ROHM集團(tuán)旗下的LAPIS Semiconductor，作為高可靠性 DRAM系列產(chǎn)品，新開(kāi)發(fā)出搭載輸出驅(qū)動(dòng)能力調(diào)節(jié)功能的128M bit SDRAM“MD56V72160C”/256M bit SDRAM“MD56V82160A”。本LSI搭載了4級(jí)輸出驅(qū)動(dòng)能力調(diào)節(jié)功能，可根據(jù)用戶(hù)系統(tǒng)調(diào)節(jié)電流驅(qū)動(dòng)能力，降低輻射噪聲，從而可減少噪聲對(duì)策零部件與阻尼電阻元件的數(shù)量。另外，引線(xiàn)框架采用焊接連接可靠性更高的銅（Cu）框架，因此，還非常適用于車(chē)載設(shè)備等要求高可靠性的用途。本產(chǎn)品的樣品已經(jīng)在售，計(jì)劃從2014年3月份開(kāi)始以月產(chǎn)100萬(wàn)個(gè)的規(guī)模開(kāi)始量產(chǎn)銷(xiāo)售。

　　＜背景＞

　　在中小容量SDRAM的用途之一車(chē)載設(shè)備系統(tǒng)中，工作時(shí)發(fā)生的輻射噪聲會(huì)對(duì)高頻段等產(chǎn)生影響，因此，對(duì)于提升系統(tǒng)品質(zhì)來(lái)說(shuō)，降低輻射噪聲成為重要課題。LAPIS Semiconductor著眼于該課題，為降低SDRAM工作時(shí)產(chǎn)生的輻射噪聲，改善阻抗匹配的讀取數(shù)據(jù)輸出波形的特性，早在以往產(chǎn)品16M bit /64M bit SDRAM上就開(kāi)始搭載按3級(jí)改變讀取數(shù)據(jù)輸出時(shí)的電流驅(qū)動(dòng)能力的輸出驅(qū)動(dòng)能力調(diào)節(jié)功能。該功能在車(chē)載領(lǐng)域獲得極高好評(píng)，為擴(kuò)大在需要更大容量SDRAM的用途中的應(yīng)用范圍，LAPIS Semiconductor開(kāi)發(fā)了128M bit 、256M bit SDRAM。

　　另外，DRAM的主流產(chǎn)品逐漸向大容量、高速化的DDR2/DDR3-SDRAM發(fā)展，中小容量SDRAM的供應(yīng)越來(lái)越不穩(wěn)定。LAPIS Semiconductor將中小容量的SDRAM定位為傳統(tǒng)DRAM注1，作為唯一可長(zhǎng)期供貨的日本國(guó)內(nèi)制造商，不僅面向車(chē)載用途市場(chǎng)，而且面向更廣闊的工業(yè)設(shè)備市場(chǎng)，正在不斷完善產(chǎn)品的產(chǎn)品陣容。

　　

　　

　?。夹庐a(chǎn)品詳情＞

　　1．搭載輸出驅(qū)動(dòng)能力調(diào)節(jié)功能

　　為降低SDRAM工作時(shí)產(chǎn)生的輻射噪聲，改善阻抗匹配的讀取數(shù)據(jù)輸出波形的特性，搭載變更讀取數(shù)據(jù)輸出時(shí)的電流驅(qū)動(dòng)能力的輸出驅(qū)動(dòng)能力調(diào)節(jié)功能。通過(guò)擴(kuò)展模式寄存器配置可設(shè)定4級(jí)驅(qū)動(dòng)能力。

　　本功能有助于實(shí)現(xiàn)適合用戶(hù)系統(tǒng)的電流驅(qū)動(dòng)能力優(yōu)化、降低輻射噪聲、減少輻射噪聲對(duì)策零部件數(shù)量。另外，可按出貨時(shí)固定規(guī)格的驅(qū)動(dòng)能力設(shè)定供貨，即使使用已有的SDRAM控制器無(wú)需配置擴(kuò)展模式寄存器，即可使用最佳的輸出驅(qū)動(dòng)能力設(shè)定的產(chǎn)品。

　　2．采用銅引線(xiàn)框架

　　為滿(mǎn)足車(chē)載設(shè)備領(lǐng)域的與PCB板之間的高可靠性焊接連接性的要求，本產(chǎn)品采用連接可靠性?xún)?yōu)異的銅（Cu）引線(xiàn)框架。與以往的42合金引線(xiàn)框架相比，其與PCB板的熱膨脹系數(shù)更相近，因此，提高了焊接連接可靠性，滿(mǎn)足了汽車(chē)廠(chǎng)家要求的PCB板貼裝狀態(tài)下的熱膨脹循環(huán)標(biāo)準(zhǔn)。另外，還同時(shí)抑制了錫晶須不良的發(fā)生。

　　3．滿(mǎn)足車(chē)載品質(zhì)

　　為實(shí)現(xiàn)高品質(zhì)，支持定制符合客戶(hù)要求品質(zhì)的測(cè)試工序。

　　4．芯片銷(xiāo)售遵循KGD（Known Good Die）保證

　　從晶圓級(jí)保證與封裝產(chǎn)品同等的品質(zhì)，通過(guò)與客戶(hù)的使用方法相匹配的測(cè)試工序，提供高品質(zhì)的芯片產(chǎn)品。

　　LAPIS Semiconductor今后也會(huì)以不斷推出客戶(hù)放心使用的高可靠性SDRAM產(chǎn)品并長(zhǎng)期穩(wěn)定供應(yīng)為目標(biāo)，進(jìn)一步推出256M bit DDR1、512M bit DDR2，不斷擴(kuò)充傳統(tǒng)DRAM注1產(chǎn)品的陣容。

　　【銷(xiāo)售計(jì)劃】

• 產(chǎn)品名 ：MD56V72160C / MD56V82160A
• 包裝形態(tài) ：托盤(pán)1080個(gè)
• 樣品出售時(shí)間 ：樣品出售中
• 樣品價(jià)格（參考）：

MD56V72160C 　360日元（不含稅）

MD56V82160A 　520日元（不含稅）

• 量產(chǎn)出售計(jì)劃 ：2014年3月開(kāi)始

　　【產(chǎn)品概要/特點(diǎn)】

• 規(guī)格　　 ：滿(mǎn)足JEDEC標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格
• 存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu) ：

4 BANK×2，097，152 WORD×16 BIT （MD56V72160C）

4 BANK×4，194，304 WORD×16 BIT （MD56V82160A）

• 地址大小 ：

4，096行 × 512列（MD56V72160C）

8，192行 × 512列（MD56V82160A）

• 工作頻率 ：166MHz（max.）
• 接口 ：LVTTL兼容
• 功能 ：通用SDRAM指令接口
• 電源電壓 ：3.3V±0.3V
• 工作溫度范圍 ：0℃ ～ ＋70℃ / －40℃ ～ ＋85℃
• 刷新 ：

自動(dòng)刷新時(shí)　4，096次/64msec（MD56V72160C）　　8，192次/64msec（MD56V82160A）

自刷新

• 消耗電流（Typ.） ：

工作時(shí)（166MHz） 100mA （MD56V72160C）　　 150mA （MD56V82160A）

待機(jī)時(shí)（動(dòng)態(tài)待機(jī)時(shí)） 50mA （MD56V72160C）　　65mA （MD56V82160A）

關(guān)機(jī)時(shí) 3mA

• 封裝 ：

54Pin TSOP

銅引線(xiàn)框架、滿(mǎn)足RoHS指令、無(wú)鉛、無(wú)鹵

　　【術(shù)語(yǔ)解說(shuō)】

　　注1　傳統(tǒng)DRAM

　　DRAM市場(chǎng)隨著電腦和手機(jī)的高性能化發(fā)展，主流產(chǎn)品逐漸轉(zhuǎn)變?yōu)榇笕萘?、高速DRAM，中小容量DRAM的供應(yīng)廠(chǎng)家日益減少。然而，消費(fèi)電子設(shè)備和車(chē)載設(shè)備等產(chǎn)品中，從噪聲設(shè)計(jì)角度等出發(fā)，適用中小容量、中速DRAM的應(yīng)用大量存在。另外，通信設(shè)備和工業(yè)設(shè)備等生命周期較長(zhǎng)的產(chǎn)品中，從控制器變更等設(shè)計(jì)變更較難或想控制設(shè)計(jì)變更費(fèi)用等角度出發(fā)，存在希望繼續(xù)使用中小容量DRAM的需求。LAPIS Semiconductor將這些中小容量DRAM定位為“傳統(tǒng)DRAM”，不斷開(kāi)發(fā)滿(mǎn)足車(chē)載市場(chǎng)和工業(yè)設(shè)備市場(chǎng)需求的高可靠性新產(chǎn)品，以進(jìn)一步擴(kuò)充傳統(tǒng)DRAM的產(chǎn)品陣容，為客戶(hù)提供長(zhǎng)期穩(wěn)定供應(yīng)。