8Gb DDR4生產(chǎn)率提高20%以上，下半年量產(chǎn) 據(jù)筆者此前獲悉，在今年3月，三星開始大規(guī)模量產(chǎn)12GB 低功耗雙倍數(shù)率的LPDDR4X后，三星又宣布首次開發(fā)出第三代10nm級1z nm 8Gb雙倍數(shù)據(jù)
2019-10-22 10:41:21
4639 ，隨著近期DRAM內(nèi)存的價格普遍開始下降，跟隨這一趨勢的DDR5內(nèi)存似乎終于有了用武之地。那么DDR5內(nèi)存的價格為何一開始那么貴呢，難道真的就是剛推出新技術(shù)帶來的高附加值？ ? PMIC的供應(yīng)困難 ? DDR5在DDR4的基礎(chǔ)上做了許多改進(jìn)，首先是更高的數(shù)據(jù)速率，從
2022-07-12 08:27:008644 DDR內(nèi)存條是由多顆粒的DDRSDKAM芯片互連組成，DDRSDRAM是雙數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器的縮寫。DDRSDRAM采用雙數(shù)據(jù)速率接口，也就是在時鐘的正沿或負(fù)沿都需要對數(shù)據(jù)進(jìn)行采樣。在本設(shè)計中采用的內(nèi)存是hynix公司的lGB的HYMD564M646CP6-J。
2011-01-21 13:37:023465 
廉價的雙倍數(shù)據(jù)速率（DDR）內(nèi)存（以及DDR2和DDR3等后來的版本）為臺式機(jī)和筆記本電腦的工作內(nèi)存提供了支柱。通過在脈沖序列的前沿和后沿上為存儲器提供時鐘，存儲器吞吐量加倍，而功耗僅略微增加。
2019-03-25 08:48:004083 
傳統(tǒng)上，雙倍數(shù)據(jù)速率（DDR）技術(shù)依賴于時序測量，例如建立和保持時間。隨著標(biāo)準(zhǔn)的發(fā)展和傳輸速率的提高，信號完整性變得更具挑戰(zhàn)性。 對于DDR5，定時測量已被數(shù)據(jù)和命令地址信號的眼圖模板測量所取
2022-12-07 14:34:271944 
DDR是運行內(nèi)存芯片，其運行頻率主要有100MHz、133MHz、166MHz三種，由于DDR內(nèi)存具有雙倍速率傳輸數(shù)據(jù)的特性，因此在DDR內(nèi)存的標(biāo)識上采用了工作頻率×2的方法。 ? DDR芯片
2023-07-28 13:12:061891 
在同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（SDRAM)的工作模式中，以數(shù)據(jù)讀取速率來分類，有單倍數(shù)據(jù)速率 (Single Data Rate, SDR) SDRAM、雙倍數(shù)據(jù)速率(Double Data Rate
2023-11-20 10:58:25364 
DDR4(第四代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器)是一種高帶寬的存儲器，今天主要講述一下DDR4在Layout過程中的一些細(xì)節(jié)。在DDR的設(shè)計過程中，DDR的Layout是十分重要的環(huán)節(jié)。
2023-11-29 15:39:101481 
DDR內(nèi)存條經(jīng)歷了DDR內(nèi)存條、DDR2內(nèi)存條、DDR3內(nèi)存條三個時代。這里給出了DDR內(nèi)存條、DDR2內(nèi)存條、DDR3內(nèi)存條的對比分析。
2011-12-29 14:21:563149 日本著名存儲設(shè)備制造商Century Micro近日宣布即將推出新的DDR4內(nèi)存模塊，具有3，200 MHz的原生速率。
2019-07-07 10:37:453120 我們知道DDR3內(nèi)存條，通常有個速率DDR3-800，DDR3-1066，DDR3-1333等，這個說明他們的最高工作頻率不能超過400MHz，533MHz。。。但還有一個最低工作頻率要求，請問在DDR3內(nèi)存條顆粒是那個指標(biāo)？為什么有這個要求？
2012-10-23 22:52:34
;DDR/SD---------0—4G內(nèi)存識別: 自動識別內(nèi)存種類,(SD,DDR,DDR2,DDR3)顯示方式:64位數(shù)據(jù)線路故障獨立顯示。 64位數(shù)據(jù)位壞
2009-03-13 15:46:57
2---------0—8G DDR/SD---------0—4G內(nèi)存識別: 自動識別內(nèi)存種類,(SD,DDR,DDR2,DDR3)顯示方式:64位數(shù)據(jù)線路故障獨立顯示。  
2009-08-17 23:00:19
傳輸；而DDR內(nèi)存則是一個時鐘周期內(nèi)傳輸兩次次數(shù)據(jù)，它能夠在時鐘的上升期和下降期各傳輸一次數(shù)據(jù)，因此稱為雙倍速率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器。DDR內(nèi)存可以在與SDRAM相同的總線頻率下達(dá)到更高的數(shù)據(jù)
2011-02-27 16:47:17
800Mbps。但是DDR的數(shù)據(jù)信號卻是雙倍速率的，如果DQS頻率為800MHz，那么數(shù)據(jù)信號的速率就應(yīng)該為1600Mbps。下面將通過具體的仿真實例來看一下。有興趣的朋友可戳附件下載。
2016-11-08 16:59:51
內(nèi)存設(shè)備：
?雙倍數(shù)據(jù)速率3（DDR3）SDRAM。
?低壓DDR3 SDRAM。
?雙倍數(shù)據(jù)速率4（DDR4）SDRAM
2023-08-02 08:30:00
這是DMC-500的高級概述。
DMC-500是由ARM開發(fā)、測試和許可的ARM AMBA?SoC外圍設(shè)備。
它是一款高性能、面積優(yōu)化的內(nèi)存控制器，與AMBA 4 AXI協(xié)議兼容。
它支持以下存儲設(shè)備：
·低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率3(LPDDR3)SDRAM。
·LPDDR4 SDRAM。
2023-09-04 07:05:12
以下內(nèi)存設(shè)備：
?雙倍數(shù)據(jù)速率3（DDR3）SDRAM。
?低壓DDR3 SDRAM。
?雙倍數(shù)據(jù)速率4（DDR4）SDRAM。
2023-08-02 11:55:49
任選的時鐘占空比穩(wěn)定器LTC2270/能單獨輸出電源的LTC2270 數(shù)字輸出可以是全速率 CMOS、雙倍數(shù)據(jù)速率 CMOS 或雙倍數(shù)據(jù)速率 LVDS.一個單獨的輸出電源提供了 1.2V 至 1.8V 的 CMOS 輸出擺幅。
2019-11-01 09:10:40
雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 內(nèi)存同時對時鐘的前沿和下降沿計時。它使數(shù)據(jù)通過速度翻了一倍，且系統(tǒng)功耗增加極少。 高數(shù)據(jù)速率要求時鐘分配網(wǎng)絡(luò)設(shè)計要倍加小心，以此來最小化振鈴和反射效應(yīng)，否則可能會導(dǎo)致對邏輯器件
2012-02-09 11:09:02
功能是將內(nèi)存系統(tǒng)變成雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 內(nèi)存系統(tǒng)的原因?！皢伪谩贝鎯ο到y(tǒng)采用歷史悠久的策略將數(shù)據(jù)從一個 IC 同步移動到另一個 IC?；旧?，邏輯信號每個時鐘周期改變一次，并在時鐘的上升沿或下降沿
2023-02-23 16:57:31
，內(nèi)部命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以時鐘為基準(zhǔn)。DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM，雙倍速率SDRAM ) 的不同之處在于它可以在一個時鐘讀寫兩次數(shù)據(jù)，這樣就使得數(shù)據(jù)
2022-10-26 16:37:40
，它是在時鐘的上升期進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸；而DDR內(nèi)存則是一個時鐘周期內(nèi)傳輸兩次次數(shù)據(jù)，它能夠在時鐘的上升期和下降期各傳輸一次數(shù)據(jù)，因此稱為雙倍速率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器。DDR內(nèi)存可以在與SDRAM 相同的總線
2019-08-01 10:17:46
我的設(shè)計輸入時輸入時鐘頻率為150Mhz，用于視頻輸入接口的雙倍數(shù)據(jù)速率。但是，我發(fā)現(xiàn)保持時間錯誤如下所示：// HOLD時間ERROR名稱松弛水平高扇出從至總延遲邏輯延遲凈延遲需求源時鐘目的地時鐘
2020-05-01 14:42:58
DDR是運行內(nèi)存芯片，其運行頻率主要有100MHz、133MHz、166MHz三種，由于DDR內(nèi)存具有雙倍速率傳輸數(shù)據(jù)的特性，因此在DDR內(nèi)存的標(biāo)識上采用了工作頻率×2的方法。
DDR芯片的工作原理
2023-12-25 14:02:58
DDR是運行內(nèi)存芯片，其運行頻率主要有100MHz、133MHz、166MHz三種，由于DDR內(nèi)存具有雙倍速率傳輸數(shù)據(jù)的特性，因此在DDR內(nèi)存的標(biāo)識上采用了工作頻率×2的方法。
DDR芯片的工作原理
2023-12-25 13:58:55
描述此參考設(shè)計介紹高可靠性應(yīng)用（基于 66AK2Gx 多內(nèi)核 DSP + ARM 處理器片上系統(tǒng) (SoC)）中具有糾錯碼 (ECC) 支持的雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 存儲器接口的系統(tǒng)注意事項。其中
2022-09-15 06:26:24
，也就是說數(shù)據(jù)速率是時鐘頻率的兩倍，可以達(dá)到很高的數(shù)據(jù)讀寫速度。此外它通過對地址線的分時復(fù)用，可以做到很大的容量。比如我們設(shè)計實現(xiàn)的DDR內(nèi)存時鐘頻率可達(dá)到150MHz，數(shù)據(jù)速率為300MHz，容量
2019-04-12 07:00:09
DDR內(nèi)存條是由多顆粒的DDR SDKAM芯片互連組成，DDR SDRAM是雙數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器的縮寫。DDR SDRAM采用雙數(shù)據(jù)速率接口，也就是在時鐘的正沿或負(fù)沿都需要對數(shù)據(jù)進(jìn)行采樣。
2019-08-15 07:32:03
描述此參考設(shè)計介紹高可靠性應(yīng)用（基于 66AK2Gx 多內(nèi)核 DSP + ARM 處理器片上系統(tǒng) (SoC)）中具有糾錯碼 (ECC) 支持的雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 存儲器接口的系統(tǒng)注意事項。其中
2018-10-22 10:20:57
內(nèi)存控制器/ ddr（1 2或3）連續(xù)帶寬有多大。我看到每秒大約800兆比特的音符，這是真的嗎？ 對于運行在120加MHz時鐘，雙倍數(shù)據(jù)速率和32位寬的DDRx來說，它似乎很低？就像12中的一個時鐘
2019-06-21 07:35:14
DDR內(nèi)存SPD資料,DDR8X16 266,DDR16X8 266,DDR16X8 333,DDR16X16 266,DDR32X8 266,DDR32X8 400,DDR64X4 266,DDR 8X16.
2008-10-27 21:02:37
205 如何有效地在ATE上提高DDR存儲器接口測試覆蓋率葉慶, 郭錚, 楚中曙, 粟涯上海交通大學(xué)微電子學(xué)院，上海，中國，200122摘要：雙倍數(shù)據(jù)速率（ DDR， Double Data Rate）DRAM由于其速
2009-12-15 14:58:2231 ddr內(nèi)存針腳定義圖
2008-04-28 13:45:414210 
DDR2內(nèi)存傳輸標(biāo)準(zhǔn) DDR2可以看作是DDR技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的一種升級和擴(kuò)展：DDR的核心頻率與時鐘頻率相等，但數(shù)據(jù)頻率為時鐘頻率的兩倍，也
2009-04-26 18:05:40786 
什么是DDR SDRAM內(nèi)存
DDR是一種繼SDRAM后產(chǎn)生的內(nèi)存技術(shù)，DDR，英文原意為“DoubleDataRate”，顧名思義，就是雙數(shù)據(jù)傳輸模式。之所以稱其為“雙”，也
2009-12-17 11:15:531646 DDR SDRAM內(nèi)存
DDR SDRAM是Double Dat
2009-12-17 16:20:33684 DDR2內(nèi)存傳輸標(biāo)準(zhǔn)
DDR2可以看作是DDR技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的一種升級和擴(kuò)展：DDR的核心頻率與時鐘頻率相等，但數(shù)據(jù)頻率為時鐘頻率的兩倍，也就是說在一個時鐘周期內(nèi)必須傳輸
2009-12-24 14:53:28621 用高帶寬混合信號示波器進(jìn)行DDR驗證和調(diào)試的技巧
?? DDR存儲器，也稱雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器，常用于高級嵌入式電路系統(tǒng)的設(shè)計，包括計算機(jī)、交通運
2010-03-02 11:08:48583 
DDR4,什么是DDR4
DDR 又稱雙倍速率SDRAM Dual Date Rate SDRSM DDR SDRAM 是一種高速CMOS動態(tài)隨即訪問的內(nèi)存美國JEDEC 的固態(tài)技術(shù)協(xié)會于2000 年6 月公
2010-03-24 16:08:393146 泰科電子(TE)按照J(rèn)EDEC工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)推出了新型超低型VLP (very low-profile)第三代雙倍數(shù)據(jù)速率(DDR3)雙列直插式內(nèi)存模組(DIMM)插槽。
該產(chǎn)品最高卡扣高度為16毫米，進(jìn)而減小
2010-12-11 09:18:451583 DDR是雙倍數(shù)據(jù)速率的SDRAM內(nèi)存，如今大多數(shù)計算機(jī)系統(tǒng)、服務(wù)器產(chǎn)品的主流存儲器技術(shù)，并且不斷向嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域滲透
2011-04-11 11:16:415555 
DDR2 SDRAM (雙倍數(shù)據(jù)速率2同步DRAM)存儲器是當(dāng)前流行的動態(tài)隨機(jī)訪問存儲器(DRAM)技術(shù)。SDRAM 已經(jīng)從DDR 演進(jìn)到DDR2 和DDR3，實現(xiàn)了容量更大、速度更快的存儲器。其當(dāng)前的性能水平是DDR2/800
2011-05-14 15:26:1921 Cyclone 系列芯片是美國A ltera 公司推出的低價格、高容量現(xiàn)場可編程門陣列器件(FPGA ) , 本文概述了他的主要特點, 給出了其在與外部存儲器接口時用到的雙倍數(shù)據(jù)率輸入輸出接口的設(shè)計方
2011-06-27 16:27:4145 DDR SDRAM 全稱為Double Data Rate SDRAM，中文名為雙倍數(shù)據(jù)流 SDRAM 。DDRSDRAM 在原有的SDRAM 的基礎(chǔ)上改進(jìn)而來。也正因為如此，DDR 能夠憑借著轉(zhuǎn)產(chǎn)成本 優(yōu)勢來打敗昔日的對手RDRAM，成為當(dāng)今的主
2011-07-12 09:48:02712 JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會，全球微電子產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)領(lǐng)導(dǎo)制定機(jī)構(gòu)日前公布了廣為業(yè)界期待的DDR4(雙倍數(shù)據(jù)速率4)內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的關(guān)鍵屬性。 預(yù)計將于2012年中期發(fā)布的JEDEC DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)與之前幾代的技術(shù)
2011-08-24 08:57:461708 CMOS 邏輯系統(tǒng)的功耗主要與時鐘頻率、系統(tǒng)內(nèi)各柵極的輸入電容以及電源電壓有關(guān),傳統(tǒng)上，邏輯系統(tǒng)僅對一個時鐘沿的數(shù)據(jù)計時，而雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 內(nèi)存同時對時鐘的前沿和下降沿計
2011-12-16 17:56:323609 
DDR SDRAM 全稱為Double Data Rate SDRAM，中文名為雙倍數(shù)據(jù)流SDRAM。DDRSDRAM 在原有的SDRAM 的基礎(chǔ)上改進(jìn)而來。也正因為如此，DDR 能夠憑借著轉(zhuǎn)產(chǎn)成本優(yōu)勢來打敗昔日的對手RDRAM，成為當(dāng)今的主流
2013-09-13 15:17:30210 廉價的雙數(shù)據(jù)速率（DDR）內(nèi)存制造（以及后來的變種如DDR2和DDR3）提供了在臺式機(jī)和筆記本電腦的工作記憶的主體。
2017-06-14 09:26:168 雖然新一代電腦/智能手機(jī)用上了DDR4內(nèi)存，但以往的產(chǎn)品大多還是用的DDR3內(nèi)存，因此DDR3依舊是主流，DDR4今后將逐漸取代DDR3，成為新的主流，下面我們再來看看DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別。相比上一代DDR3，新一代DDR4內(nèi)存主要有以下幾項核心改變：
2017-11-08 15:42:2330895 5的規(guī)范制定已經(jīng)到0.5版本，會在DDR4的基礎(chǔ)上數(shù)據(jù)速率和密度再翻一倍，單顆粒容量可達(dá)32Gb，并預(yù)計會在2020年開始商用。 很多人會把DDR5和顯卡上使用的GDDR5技術(shù)混淆，實際上兩者應(yīng)用場合不一樣。下面這張圖展示了目前三種主流內(nèi)存技術(shù)（DDR、GDDR、LPDDR）的速度對比和應(yīng)用場合。
2017-11-15 16:36:0340425 
DDR SDRAM全稱為Double Data Rate SDRAM，中文名為雙倍數(shù)據(jù)流SDRAM。DDR SDRAM在原有的SDRAM的基礎(chǔ)上改進(jìn)而來。也正因為如此，DDR能夠憑借著轉(zhuǎn)產(chǎn)成本優(yōu)勢
2018-03-16 14:24:0132 DDR=Double Data Rate雙倍速率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器。嚴(yán)格的說DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM，人們習(xí)慣稱為DDR，其中，SDRAM 是Synchronous Dynamic
2018-05-23 16:07:1950490 
DDR 同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 （Synchronous Dynamic Random Access Memory， SDRAM）控制器使用雙倍數(shù)據(jù)速率（Dual Data Rate，DDR）版本
2018-05-30 09:29:007 大家好，我叫Paul Evans，是Stratix III產(chǎn)品營銷經(jīng)理。到目前為止，我已經(jīng)從事了6年的雙倍數(shù)據(jù)速率存儲器工作，今天和大家一起討論一下DDR3。DDR3的主要難題之一是它引入了數(shù)據(jù)交錯
2018-06-22 05:00:008250 1GB DDR2 SDRAM被組織為32兆位X 4 I/OS X8BANS、16Mbit X 8 I/OS X8BANS或8Mbit X 16 I/OS X 8 BooStand設(shè)備。該同步裝置實現(xiàn)了高達(dá)800Mb/sec/pin（DDR2-800）原生應(yīng)用的高速雙倍數(shù)據(jù)傳輸速率。
2018-11-01 11:46:2930 DDR=Double Data Rate雙倍速率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器。嚴(yán)格的說DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM，人們習(xí)慣稱為DDR，其中，SDRAM 是Synchronous Dynamic
2019-02-04 11:40:007240 TPS51200器件是專為低輸入電壓，低成本，低噪聲系統(tǒng)而設(shè)計的接收器和源雙倍數(shù)據(jù)速率（DDR）終端穩(wěn)壓器，空間是關(guān)鍵考慮因素。
2019-08-26 17:30:004 FCI開發(fā)了一系列垂直內(nèi)存插槽，可接受標(biāo)準(zhǔn)DDR2（雙倍數(shù)據(jù)速率）內(nèi)存模塊組件，以便在臺式機(jī)和服務(wù)器中實現(xiàn)內(nèi)存擴(kuò)展。 240位DDR2垂直連接器提供用于焊接端接的直通式引線或用于壓配端接的“針眼”引線。
2019-10-06 15:56:002651 DDR：Double Date Rate 雙倍速率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器。
2019-08-19 09:30:343501 當(dāng)今電子產(chǎn)品一個很重要的區(qū)分元素是其所用的存儲器。服務(wù)器、計算機(jī)、智能手機(jī)、游戲機(jī)、GPS 以及幾乎所有類似產(chǎn)品使用的都是現(xiàn)代處理器和 FPGA。這些設(shè)備需要高速、高帶寬、雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 存儲器才能運行。
2019-12-11 13:52:134259 20 世紀(jì) 90 年代后期，存儲器接口從單倍數(shù)據(jù)速率 （SDR） SDRAM 發(fā)展到了雙倍數(shù)據(jù)速率 （DDR） SDRAM，而今天的 DDR2 SDRAM 運行速率已經(jīng)達(dá)到每引腳 667 Mb
2020-04-12 10:57:53995 
傳輸。SDRAM在一個時鐘周期內(nèi)只傳輸一次數(shù)據(jù)，它是在時鐘上升期進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸；而DDR則是一個時鐘周期內(nèi)可傳輸兩次數(shù)據(jù)，也就是在時鐘的上升期和下降期各傳輸一次數(shù)據(jù)。下面英尚微電子介紹DDR SDRAM內(nèi)存發(fā)展歷程。 （1）DDR SDRAM DDR SDRAM雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器，它是
2020-07-16 15:44:101938 今年，小米10等智能手機(jī)都開始用上了LPDDR5內(nèi)存，此后，這樣規(guī)格的內(nèi)存應(yīng)該也會成為新一代旗艦手機(jī)的標(biāo)配。不過在PC端，DDR5內(nèi)存還是需要等待的，英特爾和AMD的下一代消費級處理器和主板產(chǎn)品
2020-07-30 15:27:122481 的數(shù)據(jù)傳輸量，這也是 DDR 的意義——Double Data Rate，雙倍數(shù)據(jù)速率。舉例來說，DDR266 標(biāo)準(zhǔn)的 DDR SDRAM 能提供 2.1GB/s 的內(nèi)存帶寬，而傳統(tǒng)的 PC133 SDRAM
2020-10-30 10:51:48721 的數(shù)據(jù)傳輸量，這也是 DDR 的意義——Double Data Rate，雙倍數(shù)據(jù)速率。舉例來說，DDR266 標(biāo)準(zhǔn)的 DDR SDRAM 能提供 2.1GB/s 的內(nèi)存帶寬，而傳統(tǒng)的 PC133 SDRAM 卻只能提供 1.06GB/s 的內(nèi)存帶寬。
2020-12-23 11:38:0011 DDR4內(nèi)存條的價格已經(jīng)很便宜了，2021年就會有DDR5內(nèi)存上市了，雖然初期主要面向數(shù)據(jù)中心市場，但是新一代平臺值得期待，DDR5內(nèi)存頻率相比現(xiàn)在可以翻倍。
2020-12-12 10:01:512518 我們知道，傳統(tǒng)的DDR DIMM內(nèi)存是易失性的，也就是必須維持通電才能保持數(shù)據(jù)，一旦斷電就都沒了。 Intel創(chuàng)造了Optane傲騰持久內(nèi)存，做到了非易失性，也兼容DDR DIMM，但僅用于數(shù)據(jù)
2021-02-19 10:04:021546 美光公司近日推出了全新的 Crucial 英睿達(dá) DDR5 內(nèi)存，比之前英睿達(dá) DDR4內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸速度提高了將近50%，提供更快的速率滿足多核處理器的需求。
2021-10-29 10:52:161784 DDR5在DDR4的基礎(chǔ)上做了許多改進(jìn)，首先是更高的數(shù)據(jù)速率，從DDR4最高的3200MT/s，到了DDR5最高的6400MT/s；其次是提高內(nèi)存穩(wěn)定性的片上ECC糾錯機(jī)制，以及降低功耗的1.1V電壓，而內(nèi)存模組硬件上最大的改變之一莫過于新加入的電源管理芯片（PMIC）。
2022-07-12 09:58:503918 注意，這里的DDR指的是Double Data Rate，雙倍數(shù)據(jù)速率。這篇文章并不是講DDR存儲器系列的東西。
2022-08-20 10:29:281748 
TPS51200A-Q1 器件是一款灌電流和拉電流雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 終端穩(wěn)壓器，專門針對低輸入電壓、低成本、低噪聲的空間受限型系統(tǒng)而設(shè)計。
2022-09-30 09:47:35665 迪賽康DDR4/DDR5 Interposr測試板專門為內(nèi)存顆粒測試設(shè)計，阻抗一致性優(yōu)異，極低延遲，最高速率支持6.4Gbps，可以用于78pin和96pin/102pin封裝的DDR4和DDR5顆粒測試。
2022-10-10 09:33:483592 瑞薩為雙倍數(shù)據(jù)速率 5 (DDR5) 應(yīng)用提供 SPD 集線器、電源管理 IC (PMIC)、溫度傳感器和控制 MCU。該解決方案允許自定義可尋址 RGB (ARGB) 照明，具有多達(dá)數(shù)百萬種顏色可供選擇，從而可以輕松地為 PC 添加個人風(fēng)格。
2022-12-09 14:55:591 一、DDR3簡介 ? ? ? ? DDR3全稱double-data-rate 3 synchronous dynamic RAM，即第三代雙倍速率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器。所謂同步，是指DDR3數(shù)據(jù)
2022-12-21 18:30:051915 DDR3 SDRAM使用
雙倍數(shù)據(jù)速率架構(gòu)來實現(xiàn)高速操作。
雙倍數(shù)據(jù)速率結(jié)構(gòu)是一種8n預(yù)取架構(gòu)，其接口經(jīng)過設(shè)計，可在I/O引腳上每個時鐘周期傳輸兩個
數(shù)據(jù)字。
DDR3 SDRAM的單個讀或?qū)懖僮饔行У匕?/div>
2023-02-06 10:12:003 DDR的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)有哪些 DDR簡介 （1）DDR=Double Data Rate雙倍速率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器。嚴(yán)格的說DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM，人們習(xí)慣稱為DDR，其中，SDRAM
2023-03-07 13:49:18830 雙倍數(shù)據(jù)速率（DDR）同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（SDRAM）最近越來越受歡迎。DDR 內(nèi)存需要跟蹤主內(nèi)存電壓 VDDQ 的主動端接 VTT。本應(yīng)用筆記提供開關(guān)穩(wěn)壓器方案，利用MAX1957脈寬調(diào)制（PWM）降壓控制器為VTT端接提供1/2跟蹤輸出。
2023-03-13 09:35:231342 
串行數(shù)據(jù)傳輸與并行數(shù)據(jù)傳輸相比具有重要優(yōu)勢，在許多系統(tǒng)中，這些優(yōu)勢足以證明添加串行化和反串行化的并行數(shù)據(jù)電路是合理的，以便它可以作為串行數(shù)據(jù)傳輸。然而，計算機(jī)內(nèi)存是一個應(yīng)用領(lǐng)域，其中并行數(shù)據(jù)傳輸仍然
2023-04-06 15:02:30611 
7系列設(shè)備在ILOGIC塊中具有專用寄存器，用于實現(xiàn)輸入雙倍數(shù)據(jù)速率（DDR）寄存器。此功能用于實例化IDDR基元。
2023-05-29 09:46:051437 
注意，這里的DDR指的是Double Data Rate，雙倍數(shù)據(jù)速率。這篇文章并不是講DDR存儲器系列的東西。
2023-06-16 10:22:06781 
DDR是DDR SDRAM的簡稱，只是人們習(xí)慣了稱之為DDR，全稱為Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory，中文名為：雙倍速率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器，同步是指需要時鐘。
2023-06-25 15:06:404908 
本設(shè)計筆記顯示了用于工作站和服務(wù)器的高速內(nèi)存系統(tǒng)的雙倍數(shù)據(jù)速率 （DDR） 同步 DRAM （SDRAM）。使用MAX1864 xDSL/電纜調(diào)制解調(diào)器電源，電路產(chǎn)生等于并跟蹤VREF的終止電壓（VTT）。
2023-06-26 10:34:36549 
DDR是Double Data Rate的縮寫，即“雙倍速率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器”。DDR是一種技術(shù)，中國大陸工程師習(xí)慣用DDR稱呼用了DDR技術(shù)的SDRAM，而在中國臺灣以及歐美，工程師習(xí)慣用DRAM來稱呼。
2023-07-16 15:27:103381 
DDR5的主板不支持使用DDR4內(nèi)存。DDR5（第五代雙倍數(shù)據(jù)率）和DDR4（第四代雙倍數(shù)據(jù)率）是兩種不同規(guī)格的內(nèi)存技術(shù)，它們在電氣特性和引腳布局上存在明顯差異。因此，DDR5內(nèi)存模塊無法插入DDR4主板插槽中，也不兼容DDR4內(nèi)存控制器。
2023-08-09 15:36:2512823 在全默認(rèn)設(shè)置的情況下，影馳HOF OC Lab幻跡S DDR5 8000內(nèi)存的工作速率為DDR5 4800，延遲設(shè)定為40-40-40-76，因此在這個設(shè)置下它的內(nèi)存性能并不突出，與普通的DDR5 4800內(nèi)存相當(dāng)。
2023-09-15 10:40:42752 
在人工智能（AI）、機(jī)器學(xué)習(xí)（ML）和數(shù)據(jù)挖掘的狂潮中，我們對數(shù)據(jù)處理的渴求呈現(xiàn)出前所未有的指數(shù)級增長。面對這種前景，內(nèi)存帶寬成了數(shù)字時代的關(guān)鍵“動脈”。其中，以雙倍數(shù)據(jù)傳輸速率和更高的帶寬而聞名
2023-10-19 11:00:01314 
前所未有的指數(shù)級增長。面對這種前景，內(nèi)存帶寬成了數(shù)字時代的關(guān)鍵“動脈”。其中，以雙倍數(shù)據(jù)傳輸速率和更高的帶寬而聞名的DDR（DoubleDataRate）技術(shù)作為動
2023-10-28 08:13:26624 
DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別？ 隨著計算機(jī)的日益發(fā)展，內(nèi)存也越來越重要。DDR3和DDR4是兩種用于計算機(jī)內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)。隨著DDR4內(nèi)存的逐漸普及，更多的人開始對兩者有了更多的關(guān)注。 DDR
2023-10-30 09:22:003905 DDR內(nèi)存條的設(shè)計
2022-12-30 09:20:0321 低功耗雙倍速率同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 (Low Power Double Data Rate SDRAM, LPDDR SDRAM)簡稱為 LPDDR，是DDR SDRAM 的一種，由于廣泛用于移動
2023-11-21 09:37:36257 
DDR是指雙倍數(shù)據(jù)速率的同步動態(tài)隨機(jī)訪問內(nèi)存（Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory），它是SDRAM家族的一員。DDR
2023-12-11 09:27:49320 DDR加終端匹配電阻和不加信號質(zhì)量的區(qū)別? DDR（雙倍數(shù)據(jù)傳輸速率）是一種常用于計算機(jī)內(nèi)存的高速數(shù)據(jù)傳輸技術(shù)。在DDR中，終端匹配電阻和信號質(zhì)量是對于數(shù)據(jù)傳輸穩(wěn)定性至關(guān)重要的兩個方面。下面將詳細(xì)
2023-12-29 13:54:22316 DDR6和DDR5內(nèi)存的區(qū)別有多大？怎么選擇更好？ DDR6和DDR5是兩種不同的內(nèi)存技術(shù)，它們各自在性能、功耗、帶寬等方面都有不同的特點。下面將詳細(xì)比較這兩種內(nèi)存技術(shù)，以幫助你選擇更適合
2024-01-12 16:43:052881 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《完整的DDR、DDR2和DDR3內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 10:16:450 DDR 代表雙倍數(shù)據(jù)速率double data rate，GDDR 代表圖形雙倍數(shù)據(jù)速率graphics double data rate。
2024-03-17 09:24:53240 
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