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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>FRAM存儲(chǔ)器技術(shù)在汽車(chē)高溫環(huán)境中的應(yīng)用

FRAM存儲(chǔ)器技術(shù)在汽車(chē)高溫環(huán)境中的應(yīng)用

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2021-09-09 07:47:39

詳解多功能雙接口存儲(chǔ)器方案

~0x13FFF。本文的設(shè)計(jì)按照下表來(lái)分配FRAM存儲(chǔ)器:地址范圍容量功能說(shuō)明0x4400~0x63FF8KB代碼存儲(chǔ)器保存用戶代碼0x6400~0xE3FF32KB數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器作為存儲(chǔ)器
2019-06-12 05:00:08

請(qǐng)問(wèn)怎樣去設(shè)計(jì)一種網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)器?

網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)器技術(shù)是如何產(chǎn)生的?怎樣去設(shè)計(jì)一種網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)器?
2021-05-26 07:00:22

談?wù)勔淮涡钥删幊?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)器OTP

繼《談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">汽車(chē)芯片安全-上篇》之后,本文針對(duì)芯片安全存儲(chǔ)、FOTA、安全診斷、安全運(yùn)行環(huán)境做了進(jìn)一步闡述。1.安全存儲(chǔ)1.1 OTP存儲(chǔ)器一次性可編程存儲(chǔ)器(On Chip One Time
2022-02-14 06:21:17

采用FRAM的MCU為何就能具有諸多優(yōu)勢(shì)呢

、9uA就可以把數(shù)據(jù)寫(xiě)完。通過(guò)比較可以看到,如果要寫(xiě)很多數(shù)據(jù)到Flash等傳統(tǒng)存儲(chǔ)器里,FRAM速度會(huì)更快而所需功耗卻最低。從擦寫(xiě)數(shù)據(jù)次數(shù)來(lái)看,一般存儲(chǔ)器寫(xiě)一萬(wàn)來(lái)次就到了極限,可FRAM可以寫(xiě)了10
2021-11-24 07:19:40

鐵電存儲(chǔ)器FRAM的結(jié)構(gòu)及特長(zhǎng)

鐵電存儲(chǔ)器FRAM是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,它將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM的快速讀取和寫(xiě)入訪問(wèn)——它是個(gè)人電腦存儲(chǔ)中最常用的類(lèi)型——與電源關(guān)掉后保留數(shù)據(jù)能力(就像其他穩(wěn)定的存儲(chǔ)設(shè)備一樣,如只讀存儲(chǔ)器
2020-05-07 15:56:37

鐵電存儲(chǔ)器FM24C256電能表的使用概述

遠(yuǎn)高于同等容量的EEPROM。電子式電能表行業(yè),數(shù)據(jù)安全保存是最重要的。隨著電子表功能的發(fā)展,保存的數(shù)據(jù)量越來(lái)越大,這就需要大容量的存儲(chǔ)器,而大容量的EEPROM性能指標(biāo)不是很高,尤其是擦寫(xiě)次數(shù)和速度影響電能表自身的質(zhì)量。FM24C256電能表的使用,會(huì)提高電能表的數(shù)據(jù)安全存貯特性。
2019-07-11 06:08:19

鐵電存儲(chǔ)器技術(shù)原理

鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)能兼容RAM的一切功能,并且和ROM技術(shù)一樣,是一種非易失性的存儲(chǔ)器。鐵電存儲(chǔ)器在這兩類(lèi)存儲(chǔ)類(lèi)型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種非易失性的RAM。相對(duì)于其它類(lèi)型的半導(dǎo)體技術(shù)
2011-11-19 11:53:09

鐵電存儲(chǔ)器技術(shù)原理

鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)能兼容RAM的一切功能,并且和ROM技術(shù)一樣,是一種非易失性的存儲(chǔ)器。鐵電存儲(chǔ)器在這兩類(lèi)存儲(chǔ)類(lèi)型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種非易失性的RAM。相對(duì)于其它類(lèi)型的半導(dǎo)體技術(shù)
2011-11-21 10:49:57

鐵電存儲(chǔ)器的三個(gè)典型應(yīng)用

);而NVRAM的價(jià)格問(wèn)題又限制了它的普及應(yīng)用。因此,工程人員設(shè)計(jì)電能表的存儲(chǔ)模塊時(shí),往往要花很大的精力來(lái)完善方案,才能使電表數(shù)據(jù)準(zhǔn)確無(wú)誤的寫(xiě)入存儲(chǔ)器。由于所有的非易失性記憶體均源自ROM技術(shù)。你能
2014-04-25 11:05:59

非易失性串行FRAM有哪些優(yōu)勢(shì)

的重要組成部分。該電表周期性地捕獲電力消耗和環(huán)境數(shù)據(jù),并且分配的時(shí)間間隙內(nèi),將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)到非易失性存儲(chǔ)器,從而可以計(jì)算和記錄數(shù)據(jù)。每個(gè)周期的時(shí)間間隙結(jié)束后,智能電子式電表將信息上載到與供應(yīng)基礎(chǔ)設(shè)施
2021-07-12 07:26:45

鐵電存儲(chǔ)器原理及應(yīng)用比較

介紹鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)的一般要領(lǐng)和基本原理,詳細(xì)分析其讀寫(xiě)操作過(guò)程及時(shí)序。將FRAM與其它存儲(chǔ)器進(jìn)行比較,分析在不同場(chǎng)合中各自的優(yōu)缺點(diǎn)。最后以FM1808 為例說(shuō)明并行FRAM 與8051
2009-04-15 09:48:2566

鐵電存儲(chǔ)器FRAM 及其與MCU 的接口技術(shù)

鐵電存儲(chǔ)器FRAM 是具有低功耗、高寫(xiě)入速度、高耐久力的新型非易失性存儲(chǔ)器,應(yīng)用范圍廣泛。本文介紹FRAM 及其應(yīng)用, 并給出FRAM 與MCS-51 單片機(jī)的接口電路和軟件設(shè)計(jì)。
2009-05-13 16:25:4525

鐵電存儲(chǔ)器原理及應(yīng)用比較

介紹鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)的一般要領(lǐng)和基本原理,詳細(xì)分析其讀寫(xiě)操作過(guò)程及時(shí)序。將FRAM與其它存儲(chǔ)器進(jìn)行比較,分析在不同場(chǎng)合中各自的優(yōu)缺點(diǎn)。最后以FM1808 為例說(shuō)明并行FRAM 與8051
2009-05-16 14:19:5310

鐵電存儲(chǔ)器FRAM詳解

鐵電存儲(chǔ)器FRAM詳解: 鐵電存儲(chǔ)器FRAM)產(chǎn)品將ROM的非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)特性和RAM的無(wú)限次讀寫(xiě)、高速讀寫(xiě)
2008-01-30 09:13:504172

內(nèi)置串行接口的鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器(FRAM) RFID

  鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器(FRAM) RFID由于存儲(chǔ)容量大、擦寫(xiě)速度快一直被用作數(shù)據(jù)載體標(biāo)簽。內(nèi)置的串行接口可將傳感
2010-12-10 10:36:05822

在嵌入式設(shè)計(jì)中將FRAM用作閃存的替代方案

鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器FRAM)是一種非易失性的獨(dú)立型存儲(chǔ)技術(shù),本文將論述FRAM的主要技術(shù)屬性,同時(shí)探討可充分展現(xiàn)FRAM優(yōu)勢(shì)的具體用例。
2012-10-08 15:34:551835

圓我“鐵電夢(mèng)”,關(guān)于FRAM網(wǎng)友有話說(shuō)!

近幾年,FRAM(鐵電存儲(chǔ)器)比較火,特別是在三表的應(yīng)用中。網(wǎng)上也有不少對(duì)FRAM技術(shù)的討論。這不,小編看到了一篇分享,是某網(wǎng)友總結(jié)的FRAM應(yīng)用的心得,發(fā)布在這里供正在使用和將來(lái)要使用FRAM的筒子們參考~
2017-03-24 18:27:171915

獨(dú)立FRAM存儲(chǔ)器方案設(shè)計(jì),特點(diǎn)有哪些?

FRAM是集合了ROM和RAM兩種存儲(chǔ)器的優(yōu)勢(shì)。擅于進(jìn)行高速寫(xiě)入、具有長(zhǎng)的耐久力和低功耗。富士通半導(dǎo)體可提供采用串行(I2C和SPI)和并行外設(shè)的FRAM產(chǎn)品。 不同接口的產(chǎn)品各自都有哪些特點(diǎn)呢?
2017-09-17 16:34:229447

FRAM 或是目前選用存儲(chǔ)器的最佳選擇

選用存儲(chǔ)器時(shí)主要考慮的指標(biāo)包括安全性、使用壽命、讀寫(xiě)速度、產(chǎn)品功耗和存儲(chǔ)容量等。FRAM(鐵電存儲(chǔ)器)由于具有ROM的非易失性和RAM的隨機(jī)存取特性,以及高速讀寫(xiě)/高讀寫(xiě)耐久性(高達(dá)1014
2018-06-02 02:46:0014464

可穿戴電子應(yīng)用的FRAM

關(guān)鍵詞:FRAM , 存儲(chǔ)器 引言: FRAM存儲(chǔ)器可為可穿戴電子產(chǎn)品帶來(lái)低功耗、小尺寸、高耐用性與低成本。 正文: 鐵電RAM(FRAM)存儲(chǔ)器廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制系統(tǒng)、工業(yè)自動(dòng)化、關(guān)鍵任務(wù)空間
2018-09-28 15:56:01270

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器技術(shù)及發(fā)展趨勢(shì)詳解

有新的技術(shù)出來(lái)。除了主流的電荷捕獲(charge trap)存儲(chǔ)器外,還有鐵電存儲(chǔ)器FRAM)、相變存儲(chǔ)器(PRAM)、磁存儲(chǔ)器(MRAM)和阻變存儲(chǔ)器(RRAM)。
2019-01-01 08:55:0011607

PIC18F87K90單片機(jī)讀寫(xiě)FRAM鐵電存儲(chǔ)器的方法存儲(chǔ)器免費(fèi)下載

本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是PIC18F87K90單片機(jī)讀寫(xiě)FRAM鐵電存儲(chǔ)器的方法存儲(chǔ)器免費(fèi)下載。
2019-01-23 16:41:2532

微雪電子FRAM存儲(chǔ)模塊存儲(chǔ)器FM24CLXX簡(jiǎn)介

FM24CL FRAM 存儲(chǔ)模塊 I2C接口 可排針或排座接入目標(biāo)板 FRAM外擴(kuò)存儲(chǔ) 型號(hào) FM24CLXX FRAM Board
2019-12-30 09:45:531331

高溫存儲(chǔ)器的詳解及推薦

高溫存儲(chǔ)器的詳解及推薦 存儲(chǔ)器根據(jù)不同的分類(lèi)條件具有多種分類(lèi)方式: 用途的不同可以分為內(nèi)存(主存儲(chǔ)器)和外存(輔助存儲(chǔ)器) 存儲(chǔ)介質(zhì)的不同可分為磁表面存儲(chǔ)器和半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 存儲(chǔ)方式的不同可分為順序
2020-03-16 15:15:441447

如何選擇石油測(cè)井高溫存儲(chǔ)器

青島智騰微電子主打的175度耐高溫大容量存儲(chǔ)器,具有高低溫下快速讀寫(xiě),可靠高、能優(yōu)良等特點(diǎn)??砷L(zhǎng)期工作在-45℃~175℃的惡劣環(huán)境中。它綜合了高能和低功耗操作,能在沒(méi)有電源的情況下保存數(shù)據(jù)
2020-03-14 10:11:14632

高溫存儲(chǔ)器的詳解及推薦

高溫存儲(chǔ)器的詳解及推薦 存儲(chǔ)器根據(jù)不同的分類(lèi)條件具有多種分類(lèi)方式: 用途的不同可以分為內(nèi)存(主存儲(chǔ)器)和外存(輔助存儲(chǔ)器) 存儲(chǔ)介質(zhì)的不同可分為磁表面存儲(chǔ)器和半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 存儲(chǔ)方式的不同可分為順序
2020-03-23 11:41:21941

FRAM鐵電存儲(chǔ)器汽車(chē)應(yīng)用方面的優(yōu)勢(shì)

相比于其他市場(chǎng),汽車(chē)市場(chǎng)更為關(guān)注技術(shù)成熟度。目前FRAM汽車(chē)行業(yè)的銷(xiāo)售數(shù)量已超過(guò)8億臺(tái),技術(shù)已相當(dāng)成熟,汽車(chē)行業(yè)的客戶完全可以對(duì)此放心無(wú)憂 為什么要在汽車(chē)中使用FRAM? 與EEPROM
2020-05-26 11:03:431080

富士通FRAM鐵電存儲(chǔ)器解決方案在汽車(chē)上的應(yīng)用

125度的高溫環(huán)境下運(yùn)作,專(zhuān)為汽車(chē)產(chǎn)業(yè)和安裝有電機(jī)的工業(yè)控制機(jī)械等設(shè)計(jì),且符合嚴(yán)苛的汽車(chē)行業(yè)AEC Q100標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范。希望通過(guò)該全新產(chǎn)品系列拓展其汽車(chē)市場(chǎng)的各種應(yīng)用,并支持產(chǎn)品創(chuàng)新的研發(fā)項(xiàng)目。 FRAM是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機(jī)存取兩個(gè)特長(zhǎng)
2020-06-02 14:00:09941

FRAM器件提供非易失性存儲(chǔ)

FRAM器件提供非易失性存儲(chǔ),用10年的數(shù)據(jù)保存時(shí)間,在與熟悉的閃存和EEPROM替代所需的功率的一小部分。利用現(xiàn)有的基于FRAM存儲(chǔ)器和MCU器件,工程師們可以放心地在他們盡管間歇性的斷電操作
2020-09-19 11:56:481727

FRAM是一種鐵電存儲(chǔ)器,它的自身優(yōu)勢(shì)是什么

FRAM是一種鐵電存儲(chǔ)器,它使用鐵電膜作為電容來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù),即使數(shù)據(jù)沒(méi)有電源也可以保存。采用鐵電薄膜作為電容器來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。具有ROM和RAM特性的FRAM在高速讀寫(xiě),高讀寫(xiě)耐久性,低功耗,防篡改等方面
2020-09-27 14:32:311634

FRAM存儲(chǔ)器技術(shù)和標(biāo)準(zhǔn)的CMOS制造工藝相互兼容

新型的存儲(chǔ)器既具有RAM的優(yōu)點(diǎn),又有非失易失性特征,同時(shí)克服了非易失性寫(xiě)入速度慢且寫(xiě)入次數(shù)有限等缺點(diǎn)。 FRAM的核心技術(shù)是鐵電晶體材料。這一特殊材料使得鐵電存儲(chǔ)產(chǎn)品同時(shí)擁有隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM
2020-10-30 16:47:12802

非易失性存儲(chǔ)器MRAM與FRAM到底有什么區(qū)別

“永久性存儲(chǔ)器”通常是指駐留在存儲(chǔ)器總線上的高性能,可字節(jié)尋址的非易失性存儲(chǔ)設(shè)備。MRAM(磁性只讀存儲(chǔ)器)和 FRAM(鐵電 RAM)都具有相似的性能優(yōu)勢(shì):低電壓運(yùn)行,長(zhǎng)壽命和極高的速度。它們
2020-12-14 11:30:0038

如何使用FRAM實(shí)現(xiàn)高溫測(cè)試儀的設(shè)計(jì)

燃料消耗。而在一些收集存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的系統(tǒng),系統(tǒng)的電壓可能變化不定或者突然斷電,F(xiàn)M20L08 就是針對(duì)這些系統(tǒng)可以用來(lái)直接替換異步靜態(tài)存儲(chǔ)器(SRAM)而設(shè)計(jì)的存儲(chǔ)器,也是 Ramtron 現(xiàn)有的最大容量的鐵電存儲(chǔ)器FRAM),能夠進(jìn)行無(wú)限
2020-11-25 11:45:0020

fram是什么存儲(chǔ)器_FRAM技術(shù)特點(diǎn)

鐵電存儲(chǔ)器FRAM,ferroelectric RAM)是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,它將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)的快速讀取和寫(xiě)入訪問(wèn)——它是個(gè)人電腦存儲(chǔ)中最常用的類(lèi)型——與在電源關(guān)掉后保留數(shù)據(jù)能力(就像其他穩(wěn)定的存儲(chǔ)設(shè)備一樣,如只讀存儲(chǔ)器和閃存)結(jié)合起來(lái)。
2020-12-03 11:53:166108

富士通FRAM是斷電情況下也能保留數(shù)據(jù)非易失性的存儲(chǔ)器

相比,具有優(yōu)越的高速寫(xiě)入、高讀寫(xiě)耐久性和低功耗性能。 MB85R4002A是FRAM(鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)芯片,由262,144字×16位非易失性存儲(chǔ)單元組成,這些單元使用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)制造。能夠保留數(shù)據(jù),而無(wú)需使用SRAM所需的備用電池。MB85R4002A中使用的
2021-04-08 15:42:02824

關(guān)于FRAM在新能源汽車(chē)技術(shù)中的應(yīng)用分析

新能源汽車(chē)的核心技術(shù),是大家所熟知的動(dòng)力電池,電池管理系統(tǒng)和整車(chē)控制單元。而高性能存儲(chǔ)器FRAM將是提高這些核心技術(shù)的關(guān)鍵元件。無(wú)論是BMS,還是VCU,這些系統(tǒng)都需要實(shí)時(shí)和連續(xù)地對(duì)當(dāng)前狀態(tài)信息進(jìn)行
2021-05-04 10:18:00377

富士通的非易失性鐵電存儲(chǔ)器FRAM有著廣泛的應(yīng)用

富士通半導(dǎo)體主要提供高質(zhì)量、高可靠性的非易失性鐵電存儲(chǔ)器FRAM, 富士通半導(dǎo)體早在1995年已開(kāi)始研發(fā)FRAM存儲(chǔ)器,FRAM應(yīng)用于智能卡及IC卡等卡片領(lǐng)域、電力儀表及產(chǎn)業(yè)設(shè)備等產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域,以及醫(yī)療
2021-04-26 15:49:16689

FRAM車(chē)規(guī)級(jí)是滿足汽車(chē)電子無(wú)延遲要求的優(yōu)先存儲(chǔ)器選擇

開(kāi)發(fā)和量產(chǎn)及組裝程序。富士通代理商宇芯電子本篇文章簡(jiǎn)單介紹一下為何可以說(shuō)FRAM車(chē)規(guī)級(jí)是滿足汽車(chē)電子可靠性和無(wú)延遲要求的優(yōu)先存儲(chǔ)器選擇。 為什么這么說(shuō)?這就要從FRAM的產(chǎn)品特性開(kāi)始說(shuō)起。FRAM的學(xué)術(shù)名字叫做FERAM,利用鐵電晶體的鐵電效應(yīng)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ),
2021-05-11 17:17:09704

鐵電存儲(chǔ)器FRAM的優(yōu)劣勢(shì)

FRAM是一種新型存儲(chǔ)器,具有高速、高密度、低功耗和抗輻射等優(yōu)點(diǎn),與EEPROM、FLASH相比,FRAM的讀寫(xiě)更快、壽命更長(zhǎng),FRAM已經(jīng)應(yīng)用于IC卡和MCU中,預(yù)計(jì)未來(lái)具有廣闊的市場(chǎng)前景。FRAM產(chǎn)品具有明顯的高新技術(shù)特點(diǎn),符合科創(chuàng)板屬性,目前上市公司中尚沒(méi)有從事該產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)。
2021-05-11 17:32:202107

FM25CL64B-GTR是一款串行FRAM存儲(chǔ)器

FM25CL64B-GTR是串行FRAM存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器陣列在邏輯上組織為8,192×8位,可使用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的串行外圍設(shè)備接口(SPI)總線進(jìn)行訪問(wèn)。FRAM的功能操作類(lèi)似于串行閃存和串行EEPROM
2021-06-08 16:35:041683

串行FRAM存儲(chǔ)器64K MB85RS64概述及特點(diǎn)

富士通FRAM是新一代非易失性存儲(chǔ)器,其性能優(yōu)于E2PROM和閃存等現(xiàn)有存儲(chǔ)器,功耗更低,提供更高的速度和耐多次讀寫(xiě)操作。FRAM是非易失性的,但在RAM等其他方面運(yùn)行。這種突破性的存儲(chǔ)介質(zhì)用于各種
2021-06-28 15:50:412599

128K串行接口FRAM存儲(chǔ)器MB85RS128B概述及特點(diǎn)

富士通FRAM(鐵電RAM)是新一代非易失性存儲(chǔ)器,性能優(yōu)于 E2PROM 和閃存等現(xiàn)有存儲(chǔ)器,功耗更低,速度更快和耐多次讀寫(xiě)操作。FRAM是非易失性的,但在ram等其他方面運(yùn)行。這種突破性的存儲(chǔ)
2021-06-28 15:52:461394

鐵電存儲(chǔ)器FRAM與其他內(nèi)存的比較

FRAM是一種非易失性存儲(chǔ)器,因?yàn)樗Y(jié)合了ram和非易失性存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)。相對(duì)于閃存/EEPROM的寫(xiě)入優(yōu)勢(shì)和非易失性使其非常適合在斷電情況下存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。具有高讀寫(xiě)耐久性和快速寫(xiě)入速度。英尚微存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商可提供產(chǎn)品測(cè)試及技術(shù)支持。
2021-07-27 10:29:281158

富士通FRAM存儲(chǔ)器的詳細(xì)介紹

FRAM是一種寫(xiě)入速度快的非易失性存儲(chǔ)器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器(如EEPROM、閃存)相比,FRAM不需要用于數(shù)據(jù)保存的備用電池,具有更高的讀/寫(xiě)耐久性、更快的寫(xiě)入速度和更低的功耗。
2021-07-27 10:36:091055

FRAM存儲(chǔ)器都用在了哪里

FRAM (鐵電RAM) 是一種具有快速寫(xiě)入速度的非易失性存儲(chǔ)器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器 (如EEPROM、閃存)相比,FRAM不需要備用電池來(lái)保留數(shù)據(jù),并且具有更高的讀/寫(xiě)耐久性,更快的寫(xiě)入速度
2021-10-28 10:26:562565

FRAM存儲(chǔ)器芯片集成到汽車(chē)EDR設(shè)計(jì)中

本篇文章宇芯電子主要介紹用FRAM替換閃存或EEPROM的情況,以及如果將FRAM器件成功集成到新的汽車(chē)EDR設(shè)計(jì)中將需要滿足的要求。
2022-01-26 18:30:086

非易失性存儲(chǔ)器FRAM的常見(jiàn)問(wèn)題解答

什么是FRAMFRAM(鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)是一種非易失性存儲(chǔ)器,它使用鐵電薄膜作為電容器來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。FRAM兼具ROM(只讀存儲(chǔ)器)和RAM(隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)的特性,具有寫(xiě)入速度更快
2022-03-02 17:18:36766

鐵電存儲(chǔ)器FRAM

鐵電存儲(chǔ)器FRAM或FeRAM,FRAM采用鐵電晶體材料作為存儲(chǔ)介質(zhì),利用鐵電晶體材料電壓與電流關(guān)系具有特征滯后回路的特點(diǎn)來(lái)實(shí)現(xiàn)信息存儲(chǔ)。 ?? FRAM結(jié)構(gòu)圖 FRAM技術(shù)特點(diǎn): 非易失性:斷電
2022-11-10 17:00:141785

提供即時(shí)寫(xiě)入功能的FRAM存儲(chǔ)器

FRAM存儲(chǔ)器提供即時(shí)寫(xiě)入功能,無(wú)限的耐用性和接近零的軟錯(cuò)誤率,以支持對(duì)功能安全標(biāo)準(zhǔn)的遵守。引起人們對(duì)用于汽車(chē)EDR的FRAM非易失性存儲(chǔ)技術(shù)的興趣,因?yàn)槠涫褂媒鉀Q了這些缺點(diǎn)。
2022-11-25 14:19:41327

鐵電存儲(chǔ)器FRAM與其他內(nèi)存的比較

FRAM是一種非易失性存儲(chǔ)器,因?yàn)樗Y(jié)合了ram和非易失性存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)。相對(duì)于閃存/EEPROM的寫(xiě)入優(yōu)勢(shì)和非易失性使其非常適合在斷電情況下存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。具有高讀寫(xiě)耐久性和快速寫(xiě)入速度。
2021-07-15 16:46:56697

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