東芝財(cái)報(bào)爛爆，鴻海入股東芝半導(dǎo)體事業(yè)機(jī)會(huì)來(lái)了，傳鴻海有意吃下過(guò)半股權(quán)，不過(guò)，昨日卻意外傳出東芝有意重新啟動(dòng)半導(dǎo)體事業(yè)招標(biāo)作業(yè)，看來(lái)鴻海這次若真如傳言要入股東芝，同樣會(huì)是好事多磨。
2017-02-17 09:42:08
425 1. TC58V64 的引腳配置TC58V64的引腳配置如圖所示。在圖中未看到地址引腳，這是因?yàn)槔脭?shù)據(jù)輸人輸出引腳（I／O 1 ～I(xiàn)／O 8 ），能夠以時(shí)分方式賦予數(shù)據(jù)。NAND閃速存儲(chǔ)器只能
2018-04-11 10:10:52
七年前進(jìn)入該市場(chǎng)以來(lái)的首次，受益于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手東芝表現(xiàn)不佳等有利因素。 雖然全球經(jīng)濟(jì)形勢(shì)總體上來(lái)看十分嚴(yán)峻，但受平板電腦和固態(tài)硬盤(pán)廠商對(duì)NAND閃存需求的刺激，第二季度美國(guó)內(nèi)存生產(chǎn)商美光的NAND閃存
2012-09-24 17:03:43
。隨著帶有控制
器功能的
存儲(chǔ)器需求不斷擴(kuò)大，
東芝已經(jīng)采取行動(dòng)使其在這個(gè)不斷擴(kuò)大的市場(chǎng)上占領(lǐng)領(lǐng)先地位，
東芝還加入更大容量的模塊以鞏固公司的地位?！?/div>
2008-08-14 11:31:20
首先討論HDD及其功能，并比較儲(chǔ)存(storage)和(memory)的不同特性。在接下來(lái)的專欄中，我們將專門(mén)討論SSD，并探索在可預(yù)見(jiàn)的未來(lái)將持續(xù)發(fā)展的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存趨勢(shì)?！ ?chǔ)存 vs 存儲(chǔ)器 電子數(shù)據(jù)
2017-07-20 15:18:57
/SRAM 或通過(guò) FSMC 的外部存儲(chǔ)器）。D總線：此總線用于將 Cortex?-M4F 數(shù)據(jù)總線和 64 KB CCM 數(shù)據(jù) RAM 連接到總線矩陣。內(nèi)核通過(guò)此總線進(jìn)行立即數(shù)加載和調(diào)試訪問(wèn)。此總線訪問(wèn)的對(duì)象...
2021-08-05 07:41:43
以下均以STM32F429IGT6為例一、存儲(chǔ)器映射存儲(chǔ)器本身不具有地址信息，它的地址是由芯片廠商或用戶分配，給存儲(chǔ)器分配地址的過(guò)程就稱為存儲(chǔ)器映射，具體見(jiàn)圖 5-5。如果給存儲(chǔ)器再分配一個(gè)地址就叫
2021-08-20 06:29:52
存儲(chǔ)器本身不具有地址信息，它的地址是由芯片廠商或用戶分配，給存儲(chǔ)器分配地址的過(guò)程稱為存儲(chǔ)器映射，如果再分配一個(gè)地址就叫重映射存儲(chǔ)器映射ARM 將這 4GB 的存儲(chǔ)器空間，平均分成了 8 塊區(qū)域
2022-01-20 08:21:34
1. 存儲(chǔ)器理解存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)結(jié)構(gòu)的重要組成部分，存儲(chǔ)器是用來(lái)存儲(chǔ)程序代碼和數(shù)據(jù)的部件，有了存儲(chǔ)器計(jì)算機(jī)才具有記憶功能。按照存儲(chǔ)介質(zhì)的特性，可以分“易失性存儲(chǔ)器”和“非易失性存儲(chǔ)器”兩類(lèi)，易失和非易
2021-07-16 07:55:26
感謝Dryiceboy的投遞據(jù)市場(chǎng)分析數(shù)據(jù),DRAM和NAND存儲(chǔ)器價(jià)格近期正在不斷上揚(yáng).許多人認(rèn)為當(dāng)前存儲(chǔ)器市場(chǎng)的漲價(jià)只不過(guò)是暫時(shí)的供需不穩(wěn)所導(dǎo)致的;有些人則認(rèn)為隨著存儲(chǔ)器價(jià)格3D NAND制造
2019-07-16 08:50:19
存儲(chǔ)器的分類(lèi)存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來(lái)存放程序和數(shù)據(jù)，從不同的角度對(duì)存儲(chǔ)器可以做不同的分類(lèi)。1、按存儲(chǔ)介質(zhì)分半導(dǎo)體存儲(chǔ)器（又稱易失性存儲(chǔ)器）：體積小，功耗低，存取時(shí)間短，電源消失的時(shí)候，所存的信息也隨之消失。磁表面存儲(chǔ)器（...
2021-07-26 08:30:22
計(jì)算機(jī)中哪些部件可以用于存儲(chǔ)信息？存儲(chǔ)器的層次結(jié)構(gòu)主要體現(xiàn)在什么地方？為什么要分這些層次？存取周期和存取時(shí)間的區(qū)別是什么？半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片的譯碼驅(qū)動(dòng)方式有幾種？
2021-09-28 06:38:41
時(shí)，檢測(cè)針對(duì)第一存儲(chǔ)體的訪問(wèn)的數(shù)量是否大于第一閾值，包括：在針對(duì)第一存儲(chǔ)體的訪問(wèn)到達(dá)存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)控制器時(shí)，由存儲(chǔ)控制器檢測(cè)針對(duì)第一存儲(chǔ)體的訪問(wèn)的數(shù)量是否大于第一閾值。編碼運(yùn)算包括異或運(yùn)算。101、獲取上述
2019-11-15 15:44:06
匯編語(yǔ)言程序目錄一、CPU對(duì)存儲(chǔ)器的讀寫(xiě)二、內(nèi)存地址空間三、將各類(lèi)存儲(chǔ)器看作一個(gè)邏輯器件——統(tǒng)一編址四、內(nèi)存地址空間的分配方案——以8086PC機(jī)為例一、CPU對(duì)存儲(chǔ)器的讀寫(xiě)CPU想要進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀寫(xiě)
2021-12-10 08:04:16
問(wèn)題一：位圖都存儲(chǔ)在哪了？都在程序存儲(chǔ)器里嗎問(wèn)題二：能不能將位圖存儲(chǔ)到外部?jī)?nèi)存中？問(wèn)題三：F429的程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器有多大？
2020-05-20 04:37:13
NAND FIash存儲(chǔ)器的特點(diǎn)FIash文件系統(tǒng)的應(yīng)用特點(diǎn) FAT文件系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)FAT文件系統(tǒng)的改進(jìn)設(shè)計(jì)
2021-04-25 09:18:53
Flash存儲(chǔ)器是一種基于浮柵技術(shù)的非揮發(fā)性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，一般有NOR、NAND、 DINOR和AND 等幾種類(lèi)型。作為一類(lèi)非易失性存儲(chǔ)器 ,Flash存儲(chǔ)器具有自己獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn):不需要特殊的外部高
2020-11-16 14:33:15
、SL2）的一部分。KeyStone 架構(gòu)將存儲(chǔ)器保護(hù)擴(kuò)展至外部存儲(chǔ)器，同時(shí)還增強(qiáng)了對(duì)內(nèi)部存儲(chǔ)器進(jìn)行保護(hù)的靈活性。另外，MSMC 允許將外部存儲(chǔ)器的地址空間從 32 位擴(kuò)展至 36 位。 可為每個(gè)
2011-08-13 15:45:42
512KB FLASH，64KB SRAM可是在看到手冊(cè)上的存儲(chǔ)器映像時(shí)，系統(tǒng)存儲(chǔ)器并沒(méi)有包括在512KB的FLASH中，那這BOOTLOADER存在哪了呢？沒(méi)有接觸過(guò)BOOTLOADER，十分不解，還請(qǐng)大家給解答。
2014-11-26 21:05:35
第一部分、章節(jié)目錄3.2.1.STM32的存儲(chǔ)器映像13.2.2.STM32的存儲(chǔ)器映像23.2.3.STM32的位帶操作詳解3.2.4.STM32的啟動(dòng)模式3.2.5.STM32的電源管理系統(tǒng)
2021-12-30 08:11:20
STM32的存儲(chǔ)器、電源和時(shí)鐘體系-第3季第2部分視頻課程 互聯(lián)網(wǎng)課程品牌《...
2021-08-03 06:55:48
【朱老師課程總結(jié) 侵刪】第一部分、章節(jié)目錄3.2.1.STM32的存儲(chǔ)器映像3.2.2.STM32的位帶操作詳解3.2.3.STM32的啟動(dòng)模式3.2.4.STM32的電源管理系統(tǒng)3.2.5.復(fù)位
2021-08-20 06:06:01
題目是一個(gè)停車(chē)場(chǎng)計(jì)時(shí)系統(tǒng)，用74系列之類(lèi)的芯片。我們用6116存儲(chǔ)器來(lái)存地址信號(hào)，通過(guò)刷卡產(chǎn)生脈沖，經(jīng)過(guò)延時(shí)出現(xiàn)兩個(gè)相鄰的脈沖分別代表讀和寫(xiě)信號(hào)，用來(lái)讀取存儲(chǔ)器中對(duì)應(yīng)車(chē)的狀態(tài)（在不在車(chē)庫(kù)內(nèi)），再將
2016-07-23 00:01:59
我總是需要將內(nèi)部存儲(chǔ)器用于傳入圖像緩沖區(qū)為什么STM32H7A3中的DCMI DMA無(wú)法通過(guò)FMC或OCTOSPI HYPER存儲(chǔ)器將圖像數(shù)據(jù)傳輸?shù)酵獠?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)器？
2022-12-21 06:20:05
flash中運(yùn)行。嵌入式系統(tǒng)多用一個(gè)小容量的nor flash存儲(chǔ)引導(dǎo)代碼，用一個(gè)大容量的nand flash存放文件系統(tǒng)和內(nèi)核。
1.2 存儲(chǔ)器RAM介紹
RAM有兩大類(lèi)，一種稱為靜態(tài)RAM（Static
2023-05-19 15:59:37
，ADSC引腳做什么。所有同步SRAM存儲(chǔ)器將具有這些引腳。從數(shù)據(jù)表中，我知道，例如，直接訪問(wèn)與處理器或DMA控制器的使用。除了QDR、DDR存儲(chǔ)器之外，哪種類(lèi)型的同步SRAM用于外部存儲(chǔ)器。感謝和問(wèn)候蘇巴什
2019-08-15 07:02:35
中國(guó)并未接到任何裁員通知。消息稱，夏普周一提交給金融機(jī)構(gòu)的重組計(jì)劃顯示，該公司將下調(diào)員工薪資，出售海外工廠、一家附屬公司及所持東芝股權(quán)，并在2013年4月前后合并日本國(guó)內(nèi)四家銷(xiāo)售企業(yè)。為了執(zhí)行上述計(jì)劃
2012-09-25 23:49:39
1. 嵌入式的外部存儲(chǔ)器嵌入式系統(tǒng)中，外部的存儲(chǔ)器一般是Nand flash和Nor flash，都稱為非易失存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器的物理構(gòu)成包含頁(yè)內(nèi)地址，頁(yè)（Page），塊（Block）。可以得出存儲(chǔ)器
2021-12-10 08:26:49
的測(cè)試系統(tǒng)應(yīng)運(yùn)而生。本文提出了一種多功能存儲(chǔ)器芯片的測(cè)試系統(tǒng)硬件設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)，對(duì)各種數(shù)據(jù)位寬的多種存儲(chǔ)器芯片（SRAM、MRAM、NOR FALSH、NAND FLASH、EEPROM等）進(jìn)行了詳細(xì)的結(jié)口
2019-07-26 06:53:39
您好，我在MCU上使用程序內(nèi)存的一部分作為NVM（非易失性存儲(chǔ)器）。我已經(jīng)設(shè)法寫(xiě)和讀，但是現(xiàn)在我面臨的問(wèn)題是，我想避免編譯器覆蓋我用于NVM的程序內(nèi)存空間。MCU是PIC32 MX230F064 D。程序存儲(chǔ)器的最后一頁(yè)是NVM的一頁(yè)。謝謝，問(wèn)候，
2019-09-18 10:31:51
2018年上半進(jìn)入96層的技術(shù)規(guī)格，2018年中將3D的比重提高到85%以上。為了讓每單位的記憶容量提高，美日韓存儲(chǔ)器大廠都卯盡全力，在96層的堆棧技術(shù)上尋求突破。三星指出，第五代的96層V NAND量產(chǎn)
2018-12-24 14:28:00
我們正在嘗試將內(nèi)部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲(chǔ)器（而不是 EEPROM）。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲(chǔ)器，如果可能，我們?nèi)绾问褂?。?qǐng)指導(dǎo)我們實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)
2023-04-04 08:16:50
未來(lái)DDR4、NAND Flash存儲(chǔ)器芯片該如何發(fā)展
2021-03-12 06:04:41
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 FLASH程序存儲(chǔ)器 FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器各有什么區(qū)別？特點(diǎn)？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器包含三部分，片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴(kuò)展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
切換期間存儲(chǔ)信息。非易失性存儲(chǔ)器用于存儲(chǔ)可執(zhí)行代碼或常量數(shù)據(jù)、校準(zhǔn)數(shù)據(jù)、安全性能和防護(hù)安全相關(guān)信息等重要數(shù)據(jù)，以作將來(lái)檢索用途。目前市場(chǎng)上主要包含這幾種不同類(lèi)型的非易失性存儲(chǔ)器，如NOR 閃存
2019-07-23 06:15:10
些類(lèi)型的系統(tǒng)中 ， pcm 可以做代碼執(zhí)行存儲(chǔ)器.以其可位變性特性. PCM可以轉(zhuǎn)換該種系統(tǒng)中所滿的一些或杏所食的 DKAM ,如閣1所示《SnD 存儲(chǔ)器系統(tǒng)中， PCM 在滿足 NAND 閃存密度滿
2018-05-17 09:45:35
什么存儲(chǔ)介質(zhì)適用于intel optane SSD 800P，900P，905P，intel optane SSD 800P，900P，905P系列的存儲(chǔ)介質(zhì)是所有相變存儲(chǔ)器或相變存儲(chǔ)器的一部分，如果它們
2018-11-19 14:18:38
本帖最后由 CICI_CICI87 于 2012-5-24 10:28 編輯
目前我們獵頭公司在幫重慶某公司招聘支付事業(yè)部經(jīng)理（1名）一、崗位描述：負(fù)責(zé)支付卡整體解決方案的技術(shù)預(yù)研、項(xiàng)目跟蹤
2012-05-22 11:42:23
。與 NOR 閃速存儲(chǔ)器相比較，東芝公司開(kāi)發(fā)的 NAND 閃速存儲(chǔ)器卻能夠進(jìn)行高度集成，寫(xiě)人方式也因采用了被稱為隧道的方式，即利用了氧化膜所引起的隧道效應(yīng)現(xiàn)象，故與 NOR 閃速存儲(chǔ)器相比，具有
2018-04-09 09:29:07
記憶。浮置柵被設(shè)計(jì)成可以存儲(chǔ)電荷的構(gòu)造，柵極及主板利用氧化膜進(jìn)行了絕緣處理，一次積累的電荷可以長(zhǎng)時(shí)間（10 年以上）保持。當(dāng)然，如果氧化膜存在缺陷，或者由于某種原因使絕緣膜遭到破壞，那么閃速存儲(chǔ)器將失去
2018-04-10 10:52:59
東芝彩電存儲(chǔ)器數(shù)據(jù):東芝25E3XC2 24C08 M37222M6-084SP.bin 東芝2550XHC 24C04 M37222M6-B83SP.bin 東芝2840XH 24C02 東芝
2008-03-23 10:11:15
48 TCL 2501東芝機(jī)芯 (25英寸)存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)
2009-06-05 13:32:268 TCL AT29128東芝純存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)
2009-06-12 11:25:1923 高性能20納米級(jí)NAND閃存存儲(chǔ)器
SAMSUNG電子有限公司推出業(yè)界首個(gè)20納米級(jí)(nm) NAND芯片，用于安全數(shù)字(SD)存儲(chǔ)器卡和嵌入式存儲(chǔ)解決方案中。32
2010-05-17 12:15:021091 提出一種適用于未來(lái)高密度應(yīng)用的與非(NAND) 型共享選通管的三維多層1TXR 阻變存儲(chǔ)器概念。在0.13 m工藝下, 以一個(gè)使用8 層金屬堆疊的1T64R 結(jié)構(gòu)為例, 其存儲(chǔ)密度比傳統(tǒng)的單層1T1R 結(jié)構(gòu)高
2011-12-07 11:02:4116 東京—東芝公司 （TOKYO：6502）今天宣布，該公司在閃存峰會(huì)（Flash Memory Summit）上展示其最新的NAND閃存和存儲(chǔ)產(chǎn)品。
2014-09-03 11:40:13849 足夠資金，彌補(bǔ)美國(guó)核能事業(yè)的資產(chǎn)虧損。近來(lái)也傳出西部數(shù)據(jù)(WD)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)、富士康(Foxconn)及Bain Capital有意競(jìng)購(gòu)，對(duì)此外界分析認(rèn)為，西部數(shù)據(jù)或可借由收購(gòu)東芝半導(dǎo)體事業(yè)部分股權(quán)，擴(kuò)大在全球NAND Flash市場(chǎng)的影響力與競(jìng)爭(zhēng)力，并
2017-02-15 01:06:41114 SK海力士(SK Hynix)入主東芝(Toshiba)半導(dǎo)體事業(yè)部的競(jìng)爭(zhēng)即將進(jìn)入白熱化，但規(guī)模上看26兆韓元(約228億美元)的鉅額投資計(jì)劃，是否能為SK海力士帶來(lái)1加1大于2的事業(yè)綜效，外界出現(xiàn)
2017-03-06 17:38:151037 受到眾多買(mǎi)家競(jìng)購(gòu)東芝存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)的影響，近段時(shí)間以來(lái)東芝公司的媒體曝光率極高。如果拋去對(duì)于東芝存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)將花落誰(shuí)家的紛擾猜測(cè)，將目光對(duì)準(zhǔn)市場(chǎng)與產(chǎn)品技術(shù)，可以發(fā)現(xiàn)近年來(lái)東芝公司除去存儲(chǔ)器之外，仍有不少值得推介的新品。
2017-04-26 10:36:451345 近日消息，據(jù)日本共同社報(bào)道，東芝公司預(yù)計(jì)在本月27日將與優(yōu)先談判方美日韓聯(lián)合體正式簽約，出售旗下半導(dǎo)體子公司東芝存儲(chǔ)器。對(duì)于東芝存儲(chǔ)器，富士康曾給出了比美日韓的2萬(wàn)億日元(約合179億美元)更高
2017-06-26 11:46:11243 在市場(chǎng)NAND Flash快閃存儲(chǔ)器供應(yīng)仍有缺口，導(dǎo)致價(jià)格繼續(xù)維持高位的情況下，包括國(guó)際大廠三星、SK海力士、東芝，以及中國(guó)廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)存紛紛宣布擴(kuò)產(chǎn)以增加產(chǎn)能之際，7日美商存儲(chǔ)器大廠美光（Micron）也宣布擴(kuò)產(chǎn)，以補(bǔ)足市場(chǎng)供不應(yīng)求的缺口。
2018-06-11 12:01:00922 ，存儲(chǔ)器內(nèi)的信息仍然存在，主要是閃存（Nand FLASH 和 NOR FLASH），NOR 主要應(yīng)用于代碼存儲(chǔ)介質(zhì)中，而 NAND 則用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。
2018-04-09 15:45:33109972 6月1日，東芝發(fā)布公告稱其已經(jīng)完成東芝存儲(chǔ)器株式會(huì)社股權(quán)轉(zhuǎn)讓相關(guān)事宜。自2017年東芝發(fā)布公示表明會(huì)將旗下合并報(bào)表子公司東芝存儲(chǔ)器株式會(huì)社的全部股權(quán)轉(zhuǎn)讓給以貝恩資本（Bain Capital
2018-06-02 11:30:007055 東芝存儲(chǔ)器是全球第二大NAND芯片制造商。去年，經(jīng)過(guò)漫長(zhǎng)又激烈的競(jìng)爭(zhēng)后，貝恩財(cái)團(tuán)拿下了東芝的這個(gè)芯片部門(mén)。東芝集團(tuán)在西屋核電部門(mén)投入數(shù)十億美元超支成本，差點(diǎn)使公司陷入危機(jī)之后，只好采取出售芯片部門(mén)
2018-06-08 01:50:003801 從各事業(yè)部營(yíng)收數(shù)據(jù)來(lái)看，計(jì)算機(jī)與網(wǎng)絡(luò)事業(yè)部（CNBU）與移動(dòng)事業(yè)部（MBU）是絕對(duì)主力。值得注意的是，移動(dòng)業(yè)務(wù)正在迫近計(jì)算機(jī)與網(wǎng)絡(luò)業(yè)務(wù)，這可能意味著中國(guó)智能手機(jī)廠商已經(jīng)開(kāi)始接受DRAM與NAND價(jià)格高企的現(xiàn)實(shí)。存儲(chǔ)事業(yè)部營(yíng)收下降應(yīng)該是美光不再支持SSD公開(kāi)市場(chǎng)，而是直接將存儲(chǔ)器賣(mài)給數(shù)據(jù)中心。
2018-06-25 09:23:273150 
NAND 型快閃存儲(chǔ)器（Flash Memory）正迎來(lái) 10 年一度的需求熱潮，也造成做為原料的硅晶圓供應(yīng)不足，當(dāng)前庫(kù)存水準(zhǔn)已滑落至歷史新低，各家半導(dǎo)體廠商紛紛加快腳步確保供應(yīng)來(lái)源，不過(guò)東芝（Toshiba）在確保 2018 年所需的硅晶圓供貨協(xié)商上，落后給競(jìng)爭(zhēng)同業(yè)，而此恐對(duì)其半導(dǎo)體事業(yè)帶來(lái)沖擊。
2018-07-28 09:46:561358 存儲(chǔ)器是半導(dǎo)體三大支柱產(chǎn)業(yè)之一。據(jù)IC Insights數(shù)據(jù)，2015年半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)總額達(dá)835億美元。各類(lèi)存儲(chǔ)器中，NAND Flash是一個(gè)亮點(diǎn)。其廣泛應(yīng)用于PC、手機(jī)、服務(wù)器等各類(lèi)電子產(chǎn)品，2015年?duì)I收達(dá)到267億美元，占半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)總額的32%。
2018-08-13 09:01:001349 日前，國(guó)星光電董事會(huì)審議通過(guò)《關(guān)于成立非視覺(jué)光源事業(yè)部的議案》，標(biāo)志著國(guó)星光電非視覺(jué)光源事業(yè)部正式成立。
2018-08-30 10:47:513440 背景知識(shí)的情況下，可以比較簡(jiǎn)單地使用大容量的NAND Flash存儲(chǔ)器，降低了使用NAND Flash存儲(chǔ)器的難度和成本。
2018-12-31 11:29:002879 
東芝公司近日發(fā)布了BENAND產(chǎn)品。該產(chǎn)品基于單層存儲(chǔ)單元（SLC）NAND閃存，并且內(nèi)嵌錯(cuò)誤糾正功能（ECC）。BENAND產(chǎn)品正式批量生產(chǎn)的時(shí)間為2012年3月。BENAND在東芝公司最先
2018-10-08 17:11:001940 會(huì)議開(kāi)始，RGB戰(zhàn)略管控型事業(yè)部總經(jīng)理歐陽(yáng)小波介紹了公司成立RGB戰(zhàn)略管控型事業(yè)部的目的和意義。他講到：自2011年公司RGB器件事業(yè)部成立以來(lái)，實(shí)現(xiàn)了較快速度的發(fā)展。事業(yè)部升級(jí)后勢(shì)必為事業(yè)部的發(fā)展
2018-10-31 17:58:055377 據(jù)報(bào)導(dǎo)，多位關(guān)系人士透露，從東芝獨(dú)立出來(lái)的全球第二大NAND型快閃存儲(chǔ)器（Flash Memory）廠商東芝存儲(chǔ)器（TMC）已著手進(jìn)行準(zhǔn)備原定于今年9月的IPO，預(yù)估TMC上市后市值將超過(guò)2萬(wàn)億日元。
2019-02-24 10:09:003006 6月15日，東芝存儲(chǔ)器公司NAND Flash工廠于當(dāng)?shù)貢r(shí)間下午6點(diǎn)25分發(fā)生斷電事故，大概花了13分鐘之后就恢復(fù)供電了，然而工廠在恢復(fù)供電后一直處于停產(chǎn)狀態(tài)。
2019-07-01 11:08:553257 NAND Flash受到東芝存儲(chǔ)器工廠停電事件，將帶動(dòng)NAND Flash價(jià)格止跌走揚(yáng)，威剛科技初估，NAND Flash價(jià)格將調(diào)漲10%至15%；另一存儲(chǔ)器模組廠十銓科技也認(rèn)為不論DRAM或NAND Flash，下半年都將有很大的成長(zhǎng)空間。
2019-07-09 16:02:202513 東芝存儲(chǔ)器公司于四日市廠區(qū)于6月15日遭遇長(zhǎng)約13分鐘的跳電狀況。研調(diào)機(jī)構(gòu)集邦TrendForce存儲(chǔ)器儲(chǔ)存研究(DRAMeXchange)評(píng)估，此事件將使得Wafer短期報(bào)價(jià)面臨漲價(jià)壓力，第三季2D NAND Flash產(chǎn)品價(jià)格可能上漲，3D NAND Flash產(chǎn)品價(jià)格跌幅則可能微幅收斂。
2019-07-11 11:07:042855 7月18日，日本東芝電子(中國(guó))有限公司通過(guò)企業(yè)官方網(wǎng)站發(fā)布公告稱，東芝電子旗下子公司東芝存儲(chǔ)器株式會(huì)社將于2019年10月1日起正式更名為“Kioxia”，中文名為“鎧俠株式會(huì)社”。而東芝電子(中國(guó))有限公司也將在2020年春天同步更名，新名稱定為“鎧俠電子(上海)有限公司”。
2019-07-24 09:41:1619857 東芝存儲(chǔ)器控股公司已與光寶科技（LITE-ON Technology Corporation）簽訂收購(gòu)后者固態(tài)硬盤(pán)（SSD）業(yè)務(wù)的最終協(xié)議。收購(gòu)價(jià)格為1.65億美元。
2019-09-03 10:14:541471 據(jù)外媒報(bào)道，東芝存儲(chǔ)器美國(guó)子公司宣布推出一種新的存儲(chǔ)器（Storage Class Memory）解決方案：XL-Flash，該技術(shù)是基于創(chuàng)新的Bics Flash 3D NAND技術(shù)和SLC。
2019-09-04 16:41:321234 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技（YMTC）本周早些時(shí)候表示，已經(jīng)開(kāi)始批量生產(chǎn)采用專有Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND存儲(chǔ)器。
2019-09-09 10:22:161661 據(jù)“儲(chǔ)能100人?報(bào)道稱，近日，原屬于比亞迪第十四事業(yè)部的儲(chǔ)能板塊業(yè)務(wù)正式劃轉(zhuǎn)至比亞迪集團(tuán)第二事業(yè)部，也就是普遍稱呼的電池事業(yè)部。
2020-01-02 17:00:364932 在市場(chǎng)NAND Flash快閃存儲(chǔ)器供應(yīng)仍有缺口，導(dǎo)致價(jià)格繼續(xù)維持高位的情況下，包括國(guó)際大廠三星、SK海力士、東芝，以及中國(guó)廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)存紛紛宣布擴(kuò)產(chǎn)以增加產(chǎn)能之際，7日美商存儲(chǔ)器大廠美光（Micron）也宣布擴(kuò)產(chǎn)，以補(bǔ)足市場(chǎng)供不應(yīng)求的缺口。
2020-09-03 16:42:01771 據(jù)知情人士向運(yùn)營(yíng)商財(cái)經(jīng)網(wǎng)獨(dú)家透露，中國(guó)電信已明確政企事業(yè)部各事業(yè)部總裁的級(jí)別，有些為二級(jí)副，有些為三級(jí)正。分部門(mén)負(fù)責(zé)人有些級(jí)別為二級(jí)副與別的部門(mén)不同的是，中國(guó)電信政企分部門(mén)負(fù)責(zé)人已改叫事業(yè)部總裁
2021-01-13 11:36:0320014 2021年慕尼黑上海電子展上周在上海新國(guó)際博覽中心落下帷幕。在此期間，EDN有幸受邀參與VIP媒體團(tuán)采訪，兆易創(chuàng)新（GigaDevice）存儲(chǔ)器事業(yè)部市場(chǎng)經(jīng)理薛霆向記者講述了今年熱門(mén)的存儲(chǔ)器應(yīng)用領(lǐng)域。
2021-05-01 09:44:003051 存儲(chǔ)器的歷史始于1984年，彼時(shí) Masuoka 教授發(fā)明了 NAND Flash（NAND 閃存）。1989年，東芝首款 NAND Flash 上市。2001年，許多Flash廠商推出MLC
2022-11-25 14:57:351637 摘要：本文主要對(duì)兩種常見(jiàn)的非易失性存儲(chǔ)器——NAND Flash和NOR Flash進(jìn)行了詳細(xì)的比較分析。從存儲(chǔ)容量、性能、成本等方面進(jìn)行了深入探討，以幫助讀者更好地理解這兩種存儲(chǔ)器的特性和應(yīng)用。
2023-09-27 17:46:06490 隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求日益增長(zhǎng)。作為一種新型的非易失性存儲(chǔ)器，NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等優(yōu)勢(shì)，在各個(gè)領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。本文將對(duì)NAND Flash存儲(chǔ)器的工作原理、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、性能指標(biāo)及應(yīng)用領(lǐng)域進(jìn)行詳細(xì)解析，以期為讀者提供一個(gè)全面的了解。
2023-09-27 18:26:171446 日前，國(guó)星光電董事會(huì)審議通過(guò)《關(guān)于成立車(chē)載LED事業(yè)部的議案》，正式成立車(chē)載LED事業(yè)部。
2023-11-21 09:23:28896 近日，據(jù)奇瑞內(nèi)部人士透露，奇瑞已將EH事業(yè)部（智界事業(yè)部）升級(jí)為獨(dú)立事業(yè)部。這一變革旨在更好地推動(dòng)LUXEED智界品牌的產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力提升和生產(chǎn)、經(jīng)營(yíng)。目前，該部門(mén)人數(shù)規(guī)模超過(guò)2500人。
2024-02-05 17:30:20594 裁員潮仍在繼續(xù) 諾基亞將在印度裁員約250人 谷歌將再裁員數(shù)千人 盡管時(shí)間已經(jīng)進(jìn)入到2024年但是似乎科技巨頭們的大規(guī)模裁員潮仍在繼續(xù)！已經(jīng)看到外媒有報(bào)道諾基亞將在印度裁員約250人；此外巨頭谷歌
2024-02-21 11:30:34935 的局面。緊接著,1989年,東芝公司發(fā)表了 NAND Flash 結(jié)構(gòu),后者的單元電路尺寸幾乎只是 NOR 器件的一半,可以在給定的芯片尺寸內(nèi)提供更高的容量,也就相應(yīng)地降低了價(jià)格。 1.NAND
2024-03-01 17:08:45160 
非易失性存儲(chǔ)器芯片又可分為快閃存儲(chǔ)器 （Flash Memory） 與只讀存儲(chǔ)器 （Read-Only Memory）。其中，快閃存儲(chǔ)器又可以分為 NAND 存儲(chǔ)和 NOR 存儲(chǔ)。
2024-03-22 10:54:1515 
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