美光科技（Micron）16日宣布進(jìn)一步推動(dòng)DRAM產(chǎn)品的革新，其開始采用業(yè)界首個(gè)1z nm的工藝節(jié)點(diǎn)批量生產(chǎn)16Gb DDR4內(nèi)存。 與上一代1Y nm相比，該公司將使用1z nm節(jié)點(diǎn)來改善
2019-08-20 10:22:36
7258 10nm。研發(fā)部門正在努力擴(kuò)展該技術(shù)，并最終將其替換為新的存儲(chǔ)器類型。 但是，到目前為止，還沒有直接的替代方法。并且，在采用新解決方案之前，供應(yīng)商將繼續(xù)擴(kuò)展DRAM并提高性能，盡管在當(dāng)前1xnm節(jié)點(diǎn)體制下將逐步增加。并且在未來的節(jié)點(diǎn)上，部分但不是全部DR
2019-11-25 11:33:185883 DRAM（Dynamic Random Access Memory） 即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，它和 SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)一樣都是常見的系統(tǒng)內(nèi)存，也就是說我們個(gè)人電腦里的內(nèi)存條通常都是DRAM
2020-11-12 14:33:356527 
DRAM（Dynamic Random Access Memory） 即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，它和 SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)一樣都是常見的系統(tǒng)內(nèi)存，也就是說我們個(gè)人電腦里的內(nèi)存條通常都是DRAM
2020-12-01 15:18:294257 
DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）存儲(chǔ)器主要通過電容來存儲(chǔ)信息。這些電容用于存儲(chǔ)電荷，而電荷的多寡則代表了一個(gè)二進(jìn)制位是1還是0。
2024-02-19 10:56:36267 
于所有類型的DRAM，有望顯著降低DRAM成本。 到目前為止，美光已將其DRAM生產(chǎn)的很大一部分轉(zhuǎn)移到了1Znm節(jié)點(diǎn)，該節(jié)點(diǎn)既提供高位密度（較低的單位成本）又提供高性能。美光表示，從利潤率和產(chǎn)品組合角度來說，現(xiàn)在的感覺相當(dāng)好。美光的1α制造工藝預(yù)計(jì)將比1Z（成熟的成品率）
2021-01-27 15:37:312825 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶） SK海力士近日發(fā)布全球首次實(shí)現(xiàn)垂直堆疊12個(gè)單品DRAM芯片，成功開發(fā)出最高容量24GB的HBM3 DRAM新產(chǎn)品。
2023-04-23 00:01:002617 
。SRAM內(nèi)部采用的是雙穩(wěn)態(tài)電路的形式來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。所以SRAM的電路結(jié)構(gòu)非常復(fù)雜。制造相同容量的SRAM比DRAM的成本高的多。正因?yàn)槿绱?，才使其發(fā)展受到了限制。因此目前SRAM基本上只用于CPU內(nèi)部
2012-08-15 17:11:45
DRAM是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲(chǔ)電荷的多寡來代表一個(gè)二進(jìn)制bit是1還是0。與SRAM相比的DRAM的優(yōu)勢在于結(jié)構(gòu)簡單，每一個(gè)bit的數(shù)據(jù)都只需一個(gè)電容跟一個(gè)晶體管來處
2020-12-10 15:49:11
1.(判斷題)DRAM上電時(shí)存儲(chǔ)單元的內(nèi)容是全0，而Flash上電時(shí)存儲(chǔ)單元的內(nèi)容是全1。(4分) A.正確B.錯(cuò)誤 FLASH可保存 上電后不知道是啥2.(判斷題)眼圖可以用來分析高速信號(hào)的碼間
2021-07-22 08:57:49
判斷題：DRAM上電時(shí)存儲(chǔ)單元的內(nèi)容是全0，而Flash上電時(shí)存儲(chǔ)單元的內(nèi)容是全1
2017-08-23 09:29:31
RAM有哪些分類？特點(diǎn)是什么？DRAM和SRAM對比分析哪個(gè)好？
2022-01-20 07:16:10
某16K x 4的存儲(chǔ)體由16個(gè)字長為1的 DRAM芯片在位方向和字方向同時(shí)擴(kuò)展而成，DRAM芯片中所有的記憶單元排列成行列相等的存儲(chǔ)矩陣。分析：由題得，16個(gè)DRAM芯片需要先在位方向擴(kuò)展為4位得
2022-03-02 06:18:45
在本文中，我們將介紹一種新型的非易失性DRAM，以及它與當(dāng)前內(nèi)存技術(shù)的比較。DRAM是計(jì)算技術(shù)中必不可少的組件，但并非沒有缺陷。在本文中，我們將研究一種新提出的存儲(chǔ)器-非易失性DRAM-以及它與當(dāng)前
2020-09-25 08:01:20
【作者】：果建民;【來源】：《廣播電視信息》2010年03期【摘要】：在廣電領(lǐng)域,由于存儲(chǔ)規(guī)模、投資和需求的不同,各種存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)均得到了廣泛的應(yīng)用,本文重點(diǎn)討論常見的幾種存儲(chǔ)結(jié)構(gòu),并為選型提供參考意見
2010-04-23 11:47:34
所謂的寄存器、內(nèi)存等用于存儲(chǔ)信息的復(fù)雜結(jié)構(gòu)。存儲(chǔ)器的分類存儲(chǔ)器分為易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器；所謂易失性存儲(chǔ)器是指設(shè)備掉電，存儲(chǔ)的信息自動(dòng)清除，而非易失性存儲(chǔ)器具有存儲(chǔ)時(shí)間長的功能。易失性存儲(chǔ)器主要指
2021-12-10 06:54:11
目錄【1】存儲(chǔ)器的層次結(jié)構(gòu)【2】存儲(chǔ)器的分類【3】SRAM基本原理：結(jié)構(gòu)：芯片參數(shù)與引腳解讀：CPU與SRAM的連接方式【4】DRAM基本原理：結(jié)構(gòu)芯片引腳解讀：【5】存儲(chǔ)器系統(tǒng)設(shè)計(jì)【6】存儲(chǔ)器擴(kuò)展
2021-07-29 06:21:48
存儲(chǔ)管理的磁盤結(jié)構(gòu)分為哪幾部分？磁盤調(diào)度算法有哪幾種？分別有何優(yōu)缺點(diǎn)？
2021-12-23 09:57:35
的L1 Cache存儲(chǔ)管理段式存儲(chǔ)管理頁式存儲(chǔ)管理存儲(chǔ)系統(tǒng)的層次結(jié)構(gòu)技術(shù)指標(biāo)層次結(jié)構(gòu)局部性原理主存儲(chǔ)器讀寫存儲(chǔ)器只讀存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器地址譯碼主存空間分配高速緩沖存儲(chǔ)器工作原理地址映射替換算法寫入策略80486的L1 CachePentium的L1 Cache存儲(chǔ)管理段式存儲(chǔ)管理頁式存
2021-07-29 09:47:21
節(jié)點(diǎn)電壓分析是對先前網(wǎng)格分析的補(bǔ)充，因?yàn)樗瑯訌?qiáng)大并且基于矩陣分析的相同概念。顧名思義，節(jié)點(diǎn)電壓分析使用基爾霍夫第一定律的“節(jié)點(diǎn)”方程來查找電路周圍的電勢。因此，通過將所有這些節(jié)點(diǎn)電壓相加，最終
2020-10-05 11:48:58
各位大神好，我想用FPGA讀寫DRAM存儲(chǔ)器，求大神指點(diǎn)哪位大佬有代碼分析一份更是感激不盡，好人一生平安。
2018-01-14 15:31:32
STM32F4的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)是由哪些部分組成的？STM32 Flash的主要特性有哪些？
2021-09-27 08:32:06
Direct Rambus DRAM的信號(hào)連接關(guān)系如圖所示。與DDR-SDRAM最大的不同在于信號(hào)線是漏極開路輸出以及時(shí)鐘是以連續(xù)不斷的方式往復(fù)的。 圖 Direct Rambus DRAM
2008-12-04 10:16:36
一般來說DRAM芯片的工作原理，比SRAM要復(fù)雜。這主要是由于DRAM在存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的過程中需要對于存儲(chǔ)的信息不停的刷新，這就成為了DRAM芯片和SRAM芯片之間的最大區(qū)別。一
2010-07-15 11:40:15
存儲(chǔ)器是怎樣進(jìn)行分類的？分為哪幾類？為什么要對DRAM進(jìn)行刷新？如何進(jìn)行刷新？
2021-09-28 08:50:24
1、什么是堆疊設(shè)計(jì)也稱作系統(tǒng)設(shè)計(jì)，根據(jù)產(chǎn)品規(guī)劃，產(chǎn)品定義的要求，為實(shí)現(xiàn)一定的功能，設(shè)計(jì)出合理可靠的具備可量產(chǎn)性的PCB及其周邊元器件擺放的一種方案。2、堆疊工程師一般由結(jié)構(gòu)工程師進(jìn)行堆疊，有些公司
2021-11-12 08:17:17
和DRAM），40μm的芯片堆疊8個(gè)總 厚度為1.6 mm，堆疊兩個(gè)厚度為0.8 mm。如圖1所示。圖1 元器件內(nèi)芯片的堆疊 堆疊元器件（Amkor PoP）典型結(jié)構(gòu)如圖2所示： ·底部PSvfBGA
2018-09-07 15:28:20
單片機(jī)內(nèi)部存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)分析存儲(chǔ)器的工作原理半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的分類
2021-04-02 07:01:26
單片機(jī)內(nèi)部結(jié)構(gòu)分析單片機(jī)的基本概念存儲(chǔ)器的工作原理
2021-02-19 06:27:20
哈弗結(jié)構(gòu)是什么意思？加劇CPU和主存之間速度差異的原因有哪些？導(dǎo)致DRAM比SRAM慢的原因有哪些？虛擬存儲(chǔ)器的最大容量是由什么原因決定的？
2021-08-11 08:07:31
（SRAM、DRAM、DDRAM）4.主存儲(chǔ)器（Flash、PROM、EPROM、EEPROM）5.外部存儲(chǔ)器（磁盤、光盤、CF、SD卡）6.遠(yuǎn)程二級(jí)存儲(chǔ)（分布...
2021-12-22 06:30:43
結(jié)束語??通過對嵌入式系統(tǒng)結(jié)構(gòu)與協(xié)同性探討，分析了嵌入式系統(tǒng)的特點(diǎn)和協(xié)同性。應(yīng)用結(jié)構(gòu)協(xié)同思路與流程，建立一個(gè)結(jié)構(gòu)良好與嵌入式核心硬件層密切相關(guān)的Bootloader 和BSP，對順利植入裁剪良好的OS
2021-07-27 07:00:00
嵌入式系統(tǒng)（二）嵌入式系統(tǒng)結(jié)構(gòu)硬件層中間層系統(tǒng)軟件層應(yīng)用軟件層常用開發(fā)工具GNU ToolsQTEclipse交叉開發(fā)環(huán)境交叉調(diào)試系統(tǒng)測試內(nèi)存分析工具性能分析工具覆蓋分析工具嵌入式系統(tǒng)結(jié)構(gòu)硬件層硬件
2021-12-22 08:03:19
處理器的 BIU（總線接口）單元產(chǎn)生存儲(chǔ)器讀請求。對微處理器的存儲(chǔ)器范圍編程后，BIU單元執(zhí)行刷新周期時(shí)，被編程的存儲(chǔ)器范圍片選有效。存儲(chǔ)器是嵌入式計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的重要組成部分之一。通常采用靜態(tài)存儲(chǔ)器，但是在
2011-02-24 09:33:15
第二章嵌入式系統(tǒng)硬件體系結(jié)構(gòu)本章要點(diǎn)：⑴嵌入式硬件的相關(guān)基礎(chǔ)知識(shí)。⑵嵌入式硬件平臺(tái)基本組成。⑶ARM系列微處理器簡介。2.1相關(guān)基礎(chǔ)知識(shí)2.1.1嵌入式微處理器1.嵌入式微處理器的組成嵌入式系統(tǒng)
2021-11-09 06:33:39
開放式網(wǎng)絡(luò)化數(shù)控的基本概念是什么？ 開放式網(wǎng)絡(luò)化數(shù)控平臺(tái)的基本結(jié)構(gòu)是由哪些部分組成的？
2021-08-05 07:27:45
包括：DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH。DRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（Dynamic RAM），“動(dòng)態(tài)”二字指沒隔一段時(shí)間就會(huì)刷新充電一次，不然內(nèi)部的數(shù)據(jù)就會(huì)消失。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM的基本單元
2019-09-18 09:05:09
存儲(chǔ)器的一般用途是代碼儲(chǔ)存。系統(tǒng)需要一個(gè)相對較小進(jìn)的存儲(chǔ)，大約小2Gb. 這樣 .代碼可以從NOR閃存直接執(zhí)行，這種存儲(chǔ)器也常用于嵌入式文件系統(tǒng)的存儲(chǔ)器，這些類型的系統(tǒng)中 DRAM 常用便簽式存儲(chǔ)器。在這
2018-05-17 09:45:35
下圖?！ 」柰譚SV型堆疊 硅通孔TSV型堆疊一般是指將相同的芯片通過硅通孔TSV進(jìn)行電氣連接，這種技術(shù)對工藝要求較高，需要對芯片內(nèi)部的電路和結(jié)構(gòu)有充分的了解，因?yàn)楫吘挂谛酒洗蚩?，一不小心就?huì)損壞
2020-11-27 16:39:05
器（DRAM）與靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（SRAM）兩大類。DRAM 以電容上存儲(chǔ)電荷數(shù)的多少來代表所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)，電路結(jié)構(gòu)十分簡單（采用單管單電容1T-1C的電路形式），因此集成度很高，但是因?yàn)殡娙萆系碾姾蓵?huì)泄漏，為了能
2022-11-17 16:58:07
頻譜分析儀是常用的電子測量儀器之一，他的功能是分辨輸入信號(hào)中各個(gè)頻率成分并測量各個(gè)頻率成分的頻率和功率。下面看一下傳統(tǒng)頻譜分析儀的原理和現(xiàn)代頻譜分析儀（或稱為信號(hào)分析儀）的發(fā)展。圖1是傳統(tǒng)的掃頻式頻譜分析儀的結(jié)構(gòu)框圖。圖1傳統(tǒng)掃頻式頻譜分析儀的結(jié)構(gòu)框圖
2019-07-01 06:37:50
過程，通過智能測力識(shí)別方式防誤操作撞針，做到無損傷測量。 SJ51系列測長機(jī)各部分結(jié)構(gòu)名稱 SJ51系列測長機(jī)采用高精度光柵測量系統(tǒng)、超高精密研磨導(dǎo)軌
2022-10-28 17:07:13
網(wǎng)絡(luò)節(jié)點(diǎn)的交換結(jié)構(gòu)在圖1所示的交換結(jié)構(gòu)中，分析FDLs和TWC對交換性能的影響。圖中，1～4分別代表4條光纖輸入和輸出，每條光纖上復(fù)用9條波長，其中一條用于發(fā)
2009-02-28 11:44:141055 
DRAM的總體結(jié)構(gòu)框圖
2009-12-04 17:13:323310 
基于當(dāng)代DRAM結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)器控制器設(shè)計(jì)
1、引言
當(dāng)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)越來越受存儲(chǔ)性能的限制。處理器性能每年以60％的速率增長，存儲(chǔ)器芯片每年僅僅增加10％的
2009-12-31 10:57:03714 
DRAM模塊,DRAM模塊是什么意思
DRAM 的英文全稱是"Dynamic RAM"，翻譯成中文就是"動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器"。。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，
2010-03-24 16:17:211587 MCP存儲(chǔ)器,MCP存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)原理
當(dāng)前給定的MCP的概念為：MCP是在一個(gè)塑料封裝外殼內(nèi)，垂直堆疊大小不同的各類存儲(chǔ)器或非存儲(chǔ)器芯片，
2010-03-24 16:31:282241 什么是存儲(chǔ)轉(zhuǎn)發(fā)型交換機(jī)/可堆疊交換機(jī)
存儲(chǔ)轉(zhuǎn)發(fā)型交換機(jī)
目前交換機(jī)采用的交換方式主要有“存儲(chǔ)轉(zhuǎn)
2010-04-07 16:43:421182 存儲(chǔ)器的層次結(jié)構(gòu)原理圖解分析
學(xué)習(xí)目錄：
理解多級(jí)存儲(chǔ)層次的思想及其作用；
掌
2010-04-13 16:16:1212759 集線器的堆疊
部分集線器具有堆疊功能。集線器堆疊是通過廠家提供的一條專用連接電纜，從一臺(tái)集線器的"UP"堆疊端口直接連接到另一臺(tái)集線器的"DOWN"堆疊端口
2010-01-08 10:15:161443 超越摩爾定律，賽靈思全球首發(fā)堆疊硅片互聯(lián)技術(shù)，推出突破性的容量、帶寬和功耗 ，引領(lǐng)行業(yè)發(fā)展。 堆疊硅片互聯(lián)技術(shù) 每個(gè)工藝節(jié)點(diǎn) FPGA 容量提升 2 倍的優(yōu)勢 Virtex-7 系列的核心部分
2011-03-28 17:06:47
0 通過分析Hypertable 的源代碼，描述了CellStore 存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)，介紹其讀寫流程，總結(jié)了該結(jié)構(gòu)存在的缺陷，并提出了優(yōu)化思路。優(yōu)化步驟主要包括：將關(guān)鍵字?jǐn)?shù)據(jù)進(jìn)行合并，建立關(guān)鍵字到數(shù)據(jù)
2011-05-12 16:37:2827 芯片堆疊封裝是提高存儲(chǔ)卡類產(chǎn)品存儲(chǔ)容量的主流技術(shù)之一，采用不同的芯片堆疊方案，可能會(huì)產(chǎn)生不同的堆疊效果。針對三種芯片堆疊的初始設(shè)計(jì)方案進(jìn)行了分析，指出了堆疊方案失
2012-01-09 16:14:1442 基于FPGA的可堆疊存儲(chǔ)陣列設(shè)計(jì)與優(yōu)化
2017-01-07 21:28:580 在 DRAM Storage Cell 章節(jié)中，介紹了單個(gè) Cell 的結(jié)構(gòu)。在本章節(jié)中，將介紹 DRAM 中 Cells 的組織方式。
2017-03-17 16:12:144417 
記憶技術(shù)不停滯不前。存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)的變化速度更快和更有效的結(jié)構(gòu)的創(chuàng)建和使用在連續(xù)幾代人如DRAM SDRAM DDR DDR1、2、3、等。
2017-06-06 14:22:115 日前，存儲(chǔ)器芯片主要供應(yīng)商之一美光公司（Micron）在香港舉行了 2014 夏季分析師大會(huì)，會(huì)上美光的高層管理人員就 DRAM、NAND 和新型存儲(chǔ)器的市場趨勢、技術(shù)發(fā)展以及 Micron 的公司
2017-10-20 16:08:2649 FPGA中的存儲(chǔ)塊DRAM 某些FPGA終端，包含板載的、可以動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問的存儲(chǔ)塊（DRAM），這些存儲(chǔ)塊可以在FPGA VI中直接訪問，速率非常高。 DRAM可以用來緩存大批量的數(shù)據(jù)，而且速度可以
2017-11-15 15:13:062740 
紫光國芯26日在互動(dòng)平臺(tái)表示，公司西安子公司從事DRAM存儲(chǔ)器晶元的設(shè)計(jì)，目前產(chǎn)品委托專業(yè)代工廠生產(chǎn)。 未來紫光集團(tuán)下屬長江存儲(chǔ)如果具備DRAM存儲(chǔ)器晶元的制造能力，公司會(huì)考慮與其合作。
2017-11-27 11:05:411848 的局部可修復(fù)碼，顯著降低了修復(fù)網(wǎng)絡(luò)開銷．然而，現(xiàn)有的基于編碼的分布式容錯(cuò)存儲(chǔ)方案大都假設(shè)節(jié)點(diǎn)處于星型邏輯網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)中，忽略了實(shí)際的物理網(wǎng)絡(luò)拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">結(jié)構(gòu)和帶寬信息．為了實(shí)現(xiàn)拓?fù)涓兄娜蒎e(cuò)存儲(chǔ)優(yōu)化，相關(guān)研究在糾刪碼
2017-12-26 19:11:241 存儲(chǔ)器芯片領(lǐng)域，主要分為兩類：易失性和非易失性。易失性：斷電以后，存儲(chǔ)器內(nèi)的信息就流失了，例如 DRAM，主要用來做PC機(jī)內(nèi)存(如DDR)和手機(jī)內(nèi)存(如LPDDR)，兩者各占三成。非易失性：斷電以后
2018-04-09 15:45:33109972 Sony的Xperia XZ Premium和Xperia XZ兩款旗艦級(jí)智能手機(jī)搭載了具有960fps畫面更新率的Motion Eye相機(jī)模組。這款三層堆疊的CMOS影像傳感器(CIS)被面對背地安裝在DRAM上，使得DRAM與影像訊號(hào)處理器(ISP)面對面接在一起。
2018-04-28 17:54:3411745 存儲(chǔ)器市場爆發(fā)，DRAM市場前景看好。2017年全球存儲(chǔ)器市場增長率達(dá)到60%，首次超越邏輯電路，成為半導(dǎo)體第一大產(chǎn)品。DRAM繼續(xù)保持半導(dǎo)體存儲(chǔ)器領(lǐng)域市占率第一。DRAM廠商中，三星、SK海力士
2018-05-17 10:12:003074 據(jù)國際電子商情，日前，消息稱長鑫存儲(chǔ)DRAM項(xiàng)目正式首次投片，啟動(dòng)試產(chǎn)8Gb DDR4工程樣品
2018-07-23 17:12:0311871 
下游需求結(jié)構(gòu)來看，手機(jī)、服務(wù)器、PC三大應(yīng)用消耗了絕大部分存儲(chǔ)器芯片。主流存儲(chǔ)器市場以DRAM及NANDFlash為主，立基型存儲(chǔ)器則以EEPROM、小容量DRAM、NorFlash、SLCNAND
2018-07-27 17:17:372728 miniketch最初是作為一個(gè)項(xiàng)目的組成部分開發(fā)的，該項(xiàng)目研究使用set reconciliation在比特幣上的節(jié)點(diǎn)之間共享交易數(shù)據(jù)，即“set reconciliation Relay”或SRR。SRR的目標(biāo)是顯著減少與運(yùn)行比特幣全節(jié)點(diǎn)相關(guān)的帶寬。
2019-02-12 10:24:10730 隨著福建晉華和合肥長鑫兩大陣營投入研發(fā) DRAM 技術(shù)，若兩大廠研發(fā)成功且量產(chǎn)，西安紫光國芯的DRAM設(shè)計(jì)實(shí)力恐與這兩家再度拉大，合并紫光國芯后的紫光存儲(chǔ)要如何進(jìn)行大整合，以發(fā)揮集團(tuán)的存儲(chǔ)戰(zhàn)力，還待時(shí)間觀察。
2019-02-25 10:22:499118 作為中國DRAM產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者，長鑫存儲(chǔ)正在加速從DRAM的技術(shù)追趕者向技術(shù)引領(lǐng)者轉(zhuǎn)變，用自主研發(fā)的DRAM技術(shù)和專利，引領(lǐng)中國實(shí)現(xiàn)DRAM零的突破。
2019-09-19 10:26:00463 獨(dú)立存儲(chǔ)器市場和相關(guān)技術(shù)的摘要，包括NAND，DRAM，持久性存儲(chǔ)器，NOR，（NV）SRAM，新興的NVM等。
2020-10-20 10:41:444025 
DRAM模塊是大多電子設(shè)備均存在的模塊之一，大家對于DRAM也較為熟悉。但是，大家真的了解DRAM嗎？DRAM的基本單元的結(jié)構(gòu)是什么樣的呢？DRAM的工作原理是什么呢？如果你對DRAM具有興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
2020-10-31 11:51:2942485 
DRAM是目前常見的存儲(chǔ)之一，但DRAM并非唯一存儲(chǔ)器件，NAND也是存儲(chǔ)設(shè)備。那么DRAM和NAND之間有什么區(qū)別呢？DRAM和NAND的工作原理分別是什么呢？如果你對DRAM和NAND具有興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
2020-10-31 11:51:2547036 
DRAM是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲(chǔ)電荷的多寡來代表一個(gè)二進(jìn)制bit是1還是0。與SRAM相比的DRAM的優(yōu)勢在于結(jié)構(gòu)簡單，每一個(gè)bit的數(shù)據(jù)都只需一個(gè)電容跟一個(gè)晶體管來處
2020-12-11 15:11:293686 
最近Techinsights舉辦了一場關(guān)于存儲(chǔ)技術(shù)的網(wǎng)絡(luò)研討會(huì)，Jeongdong Choe博士介紹了他對最新的DRAM，NAND，新興和嵌入式存儲(chǔ)器技術(shù)的觀察與分析。以下概述了討論的相關(guān)主題。DRA
2020-12-24 13:13:46752 1、什么是堆疊設(shè)計(jì)也稱作系統(tǒng)設(shè)計(jì)，根據(jù)產(chǎn)品規(guī)劃，產(chǎn)品定義的要求，為實(shí)現(xiàn)一定的功能，設(shè)計(jì)出合理可靠的具備可量產(chǎn)性的PCB及其周邊元器件擺放的一種方案。2、堆疊工程師一般由結(jié)構(gòu)工程師進(jìn)行堆疊，有些公司
2021-11-07 10:36:0018 由于單篇文章字?jǐn)?shù)限制，關(guān)于單片機(jī)的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)的相關(guān)知識(shí)這里我只能分3篇文章來給大家分享，希望大家理解，大家可以關(guān)注我查看相關(guān)文章內(nèi)容以便大家深入的學(xué)習(xí)。廢話不多說，干貨直接上。
2022-03-02 10:32:35933 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃山明)近日，華為密集公布了多項(xiàng)技術(shù)專利，其中引人注意的是華為再次公布了兩項(xiàng)與芯片堆疊有關(guān)的專利。為何說再次，因?yàn)榫驮谝粋€(gè)月前，華為同樣公開了“一種芯片堆疊封裝及終端設(shè)備”的專利。多項(xiàng)與芯片堆疊相關(guān)專利的公開，或許也揭露了華為未來在芯片技術(shù)上的一個(gè)發(fā)展方向。
2022-05-09 09:50:205437 有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU）今日宣布，其采用全球最先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的1β DRAM產(chǎn)品已開始向部分智能手機(jī)制造商和芯片平臺(tái)合作伙伴送樣以進(jìn)行驗(yàn)證，并做好了量產(chǎn)準(zhǔn)備。美光率先在低功耗LPDDR5X移動(dòng)內(nèi)存上采用該新一代制程技術(shù)，其最高速率可達(dá)每秒8.5Gb。該節(jié)點(diǎn)在性能、密度和能效方面都有
2022-11-02 11:31:27494 
的 1β DRAM 產(chǎn)品已開始向部分智能手機(jī)制造商和芯片平臺(tái)合作伙伴送樣以進(jìn)行驗(yàn)證，并做好了量產(chǎn)準(zhǔn)備。美光率先在低功耗 LPDDR5X 移動(dòng)內(nèi)存上采用該新一代制程技術(shù)，其最高速率可達(dá)每秒 8.5Gb。該節(jié)點(diǎn)在性能、密度和能效方面都有顯著提升，將為市場帶來巨大收益。除了移動(dòng)應(yīng)用，基于 1β 節(jié)點(diǎn)的
2022-11-02 11:50:51579 的1β DRAM產(chǎn)品已開始向部分智能手機(jī)制造商和芯片平臺(tái)合作伙伴送樣以進(jìn)行驗(yàn)證，并做好了量產(chǎn)準(zhǔn)備。美光率先在低功耗LPDDR5X移動(dòng)內(nèi)存上采用該新一代制程技術(shù)，其最高速率可達(dá)每秒8.5Gb。該節(jié)點(diǎn)在性能
2022-11-02 17:27:48724 內(nèi)存與存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商美光科技（Micron Technology Inc.）宣布，其采用全球最先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的1βDRAM產(chǎn)品已開始向部分智能手機(jī)制造商和芯片平臺(tái)合作伙伴送樣以進(jìn)行驗(yàn)證，并做好了量產(chǎn)準(zhǔn)備。
2023-02-01 16:13:051914 槽（Deep Tench）式存儲(chǔ)單元和堆疊（Slack）式電容存儲(chǔ)單元。 70nm 技術(shù)節(jié)點(diǎn)后，堆疊式電容存儲(chǔ)單元逐漸成為業(yè)界主流。為了使系統(tǒng)向更高速、高密度、低功耗不斷優(yōu)化，DRAM存儲(chǔ)單元也在不斷微縮（如14nm 工藝節(jié)點(diǎn)）。
2023-02-08 10:14:575004 要說玩堆疊存儲(chǔ)，AMD確實(shí)是走得最靠前的一位，例如AMD如今在消費(fèi)級(jí)和數(shù)據(jù)中心級(jí)別CPU上逐漸使用的3D V-Cache技術(shù)，就是直接將SRAM緩存堆疊至CPU上。將在今年正式落地的第四代EPYC
2023-02-27 09:36:32938 硅基全彩堆疊結(jié)構(gòu)正在成為Micro LED的一條新技術(shù)路線。
2023-07-14 14:09:31429 DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲(chǔ)器是一種易失性存儲(chǔ)器，意味著當(dāng)斷電時(shí)，存儲(chǔ)在其中的信息會(huì)丟失。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM使用電容來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，電容需要持續(xù)地充電來保持?jǐn)?shù)據(jù)的有效性。一旦斷電，電容會(huì)迅速失去電荷，導(dǎo)致存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)丟失。
2023-07-28 15:02:032207 芯片技術(shù)領(lǐng)域的應(yīng)用概要，用于簡化芯片堆疊結(jié)構(gòu)及其形成方法、芯片封裝結(jié)構(gòu)、電子設(shè)備、芯片堆棧結(jié)構(gòu)的制造技術(shù)。該芯片的堆疊結(jié)構(gòu)至少包括兩個(gè)堆疊的芯片，每一個(gè)芯片包括電線層，電線層設(shè)有電具組。
2023-08-09 10:13:421369 
DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)元是電容器和晶體管的組合。每個(gè)存儲(chǔ)單元由一個(gè)電容器和一個(gè)晶體管組成。電容器存儲(chǔ)位是用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的。晶體管用于控制電容器
2023-08-21 14:30:021030 在下面的圖中較為詳細(xì)的顯示了堆疊式DRAM單元STI和阱區(qū)形成工藝。下圖(a)為AA層版圖，虛線表示橫截面位置。
2023-09-04 09:32:371168 
本文將介紹芯片設(shè)計(jì)中動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）的相關(guān)知識(shí)，包括其工作原理、分類以及在現(xiàn)代電子設(shè)備中的應(yīng)用。
2023-10-23 10:07:34819 和可擴(kuò)展性。為了詳盡、詳實(shí)、細(xì)致地解釋，我將在下面文章中分為以下幾個(gè)部分進(jìn)行闡述：交換機(jī)堆疊的背景和概念、堆疊的優(yōu)勢、可以堆疊的設(shè)備、堆疊的建立和配置。 1. 交換機(jī)堆疊的背景和概念： 交換機(jī)堆疊技術(shù)最初出現(xiàn)于高端
2023-11-09 09:24:351140 2024年2月27日 - 三星電子今日宣布，公司成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H，這是三星目前為止容量最大的HBM產(chǎn)品。
2024-02-27 11:07:00250
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