DDR4信號測試主要分為以下幾種情況： 1.以手機為代表的多階表貼內(nèi)存顆粒，由于主芯片與內(nèi)存顆粒幾乎是挨著擺放，信號不是通孔，沒有測試點，要測試必須使用interposer;

2.以電視為代表的單面表貼顆粒，這種有條件也可以上interposer，沒條件就直接刮開過孔、刮開走線綠油測試是一樣的。像下面一樣，TOP層4mil間距DQS差分焊線，不知道有多少人能做到

3.以PC為代表的UDIMM條，這是最簡單的。單面貼的內(nèi)存條背面都有信號過孔，在過孔處找點測試即可；

4.以Server為代表的服務(wù)器RDIMM，包括筆記本的SODIMM，通常都是雙面貼顆粒的，也需要用到interposer；

當(dāng)然還有一種辦法，吹掉RDIMM背面的一個顆粒，修改SPD信息，將雙面內(nèi)存修改為單面內(nèi)存，雖然內(nèi)存容量降低一半，對于信號測試而言沒有什么影響，最重要的是這樣就有測試點了，對于主板長走線而言，少一個顆粒的這點分叉影響是微乎其微的，就算上interposer一樣也有分叉。親測有效！ 波形讀寫分離的方法：

通過單次觸發(fā)得到一個讀或者寫的波形，讀的波形是DQS和DQ的相位是基本相同的。寫的波形是DQS和DQ的相位基本上是90度。

觸發(fā)到單個波形之后，通過以下兩種方法來看疊加的波形：

1.通過觸發(fā)到的波形，利用圖形觸發(fā)(Visual Trigger)選定大體的邏輯區(qū)域(in或者out)，Kesight示波器是InfiniiScan；

2.通過看讀和寫的單波形，會發(fā)現(xiàn)，讀和寫DQS的前兩個高低電平的寬度是不一樣的，使用示波器的寬度(width)觸發(fā)功能,來觸發(fā)DQS。

注1：泰克Visual Trigger和是德InfiniiScan都是要單獨購買的，這個錢千萬不要省，真的非常好用，沒有分離不出來的。

注2：DDR3通過前導(dǎo)的正負(fù)方向觸發(fā)讀寫分離在DDR4無效了，因為DDR4讀寫前導(dǎo)方向不定，也有可能方向是一樣的。

1. DDR4芯片管腳定義描述

DDR4管腳功能描述見下表。

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2.測試準(zhǔn)備 焊臺，植球溫控板，DDR，鑷子，烙鐵，DDR轉(zhuǎn)接板，助焊劑，吸錫帶，錫球 測試儀器TEK DSA71254? 12.5G? 100GS/S 探頭：P7313 ?13G ?x4或者P7513

焊接完成如圖1-2：

圖1-2

3.測試項目分解：

DDR測試主要有以下幾個部分：時序的測量，紋波的測量，信號完整性的測量 信號完整性的測量又包括：CLK的測量，CMD&ADD的測量，寫操作和讀操作的測量。 ? 一般DDR廠家針對DDR的測試只是每個通道選取一顆，每一顆只是測試部分信號，不是全面的測試。如果有條件，想做一個全面的測試。按照下面的測試方法，完全可以做全面的測試，比如下面介紹的測試DQ時，只是測試了DQ0，如果有時間和條件，16根DQ可以全部測試，這樣驗證的會更加全面,耗費的時間也比較長，這樣做的必要性也不大。

3.1時序測量： 時序測量主要測試以下幾個項目：

圖1-3

VDD to RESET(Reset initialization sequence) 開機后VDD高-reset高??? 要求：min 200us

圖1-4

RESET to CKE 開機后reset高-CKE使能?? 要求：min：500us

圖1-5

tCKSRX?? CLK穩(wěn)定到CKE使能?? 要求 min：5nCK 10ns

圖1-6

Power down模式下才會去測試以下幾項：

圖1-7

tPD power down entry ?要求：min: tCKE(min)? max:9tREFI

圖1-8

tCKE ?要求：min：（max 3nCK，5ns）? CKE 高---地址有效 tXP ? 要求?? min：（max 3nCK，6ns）? CKE 高---CS有效 ? tREFI：自刷新間隔時間 不同的溫度有不同的要求： 0C

圖1-9

tRFC ?自刷新使能時間? 要求 min：260ns

圖1-10

測試自刷新這兩個項目的時候，需要使用的觸發(fā)方式為邏輯觸發(fā)。設(shè)置的邏輯狀態(tài)為：1 0 0 1. Reset和CKE運行狀態(tài)確認(rèn)： 如果不使用PD模式的話，Reset和CKE在正常運行狀態(tài)下應(yīng)該都保持高電平 3.2紋波測試： 紋波測試主要測試三個電壓的紋波即可。 VDD??? <75mv?????? VrefCA? <=60mv VrefDQ? <=60mv 按照正常紋波測試方法測試即可：

圖1-11

3.3信號完整性的測量： 3.3.1CLOCK相關(guān)的測量： Jitter： 與jitter相關(guān)的主要有以下幾個參數(shù)：

以2666速率CLK為例：

測量jitter時可以手動測量，也可以自動測量。 手動測量要求屏幕內(nèi)有200個clock，然后添加測量項：pos wid，neg wid，period，freq等。

自動測量需要選擇示波器的analysis里面的DDR分析功能，需要購買；

進入后需要選擇測試的項目： clock，然后選擇好clock使用的通道，DDR運行的速率。 設(shè)置好以上選項之后，可以一直運行，看看是否會出現(xiàn)有錯誤的提示。 最后可以導(dǎo)出完整的報告。

3.3.2命令信號和地址信號的測量： 命令信號和地址信號，一般主要測試CS#，RAS#，CAS#，WE#，ADD，BA，主要測量的是建立時間和保持時間。DDR4和DDR3不同的地方在于，DDR4測試建立時間和保持時間時，不需要再參考斜率了。 tIS>tIS(base) tIH>tIH(base) tIS(base)和tIH(base)都是有對應(yīng)的值，根據(jù)速率不同，定義的值不同。 卡建立時間和保持時間的時候的電平標(biāo)準(zhǔn)是AC100和DC75.

關(guān)于CLK-DIFF的計算主要見下圖：

Setup的：

Hold的：

Setup非單調(diào)的：

Hold非單調(diào)的：

測試示例：

TIP：可以將CS信號也放到測試波形中作為參考，因為所有CA信號的選取要參考CS低有效的。

3.3.3寫數(shù)據(jù)的測量： 讀數(shù)據(jù)和寫數(shù)據(jù)的測量都是數(shù)據(jù)DQ以DQS為參考來做的測量。而不是參照CLK。 DDR4和DDR3在寫數(shù)據(jù)的測量是不同的，DDR3是要測試建立時間和保持時間，而DDR4部分主要是測試眼圖。

眼寬和眼高的測試要求如下：

具體波形測量：

寫數(shù)據(jù)的波形

測試示意圖：

tDQSS為CLK和DQS的相位差，具體測試 波形如下：

3.3.4讀數(shù)據(jù)的測量： 讀數(shù)據(jù)的測量主要測試的參數(shù)有：tDQSQ，tQH，tDQSCK。 測試圖示：

tDQSQ要求的值根據(jù)DDR運行的速率不同有區(qū)別，具體要求見下表：

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tQH的要求為：min ：0.38tCK。 DPO71254測試波形： tDQSQ

tQH

測試中，為了保證測試的準(zhǔn)確性，應(yīng)該多累加測試的波形，這樣才能看到整體的波形趨勢。

下圖為海力士測試波形：

tDQSCK測試的是讀數(shù)據(jù)的CLOCK和讀DQS的關(guān)系。

測試圖示：

參數(shù)要求：根據(jù)DDR運行的速率不同而不同，具體見下表

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DPO71254測試波形：

測試讀數(shù)據(jù)和寫數(shù)據(jù)時，高位與低位的DQ要分別選擇一個來測試。

不同速率下各指標(biāo)要求值范圍

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不同顆粒廠家新測試項目大同小異，比如三星和海力士：

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總結(jié)：DDR4測試最好還是選手動測試，手動讀寫分離很有意思，這樣累積波形也看得比較清楚。不需要全測，每種類型抽測即可。自動化軟件測試CLK的抖動比較方便，不差錢的話也可以買上；

編輯：黃飛

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