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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布成功研制128層QLC 3D閃存 將是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格3D NAND

長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布成功研制128層QLC 3D閃存 將是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格3D NAND

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2020-04-03 09:24:154035

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請(qǐng)教大家一個(gè)問(wèn)題: Altium designer 的3D封裝在機(jī)械是有線的,我的板子在機(jī)械也畫了線來(lái)切掉一部分。那么在PCB的生產(chǎn)加工中,3D封裝位于機(jī)械的線是否會(huì)影響加工效果。請(qǐng)實(shí)際操作過(guò)的回答下,非常感謝。如下圖:
2016-07-22 14:05:18

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Altium designer summer 09 怎么建立3D庫(kù),及PCB怎么導(dǎo)出3D圖,請(qǐng)教各位前輩們
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NANDIC設(shè)計(jì)存儲(chǔ)技術(shù)3d nand
EE_Voky發(fā)布于 2022-06-28 17:29:27

3D打印技術(shù)及應(yīng)用: 3D打印工藝的分類#3d打印

3D打印
學(xué)習(xí)硬聲知識(shí)發(fā)布于 2022-11-10 22:04:40

3D NAND的微觀構(gòu)造#硬聲創(chuàng)作季

3D
電子學(xué)習(xí)發(fā)布于 2022-11-20 21:23:10

西數(shù)力挺QLC:首發(fā)96層3D NAND閃存!SSD行業(yè)要變天

現(xiàn)在,西數(shù)全球首發(fā)了96層堆棧的3D NAND閃存,其使用的是新一代BiCS 4技術(shù)(下半年出樣,2018年開(kāi)始量產(chǎn)),除了TLC類型外,其還會(huì)支持QLC,這個(gè)意義是重大的。
2017-06-28 11:22:40710

閃存真的要降價(jià)了 東芝成功研發(fā)世界首款4比特3D QLC閃存 大容量硬盤將更便宜

東芝日前宣布,他們成功研發(fā)出了世界首款4比特3D QLC閃存。對(duì)于閃存技術(shù)的未來(lái)發(fā)展而言,這可謂是相當(dāng)重大的消息。
2017-06-30 16:43:40560

QLC閃存跟TLC閃存有什么區(qū)別?QLC能否取代TLC成為SSD閃存首選?

目前,東芝和西數(shù)先后宣布成功開(kāi)發(fā)基于四比特單元3D NAND閃存芯片,即QLC閃存,這也意味著QLC SSD將要來(lái)臨。那么,它與TLC閃存又有什么區(qū)別,能否取代TLC成為SSD主流閃存之選?
2017-08-01 10:21:1393396

存儲(chǔ)器大廠宣布將推 96 層堆棧的 QLC閃存儲(chǔ)器,性能獲重大提升

日前,東芝(TOSHIBA)、西數(shù)(WD)等存儲(chǔ)器大廠分別宣布推出 96 層堆棧的 QLC閃存儲(chǔ)器,核心容量可達(dá) 1.33TB,單一模塊就可做到 2.66TB 容量。不過(guò)因 QLC閃存儲(chǔ)
2018-07-26 18:01:002026

聯(lián)蕓展示了基于Intel 3D QLC閃存的SSD樣品,容量高達(dá)4TB

Maxio(杭州聯(lián)蕓科技)日前展示了基于Intel 3D QLC閃存的SSD樣品,容量高達(dá)4TB。
2018-08-19 11:42:401123

群聯(lián)64層3D QLC NAND Flash控制芯片出貨,單顆容量即可達(dá)128GB

閃存儲(chǔ)器(NANDFlash)控制芯片及儲(chǔ)存解決方案領(lǐng)導(dǎo)群聯(lián)6日正式宣布,搭載美系國(guó)際原廠最新QLC規(guī)格64層3DNANDFlash之的SSD控制芯片PS3111-S11T于本月正式出貨。
2018-09-11 16:49:001999

三星開(kāi)始量產(chǎn)業(yè)界首款消費(fèi)級(jí)QLC SSD 單芯片容量1Tb

今年8月初,NAND閃存巨頭三星電子宣布開(kāi)始量產(chǎn)業(yè)界首款消費(fèi)級(jí)QLC SSD,SATA接口,最大容量4TB,采用第四代V-NAND,64層3D堆疊,單芯片容量1Tb(128GB)。
2018-11-23 08:36:52935

144層3D NAND將引領(lǐng)閃存容量的重大革命

英特爾透露,2019年第四季度將會(huì)推出96層的3D NAND閃存產(chǎn)品,并且還率先在業(yè)內(nèi)展示了用于數(shù)據(jù)中心級(jí)固態(tài)盤的144層QLC(四級(jí)單元)NAND,預(yù)計(jì)將于2020年推出。
2019-10-11 10:36:321074

三星首款QLC閃存SSD 860 QVO上架,存儲(chǔ)容量最大達(dá)4TB

NAND閃存巨頭三星電子宣布開(kāi)始量產(chǎn)業(yè)界首款消費(fèi)級(jí)QLC SSD,SATA接口,最大容量4TB,采用第四代V-NAND,64層3D堆疊,單芯片容量1Tb(128GB)。
2019-12-13 11:35:481156

搭載長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND閃存的SSD產(chǎn)品性能達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平

根據(jù)國(guó)科微官方的消息,國(guó)科微搭載長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND閃存的固態(tài)硬盤產(chǎn)品已完成批量測(cè)試。
2020-01-17 15:17:495053

長(zhǎng)江存儲(chǔ)表示1283D NAND技術(shù)會(huì)按計(jì)劃推出

據(jù)證券時(shí)報(bào)消息,長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧在接受采訪時(shí)談及了該公司最先進(jìn)的1283D NAND技術(shù)的研發(fā)進(jìn)度。楊士寧表示,1283D NAND技術(shù)研發(fā)進(jìn)度短期確實(shí)會(huì)有所波及。但目前長(zhǎng)江存儲(chǔ)已實(shí)現(xiàn)全員復(fù)工,從中長(zhǎng)期來(lái)看,這次疫情并不會(huì)影響總體進(jìn)度。128層技術(shù)會(huì)按計(jì)劃在2020年推出。
2020-04-08 15:09:152377

全球首款3D QLC NAND SSD升級(jí)新固件

兩年前,美光發(fā)布了全球首款采用3D QLC NAND閃存顆粒的SSD,型號(hào)為5210 ION系列。今天,美光宣布5210 ION已經(jīng)得到全面升級(jí),可以作為機(jī)械硬盤的完美替代品。
2020-04-10 09:14:412476

長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出 128QLC 閃存,單顆容量達(dá) 1.33Tb

2020年4月13日,中國(guó)武漢,長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布128QLC 3D NAND閃存(型號(hào):X2-6070)研發(fā)成功,并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。作為業(yè)內(nèi)
2020-04-13 09:29:415557

長(zhǎng)江存儲(chǔ)首款128QLC規(guī)格的3DNAND閃存,滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求

4月13日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布128QLC3DNAND閃存(型號(hào):X2-6070)研發(fā)成功,并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。作為業(yè)內(nèi)首款128QLC規(guī)格
2020-04-13 14:25:113068

業(yè)內(nèi)首款128QLC規(guī)格3D NAND閃存有哪些特點(diǎn)?

2020年4月13日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(以下簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”)宣布128QLC 3D NAND 閃存(型號(hào):X2-6070)研發(fā)成功,并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。
2020-04-13 14:41:522653

長(zhǎng)江存儲(chǔ)首推128QLC閃存,單顆容量可達(dá)1.33Tb

4月13日,紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布128QLC 3D NAND閃存(型號(hào):X2-6070)研發(fā)成功。
2020-04-13 17:14:491128

長(zhǎng)江儲(chǔ)存宣布128QLC 3D NAND閃存芯片產(chǎn)品已研發(fā)成功

長(zhǎng)江儲(chǔ)存在官網(wǎng)宣布128QLC 3D NAND閃存芯片產(chǎn)品研發(fā)成功,型號(hào)為X2-6070,并且目前該芯片已經(jīng)在多家控制器廠商的SSD等終端儲(chǔ)存產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。
2020-04-19 10:14:062793

三星正在開(kāi)發(fā)160堆棧3D閃存 將大幅改進(jìn)制造工藝

上周中國(guó)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)公司宣布攻克1283D閃存技術(shù),QLC類型容量做到了1.33Tb容量,創(chuàng)造了三個(gè)世界第一。國(guó)產(chǎn)閃存突飛猛進(jìn),三星等公司也沒(méi)閑著,三星正在開(kāi)發(fā)160堆棧的3D閃存。
2020-04-20 09:29:47481

長(zhǎng)江存儲(chǔ)的技術(shù)創(chuàng)新,1283D NAND閃存芯片問(wèn)世

長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(以下簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”)在官網(wǎng)宣布128QLC 3D NAND閃存芯片 X2-6070研發(fā)成功,已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。
2020-05-04 10:39:002648

長(zhǎng)江存儲(chǔ)128NAND閃存研發(fā)成功,跳過(guò)了96層

長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布,128QLC?3D?NAND閃存研發(fā)成功,這標(biāo)志著國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)廠商向世界最先進(jìn)技術(shù)水準(zhǔn)又邁進(jìn)了一步。
2020-05-07 14:59:224866

長(zhǎng)江存儲(chǔ)128QLC閃存,1.6Gbps單顆容量1.33Tb

長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(以下簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”)宣布128QLC 3D NAND 閃存(型號(hào):X2-6070)研發(fā)成功,并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。
2020-05-12 09:54:014145

長(zhǎng)江存儲(chǔ)首發(fā)128QLC閃存

長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布128QLC 3D NAND閃存(型號(hào):X2-6070)研發(fā)成功。同時(shí)發(fā)布的還有128層512Gb TLC(3 bit/cell)規(guī)格閃存芯片(型號(hào):X2-9060),用以滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。
2020-07-06 16:49:421372

淺談QLC閃存顆粒的固態(tài)硬盤的使用壽命

最近關(guān)于QLC閃存的消息不斷,最勁爆的莫過(guò)于武漢長(zhǎng)江存儲(chǔ)成功研發(fā)全球首款128QLC 3D NAND閃存,多項(xiàng)技術(shù)世界領(lǐng)先,最快年底量產(chǎn)。
2020-07-30 11:40:1017363

慧榮科技宣布全系列主控芯片全面支持長(zhǎng)江存儲(chǔ)Xtacking 3D NAND

Xtacking 3D NAND閃存,包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)最新研發(fā)成功128層X(jué)tacking 3D TLC/QLC閃存,為全球市場(chǎng)注入更完整及更多元化的存儲(chǔ)解決方案。 隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND技術(shù)迅速提升
2020-09-11 11:12:161889

慧榮科技宣布全系列主控 芯片全面支持長(zhǎng)江存儲(chǔ)Xtacking 3D NAND

Xtacking 3D NAND閃存,包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)最新研發(fā)成功128層X(jué)tacking 3D TLC/QLC閃存,為全球市場(chǎng)注入更完整及更多元化的存儲(chǔ)解決方案。 隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND技術(shù)迅速提升
2020-09-11 11:12:191922

慧榮科技宣布全系列主控 芯片全面支持長(zhǎng) 江 存 儲(chǔ)Xtacking 3D NAND

Xtacking 3D NAND閃存,包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)最新研發(fā)成功128層X(jué)tacking 3D TLC/QLC閃存,為全球市場(chǎng)注入更完整及更多元化的存儲(chǔ)解決方案。 隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND技術(shù)迅速提升
2020-09-11 11:12:341883

長(zhǎng)江存儲(chǔ)將提高NAND閃存芯片的出貨量

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,專注于3D NAND閃存設(shè)計(jì)制造的長(zhǎng)江存儲(chǔ),將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:492025

3D NAND技術(shù)堆疊將走向何方?

3D NAND;長(zhǎng)江存儲(chǔ)于今年4月份宣布推出128層堆棧的3D NAND閃存。轉(zhuǎn)眼來(lái)到2020年末,美光和SK海力士相繼發(fā)布了176層3D NAND。這也是唯二進(jìn)入176層的存儲(chǔ)廠商。不得不說(shuō),存儲(chǔ)之戰(zhàn)沒(méi)有最烈,只有更烈。
2020-12-09 14:55:373659

英特爾發(fā)布固態(tài)盤 670p: 144 層 QLC 3D NAND,全新主控

12 月 16 日消息 根據(jù)英特爾官方的消息,在今天的 2020 英特爾內(nèi)存存儲(chǔ)日活動(dòng)上,英特爾正式發(fā)布了英特爾固態(tài)盤 670p,采用了英特爾下一代 144 層 QLC 3D NAND。 IT之家
2020-12-17 09:30:222364

長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃今年將產(chǎn)量提高一倍

此前4月13日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布128QLC 3D NAND閃存研發(fā)成功,并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。這標(biāo)志著國(guó)內(nèi)3D NAND領(lǐng)域正式進(jìn)入國(guó)際先進(jìn)水平。
2021-01-17 10:19:202851

盤點(diǎn)2020年存儲(chǔ)行業(yè)十大事件

2020年4月13日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布128QLC 3D NAND閃存研發(fā)成功,這也是業(yè)內(nèi)首款128QLC規(guī)格3D NAND閃存。同年8月14日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)128QLC 3D NAND閃存芯片在紫光集團(tuán)展臺(tái)上正式亮相展出。
2021-02-05 15:17:362093

QLC閃存 D5-P5430的基本規(guī)格、性能表現(xiàn)

SK海力士收購(gòu)Intel NAND閃存業(yè)務(wù)重組而來(lái)的Solidigm,就發(fā)布了一款QLC閃存的企業(yè)級(jí)產(chǎn)品P5-D5430,可以說(shuō)是QLC SSD的一個(gè)代表作。
2023-06-09 10:41:43490

三星將推出GDDR7產(chǎn)品及280層堆疊的3D QLC NAND技術(shù)

三星將在IEEE國(guó)際固態(tài)電路研討會(huì)上展示其GDDR7產(chǎn)品以及280層堆疊的3D QLC NAND技術(shù)。
2024-02-01 10:35:31350

零的突破!中國(guó)閃存芯片正式步入國(guó)際主流水平

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道長(zhǎng)江存儲(chǔ)4月13日重磅發(fā)布兩款1283D NAND產(chǎn)品引起業(yè)界高度關(guān)注,其中128QLC產(chǎn)品為目前業(yè)內(nèi)發(fā)布的首款單顆Die容量達(dá)1.33Tb的NAND閃存,容量、性能均優(yōu)于主要
2020-04-14 09:17:335009

首次亮相!長(zhǎng)江存儲(chǔ)1283D NAND 現(xiàn)身CITE 2020

在CITE 2020上,紫光集團(tuán)帶來(lái)了大量產(chǎn)品,其中包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)128QLC三維閃存和新華三半導(dǎo)體高端路由器芯片EasyCore等。作為業(yè)內(nèi)首款128QLC規(guī)格3D NAND閃存,長(zhǎng)江存儲(chǔ)X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。
2020-08-15 09:32:144019

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