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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>FM24xxx系列FRAM存儲(chǔ)器的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

FM24xxx系列FRAM存儲(chǔ)器的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

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FM20L08型鐵電存儲(chǔ)器的原理及應(yīng)用

 本文主要介紹了鐵電存儲(chǔ)器FM20L08的原理及應(yīng)用。該存儲(chǔ)器不僅克服了EEPROM和Flash存儲(chǔ)器寫(xiě)入時(shí)間長(zhǎng)、擦寫(xiě)次數(shù)少等缺點(diǎn),而且增加了電壓監(jiān)控器和軟件控制的寫(xiě)保護(hù)功能,1MB
2010-12-03 16:29:3355

鐵電存儲(chǔ)器FM3116在電能表中的應(yīng)用

   FM3116是Ramtron公司基于I2C的具有多種功能的鐵電存儲(chǔ)器,具有存儲(chǔ)速度快,功耗低,非易失存儲(chǔ)等特點(diǎn),提出了一種FM3116在復(fù)費(fèi)率電能表中的應(yīng)用設(shè)計(jì),并給出基于FM3116
2010-12-16 15:43:0649

并行接口鐵電存儲(chǔ)器FM1808及其應(yīng)用

摘要:RAMTRON公司生產(chǎn)的并行接口高性能鐵電存儲(chǔ)器FM1808是NV-SRAM的理想替代產(chǎn)品。文中介紹了FM1808的性能特點(diǎn)、引腳功能和工作原理,同時(shí)重點(diǎn)介紹了鐵電存儲(chǔ)器
2006-03-24 13:01:421718

鐵電存儲(chǔ)器FRAM詳解

鐵電存儲(chǔ)器FRAM詳解: 鐵電存儲(chǔ)器FRAM)產(chǎn)品將ROM的非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)特性和RAM的無(wú)限次讀寫(xiě)、高速讀寫(xiě)
2008-01-30 09:13:504172

FM3116 鐵電存儲(chǔ)器在復(fù)費(fèi)率電能表中的應(yīng)用

FM3116 鐵電存儲(chǔ)器在復(fù)費(fèi)率電能表中的應(yīng)用 1 引言 ????? 在單片機(jī)應(yīng)用和智能儀器中,存儲(chǔ)器已成為不可或缺
2008-10-14 13:30:41949

帶RTC的I2C總線(xiàn)鐵電存儲(chǔ)器芯片-FM31256

帶RTC的I2C總線(xiàn)鐵電存儲(chǔ)器芯片-FM31256 FM31256是一種基于I2C總線(xiàn)、采用鐵電體技術(shù)的多功能存儲(chǔ)芯片。除了非易失存儲(chǔ)器外,該器件還具有實(shí)時(shí)時(shí)鐘、低電壓
2009-03-29 15:16:103182

DS32X35帶有鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的高精度實(shí)時(shí)時(shí)鐘(RTC

概述隨著DS32X35系列產(chǎn)品的發(fā)布,Maxim能夠提供無(wú)需電池的非易失存儲(chǔ)器。這些器件采用了鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(FRAM)技術(shù),FRAM是非易失存儲(chǔ)器,其讀/寫(xiě)操作與RAM類(lèi)似。該系列
2009-04-17 09:42:43700

內(nèi)置串行接口的鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器(FRAM) RFID

  鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器(FRAM) RFID由于存儲(chǔ)容量大、擦寫(xiě)速度快一直被用作數(shù)據(jù)載體標(biāo)簽。內(nèi)置的串行接口可將傳感
2010-12-10 10:36:05822

鐵電存儲(chǔ)器在儀表中的應(yīng)用

FRAM 是最近幾年由RAMTRON公司研制的新型存貯器,它的核心技術(shù)是鐵電晶體材料,擁有隨即存取記憶體和非易失性存貯產(chǎn)品的特性。FM24C256是一種鐵電存貯器(FRAM),容量為256KBIT存貯器,
2011-07-18 17:13:3093

Ramtron推出最新鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(F-RAM) FM24C64C

Ramtron International Corporation (簡(jiǎn)稱(chēng)Ramtron)宣布,現(xiàn)已在IBM的新生產(chǎn)線(xiàn)上廣泛制造其最新鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (F-RAM) 產(chǎn)品的樣片FM24C64C具有低功率運(yùn)作特性,有效電流為100 μA (在100 kHz下),典型
2011-07-22 09:38:011523

使用大容量STM32F10xxx的FSMC模塊驅(qū)動(dòng)外部存儲(chǔ)器

使用大容量STM32F10xxx的FSMC模塊驅(qū)動(dòng)外部存儲(chǔ)器
2016-01-08 14:15:1735

FM24C04驅(qū)動(dòng)程序

FM24C04驅(qū)動(dòng)程序FM24C04驅(qū)動(dòng)程序FM24C04驅(qū)動(dòng)程序
2016-01-15 16:31:5468

FM24系列中文資料

FM24系列中文資料FM24系列中文資料FM24系列中文資料
2016-01-15 16:55:054

fm24cl04中文資料_fm24cl04數(shù)據(jù)手冊(cè)

FM24CL04是一款4Kb的非易失性存儲(chǔ)器,它采用先進(jìn)的鐵電處理技術(shù)。鐵電隨機(jī)存 取存儲(chǔ)器或者FRAM是非易失性的,它執(zhí)行讀和寫(xiě)操作與RAM 相似。它提供45 年的數(shù) 據(jù)保存時(shí)間,同時(shí)消除
2016-09-28 09:56:4851

獨(dú)立FRAM存儲(chǔ)器方案設(shè)計(jì),特點(diǎn)有哪些?

FRAM是集合了ROM和RAM兩種存儲(chǔ)器的優(yōu)勢(shì)。擅于進(jìn)行高速寫(xiě)入、具有長(zhǎng)的耐久力和低功耗。富士通半導(dǎo)體可提供采用串行(I2C和SPI)和并行外設(shè)的FRAM產(chǎn)品。 不同接口的產(chǎn)品各自都有哪些特點(diǎn)呢?
2017-09-17 16:34:229447

鐵電存儲(chǔ)器FM25L256中文資料免費(fèi)下載

這是一個(gè)256bit的非易失性存儲(chǔ)器FM25L256采用先進(jìn)的鐵電的過(guò)程。鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器FRAM是非易失性和執(zhí)行讀取和寫(xiě)入內(nèi)存一樣。它提供了可靠的數(shù)據(jù)保持10年,同時(shí)消除了復(fù)雜性,開(kāi)銷(xiāo)和系統(tǒng)級(jí)的可靠性問(wèn)題所造成的EEPROM和其他非易失性存儲(chǔ)器
2017-11-03 17:15:34124

msp430與fm56l256鐵電存儲(chǔ)器SPI接口原理

FM25L256是由RAMTRON生產(chǎn),以鐵電存儲(chǔ)介質(zhì)的256Kb(32K字節(jié))串行3V非易失性存儲(chǔ)器,采用SPI總線(xiàn)控制,構(gòu)成的系統(tǒng)具有簡(jiǎn)單,占用硬件資源少,存取快速的特點(diǎn)。同時(shí),由于鐵電存儲(chǔ)器(以下簡(jiǎn)稱(chēng)FRAM)有著固有的優(yōu)勢(shì),因此,可用于高可靠場(chǎng)合信息存儲(chǔ)設(shè)備。
2017-11-03 17:26:3822

FM25W256-GTR 256千比特串行(SPI)鐵電存儲(chǔ)器的詳細(xì)資料免費(fèi)下載

FM25W256是一個(gè)256千位非易失性存儲(chǔ)器采用先進(jìn)的鐵電過(guò)程。鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器FRAM是非易失性的,并執(zhí)行類(lèi)似于RAM的讀寫(xiě)。它提供了151年的可靠數(shù)據(jù)保留,同時(shí)消除了由串行閃存、EEPROM和其他非易失性存儲(chǔ)器引起的復(fù)雜性、開(kāi)銷(xiāo)和系統(tǒng)級(jí)可靠性問(wèn)題。
2018-08-27 08:00:0086

STM32F10xxx FSMC外圍設(shè)備驅(qū)動(dòng)外部存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)和使用手冊(cè)免費(fèi)下載

本申請(qǐng)說(shuō)明描述了如何使用高密度STM32F10xxx FSMC(柔性靜態(tài)存儲(chǔ)器控制器)外圍設(shè)備來(lái)驅(qū)動(dòng)一組外部存儲(chǔ)器。為此,對(duì)STM32F10xxx FSMC控制器進(jìn)行了概述。然后給出了存儲(chǔ)器接口實(shí)例,包括典型的FSMC配置、時(shí)序計(jì)算方法和硬件連接。
2018-12-27 16:03:0828

PIC18F87K90單片機(jī)讀寫(xiě)FRAM鐵電存儲(chǔ)器的方法存儲(chǔ)器免費(fèi)下載

本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是PIC18F87K90單片機(jī)讀寫(xiě)FRAM鐵電存儲(chǔ)器的方法存儲(chǔ)器免費(fèi)下載。
2019-01-23 16:41:2532

微雪電子FRAM存儲(chǔ)模塊存儲(chǔ)器FM24CLXX簡(jiǎn)介

FM24CL FRAM 存儲(chǔ)模塊 I2C接口 可排針或排座接入目標(biāo)板 FRAM外擴(kuò)存儲(chǔ) 型號(hào) FM24CLXX FRAM Board
2019-12-30 09:45:531331

FRAM器件提供非易失性存儲(chǔ)

FRAM器件提供非易失性存儲(chǔ),用10年的數(shù)據(jù)保存時(shí)間,在與熟悉的閃存和EEPROM替代所需的功率的一小部分。利用現(xiàn)有的基于FRAM存儲(chǔ)器和MCU器件,工程師們可以放心地在他們盡管間歇性的斷電操作
2020-09-19 11:56:481727

FRAM是一種鐵電存儲(chǔ)器,它的自身優(yōu)勢(shì)是什么

FRAM是一種鐵電存儲(chǔ)器,它使用鐵電膜作為電容來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù),即使數(shù)據(jù)沒(méi)有電源也可以保存。采用鐵電薄膜作為電容器來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。具有ROM和RAM特性的FRAM在高速讀寫(xiě),高讀寫(xiě)耐久性,低功耗,防篡改等方面
2020-09-27 14:32:311634

FRAM存儲(chǔ)器技術(shù)和標(biāo)準(zhǔn)的CMOS制造工藝相互兼容

新型的存儲(chǔ)器既具有RAM的優(yōu)點(diǎn),又有非失易失性特征,同時(shí)克服了非易失性寫(xiě)入速度慢且寫(xiě)入次數(shù)有限等缺點(diǎn)。 FRAM的核心技術(shù)是鐵電晶體材料。這一特殊材料使得鐵電存儲(chǔ)產(chǎn)品同時(shí)擁有隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM
2020-10-30 16:47:12802

非易失性存儲(chǔ)器MRAM與FRAM到底有什么區(qū)別

“永久性存儲(chǔ)器”通常是指駐留在存儲(chǔ)器總線(xiàn)上的高性能,可字節(jié)尋址的非易失性存儲(chǔ)設(shè)備。MRAM(磁性只讀存儲(chǔ)器)和 FRAM(鐵電 RAM)都具有相似的性能優(yōu)勢(shì):低電壓運(yùn)行,長(zhǎng)壽命和極高的速度。它們
2020-12-14 11:30:0038

fram是什么存儲(chǔ)器_FRAM技術(shù)特點(diǎn)

鐵電存儲(chǔ)器FRAM,ferroelectric RAM)是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,它將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)的快速讀取和寫(xiě)入訪(fǎng)問(wèn)——它是個(gè)人電腦存儲(chǔ)中最常用的類(lèi)型——與在電源關(guān)掉后保留數(shù)據(jù)能力(就像其他穩(wěn)定的存儲(chǔ)設(shè)備一樣,如只讀存儲(chǔ)器和閃存)結(jié)合起來(lái)。
2020-12-03 11:53:166108

采用FM20L08鐵電存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)溫度記錄儀系統(tǒng)的設(shè)計(jì)

FRAM),能夠進(jìn)行無(wú)限次的讀寫(xiě)操作。 使用FM20L08能夠極大的節(jié)約電路板空間。使用FM20L08存儲(chǔ)器的溫度測(cè)試儀,兼具大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、抗沖擊、抗干擾、數(shù)據(jù)斷電不丟失、實(shí)時(shí)采集速度高的特點(diǎn)。
2021-03-29 14:36:232136

富士通FRAM是斷電情況下也能保留數(shù)據(jù)非易失性的存儲(chǔ)器

富士通FRAM是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機(jī)存取兩個(gè)特長(zhǎng)的鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器(內(nèi)存)。FRAM的數(shù)據(jù)保持,不僅不需要備用電池,而且與EEPROM、FLASH等傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器
2021-04-08 15:42:02824

富士通的非易失性鐵電存儲(chǔ)器FRAM有著廣泛的應(yīng)用

富士通半導(dǎo)體主要提供高質(zhì)量、高可靠性的非易失性鐵電存儲(chǔ)器FRAM, 富士通半導(dǎo)體早在1995年已開(kāi)始研發(fā)FRAM存儲(chǔ)器FRAM應(yīng)用于智能卡及IC卡等卡片領(lǐng)域、電力儀表及產(chǎn)業(yè)設(shè)備等產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域,以及醫(yī)療
2021-04-26 15:49:16689

鐵電存儲(chǔ)器FRAM的優(yōu)劣勢(shì)

FRAM是一種新型存儲(chǔ)器,具有高速、高密度、低功耗和抗輻射等優(yōu)點(diǎn),與EEPROM、FLASH相比,FRAM的讀寫(xiě)更快、壽命更長(zhǎng),FRAM已經(jīng)應(yīng)用于IC卡和MCU中,預(yù)計(jì)未來(lái)具有廣闊的市場(chǎng)前景。FRAM產(chǎn)品具有明顯的高新技術(shù)特點(diǎn),符合科創(chuàng)板屬性,目前上市公司中尚沒(méi)有從事該產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)。
2021-05-11 17:32:202107

2Mbit串行FRAM存儲(chǔ)器FM25V20A-DGQTR的功能及特征

和橫跨傳統(tǒng)市場(chǎng)的業(yè)務(wù)覆蓋。Cypress代理英尚微給大家分享一款具有擴(kuò)展溫度的2Mbit串行FRAM存儲(chǔ)器FM25V20A-DGQTR。
2021-05-13 14:35:021561

非易失性存儲(chǔ)器FM33256B-G特征介紹

FM33256B-G器件將FRAM存儲(chǔ)器與基于處理器的系統(tǒng)最常用的功能集成在一起,主要功能包括非易失性存儲(chǔ)器,實(shí)時(shí)時(shí)鐘,低VDD復(fù)位,看門(mén)狗定時(shí)器,非易失性事件計(jì)數(shù)器,可鎖定的64位序列號(hào)區(qū)域以及可用于斷電(NMI)中斷或其他目的的通用比較器。該器件的工作電壓為2.7V至3.6V。
2021-05-17 16:43:53912

賽普拉斯FM25V05-GTR是一款非易失性鐵電存儲(chǔ)器

引起的復(fù)雜性,開(kāi)銷(xiāo)和系統(tǒng)級(jí)可靠性問(wèn)題。并且執(zhí)行類(lèi)似于RAM的讀取和寫(xiě)入操作。 FM25V05-GTR是串行FRAM存儲(chǔ)器。邏輯上將存儲(chǔ)器陣列組織為65,536×8位,并使用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的串行外圍設(shè)備接口(SPI
2021-06-08 16:32:20938

FM25CL64B-GTR是一款串行FRAM存儲(chǔ)器

FM25CL64B-GTR是串行FRAM存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器陣列在邏輯上組織為8,192×8位,可使用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的串行外圍設(shè)備接口(SPI)總線(xiàn)進(jìn)行訪(fǎng)問(wèn)。FRAM的功能操作類(lèi)似于串行閃存和串行EEPROM
2021-06-08 16:35:041683

FM25V10-GTR是采用先進(jìn)鐵電工藝的1Mbit非易失性存儲(chǔ)器

FM25V10-GTR是采用先進(jìn)鐵電工藝的1Mbit非易失性存儲(chǔ)器。鐵電存儲(chǔ)器FRAM是非易失性的,并且執(zhí)行類(lèi)似于RAM的讀取和寫(xiě)入操作。它提供了151年的可靠數(shù)據(jù)保留,同時(shí)消除了由串行閃存
2021-06-08 16:39:521134

串行FRAM存儲(chǔ)器64K MB85RS64概述及特點(diǎn)

富士通FRAM是新一代非易失性存儲(chǔ)器,其性能優(yōu)于E2PROM和閃存等現(xiàn)有存儲(chǔ)器,功耗更低,提供更高的速度和耐多次讀寫(xiě)操作。FRAM是非易失性的,但在RAM等其他方面運(yùn)行。這種突破性的存儲(chǔ)介質(zhì)用于各種
2021-06-28 15:50:412599

128K串行接口FRAM存儲(chǔ)器MB85RS128B概述及特點(diǎn)

富士通FRAM(鐵電RAM)是新一代非易失性存儲(chǔ)器,性能優(yōu)于 E2PROM 和閃存等現(xiàn)有存儲(chǔ)器,功耗更低,速度更快和耐多次讀寫(xiě)操作。FRAM是非易失性的,但在ram等其他方面運(yùn)行。這種突破性的存儲(chǔ)
2021-06-28 15:52:461394

鐵電存儲(chǔ)器FRAM與其他內(nèi)存的比較

FRAM是一種非易失性存儲(chǔ)器,因?yàn)樗Y(jié)合了ram和非易失性存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)。相對(duì)于閃存/EEPROM的寫(xiě)入優(yōu)勢(shì)和非易失性使其非常適合在斷電情況下存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。具有高讀寫(xiě)耐久性和快速寫(xiě)入速度。英尚微存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商可提供產(chǎn)品測(cè)試及技術(shù)支持。
2021-07-27 10:29:281158

富士通FRAM存儲(chǔ)器的詳細(xì)介紹

FRAM是一種寫(xiě)入速度快的非易失性存儲(chǔ)器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器(如EEPROM、閃存)相比,FRAM不需要用于數(shù)據(jù)保存的備用電池,具有更高的讀/寫(xiě)耐久性、更快的寫(xiě)入速度和更低的功耗。
2021-07-27 10:36:091055

FRAM存儲(chǔ)器都用在了哪里

FRAM (鐵電RAM) 是一種具有快速寫(xiě)入速度的非易失性存儲(chǔ)器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器 (如EEPROM、閃存)相比,FRAM不需要備用電池來(lái)保留數(shù)據(jù),并且具有更高的讀/寫(xiě)耐久性,更快的寫(xiě)入速度
2021-10-28 10:26:562565

ST系列FRAM MCU開(kāi)發(fā)方案

便攜式和無(wú)線(xiàn)傳感應(yīng)用的電池壽命。FRAM是一種新型非易失性存儲(chǔ)器,集SRAM的速度、靈活性與耐用度和閃存的穩(wěn)定性和可靠性于一身,但總功耗更低。M24C16-WMN6TP FRAM MCU是世界上首款具...
2021-10-28 19:21:046

非易失性存儲(chǔ)器FRAM的常見(jiàn)問(wèn)題解答

什么是FRAM? FRAM(鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)是一種非易失性存儲(chǔ)器,它使用鐵電薄膜作為電容器來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。FRAM兼具ROM(只讀存儲(chǔ)器)和RAM(隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)的特性,具有寫(xiě)入速度更快
2022-03-02 17:18:36766

鐵電存儲(chǔ)器FRAM

鐵電存儲(chǔ)器稱(chēng)FRAM或FeRAM,FRAM采用鐵電晶體材料作為存儲(chǔ)介質(zhì),利用鐵電晶體材料電壓與電流關(guān)系具有特征滯后回路的特點(diǎn)來(lái)實(shí)現(xiàn)信息存儲(chǔ)。 ?? FRAM結(jié)構(gòu)圖 FRAM技術(shù)特點(diǎn): 非易失性:斷電
2022-11-10 17:00:141785

提供即時(shí)寫(xiě)入功能的FRAM存儲(chǔ)器

FRAM存儲(chǔ)器提供即時(shí)寫(xiě)入功能,無(wú)限的耐用性和接近零的軟錯(cuò)誤率,以支持對(duì)功能安全標(biāo)準(zhǔn)的遵守。引起人們對(duì)用于汽車(chē)EDR的FRAM非易失性存儲(chǔ)技術(shù)的興趣,因?yàn)槠涫褂媒鉀Q了這些缺點(diǎn)。
2022-11-25 14:19:41327

復(fù)旦微電推出FM25/FM29系列SLC NAND存儲(chǔ)器新品

下一階段,復(fù)旦微電全新FM24LN、FM24N系列EEPROM存儲(chǔ)器系列產(chǎn)品將覆蓋64Kbit~2Mbit容量,FM25N將補(bǔ)全64Kbit~4Mbit全系列容量。
2023-05-05 11:23:26378

鐵電存儲(chǔ)器FRAM與其他內(nèi)存的比較

FRAM是一種非易失性存儲(chǔ)器,因?yàn)樗Y(jié)合了ram和非易失性存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)。相對(duì)于閃存/EEPROM的寫(xiě)入優(yōu)勢(shì)和非易失性使其非常適合在斷電情況下存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。具有高讀寫(xiě)耐久性和快速寫(xiě)入速度。
2021-07-15 16:46:56697

使用大容量STM32F10xxx的FSMC驅(qū)動(dòng)外部的存儲(chǔ)器

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《使用大容量STM32F10xxx的FSMC驅(qū)動(dòng)外部的存儲(chǔ)器.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-21 10:03:500

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