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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>pSLC閃存的原理、優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用

pSLC閃存的原理、優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用

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如何對(duì)閃存進(jìn)行讀/寫訪問?

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如何讀取和寫入外部NOR閃存?

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安全閃存鑄就高安全性智能卡

過程,其中包括對(duì)整個(gè)價(jià)值鏈的優(yōu)化,而這只能通過對(duì)總成本予以足夠重視來實(shí)現(xiàn)。將閃存用于智能卡IC的優(yōu)勢(shì)在面向支付、身份識(shí)別和交通應(yīng)用的大用量芯片卡市場(chǎng)上,要應(yīng)對(duì)強(qiáng)大的價(jià)格壓力,固定式掩模ROM(只讀存儲(chǔ)器
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收購(gòu)鉭電容(專業(yè)優(yōu)勢(shì)高價(jià))鉭電容回收

收購(gòu)鉭電容(專業(yè)優(yōu)勢(shì)高價(jià))鉭電容回收【帝歐電子 財(cái)富熱線 ***QQ:879821252 】 收購(gòu)鉭電容,收購(gòu)AVX鉭電容,收購(gòu)NEC鉭電容,收購(gòu)KEMET(基美)鉭電容,收購(gòu)VISHAY(威士
2021-01-06 17:07:48

替代SPI閃存有哪些?

嗨,我們想用Spartan 6汽車級(jí)FPGA(XA6SLX100-2FGG484Q-ND)設(shè)計(jì)一種新的PCB。請(qǐng)為設(shè)計(jì)指定SPI配置閃存,因?yàn)閄ilinx(間接編程簡(jiǎn)介 - SPI或BPI閃存)中列出的所有SPI閃存都是合法的。請(qǐng)建議替代SPI閃存。
2020-06-05 15:35:51

汽車應(yīng)用怎么選擇NOR閃存?

在過去幾年里,汽車應(yīng)用對(duì) NOR 閃存的需求不斷增加。NOR 閃存最初應(yīng)用在信息娛樂和引擎控制等方面。然而,隨著汽車電腦化進(jìn)程的步伐不斷加快,NOR 閃存在汽車領(lǐng)域中的應(yīng)用越來越廣泛。尤其是在高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) (ADAS)、數(shù)字儀表盤和信息娛樂等系統(tǒng)對(duì)NOR 閃存的市場(chǎng)需求迅猛增長(zhǎng)。
2019-08-09 06:31:34

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2021-01-04 17:10:16

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2021-09-22 19:28:08

請(qǐng)教EMMC PSLC

有一顆元件是EMMC,需要用PSLC模式燒錄,請(qǐng)問PSCL是什麼意思?到處都找不到這個(gè)資料,請(qǐng)各位大俠幫忙!
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閃存技術(shù)基礎(chǔ)-1-3 #存儲(chǔ)技術(shù)

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EE_Voky發(fā)布于 2022-06-28 17:32:08

閃存技術(shù)基礎(chǔ)-1-4 #存儲(chǔ)技術(shù)

閃存存儲(chǔ)技術(shù)閃存技術(shù)行業(yè)芯事經(jīng)驗(yàn)分享
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拆解閃存卡#硬核拆解

閃存存儲(chǔ)技術(shù)
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閃存計(jì)算機(jī)原理閃存技術(shù)cpu/soc
Mr_haohao發(fā)布于 2022-09-29 07:39:47

#硬聲創(chuàng)作季 閃存的工作原理是什么?

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三星NAND閃存芯片銷量開始全面超越東芝

3月7日消息,雖然東芝是NAND閃存芯片的發(fā)明者,但三星目前已經(jīng)是NAND芯片行業(yè)的領(lǐng)跑者,并且其優(yōu)勢(shì)在不斷擴(kuò)大。
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避免閃存門發(fā)酵 三星美國(guó)官網(wǎng)撤銷UFS 2.1閃存描述

近日閃存門可謂是愈演愈烈,而現(xiàn)在有網(wǎng)友發(fā)現(xiàn)三星在海外比如說美國(guó)地區(qū)悄悄地撤銷了手機(jī)閃存描述,也就是刪去了UFS 2.1閃存的描述。當(dāng)然之前三星之前就在閃存描述下面指出,“部分國(guó)家規(guī)格可能有差別”。而經(jīng)過網(wǎng)友的驗(yàn)證,部分美版的Galaxy S8/S8+手機(jī)使用的是東芝生產(chǎn)的UFS 2.0閃存。
2017-05-08 10:21:54551

閃存是什么意思?華為p10閃存門背后,三星成最大贏家彰顯優(yōu)勢(shì)!

三星作為手機(jī)行業(yè)的上游霸主,有著強(qiáng)大的科技創(chuàng)新實(shí)力以及完整的產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)勢(shì),再加上其身為國(guó)際大品牌的影響力促使其對(duì)名譽(yù)有著更加負(fù)責(zé)任的擔(dān)當(dāng)精神,這也使得三星手機(jī)對(duì)自身要求更加苛刻,對(duì)于三星在閃存上的優(yōu)勢(shì),源于其強(qiáng)大的市場(chǎng)基礎(chǔ)。
2017-05-11 10:03:0911107

華為P10閃存門最新消息:華為P10閃存門的忠告,一定要分清手機(jī)閃存和運(yùn)存的區(qū)別!

相信很多人對(duì)不久前發(fā)生的華為閃存門事件都記憶猶新,此次事件帶火了一款軟件,也帶火了一個(gè)名詞“閃存”。這款軟件叫“Androbench”,購(gòu)買華為P10的用戶分分下載Androbench測(cè)試閃存速度,導(dǎo)致華為商城無法下載該軟件。而這個(gè)名次“閃存”,相信很多人都會(huì)比較疑惑,閃存是運(yùn)存嗎?
2017-05-12 11:19:122623

華為P10閃存門最新消息:華為P10閃存門影響深遠(yuǎn),華為榮耀9閃存怎么樣?榮耀9閃存測(cè)試

華為榮耀9這幾天才上市,胡歌是這款手機(jī)的代言人,讓人好不喜歡,可是華為p10就爆出閃存門事件,那么華為榮耀9存在閃存門嗎?閃存門怎么測(cè)試?一起來看看。
2017-06-13 16:55:165848

QLC閃存跟TLC閃存有什么區(qū)別?QLC能否取代TLC成為SSD閃存首選?

目前,東芝和西數(shù)先后宣布成功開發(fā)基于四比特單元3D NAND閃存芯片,即QLC閃存,這也意味著QLC SSD將要來臨。那么,它與TLC閃存又有什么區(qū)別,能否取代TLC成為SSD主流閃存之選?
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什么是UFS2.0閃存?大數(shù)據(jù)存儲(chǔ)優(yōu)勢(shì)凸顯

UFS 2.0閃存的亮點(diǎn)正是讀取速快,相對(duì)主流動(dòng)的eMMC 5.0閃存讀取速更快,據(jù)悉UFS 2.0閃存一秒即可寫入20首以上的歌曲,它能行更快的完成讀取操控,從而更早的回到待機(jī)狀態(tài)。
2018-02-20 10:13:002688

閃存儲(chǔ)器控制器選擇技巧

現(xiàn)代快閃存儲(chǔ)器控制器中的磨損平衡技術(shù)已經(jīng)有顯著進(jìn)步,能夠克服快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存介質(zhì)固有的弱點(diǎn),并幫助發(fā)揮出快閃存儲(chǔ)器的優(yōu)勢(shì)。對(duì)于現(xiàn)代快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存器系統(tǒng)而言,控制器的選擇比快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存器本身更加重要,借由選擇合適的快閃存儲(chǔ)器控制器進(jìn)行應(yīng)用,可以提升系統(tǒng)的耐用性和可靠性。
2018-03-07 09:45:021255

手機(jī)、pc該怎樣正確選擇快閃存儲(chǔ)器

代快閃存儲(chǔ)器控制器中的磨損平衡技術(shù)已經(jīng)有顯著進(jìn)步,能夠克服快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存介質(zhì)固有的弱點(diǎn),并幫助發(fā)揮出快閃存儲(chǔ)器的優(yōu)勢(shì)。對(duì)于現(xiàn)代快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存器系統(tǒng)而言,控制器的選擇比快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存器本身更加重要,借由選擇合適的快閃存儲(chǔ)器控制器進(jìn)行應(yīng)用,可以提升系統(tǒng)的耐用性和可靠性。
2018-03-12 09:14:001396

閃存陣列如何處理“寫斷崖”和“垃圾回收”

隨著成本降低和技術(shù)進(jìn)步,閃存越來越多的被企業(yè)級(jí)數(shù)據(jù)中心作為存儲(chǔ)介質(zhì)使用。相比傳統(tǒng)的磁盤介質(zhì),閃存優(yōu)勢(shì)顯而易見:速度快,耗電低,省空間。特別在速度方面,閃存具有壓倒性的優(yōu)勢(shì)。
2018-05-09 13:46:001928

什么是3D NAND閃存?有什么優(yōu)勢(shì)?

的堆棧厚度為2.5μm,層厚度大約70nm,48層的閃存堆棧厚度為3.5μm,層厚度減少到62nm,現(xiàn)在的64/72層閃存堆棧厚度大約4.5μm,每層厚度減少到60nm,而到了140+層,堆疊厚度將增至
2018-05-28 16:25:4847895

業(yè)界最快串行閃存:Spansion? FL-S NOR閃存系列

RobertFrance先生介紹Spansion公司推出業(yè)界最快串行閃存產(chǎn)品——65nm Spansion? FL-S NOR閃存系列。
2018-06-25 17:00:003627

2018全閃存市場(chǎng)發(fā)生了哪些變化?

Vantara、Kaminario七家廠商所把持。除Pure Storage和Kaminario以外,其他五大廠商均長(zhǎng)期占據(jù)傳統(tǒng)存儲(chǔ)市場(chǎng)的第一陣營(yíng),而今天它們將傳統(tǒng)存儲(chǔ)的優(yōu)勢(shì)延續(xù)到了新興的全閃存市場(chǎng)。
2018-07-26 17:02:014615

SSD價(jià)格不斷走低導(dǎo)致了性價(jià)比更有優(yōu)勢(shì)的TLC閃存需求高漲

到2016年3月份為止,全球四大NAND豪門都推出了3D NAND閃存及TLC閃存,SSD硬盤的好處就不用多說了,現(xiàn)在不僅容量在提升,價(jià)格也不斷走低,這導(dǎo)致了性價(jià)比更有優(yōu)勢(shì)的TLC閃存需求高漲
2018-09-19 16:45:001570

閃存迎來高速發(fā)展的時(shí)期,閃存助力行業(yè)客戶發(fā)展

傳統(tǒng)上,磁盤存儲(chǔ)相較于閃存的關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)在于容量?jī)r(jià)格。對(duì)于容量為幾GB的小型USB閃存盤,閃存的價(jià)格能夠讓人接受。但是當(dāng)涉及到企業(yè)計(jì)算環(huán)境時(shí),將整個(gè)組織的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在閃存中,高昂的價(jià)格讓人望而生畏。
2019-03-15 14:22:292491

華為Dorado V6閃存普惠有什么優(yōu)勢(shì)

華為存儲(chǔ)從2002年開始投入,已經(jīng)走過17個(gè)年頭。到今天,全球已經(jīng)超過1萬客戶選擇了華為存儲(chǔ),在金融、運(yùn)營(yíng)商、能源、大企業(yè)各行各業(yè)的核心系統(tǒng)上都有OceanStor Dorado的身影。在整個(gè)存儲(chǔ)以及全閃存的市場(chǎng)上,華為在國(guó)內(nèi)保持了市場(chǎng)份額的第一名,同時(shí)在全球保持了增長(zhǎng)率的第一。
2019-07-27 11:01:501261

三星PRO Endurance 128G閃存卡的優(yōu)勢(shì)之處

PRO Endurance 128G作為三星存儲(chǔ)在閃存卡領(lǐng)域的旗艦產(chǎn)品,在外觀方面與自家其它閃存卡系列保持了較高的統(tǒng)一度,家族化的設(shè)計(jì)讓人很好辨認(rèn),為了與EVO Plus系列進(jìn)行區(qū)分,此款PRO Endurance 128G在配色方面采用了黑色相間的撞色搭配,這也仿佛在訴說這它那低調(diào)持久的性能表現(xiàn)。
2019-09-29 10:16:452199

UFS 3.0高速閃存它的市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)是什么

在手機(jī)選擇上,或許很多人只看重處理器和運(yùn)行內(nèi)存,這是沒錯(cuò)的,強(qiáng)悍硬件是手機(jī)擁有好體驗(yàn)的基礎(chǔ)。不過,對(duì)于當(dāng)下5G手機(jī)而言,不僅要看處理器,產(chǎn)品配備UFS閃存的規(guī)格也是非常關(guān)鍵的,其直接影響到手機(jī)是否擁有流暢體驗(yàn)。
2019-11-04 11:19:572063

閃存vs.SSD硬盤兩者有什么差異

同樣值得注意的是閃存有幾種不同的類型。最常見的兩種是NOR閃存和NAND閃存
2019-12-05 11:54:343576

西數(shù)認(rèn)為QLC閃存在1XX層才有優(yōu)勢(shì)

如同HDD硬盤中的SMR技術(shù)一樣,QLC閃存現(xiàn)在也有人人喊打的趨勢(shì),究其原因就在于QLC閃存性能、可靠性比TLC閃存更差,但是現(xiàn)在的價(jià)格還沒有達(dá)到預(yù)期。
2019-12-10 10:56:012332

鎧俠半導(dǎo)體估計(jì)NAND快閃存儲(chǔ)器位錯(cuò)誤率的專利

NAND Flash是目前閃存中最主要的產(chǎn)品,具備非易失,高密度,低成本的優(yōu)勢(shì),其陣列內(nèi)部包含由晶體管構(gòu)成的行列單元。
2020-02-24 17:57:302242

中國(guó)128層QLC閃存后 三星正研發(fā)160層閃存

對(duì)3D閃存來說,堆棧層數(shù)越多,容量就越大,存儲(chǔ)密度就越高,這是3D閃存的核心競(jìng)爭(zhēng)力,2020年全球?qū)⒋笠?guī)模量產(chǎn)100+層的3D閃存。
2020-04-20 09:25:073456

什么是pSLC Nand Flash

NAND閃存結(jié)構(gòu)NAND Flash的內(nèi)部組織是由塊和頁(yè)構(gòu)成。每個(gè)塊包含多個(gè)頁(yè)
2020-07-22 11:56:265264

解析NAND閃存和NOR閃存

無論消費(fèi)者還是企業(yè)機(jī)構(gòu),大多數(shù)人在談到閃存時(shí),首先想到的就是NAND閃存。從一定的現(xiàn)實(shí)意義上來講,NAND閃存可以說已經(jīng)成為固態(tài)硬盤的代名詞?;趬K尋址結(jié)構(gòu)和高密度,使其成為磁盤的完美替代品。
2020-07-30 11:09:0314751

NAND閃存芯片有哪些類型

我們都知道,構(gòu)成SSD的主要IC有主控芯片和NAND閃存,目前閃存制造廠主要分為三星與東芝聯(lián)合的ToggleDDR陣營(yíng)和英特爾與美光為首的ONFI陣營(yíng),今天小編就來你了解閃存產(chǎn)品的核心—NAND閃存芯片的分類。
2020-09-18 14:34:527052

QLC閃存、TLC閃存是什么?QLC閃存、TLC閃存有何區(qū)別?

閃存是最常用器件之一,在諸如SSD等存儲(chǔ)設(shè)備中均存在閃存。但是,大家對(duì)閃存真的足夠了解嗎?為增進(jìn)大家對(duì)閃存的了解和認(rèn)識(shí),本文將對(duì)QLC閃存以及TLC閃存相關(guān)內(nèi)容予以介紹。如果你對(duì)閃存具有興趣,不妨
2020-11-06 17:38:5882922

國(guó)內(nèi)閃存再度發(fā)力,明年閃存仍暴跌

兩大存儲(chǔ)芯片中,內(nèi)存未來的價(jià)格走勢(shì)風(fēng)云變幻,而閃存的價(jià)格就好多了——盡管幾大閃存原廠也在削減產(chǎn)能,但是閃存明年Q1季度價(jià)格還會(huì)繼續(xù)跌,跌幅在10-15%不等,SSD硬盤不怕漲價(jià)了。
2020-12-14 15:26:391452

2021 QLC閃存會(huì)更普及:性能、可靠性追上TLC閃存,全面邁進(jìn)100+層

100+層。 這么多年了,大家都知道了SLC、MLC、TLC及QLC閃存類型的區(qū)別,QLC閃存量產(chǎn)上市才2年左右,但是發(fā)展很快,因?yàn)樗娜萘?、成?b class="flag-6" style="color: red">優(yōu)勢(shì)最大,消費(fèi)者不爽的主要是性能差,尤其是緩存外性能不如HDD硬盤,還有就是可靠性差,擔(dān)心會(huì)掛。 前不久Intel發(fā)布了144層堆棧
2020-12-25 10:50:251920

NAND閃存營(yíng)收達(dá)398.01億元,創(chuàng)下歷史新高

由于成本上的優(yōu)勢(shì),目前市場(chǎng)上的NAND閃存主流已經(jīng)變成了TLC、QLC,MLC都很罕見了,SLC閃存更是鳳毛麟角,消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)上幾乎消失了。
2021-01-08 09:19:002400

19nm SLC閃存還沒迎來落幕

由于成本上的優(yōu)勢(shì),目前市場(chǎng)上的NAND閃存主流已經(jīng)變成了TLC、QLC,MLC都很罕見了,SLC閃存更是鳳毛麟角,消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)上幾乎消失了。
2021-01-08 10:05:081872

串行SPI NOR閃存與并行NOR閃存之間的對(duì)比

NOR閃存由于其可靠的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)而已在嵌入式設(shè)備中廣泛使用了很長(zhǎng)時(shí)間。對(duì)于某些低功耗應(yīng)用,串行SPI NOR閃存變得比并行NOR閃存設(shè)備更受歡迎。與串行SPI NOR閃存相比,并行NOR閃存具有并行性
2021-03-03 16:36:441619

一文知道NAND閃存的類型

由于閃存的成本取決于其裸片面積,如果可以在同樣的面積上存儲(chǔ)更多數(shù)據(jù),閃存將更具成本效益。
2021-03-03 17:42:495260

Dell EMC正在建立比NetApp更大的全閃存陣列收入領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)

根據(jù)Gartner的數(shù)據(jù)顯示,Dell EMC正在建立比NetApp更大的全閃存陣列(AFA)收入領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。NetApp在這個(gè)市場(chǎng)上仍然排名第二,但是華為和Pure Storage正在快速追趕
2021-04-01 15:43:242563

STM32閃存編程手冊(cè)

STM32閃存編程手冊(cè)(嵌入式開發(fā)和編程)-STM32閃存編程手冊(cè)?STM32開發(fā)必備技術(shù)文檔之一
2021-08-04 12:44:2345

逐步邁向工業(yè)存儲(chǔ)解決方案

  三級(jí)單元(TLC)、多級(jí)單元(MLC)、單層單元(SLC)、偽單層單元(pSLC)——有許多閃存技術(shù)。開發(fā)人員需要了解存儲(chǔ)的基本機(jī)制和存儲(chǔ)級(jí)別的效果,以了解哪些閃存產(chǎn)品最適合特定應(yīng)用。只有這樣,他們才知道該問供應(yīng)商什么問題。
2022-10-24 11:43:25414

NAND閃存控制器有什么優(yōu)勢(shì)

圍繞基于NAND閃存的存儲(chǔ)系統(tǒng)的對(duì)話已經(jīng)變得混亂。通常,當(dāng)人們討論存儲(chǔ)時(shí),他們只談?wù)揘AND閃存,而忽略了單獨(dú)的,但同樣重要的組件,即控制器。但是為什么需要控制器呢?簡(jiǎn)單地說,沒有它,一切都不起作用。
2022-10-25 09:29:32863

可擦寫次數(shù)10萬+!佰維自研pSLC技術(shù)打造超強(qiáng)耐久SSD

中,SLC顆粒性能最好、可擦寫次數(shù)最高,但其容量成本比往往令人望而卻步。 企業(yè)該如何以更經(jīng)濟(jì)的成本獲得媲美SLC顆粒長(zhǎng)壽命、高效能的存儲(chǔ)方案呢? 為解決這一痛點(diǎn),佰維自研的 pSLC(Pseudo SLC) 固件技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生,搭配先進(jìn) LDPC糾錯(cuò) 技術(shù),打造佰維超強(qiáng)耐久SSD。
2023-03-20 09:57:12825

NAND閃存 – 多芯片系統(tǒng)驗(yàn)證的關(guān)鍵元件

NAND閃存上的位密度隨著時(shí)間的推移而變化。早期的NAND設(shè)備是單層單元(SLC)閃存。這表明每個(gè)閃存單元存儲(chǔ)一個(gè)位。使用多層單元(MLC),閃存可以為每個(gè)單元存儲(chǔ)兩個(gè)或更多位,因此位密度會(huì)增加
2023-05-25 15:36:031197

MK工業(yè)級(jí)pSLC eMMC,最優(yōu)性能與超長(zhǎng)壽命兼得

近日,MK米客方德推出工業(yè)級(jí)pSLCeMMC,創(chuàng)新的pSLC應(yīng)用,使得產(chǎn)品的擦寫壽命大幅提升,能夠滿足工業(yè)客戶對(duì)可靠性的嚴(yán)苛要求。圖一:4GBeMMC產(chǎn)品pSLC是一種介于SLC和MLC之間的技術(shù)
2022-05-13 15:46:201131

pSLC 閃存介紹:高性能和耐久性的閃存解決方案

在當(dāng)今科技時(shí)代,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求急劇增長(zhǎng),NAND閃存技術(shù)作為一種關(guān)鍵的非易失性存儲(chǔ)解決方案持續(xù)發(fā)展。近年來,虛擬SLC(pSLC閃存技術(shù)的引入,為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域帶來了新的創(chuàng)新。本文將探討pSLC閃存
2023-08-02 08:15:35793

光纖通道與iSCSI相比在支持企業(yè)工作負(fù)載的全閃存存儲(chǔ)陣列方面性能優(yōu)勢(shì)

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《光纖通道與iSCSI相比在支持企業(yè)工作負(fù)載的全閃存存儲(chǔ)陣列方面性能優(yōu)勢(shì).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-08-28 16:44:060

實(shí)現(xiàn)閃存存儲(chǔ)優(yōu)勢(shì)的網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《實(shí)現(xiàn)閃存存儲(chǔ)優(yōu)勢(shì)的網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)注意事項(xiàng).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-08-28 11:02:270

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