? ? ?　DRAM（Dynamic Random Access Memory，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲(chǔ)電荷的多寡來(lái)代表一個(gè)二進(jìn)制bit是1還是0。

　　DRAM中的基本存儲(chǔ)單元由兩個(gè)元件組成：晶體管和電容器。當(dāng)需要將一個(gè)位放入存儲(chǔ)器時(shí)，晶體管用于對(duì)電容器充電或放電。從位線讀取的動(dòng)作迫使電荷流出電容器。

　　DRAM與SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）相比，其優(yōu)勢(shì)在于結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，每一個(gè)bit的數(shù)據(jù)都只需一個(gè)電容跟一個(gè)晶體管來(lái)處理，相比之下在SRAM存儲(chǔ)芯片上一個(gè)bit通常需要六個(gè)晶體管。因此DRAM擁有非常高的密度，單位體積的容量較高因此成本較低。然而，DRAM的存取速度一般比SRAM要慢。

　　DRAM cell結(jié)構(gòu)由1個(gè)MOS和1個(gè)電容組成，由電容是否帶電荷來(lái)區(qū)分0和1。不過(guò)，由于電容漏電流的原因，DRAM無(wú)法長(zhǎng)時(shí)間保存數(shù)據(jù)，需要“動(dòng)態(tài)”刷新（刷新周期在亞ms級(jí)別）。

　　DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）存儲(chǔ)器主要通過(guò)電容來(lái)存儲(chǔ)信息。這些電容用于存儲(chǔ)電荷，而電荷的多寡則代表了一個(gè)二進(jìn)制位是1還是0。由于電容存在漏電阻，因此每個(gè)位單元都必須不斷地、周期性地對(duì)進(jìn)行充電，以維持原來(lái)的數(shù)據(jù)不丟失，此行為稱(chēng)之為刷新。

　　DRAM與SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）相比，其優(yōu)勢(shì)在于結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，成本低，且集成度高，因此廣泛應(yīng)用于筆記本電腦和臺(tái)式機(jī)中的內(nèi)存模塊。

　　此外，由于電容存在漏電阻，因此每個(gè)位單元都必須不斷地、周期性地對(duì)進(jìn)行充電，以維持原來(lái)的數(shù)據(jù)不丟失，此行為稱(chēng)之為刷新。

　　DRAM存儲(chǔ)器廣泛應(yīng)用于筆記本電腦和臺(tái)式機(jī)中的內(nèi)存模塊。

　　DRAM存儲(chǔ)器為什么要刷新

　　DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）存儲(chǔ)器需要刷新的主要原因是電容器的漏電。DRAM中存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的基本單元是電容器和晶體管，其中電容器用于存儲(chǔ)信息，而晶體管則用于讀寫(xiě)數(shù)據(jù)。

　　由于電容器是一種可充電的電子元件，其存儲(chǔ)的電荷會(huì)隨時(shí)間逐漸泄漏。為了避免存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)在漏電的情況下丟失，DRAM需要定時(shí)刷新電容器中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。刷新操作是由內(nèi)部計(jì)時(shí)器觸發(fā)的，定期地讀取并重新寫(xiě)入DRAM中存儲(chǔ)的所有數(shù)據(jù)。這樣可以確保每個(gè)電容器都能得到充電，從而保持?jǐn)?shù)據(jù)的正確性。

　　在現(xiàn)代的DRAM中，刷新操作通常使用“自刷新”技術(shù)實(shí)現(xiàn)，即DRAM芯片內(nèi)部包含一個(gè)刷新控制電路，它可以自動(dòng)執(zhí)行刷新操作，而不需要外部的控制信號(hào)。這樣就可以減少CPU或其他控制器的負(fù)擔(dān)，提高系統(tǒng)的性能和可靠性。

　　刷新是以行為單位的，每次刷新一行。刷新方式有集中刷新方式、分散刷新方式和異步刷新方式。

　　審核編輯：黃飛