020-10-20 10:41:444025 DRAM是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲(chǔ)電荷的多寡來(lái)代表一個(gè)二進(jìn)制bit是1還是0。與SRAM相比的DRAM的優(yōu)勢(shì)在于結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,每一個(gè)bit的數(shù)據(jù)都只需一個(gè)電容跟一個(gè)晶體管來(lái)處
2020-12-11 15:11:293686 最近Techinsights舉辦了一場(chǎng)關(guān)于存儲(chǔ)技術(shù)的網(wǎng)絡(luò)研討會(huì),Jeongdong Choe博士介紹了他對(duì)最新的DRAM,NAND,新興和嵌入式存儲(chǔ)器技術(shù)的觀察與分析。以下概述了討論的相關(guān)主題。DRA
2020-12-24 13:13:46752 最新消息,據(jù)日本共同社報(bào)道,美光科技位于日本廣島縣東廣島市的子公司“日本美光存儲(chǔ)器公司”,已于16日在該市廣島工廠啟動(dòng)最尖端DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)的量產(chǎn)。 據(jù)悉,量產(chǎn)的最新產(chǎn)品
2022-11-28 10:40:52914 在當(dāng)前計(jì)算密集的高性能系統(tǒng)中,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)和嵌入式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(embedded-DRAM,eDRAM)是主要的動(dòng)態(tài)快速讀/寫存儲(chǔ)器。先進(jìn)的 DRAM 存儲(chǔ)單元有兩種,即深溝
2023-02-08 10:14:575004 在當(dāng)前計(jì)算密集的高性能系統(tǒng)中,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)和嵌入式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(embedded-DRAM,eDRAM)是主要的動(dòng)態(tài)快速讀/寫存儲(chǔ)器。
2023-02-08 10:14:39547 DRAM(Dynamic Random Access Memory)存儲(chǔ)器是一種易失性存儲(chǔ)器,意味著當(dāng)斷電時(shí),存儲(chǔ)在其中的信息會(huì)丟失。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM使用電容來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù),電容需要持續(xù)地充電來(lái)保持?jǐn)?shù)據(jù)的有效性。一旦斷電,電容會(huì)迅速失去電荷,導(dǎo)致存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)丟失。
2023-07-28 15:02:032207 DRAM(Dynamic Random Access Memory)存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)元是電容器和晶體管的組合。每個(gè)存儲(chǔ)單元由一個(gè)電容器和一個(gè)晶體管組成。電容器存儲(chǔ)位是用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的。晶體管用于控制電容器
2023-08-21 14:30:021030 近日,三星宣布正在研發(fā)一種新型的LLW DRAM存儲(chǔ)器,這一創(chuàng)新技術(shù)具有高帶寬和低功耗的特性,有望引領(lǐng)未來(lái)內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展。
2024-01-12 14:42:03282 國(guó)產(chǎn)深海萬(wàn)米六維力傳感器引領(lǐng)卡脖子技術(shù)革新
2024-02-20 16:09:00193
評(píng)論
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