三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存

　　三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存

　　存儲領(lǐng)域的競爭愈加激烈，三星電子計(jì)劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存，三星第9代V-NAND閃存超過 300 層；采用雙層堆棧架構(gòu)。

　　而SK海力士則計(jì)劃在2025 年上半年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)的321層NAND 閃存。

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閃存(114157) 閃存(114157)
NAND閃存(22537) NAND閃存(22537)
SK海力士(37901) SK海力士(37901)
V-NAND(10107) V-NAND(10107)
三星(30131) 三星(30131)

DRAM，NAND閃存價格分別下降11%，21% SK海力士預(yù)計(jì)今年設(shè)備投資削減40%

減少資本支出。該公司計(jì)劃在服務(wù)器、NAND閃存及DRAM需求和價格下降的情況下靈活應(yīng)對市場狀況。 DRAM價格下降11%，NAND價格下降21% 隨著2018下半年內(nèi)存需求放緩，供應(yīng)短缺得到解決，內(nèi)存市場環(huán)境迅速變化。因此，SK海力士第四季度合并收入環(huán)比下降13％至9.94萬

2019-01-27 00:35:00

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全球NAND閃存市場受日韓貿(mào)易戰(zhàn)影響漲價15%

目前韓國日本之間的糾紛還沒擺平，但是考慮到韓國三星、SK海力士兩家公司占了全球70%以上的內(nèi)存、50%以上的閃存生產(chǎn)，日本制裁對韓國的存儲芯片產(chǎn)業(yè)影響會很大，如果雙方不解決供應(yīng)限制的話。威剛方面看好NAND閃存漲價，預(yù)計(jì)NAND閃存芯片將漲價10%到15%，而SSD硬盤也會有差不多的漲幅。

2019-07-09 09:28:02

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SK海力士開始采樣128層3D NAND SSD

SK海力士本周宣布，他們已經(jīng)開始基于其128層3D NAND閃存采樣產(chǎn)品，該產(chǎn)品不久將開始出現(xiàn)在最終用戶設(shè)備中。一年前，他們推出了96層第5代3D NAND，但低價促使他們削減了產(chǎn)量，而第4代72L

2019-11-25 17:21:55

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48層堆疊V-NAND存儲器，將提升三星成本競爭契機(jī)

三星目前已完成32層堆疊第二代V-NAND的研發(fā)作業(yè)，計(jì)劃第3季推出48層堆疊第三代V-NAND產(chǎn)品后，于2016年生產(chǎn)64層堆疊的V-NAND產(chǎn)品。

2015-08-11 08:32:00

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三星48層3D V-NAND閃存技術(shù)揭秘

三星已經(jīng)連續(xù)推出兩代立體堆疊3D閃存，分別有24層、32層，并已用于850 EVO、850 Pro等多款固態(tài)硬盤產(chǎn)品，2015年8月正式量產(chǎn)首款可應(yīng)用于固態(tài)硬盤（SSD）中的48層3bit MLC

2016-07-13 10:32:43

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SK Hynix月底量產(chǎn)48層堆棧3D NAND閃存三星后第二家

目前NAND閃存需求依然居高不下，廠商也有動力擴(kuò)大產(chǎn)能了，SK Hynix公司日前宣布本月底將量產(chǎn)48層堆棧的3D NAND閃存，這是三星之后第二家量產(chǎn)48層堆棧3D閃存的公司。

2016-11-09 11:35:16

833

海力士發(fā)布72層256G 3D閃存芯片

蘋果供應(yīng)商海力士（SK Hynix）今天發(fā)布了72層，256Gb 3D NAND 閃存芯片。這種芯片比 48層技術(shù)多1.5倍，單個 256Gb NAND 閃存芯片可以提供 32GB 閃存，這種芯片比 48 層 3D NAND 芯片的內(nèi)部運(yùn)行速度快兩倍，讀寫性能快 20%。

2017-04-11 07:49:04

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PK三星閃存紫光2019年將量產(chǎn)64層3D NAND閃存

國產(chǎn)手機(jī)勢頭越來越強(qiáng)勁，把三星和蘋果的市場份額搶占不少，但繁榮背后是對核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國廠商壟斷了。近日，高啟全接受媒體采訪時表示，長江存儲將在2019年開始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存，這個消息無疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。

2017-05-09 15:10:04

2255

三星量產(chǎn)全球最快3D NAND閃存 64層速率高達(dá)1Gbps

電子發(fā)燒友早八點(diǎn)訊：三星今天在韓國宣布，開始大規(guī)模量產(chǎn)64層堆疊、256Gb（32GB）、3bit的V-NAND閃存芯片，是為第四代3D閃存。

2017-06-16 06:00:00

2000

海力士發(fā)布全球首款基于128層NAND閃存的消費(fèi)級SSD

SK海力士發(fā)布了全球首款基于128層NAND閃存的消費(fèi)級SSD——SK海力士Gold P31，提供500GB和1TB兩種存儲容量，產(chǎn)品已上架亞馬遜。

2020-08-19 13:59:42

3108

SK海力士收購英特爾NAND閃存業(yè)務(wù) 市場份額將直逼三星

英特爾同意以大約90億美元將其Nand存儲業(yè)務(wù)出售給韓國的SK海力士，以專注于其主要業(yè)務(wù)。

2020-10-20 10:16:42

2499

SK海力士收購英特爾NAND閃存和SSD業(yè)務(wù)獲歐洲聯(lián)盟委員會批準(zhǔn)

SK海力士就擬收購英特爾NAND閃存和SSD業(yè)務(wù)的交易獲得了歐洲聯(lián)盟委員會（European Commission）的無條件批準(zhǔn)。這是繼去年美國聯(lián)邦貿(mào)易委員會（U.S Federal Trade

2021-05-23 15:41:13

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SK海力士收購英特爾NAND閃存業(yè)務(wù) 先后獲美國、歐盟、韓國相關(guān)監(jiān)管機(jī)構(gòu)批準(zhǔn)

5月30日消息，據(jù)國外媒體報道，在獲得美國和歐盟的批準(zhǔn)之后，SK海力士90億美元收購英特爾NAND閃存業(yè)務(wù)的交易，也已獲得了韓國監(jiān)管機(jī)構(gòu)的批準(zhǔn)。 ? 從韓國媒體的報道來看，韓國公平貿(mào)易委員會較快批準(zhǔn)

2021-05-31 10:00:07

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NAND需求疲軟東芝挫敗成就美光

MAX3232EUE+T的比例從62%上升到了80%?！　∪毡緰|芝第二季度NAND閃存產(chǎn)品銷售額環(huán)比下降9.5個百分點(diǎn)。相比之下，美光科技公司NAND閃存芯片的銷售在整個供貨商中獲得了強(qiáng)勁增長。同樣，美光與三星都因東芝

2012-09-24 17:03:43

SK Hynix & Spansion & JSC NAND FLASH參數(shù)對比

大家好！小金子為各位介紹一款JSC品牌1Gbit NAND FLASH。這款JSHU271G08SCN-25型號的規(guī)格書與SK海力士和Spansion進(jìn)行了對比，驚訝的發(fā)現(xiàn)竟然完全一樣。唯一

2018-01-10 09:55:21

三星、西部數(shù)據(jù)、英特爾、美光、長江存儲探討3D NAND技術(shù)

三星大中華區(qū)首席技術(shù)官裵容徹先生表示，三星不斷進(jìn)行技術(shù)創(chuàng)新，新一代的QLC產(chǎn)品成本可以降低60%，同時還推出了容量高達(dá)1Tb的V-NAND技術(shù)，速度將會達(dá)到1200Mbps。在市場應(yīng)用方面，三星推出

2018-09-20 17:57:05

三星位于西安的半導(dǎo)體工廠正式投產(chǎn)

韓國三星電子日前宣布，位于中國陜西省西安市的半導(dǎo)體新工廠已正式投產(chǎn)。該工廠采用最尖端的3D技術(shù)，生產(chǎn)用于服務(wù)器等的NAND閃存（V-NAND）。三星電子希望在IT（信息技術(shù)）設(shè)備生產(chǎn)基地聚集的中國

2014-05-14 15:27:09

三星布陣Asian Edge 第一島鏈再成科技最前線

的商機(jī)仍然暢旺，在供給端僅有三星、SK海力士、美光，加上新技術(shù)量產(chǎn)困難，在這些現(xiàn)實(shí)下，2019年對存儲器廠商而言仍會是個豐收的年度。如果要考慮供過于求的變量，可能是第二代10nm等級的DRAM技術(shù)

2018-12-25 14:31:36

DRAM技術(shù)或迎大轉(zhuǎn)彎，三星、海力士擱置擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目

步伐。據(jù)韓媒Kinews等報導(dǎo)，三星2018年下半原計(jì)劃對DRAM及NAND Flash進(jìn)行新投資，傳出將延至2019年，取而代之的是對現(xiàn)有產(chǎn)線進(jìn)行補(bǔ)強(qiáng)投資，期望獲利維持一定水平。同時，另一家半導(dǎo)體大廠

2018-10-12 14:46:09

MT29F4G08ABADAWP-AITX:D閃存MT29F4G08ABAEAWP-IT:E

世代。而隨著美光推出25奈米制程，三星和海力士也分別拿出27奈米和26奈米技術(shù)應(yīng)戰(zhàn)，未來NAND Flash大廠技術(shù)之戰(zhàn)，在20奈米世代將更加激烈。。根據(jù)美光的技術(shù)藍(lán)圖規(guī)畫，在25奈米制程技術(shù)以下，美

2022-01-22 08:05:39

THGBMFT0C8LBAIG閃存芯片THGBMHT0C8LBAIG

海力士也將在2021年中推出基于176層4D NAND新技術(shù)的UFS和SSD產(chǎn)品。而三星雖然還未宣布下一代產(chǎn)品具體層數(shù)，但是近期也在公開會議中表示，將在2021年量產(chǎn)第七代V-NAND，使用“雙堆棧

2022-01-26 08:35:58

于SD卡測試結(jié)構(gòu)的EMMC測試座，nand flashEMMC測試治具說明書

常見的MLC架構(gòu)閃存每Cell可存放2bit，容量是同等SLC架構(gòu)芯片的2倍，目前三星、東芝、海力士(Hynix)、IMFT(英特爾與美光合資公司)、瑞薩(Renesas)都是此技術(shù)的使用者，其發(fā)展速度遠(yuǎn)快于SLC架構(gòu)。`

2013-05-27 22:01:53

供應(yīng) 三星海力士存儲芯片

原裝海力士三星存儲芯片，香港出貨，原包原盒。K4B2G1646F-BCNBK4B2G1646F-BYMAK4B4G1646E-BCMA

2020-02-13 14:35:59

分析：三星芯片業(yè)務(wù)助推Q3利潤創(chuàng)新高

對DRAM芯片的強(qiáng)勁需求將繼續(xù)超過供應(yīng)，因三星和第二大記憶體芯片廠商SK海力士的新廠料在2019年前不會投產(chǎn)；此外，截至9月NAND閃存的需求則連續(xù)第六季超過供應(yīng)。供蘋果新手機(jī)使用的有機(jī)發(fā)光二極體（OLED）面板的銷售增長，也支撐了第四季獲利創(chuàng)紀(jì)錄新高的預(yù)期。

2017-10-13 16:56:04

國內(nèi)NAND Flash產(chǎn)業(yè)崛起撬動全球市場，但需求不足跌價成必然精選資料分享

的3D閃存了，三星公司7月初宣布了第五代V－NAND閃存（3DNAND閃存中的一種），率先支持ToggleDDR4．0接口，傳輸速度達(dá)到了1．4Gbps，相比64層堆棧的V－NAND閃存提升了40

2021-07-13 06:38:27

新冠病毒對世界半導(dǎo)體影響

研究中心（DRAMeXchange）調(diào)查顯示，從2019年第四季度全球NAND品牌廠商營收來看，三星排名第一，市場份額達(dá)到35.5%；SK海力士排名第六，市場份額為9.6%。2019年第四季度全球

2020-02-27 10:45:14

新技術(shù)世代即將來臨，存儲器依然炙手可熱

2018年上半進(jìn)入96層的技術(shù)規(guī)格，2018年中將3D的比重提高到85%以上。為了讓每單位的記憶容量提高，美日韓存儲器大廠都卯盡全力，在96層的堆棧技術(shù)上尋求突破。三星指出，第五代的96層V NAND量產(chǎn)

2018-12-24 14:28:00

芯片的3D化歷程

代V-NAND技術(shù)。據(jù)三星官方消息顯示，新款 V-NAND 運(yùn)用三星電子有的“通道孔蝕刻”技術(shù)，向前代 9x 層單堆疊架構(gòu)增加了約 40% 單元。這是通過構(gòu)建由 136 層組成的導(dǎo)電模具堆棧，然后垂直

2020-03-19 14:04:57

高價回收海力士內(nèi)存

高價回收海力士內(nèi)存深圳高價收購海力士內(nèi)存，回收8G內(nèi)存芯片帝歐趙生***QQ1816233102/879821252郵箱[email protected]。專業(yè)回收現(xiàn)代字庫，回收海力士 三星字庫

2020-11-20 16:59:46

高價回收海力士內(nèi)存，長期收購海力士內(nèi)存

，鎂光，南亞，爾必達(dá)，華邦，三星samsung，海力士SK hynix，現(xiàn)代hyniy，飛索 Spansion芯片，展訊SPREADTRUM，愛特梅爾ATMEL，英特爾intel等系列芯片...長期專業(yè)回收手機(jī)指紋、指紋芯片、定制指紋模組！

2021-08-02 17:44:42

SK海力士開發(fā)出238層NAND閃存芯片

閃存NAND海力士NAND閃存SK海力士行業(yè)芯事時事熱點(diǎn)行業(yè)資訊

電子發(fā)燒友網(wǎng)官方發(fā)布于 2022-08-03 11:11:04

三星與蘋果合資生產(chǎn)NAND閃存芯片談判胎死腹中

　　韓國三星電子公司周一說，它和蘋果電腦公司就合資生產(chǎn)NAND閃存芯片的談判已告失敗。NAND閃存芯片是蘋果最新便攜音樂播放

2006-03-13 13:05:36

389

鎂光年中量產(chǎn)25nm NAND閃存

鎂光年中量產(chǎn)25nm NAND閃存鎂光公司NAND閃存市場開發(fā)部門的經(jīng)理Kevin Kilbuck近日透露鎂光計(jì)劃明年將其NAND閃存芯片制程轉(zhuǎn)向25nm以下級別，他表示鎂光今年年中將開始批

2010-03-04 11:02:51

1088

NOR閃存/NAND閃存是什么意思

NOR閃存/NAND閃存是什么意思 NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現(xiàn)在： 1) 閃存芯片讀寫的基本單位不同

2010-03-24 16:34:35

8226

從NOR到NAND閃存，從Intel到英偉達(dá)，閃存的發(fā)展史由誰來續(xù)寫？

閃存NAND

電子學(xué)習(xí)發(fā)布于 2023-02-08 11:35:47

傳SK海力士72層3D NAND存儲器明年量產(chǎn)

SK 海力士最先進(jìn)72 層3D NAND 記憶體傳明年開始量產(chǎn)，韓聯(lián)社26 日引述知情人事消息報導(dǎo)指出，海力士計(jì)劃于2017 上半年完成芯片設(shè)計(jì)，位在利川（Icheon）的M14 廠將可在下半年開始生產(chǎn)。

2016-12-27 14:15:11

1032

韓企 3D NAND 閃存今年第三季有望占據(jù)全球過半份額

市場調(diào)查機(jī)構(gòu)DRAMeXchange周五發(fā)布的調(diào)查結(jié)果顯示，到今年三季度，三星電子、SK海力士等韓企的3D NAND閃存半導(dǎo)體在全球整體NAND閃存市場所占份額有望超過50%。

2017-05-06 01:03:11

633

NAND閃存售價下降,需求量猛增,SK海力士Q3創(chuàng)新高銷售額達(dá)到477億元

SK海力士預(yù)計(jì)第四季度D-RAM和NAND閃存需求不斷增長。公司計(jì)劃第四季度批量生產(chǎn)10納米級D-RAM和72層NAND閃存，明年業(yè)績?nèi)詫⑾蚝谩?/div>

2017-10-27 09:15:15

595

東芝計(jì)劃建第7座閃存工廠(Fab7),與三星、Intel一決高下

據(jù)悉，東芝的第 6 座工廠（Fab 6）還沒有完工，東芝就宣布將在日本興建第7座NAND Flash工廠，韋德就是能在2018年與三星，Intel、及 SK 海力士進(jìn)行實(shí)力競爭。94 層 V-NAND 閃存生產(chǎn)將會是東芝的下一個計(jì)劃。

2017-12-27 14:06:09

1773

空氣產(chǎn)品公司與三星達(dá)成合作為西安3D V-NAND芯片廠供應(yīng)工業(yè)氣體

西安3D V-NAND芯片廠是三星最大的海外投資項(xiàng)目之一，也是是三星第二座3D V-NAND芯片廠。今日報道，工業(yè)氣體供應(yīng)商空氣產(chǎn)品公司將助力三星生產(chǎn)的3D V-NAND閃存芯片，宣布將為3D V-NAND芯片廠供氣。

2018-02-03 11:07:27

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三星已開始生產(chǎn)第五代V-NAND閃存芯片

據(jù)外媒7月10日報道，頂級NAND閃存芯片制造商三星宣布已開始大規(guī)模生產(chǎn)其第五代V-NAND閃存芯片。

2018-07-13 14:22:05

3682

哪些芯片廠商全面看好NAND閃存，正大刀闊斧地加碼3D NAND閃存產(chǎn)能？

美光、三星釋放信號僅是個開端，SK海力士、Intel、東芝、西數(shù)/閃迪等都表態(tài)在幾年內(nèi)將持續(xù)擴(kuò)充閃存產(chǎn)能，為跨入96層、甚至更高層數(shù)而加大投入力度。可見，3D NAND閃存已經(jīng)成為國際存儲器廠商間的“主戰(zhàn)場”。

2018-07-17 10:34:08

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三星已經(jīng)開始批量生產(chǎn)第五代V-NAND 3D堆疊閃存

三星第五代V-NAND 3D堆疊閃存業(yè)界首次采用Toggle DDR 4.0接口，傳輸速率提升至1.4Gbps，與前代64層堆棧的V-NAND閃存相比提升了40%。數(shù)據(jù)寫入延遲僅為500微秒，比上代提升30％，而讀取信號響應(yīng)時間也大幅縮短到50微秒。

2018-07-17 11:52:17

2678

三星開始量產(chǎn)第五代V-NAND閃存，了解其性價比

面對2018年各大閃存顆粒廠商已經(jīng)大規(guī)模量產(chǎn)64層堆棧3D NAND的情況，三星正式宣布開始量產(chǎn)第五代V-NAND閃存顆粒，堆棧數(shù)將超過90層。

2018-07-24 14:36:32

7167

三星五代V-NAND閃存芯片，使生產(chǎn)效率提高了30%以上

此外，新的V-NAND數(shù)據(jù)寫入速度僅延遲了500微妙，與前一代相比改進(jìn)了30%，讀取信號時間已降低到50微妙。值得一提的是新的96層V-NAND閃存芯片也更加節(jié)能，電壓從1.8V降至1.2V。

2018-07-27 17:11:00

978

新一代立體堆疊閃存方案有什么優(yōu)勢?美光,SK海力士,長江存儲等都在使用

今年的閃存技術(shù)峰會，美光、SK海力士包括長江存儲都宣布了新一代的立體堆疊閃存方案，SK海力士稱之為“4D NAND”，長江存儲稱之為Xtacking，美光則稱之為“CuA”。CuA是CMOS under Array的縮寫

2018-08-12 09:19:28

6688

SK海力士計(jì)劃明年增產(chǎn)96層3D NAND閃存

SK海力士在清州建設(shè)M15工廠的建成儀式將于9月17日在清州舉行。SK海力士計(jì)劃通過從明年初開始增產(chǎn)96層3D NAND閃存的策略，來鞏固其市場主導(dǎo)地位。

2018-09-07 16:59:04

3196

SK海力士韓國M15工廠落成總投資15萬億韓元

SK海力士完成M15工廠有兩大意義。首先，NAND Flash快閃存儲器因?yàn)楣I(yè)4.0應(yīng)用而快速成長，而新工廠將幫助SK海力士更積極因應(yīng)全球?qū)?D NAND Flash快閃存儲器的需求。

2018-10-12 16:17:00

4779

SK海力士公司宣布將主要應(yīng)用于3D閃存的CTF結(jié)構(gòu)與PUC技術(shù)結(jié)合起來

SK海力士能否憑借新產(chǎn)品在競爭力相對弱勢的NAND閃存市場站穩(wěn)腳跟并爭取NAND閃存市場的主導(dǎo)權(quán)，倍加受人關(guān)注。SK海力士在全球D-RAM市場僅次于三星電子排名第二，但在NAND閃存市場卻以大約10

2018-11-09 15:49:51

4689

64層/72層3D NAND開始出貨 SSD市場將迎來新的局面

6月15日，三星電子宣布已經(jīng)開始量產(chǎn)第四代64層256Gb V-NAND，與48層256Gb V-NAND相比，生產(chǎn)效率將提高30%以上。東芝/西部數(shù)據(jù)、美光、SK海力士等在2017上半年也均宣布

2018-12-10 10:00:57

1115

關(guān)于不同NAND閃存的種類對比淺析

由于閃存的成本取決于其裸片面積，如果可以在同樣的面積上存儲更多數(shù)據(jù)，閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型：單層單元（SLC）、多層單元（MLC）和三層單元（TLC）。顧名思義，在相同

2018-12-17 15:50:24

1684

你知道NAND閃存的種類和對比？

由于閃存的成本取決于其裸片面積，如果可以在同樣的面積上存儲更多數(shù)據(jù)，閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型：單層單元(SLC)、多層單元(MLC)和三層單元(TLC)。顧名思義，在相同

2019-04-17 16:32:34

5462

SK海力士全球首個量產(chǎn)128層堆疊4D閃存：沖擊176層

SK海力士宣布，已經(jīng)全球第一家研發(fā)成功，并批量生產(chǎn)128層堆疊的4D NAND閃存芯片，此時距離去年量產(chǎn)96層4D閃存只過去了八個月。

2019-06-27 15:23:28

2931

SK海力士量產(chǎn)業(yè)界首款128層4D NAND芯片同時繼續(xù)推出各種解決方案

SK海力士近日正式宣布，已成功開發(fā)并開始量產(chǎn)世界上第一款128層1Tb TLC 4D NAND閃存芯片。而就在8個月前，該公司宣布了96層4D NAND芯片。

2019-07-01 17:11:15

2822

SK海力士擬減產(chǎn)NAND閃存以應(yīng)對出口管制措施

.據(jù)日經(jīng)新聞報道，韓國內(nèi)存大廠SK海力士今日表明，為了應(yīng)對日本對韓國部分關(guān)鍵半導(dǎo)體材料的出口管制，該公司在2019年NAND型閃存產(chǎn)量將比2018年時減產(chǎn)15％。

2019-07-26 15:39:41

2550

回顧三星96層V-NAND的性能分析介紹

在2016年的舊金山閃存峰會上，三星公布了Z-NAND與Z-SSD的相關(guān)信息。后者基于第四代V-NAND，但由于具有一些新的特性（介于DRAM內(nèi)存和NAND閃存之間）、包含獨(dú)特的電路設(shè)計(jì)與優(yōu)化后的主控，三星于是用Z-NAND來命名這款閃存芯片。

2019-08-31 09:43:42

5566

SK 海力士將推出新NAND Flash 產(chǎn)品

目前，兩大韓系NAND Flash 廠商──三星及SK 海力士在之前就已經(jīng)公布了新NAND Flash 產(chǎn)品的發(fā)展規(guī)劃。其中，三星宣布推出136 層堆疊的第6 代V-NAND Flash 之外，SK

2019-08-15 09:05:12

2382

三星推出閃存更快功耗更低的V-NAND存儲器

三星推出了第六代V-NAND內(nèi)存，為了進(jìn)一步提高容量和密度，它擁有100多個活動層。從性能的角度來看，要使V-NAND具有超過100層的可行性，三星公司不得不使用新的電路設(shè)計(jì)技術(shù)。

2019-09-03 10:38:04

624

三星960 Evo硬盤來襲，擁有全新架構(gòu)和高端性能

固態(tài)硬盤市場的霸主三星，是四大NAND閃存廠商中最早量產(chǎn)3D NAND閃存的，也是目前技術(shù)最強(qiáng)的，已經(jīng)發(fā)展了三代V-NAND閃存，堆棧層數(shù)達(dá)到了48層。

2019-12-22 11:19:01

1073

SK海力士128層堆棧的4D閃存量產(chǎn)，國產(chǎn)閃存的差距縮小

在CES展會上，SK海力士正式宣布了128層堆棧的4D閃存（本質(zhì)還是3D閃存，4D只是商業(yè)名稱），已經(jīng)用于自家的PCIe硬盤中，這是六大閃存原廠中第一個量產(chǎn)128層堆棧閃存的，預(yù)計(jì)三星、西數(shù)、東西都會在今年跟進(jìn)100多層的閃存。

2020-01-08 08:47:30

2953

SK海力士新款4D閃存有什么新的特點(diǎn)

在最近舉辦的CES 2020展會上，SK海力士展出了兩款新的高端SSD，分別是Gold P31、Platinum P31，最大特點(diǎn)采用了SK海力士自家的4D TLC NAND閃存。

2020-01-13 11:45:55

2832

兆易創(chuàng)新NOR閃存累計(jì)出貨量超過100億顆將推動研發(fā)24nm工藝NAND技術(shù)

在NAND閃存市場，三星、東芝、西數(shù)、SK海力士、美光、Intel等公司掌握了全球90%以上的產(chǎn)能，留給其他廠商的空間并不多。國內(nèi)公司中，兆易創(chuàng)新表示能做38nm的SLC閃存，還在推進(jìn)24nm閃存研發(fā)。

2020-04-02 08:54:34

2726

兆易創(chuàng)新推進(jìn)24nm閃存研發(fā) NOR閃存出貨超100億顆

2020-04-02 08:46:52

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SK海力士推出128層1Tb TLC 4D NAND SSD高容量存儲解決方案

4月8日消息，近日，SK海力士宣布推出基于首款 128 層 1Tb TLC 4D NAND 閃存的企業(yè)級 SSD-- PE8111，是針對讀取密集型應(yīng)用設(shè)計(jì)的高容量存儲解決方案。SK海力士是一家全球存儲器半導(dǎo)體制造商，其產(chǎn)品組合中包括 DRAM，NAND 閃存和控制器，以及 SSD 的全套技術(shù)。

2020-04-09 14:09:19

3527

三星正在研發(fā)160層及以上的3D閃存

據(jù)了解，136層第六代V-NAND閃存是三星今年的量產(chǎn)主力。韓媒報道稱三星可能會大幅改進(jìn)制造工藝，從現(xiàn)在的單堆棧（single-stack）升級到雙堆棧（double-stack），以便制造更高層數(shù)的3D閃存。

2020-04-20 09:06:01

473

SK海力士完成業(yè)內(nèi)首款多堆棧176層容量達(dá)512Gb的4D閃存

存儲芯片大廠SK海力士宣布完成了業(yè)內(nèi)首款多堆棧176層4D閃存的研發(fā)，TLC顆粒，容量達(dá)512Gb（64GB）。 ? 據(jù)，SK海力士透露，該閃存單元架構(gòu)為CTF（電荷捕獲），同時集成了PUC技術(shù)

2020-12-14 15:55:32

1072

SK海力士收購英特爾NAND閃存及存儲業(yè)務(wù)

SK海力士作為全球半導(dǎo)體領(lǐng)頭企業(yè)之一，旨在強(qiáng)化其NAND閃存解決方案相關(guān)競爭力，發(fā)展存儲器生態(tài)系統(tǒng)，進(jìn)而給客戶、合作伙伴、公司員工和股東帶來更多利益。

2020-10-20 09:53:01

1833

英特爾已同意將Nand閃存業(yè)務(wù)出售給SK海力士

據(jù)報道，英特爾已同意將Nand閃存業(yè)務(wù)出售給韓國公司SK海力士，價格約90億美元。英特爾正在采取全面措施，專注于主營業(yè)務(wù)的經(jīng)營。

2020-10-20 14:33:35

1646

SK海力士鯨吞Intel的閃存及存儲業(yè)務(wù)，意欲與三星爭奪第一寶座

2020年10月20日上午消息，存儲大廠SK海力士與Intel在韓國當(dāng)?shù)貢r間10月20日上午共同宣布簽署收購協(xié)議，根據(jù)協(xié)議約定，SK海力士將以90億美元收購Intel的NAND閃存及存儲業(yè)務(wù)。

2020-10-20 16:51:39

2273

SK海力士收購英特爾NAND業(yè)務(wù)，國產(chǎn)存儲芯片企業(yè)將會受益？

工廠。兩家公司將爭取在2021年底前取得所需的政府機(jī)關(guān)許可。之后，SK海力士將首先支付70億美元獲得英特爾的NANDSSD業(yè)務(wù)（包括NANDSSD相關(guān)知識產(chǎn)權(quán)和員工）以及大連工廠。預(yù)計(jì)到2025年3月，SK海力士最終支付20億美元收購其余相關(guān)資產(chǎn)，包括NAND閃存晶圓的生產(chǎn)及設(shè)計(jì)相關(guān)的

2020-10-20 17:18:28

6455

SK海力士宣布與英特爾達(dá)成NAND閃存單元協(xié)議

韓國存儲芯片制造商SK海力士（SK Hynix）已宣布與英特爾達(dá)成NAND閃存單元協(xié)議。根據(jù)協(xié)議，SK海力士將向英特爾支付90億美元。該協(xié)議的范圍包括在中國大連的NAND SSD部門，NAND部件

2020-10-21 14:30:37

2096

SK海力士出資600億收購英特爾NAND閃存及存儲業(yè)務(wù)！

據(jù)國外媒體報道，SK海力士宣布出資600億收購英特爾NAND閃存及存儲業(yè)務(wù)！ SK海力士已在官網(wǎng)宣布了他們將收購英特爾NAND閃存及存儲業(yè)務(wù)的消息，SK海力士在官網(wǎng)上表示，兩家公司已經(jīng)簽署了相關(guān)

2020-10-23 11:05:15

2133

SK海力士收購英特爾NAND業(yè)務(wù)，對中國有哪些影響？

10月20日，SK海力士和英特爾在韓國共同宣布簽署收購協(xié)議，根據(jù)協(xié)議約定，SK海力士將以90億美元收購英特爾的NAND閃存及存儲業(yè)務(wù)。本次收購包括英特爾NAND SSD業(yè)務(wù)、NAND部件及晶圓業(yè)

2020-10-23 18:00:16

7502

海力士收購英特爾業(yè)務(wù)后，其NAND業(yè)務(wù)全球市場占有率姜提升至第二

英特爾NAND SSD業(yè)務(wù)、NAND部件及晶圓業(yè)務(wù)，以及其在中國大連的NAND閃存制造工廠。英特爾將保留其特有的英特爾傲騰TM業(yè)務(wù)。業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，SK海力士收購英特爾業(yè)務(wù)后，其NAND業(yè)務(wù)全球市場占有率姜提升至第二，僅次于三星，將加速存儲產(chǎn)業(yè)全球格局的變化。這也標(biāo)志這英特爾

2020-10-26 14:21:27

2053

SK海力士收購NAND閃存業(yè)務(wù)的意義

近日閃存芯片行業(yè)又現(xiàn)巨震，英特爾將自己的NAND閃存業(yè)務(wù)以90億美元的價格出售給了SK海力士。

2020-10-29 12:11:47

2207

消息人士：閃存價格持續(xù)下滑可能影響SK海力士收購英特爾閃存及存儲業(yè)務(wù)

據(jù)英文媒體報道，上月 20 日，SK 海力士在官網(wǎng)宣布，他們同英特爾達(dá)成了最終協(xié)議，將斥資 90 億美元收購英特爾的 NAND 閃存及存儲業(yè)務(wù)。但消息人士日前表示，NAND 閃存目前的市場行情并不

2020-11-03 15:08:33

1576

SK海力士90億美元收購英特爾NAND閃存及存儲業(yè)務(wù)

SK海力士與英特爾將爭取在2021年底前取得所需的政府機(jī)關(guān)許可。在獲取相關(guān)許可后，SK海力士將通過支付第一期70億美元對價從英特爾收購NAND SSD業(yè)務(wù)（包括NAND SSD相關(guān)知識產(chǎn)權(quán)和員工）以及大連工廠。

2020-11-04 15:06:00

1599

SK海力士收購Intel的NAND閃存業(yè)務(wù)后銷售額大漲

前不久，Intel突然宣布以90億美元（約601億）的價格將旗下的NAND閃存業(yè)務(wù)出售給了SK海力士，業(yè)內(nèi)嘩然。

2020-11-05 09:37:32

1345

600億買下Intel閃存業(yè)務(wù) SK海力士：預(yù)期5年內(nèi)公司收入增加2倍

前不久，Intel突然宣布以90億美元（約601億）的價格將旗下的NAND閃存業(yè)務(wù)出售給了SK海力士，業(yè)內(nèi)嘩然。盡管外界批評SK海力士買虧了、且目前閃存處于價格下行軌道，但后者似乎決心已定，并不

2020-11-05 09:41:54

1253

SK海力士將以90億美元收購英特爾的NAND閃存及存儲業(yè)務(wù)

2020-11-05 10:11:26

1848

SK海力士擴(kuò)大布局在中國的晶圓代工業(yè)務(wù)，200mm晶圓產(chǎn)線移至無錫

前不久，SK海力士收購了英特爾的NAND閃存業(yè)務(wù)及大連工廠，最近，據(jù)BusinessKorea報道，SK海力士正擴(kuò)大布局在中國的晶圓代工業(yè)務(wù)。

2020-11-10 14:46:51

2214

SK海力士已簽署協(xié)議收購英特爾的NAND內(nèi)存和存儲業(yè)務(wù)

SK海力士在聲明中稱，已簽署協(xié)議收購英特爾的NAND內(nèi)存和存儲業(yè)務(wù)。此次收購包括英特爾的固態(tài)硬盤、Nand閃存和晶片業(yè)務(wù)，以及位于大連的工廠。但將以兩次付款的形式進(jìn)行，最終交易要到2025年3月份才會完成。

2020-11-11 14:53:02

1881

SK海力士將收購英特爾旗下NAND閃存芯片業(yè)務(wù)

據(jù)悉，SK海力士將收購所有英特爾NAND閃存業(yè)務(wù)，包括固態(tài)硬盤業(yè)務(wù)、NAND閃存芯片產(chǎn)品和晶圓業(yè)務(wù)、英特爾位于中國大連的生產(chǎn)工廠，但不包含英特爾Optane存儲部門。對于英特爾來說，剝離非核心業(yè)務(wù)將有助于其解決芯片技術(shù)困境。

2020-11-16 15:04:57

2505

SK海力士完成業(yè)內(nèi)首款多堆棧176層4D閃存的研發(fā)，容量512Gb（64GB），TLC

繼美光后，SK海力士宣布完成了業(yè)內(nèi)首款多堆棧176層4D閃存的研發(fā)，容量512Gb（64GB），TLC。 SK海力士透露，閃存單元架構(gòu)為CTF（電荷捕獲），同時集成了PUC技術(shù)。 4D閃存是SK

2020-12-07 13:49:27

1552

SK海力士發(fā)布多堆棧176層4D閃存，采用TLC

繼美光后，SK海力士宣布完成了業(yè)內(nèi)首款多堆棧176層4D閃存的研發(fā)，容量512Gb（64GB），TLC。

2020-12-07 13:44:09

1666

SK海力士發(fā)布176層TLC 4D NAND閃存

根據(jù)外媒 TechPowerUp 的消息，SK 海力士公司發(fā)布了 176 層 512 Gb 三層 TLC 4D NAND 閃存。 SK 海力士表示新的 176 層 NAND 閃存采用加速技術(shù)

2020-12-07 16:16:23

2416

三星電子正在研發(fā)第七代V-NAND,預(yù)計(jì)明年批量生產(chǎn)

12月7日，韓國半導(dǎo)體公司SK海力士表示，近期已成功研發(fā)出基于三層存儲單元（TLC）的176層512Gb（千兆位）NAND閃存。

2020-12-08 11:01:41

1697

3D NAND技術(shù)堆疊將走向何方?

層3D NAND；長江存儲于今年4月份宣布推出128層堆棧的3D NAND閃存。轉(zhuǎn)眼來到2020年末，美光和SK海力士相繼發(fā)布了176層3D NAND。這也是唯二進(jìn)入176層的存儲廠商。不得不說，存儲之戰(zhàn)沒有最烈，只有更烈。

2020-12-09 14:55:37

3659

SK海力士成功收購英特爾NAND閃存業(yè)務(wù)

SK海力士就擬議的英特爾NAND閃存業(yè)務(wù)收購獲得了美國外國投資委員會(The Committee on Foreign Investment in the United States,簡稱CFIUS)的許可！

2021-03-19 14:19:22

2077

SK海力士收購Intel閃存業(yè)務(wù)通過歐盟審批

去年10月份，Intel宣布將旗下的NAND閃存業(yè)務(wù)以90億美元的價格出售給SK海力士。這筆交易在3月份通過了美國審批，日前通過了歐盟的審批，中國的審批會是未來的關(guān)鍵之一。 ? 上周末歐盟

2021-05-27 09:23:57

1847

SK海力士完成收購英特爾NAND閃存及SSD業(yè)務(wù)案的第一階段

SK海力士今日宣布，已于12月30日圓滿完成了收購英特爾NAND閃存及SSD業(yè)務(wù)案的第一階段。

2021-12-30 10:09:13

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SK海力士將在大連新建NAND閃存工廠，并繼續(xù)加強(qiáng)在中國的投資

近日，SK海力士宣布將在中國大連新建閃存工廠，該工廠屬于SK海力士的非易失性存儲器制造項(xiàng)目的一部分，將被用于生產(chǎn)非易失性存儲器3D NAND芯片。 SK海力士在2020年宣布了收購Intel閃存業(yè)務(wù)

2022-05-19 14:32:53

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SK海力士研發(fā)全球首款業(yè)界最高層數(shù)的238層NAND閃存

SK海力士在美國圣克拉拉舉行的2022閃存峰會（Flash Memory Summit 2022）上首次亮相了238層NAND閃存新產(chǎn)品。

2022-08-04 15:53:49

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三星開始量產(chǎn)第8代V-NAND，存儲密度高達(dá)1Tb

* 三星第8代V-NAND具有目前三星同類產(chǎn)品中最高的存儲密度，可更高效地為企業(yè)擴(kuò)展存儲空間深圳2020年11月8日 /美通社/ --? 作為全球化的半導(dǎo)體企業(yè)，正如在2022年度閃存峰會

2022-11-08 13:37:36

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SK海力士量產(chǎn)世界最高238層4D NAND閃存

sk海力士表示：“以238段nand閃存為基礎(chǔ)，開發(fā)了智能手機(jī)和pc用客戶端ssd （client ssd）解決方案產(chǎn)品，并于5月開始批量生產(chǎn)。該公司通過176層、238層的產(chǎn)品，在成本、性能、品質(zhì)等方面確保了世界最高的競爭力。

2023-06-08 10:31:53

1564

SK海力士發(fā)布全球首款321層NAND！

SK海力士宣布將首次展示全球首款321層NAND閃存，成為業(yè)界首家開發(fā)出300層以上NAND閃存的公司。他們展示了321層1Tb TLC 4D NAND閃存的樣品，并介紹了開發(fā)進(jìn)展情況。

2023-08-10 16:01:47

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三星、SK海力士存儲器庫存破表牽動南亞科、華邦、群聯(lián)等后市

據(jù)dram領(lǐng)域的調(diào)查企業(yè)trend force稱，去年第四季度在dram領(lǐng)域，三星以45.1%的世界市場占有率居首位，sk海力士以27.7%位居第二。在nand閃存領(lǐng)域，三星以世界第1位占據(jù)了第4季度的世界市場占有率33.8%，sk海力士（包括solidm）以17.1%占據(jù)了第3位。

2023-08-17 09:38:58

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三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存

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