韓國(guó)《中央日?qǐng)?bào)》發(fā)布消息稱,三星電子已成功研發(fā)出5納米(nm)半導(dǎo)體工藝,并于4月中正式量產(chǎn)首個(gè)利用極紫外光刻(EUV)的7納米芯片。對(duì)于新一代半導(dǎo)體的精密工藝問(wèn)題,三星電子與各企業(yè)間的技術(shù)較量
2019-05-22 10:25:42
4668 據(jù)三星官網(wǎng)新聞,韓國(guó)巨頭宣布推出業(yè)界首款8GB LPDDR4 DRAM成片。此次的8GB LPDDR4內(nèi)存芯片采用16Gb顆粒,10nm級(jí)(10nm~20nm之間)工藝制造,可實(shí)現(xiàn)與20nm級(jí)4GB
2016-10-20 10:55:48
1662 ,這是第一顆國(guó)產(chǎn)的DDR4內(nèi)存芯片。 根據(jù)產(chǎn)品介紹,目前兩款 DDR4 顆粒單顆容量均為 8Gb(1GB),頻率 2666MHz,工作電壓 1.2V,工作溫度 0℃ 到 95 ℃,采用 78-ball
2020-02-27 09:01:11
8110 `8890開發(fā)板擁有二個(gè)三星自家貓鼬核芯以及四個(gè)低功耗A53核芯,最高主頻達(dá)到1.5GHz,GPU為Mali-T880 MP12,內(nèi)存采用三星原裝4G LPDR4內(nèi)存,支持三路MIPI攝像頭接口
2017-06-30 11:00:32
,既有超強(qiáng)的性能,同時(shí)兼顧了低功耗的設(shè)計(jì),外加強(qiáng)大的3D性能及視頻處理能力,將成為三星高端市場(chǎng)的主力處理器。S5P6818 核心板尺寸為標(biāo)配了1GB DDR3內(nèi)存、8GB EMMC存儲(chǔ)并配備有三星電源
2017-06-29 09:30:45
DDR4 DESIGNDDR4 DESIGNDDR4 DESIGN拿走拿走!
2015-04-24 18:06:37
,將工作電壓從1.8V降至1.5V,增加異步重置(Reset)與ZQ校準(zhǔn)功能?! ?b class="flag-6" style="color: red">4.邏輯Bank數(shù)量改變。DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的設(shè)計(jì),目的就是為了應(yīng)對(duì)未來(lái)大容量芯片的需求。而
2011-02-27 16:47:17
1080p視頻錄制。別忘了,三星GALAXY Grand還搭載一顆200萬(wàn)像素的前置攝像頭?! ∽詈?,三星GALAXY Grand其他規(guī)格還包括1GB運(yùn)行內(nèi)存,8GB的內(nèi)置存儲(chǔ)容量并支持SD擴(kuò)展,支持藍(lán)牙
2012-12-19 15:54:04
核心板尺寸為 62mm*42mm,標(biāo)配 2GB DDR3 內(nèi)存、8GB EMMC 存儲(chǔ)并配備有電源管理芯片——AXP228;PCB 采用 8 層通孔板工藝,布局布線充分考慮電氣要求,具有極佳的性能和抗干擾
2017-11-02 11:02:17
?!艏闪薊MMC5.0/5.1的EMMC(MLC型),容量8GB(M18型)和16GB(M2A型),NEXELL聯(lián)合三星提供高質(zhì)量的原裝產(chǎn)品,杜絕壞塊和殘次品?!艏闪薘EALTEK的ALC5640
2016-08-15 14:54:39
組合,可以說(shuō)是安卓機(jī)型里面的王者。該機(jī)現(xiàn)在升級(jí)到android2.2系統(tǒng),更具性價(jià)比,感興趣的朋友可以保持關(guān)注。三星I9000(8G版) 感謝送測(cè)經(jīng)銷商:譜康科技(十天包換,二年硬件保修,軟件終生維護(hù)
2011-05-04 18:51:39
三星電子近日在國(guó)際學(xué)會(huì)“IEDM 2015”上就20nm工藝的DRAM開發(fā)發(fā)表了演講。演講中稱,三星此次試制出了20nm工藝的DRAM,并表示可以“采用同樣的方法,達(dá)到10nm工藝”。 國(guó)際電子器件
2015-12-14 13:45:01
`1.三星嵌入式方案思科德技術(shù)是從事三星嵌入式方案開發(fā)的專業(yè)團(tuán)隊(duì),專注于以三星ARM處理器為核心的嵌入式平臺(tái)開發(fā)。 思科德技術(shù)經(jīng)歷多年的研發(fā)和服務(wù)客戶,開發(fā)出的產(chǎn)品方案包括平板電腦、手持設(shè)備、廣告機(jī)
2013-11-19 17:26:07
的商機(jī)仍然暢旺,在供給端僅有三星、SK海力士、美光,加上新技術(shù)量產(chǎn)困難,在這些現(xiàn)實(shí)下,2019年對(duì)存儲(chǔ)器廠商而言仍會(huì)是個(gè)豐收的年度。如果要考慮供過(guò)于求的變量,可能是第二代10nm等級(jí)的DRAM技術(shù)
2018-12-25 14:31:36
三星宣布將開發(fā)手持式裝置用的RFID(radio frequency identification)讀取芯片,能讓使用者透過(guò)手機(jī)得知產(chǎn)品和服務(wù)信息,但三星并未透露產(chǎn)品何時(shí)上市。 三星指出,RFID
2019-07-04 07:26:16
emmc 可選,標(biāo)配8GB[/tr]多媒體解碼H.263,H.264,MPEG1, MPEG2,MPEG4,VC1, VP8,Theora,AVS,RV8/9/10, MJPEG(幾乎全格式)H.263
2016-07-12 11:43:25
韓國(guó)《每日經(jīng)濟(jì)新聞》3月15日消息,三星電子已在日本建立一個(gè)新的半導(dǎo)體研發(fā)中心,將現(xiàn)有的兩個(gè)研發(fā)機(jī)構(gòu)合二為一,旨在推進(jìn)其芯片技術(shù)并雇傭更多優(yōu)秀研發(fā)人員。據(jù)報(bào)道,三星電子于去年年底重組在日本橫濱和大阪
2023-03-15 14:04:55
三星電子近日宣布成功開發(fā)出高質(zhì)量的CMOS圖像傳感器(CIS)芯片和照相機(jī)模組。該照相機(jī)模組有1/3英寸SXGA(130萬(wàn)像素)、1/5.8英寸VGA(33萬(wàn)像素)兩種規(guī)格,都包含了CIS和ISP
2021-04-22 07:35:50
的半導(dǎo)體封裝。同年,三星電子成為世界第一個(gè)擁有4-GB半導(dǎo)體處理生產(chǎn)技術(shù)的廠商 1999年7月三星電子世界第一個(gè)1GDDRDRAM芯片實(shí)現(xiàn)商業(yè)化,并引入世界最快的3DGraphics圖形卡專用
2019-04-24 17:17:53
` 本帖最后由 q271763634 于 2016-8-11 14:47 編輯
推薦理由:1、三星中國(guó)S5P4418開發(fā)系統(tǒng)國(guó)內(nèi)唯一旗艦商;2、全球絕對(duì)獨(dú)家發(fā)布,獨(dú)家支持3G/4G電話和短信功能
2015-05-19 15:01:01
FLIR第二代熱像儀ADK有哪些特點(diǎn)?FLIR第二代熱像儀ADK有哪些功能?
2021-07-11 07:27:39
退出7納米研發(fā),令業(yè)界十分震驚。自GF 退出戰(zhàn)局后,全球7納米大戰(zhàn)的芯片大廠僅剩英特爾、臺(tái)積電和三星這三家,高端芯片戰(zhàn)場(chǎng)上呈現(xiàn)三國(guó)鼎立之勢(shì)。全球第二大芯片廠 GF何故離場(chǎng)?GF是全球第二大芯片代工廠
2018-09-05 14:38:53
MT40A512M16LY-075E:B MT40A1G8SA-075:EMT29F64G08CBABAWP:BMT40A256M16GE-083E IT:BMT40A512M8RH-083E:B 鎂光DDR4 時(shí)時(shí)發(fā)集團(tuán)亞洲有限公司 QQ:535553245
2019-02-18 10:51:21
功能模塊。S5P6818 核心板尺寸為 62mm*42mm,標(biāo)配 2GB DDR3 內(nèi)存、8GB EMMC 存儲(chǔ)并配備有電源管理芯片——AXP228;PCB 采用 8 層通孔板工藝,布局布線充分考慮電氣
2017-12-04 11:27:25
、x4、x8模式。 支持2x72bit(數(shù)據(jù)位寬64bit+ECC)DDR4存儲(chǔ),數(shù)據(jù)傳輸速率2400Mb/s。 DDR4單簇容量4GB,總?cè)萘繛?b class="flag-6" style="color: red">8GB。 板載4個(gè)用戶可編程LED。 加載方式:BPI
2019-10-25 16:00:50
10保時(shí)捷設(shè)計(jì)版1395歐元(約10850人民幣)三星與華為的最新主力旗艦機(jī)型都有不遜色于iPhone 8系列的表現(xiàn),在特色功能方面還更各有千秋,更適合高端商務(wù)人群的辦公需求,外觀創(chuàng)新方面全面屏的加持
2017-10-18 15:51:48
商在OLED領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì);2,對(duì)三星、夏普、JDI等面板廠商來(lái)說(shuō)這絕對(duì)是一個(gè)糟糕的消息,甚至在彭博社的報(bào)道發(fā)出之后,股價(jià)一度暴跌;3,對(duì)于MicroLED有著領(lǐng)先研究的***企業(yè)能從中獲利崛起;4,短期內(nèi)蘋果會(huì)扶持LGD、BOE(京東方)等OLED面板廠商,避免三星一家獨(dú)大;5,......
2018-03-23 15:31:33
低功耗媒體處理器,并且支持最新的圖形API,GPU 最大工作頻率800Mhz,雙視頻處理器VPU用于不同格式的視頻解碼,集成1MB 二級(jí)緩存,支持NEON,支持VFPv4IMX8MQ 芯片支持DDR4
2020-10-30 15:34:16
三星ic,大量求購(gòu)三星ic,帝歐還長(zhǎng)期回收ssd固態(tài)硬盤,回收服務(wù)器內(nèi)存條,回收硬盤,回收cpu,回收芯片,回收傳感器,收購(gòu)連接器,收購(gòu)鉭電容,回收sd卡,收購(gòu)tf卡。回收工廠庫(kù)存ic,大量收購(gòu)工廠庫(kù)存
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2021-04-28 18:52:33
中星9號(hào)35公分不銹鋼天線數(shù)字接收機(jī)二代機(jī)中星9號(hào)正版機(jī)批發(fā),村村通直播衛(wèi)星數(shù)字電視機(jī)頂盒海爾海信上廣電TCL中電國(guó)科天誠(chéng)皇視天地星三星松下航天天信卓異同洲高斯貝爾亞視達(dá)艾雷特機(jī)頂盒二代正版接收機(jī)
2010-01-11 18:17:12
日公布,5納米工藝技術(shù)制造8、三星 Exynos 2100:2020年12月12日公布,5納米工藝技術(shù)制造9、蘋果 A13 Bionic:2019年9月10日公布,7納米工藝技術(shù)制造10、高通 驍龍 865 Plus:2020年7月8日公布,7納米工藝技術(shù)制造
2021-12-25 08:00:00
2133MT/s,運(yùn)作電壓在1.2V,這也是史上第一條DDR4內(nèi)存。在此之前,三星電子40nm制程的DRAM芯片的成功流片,成為DDR4發(fā)展的關(guān)鍵。三個(gè)月之后,SK海力士宣布2400MT/s速率的2GB
2022-10-26 16:37:40
,DDR4內(nèi)存性能最大幅度可比DDR3提升高達(dá)70%,甚至更高。內(nèi)存容量加大內(nèi)存容量方面,DDR3內(nèi)存最大單挑容量為64GB,實(shí)際能買到的基本是16GB/32GB,而新一代DDR4內(nèi)存,單條容量最大
2019-07-25 14:08:13
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2021-12-27 19:25:08
我們使用i.MX8MPlus運(yùn)行Windows 10 IoT系統(tǒng),遇到了三星eMMC的兼容性問(wèn)題。如何解決?詳情如下:1.使用三星/KLMAG1JETD-B041/16GB eMMC5.1無(wú)法運(yùn)行
2023-03-17 09:03:23
量產(chǎn)中利用意法半導(dǎo)體的FD-SOI技術(shù)。也是在這一年,三星成功生產(chǎn)了8Mb eMRAM,并利用28nmFDS,在2019年成功量產(chǎn)首款商用eMRAM。 據(jù)三星介紹,利用其28nmFDS工藝技術(shù)制作
2023-03-21 15:03:00
ofweek電子工程網(wǎng)訊 據(jù)英國(guó)路透社10月13日?qǐng)?bào)道,韓國(guó)科技業(yè)巨擘三星電子當(dāng)天發(fā)布業(yè)績(jī)初估稱,第三季營(yíng)業(yè)利潤(rùn)可能較上年同期增長(zhǎng)近兩倍,創(chuàng)下新高,并優(yōu)于分析師預(yù)期,因內(nèi)存芯片價(jià)格強(qiáng)勁可能推高了
2017-10-13 16:56:04
`友堅(jiān)官方研發(fā)三星四核安卓4.4系統(tǒng)S5P4418開源硬件三星指定平板產(chǎn)品的IDH產(chǎn)品,1、UT4418是由專注三星10年工作經(jīng)驗(yàn)的高級(jí)硬件工程師設(shè)計(jì),吸取了友堅(jiān)7年行業(yè)ARM定制經(jīng)驗(yàn)而打造的明星
2016-07-01 14:04:09
S5P4418處理器開發(fā)板。該方案基于三星新一代28nm從CortexA9四核CPU的開發(fā)平臺(tái)。整合了目前工業(yè)、消費(fèi)、車載等行業(yè)常用接口,滿足常規(guī)應(yīng)用。 2、支持5路UART、4路PWM\GPIO12路、2路
2015-11-28 19:12:54
年收購(gòu)電子芯片,收購(gòu)電子IC,收購(gòu)DDR ,收購(gòu)集成電路芯片,收購(gòu)內(nèi)存芯片,大量回收SDRAM、DRAM、SRAM、DDR內(nèi)存芯片系列,三星,現(xiàn)代,閃迪,金士頓,鎂光,東芝,南亞,爾必達(dá),華邦等各原裝品牌。帝
2021-08-20 19:11:25
JJACGR-KEM 深圳帝歐電子高價(jià)專業(yè)回收三星字庫(kù),回收DDR,收購(gòu)DDR。帝歐電子具有以下優(yōu)勢(shì):壹、實(shí)力雄厚、資金充裕,可以一次性現(xiàn)金收購(gòu)200萬(wàn)以內(nèi)的庫(kù)存。貳、全面而專業(yè)的評(píng)估團(tuán)隊(duì)。由20多名有數(shù)十年經(jīng)驗(yàn)的評(píng)估
2021-01-11 18:18:34
,三星手機(jī)指紋模組,華為手機(jī)指紋模組,魅族手機(jī)指紋模組,小米手機(jī)指紋模組,國(guó)產(chǎn)指紋模組,進(jìn)口指紋模組,新舊指紋模組,高清指紋模組。品牌和型號(hào)不能完全羅列,只要您有手機(jī)指紋模組都可以與我們聯(lián)系,本司專業(yè)高效,價(jià)格比同行高。長(zhǎng)期專業(yè)回收手機(jī)指紋、指紋芯片、定制指紋模組
2021-09-09 19:05:33
、x8模式。支持2x72bit(數(shù)據(jù)位寬64bit+ECC)DDR4存儲(chǔ),數(shù)據(jù)傳輸速率2400Mb/s。DDR4單簇容量4GB,總?cè)萘繛?b class="flag-6" style="color: red">8GB。板載4個(gè)用戶可編程LED。加載方式:BPI模式。三、物理特性
2018-07-27 16:49:30
。 支持PCIe x1、x4、x8模式。 支持2x72bit(數(shù)據(jù)位寬64bit+ECC)DDR4存儲(chǔ),數(shù)據(jù)傳輸速率2400Mb/s。 DDR4單簇容量4GB,總?cè)萘繛?b class="flag-6" style="color: red">8GB。 板載4個(gè)用戶可編程LED
2018-08-22 17:31:55
三星ic,大量求購(gòu)三星ic,帝歐還長(zhǎng)期回收ssd固態(tài)硬盤,回收服務(wù)器內(nèi)存條,回收硬盤,回收cpu,回收芯片,回收傳感器,收購(gòu)連接器,收購(gòu)鉭電容,回收sd卡,收購(gòu)tf卡?;厥展S庫(kù)存ic,大量收購(gòu)工廠庫(kù)存
2020-12-14 16:00:38
` 誰(shuí)知道天琴二代芯片用在哪里?`
2019-08-28 15:54:57
NXP IMX8M Mini DDR4 校準(zhǔn)
2023-04-20 07:36:55
北京時(shí)間11月8日晚間MAX3232EUE+T消息,展訊通信(Nasdaq:SPRD)今日宣布,基于展訊通信40納米2.5G基帶芯片SC6530的兩款三星手機(jī)E1282(GT-E1282T
2012-11-09 15:43:30
代理。內(nèi)存三星2GB DDR31333(金條)195元三星1GB DDR3 1066(筆記本/金條) 85元三星1GB DDR2 667(筆記本-金條) 30元三星1GB DDR2 800(金條) 30
2009-03-20 18:25:37
三星的K9F1G08U0A nand flash芯片,手冊(cè)說(shuō)有Unique ID可以用,但是沒有說(shuō)明具體怎么操作。另外在其他三星nor flash芯片手冊(cè)中有看到OTP區(qū)域,可以來(lái)保存Unique
2017-03-21 09:22:02
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2021-09-08 14:59:58
FLASH芯片,回收進(jìn)口FLASH 電子芯片?。?現(xiàn)代:H27UBG8T2CTR-BC(4GB) H27UBG8T2BTR-BC(4GB) H27UCG8T2ETR-BC(8GB
2021-08-20 16:33:07
年首款DDR4從韓國(guó)三星誕生,隨后海力士迅速跟進(jìn)研制生產(chǎn);2012年5月8日,美光官方正式宣布該公司首款DDR4內(nèi)存開發(fā)生產(chǎn)出成品,并已經(jīng)開始提供樣品給主要客戶進(jìn)行測(cè)試,預(yù)計(jì)2013年開始量產(chǎn)
2012-12-30 18:45:31
級(jí)緩存、單/雙精度浮點(diǎn)性能超過(guò)6/3TFlops、六通道DDR4和多通道16GB MCDRAM高帶寬內(nèi)存、Omni-Path全新自主光纖互連等。 在該芯片解密項(xiàng)目進(jìn)行中,我們深刻的認(rèn)識(shí)到國(guó)內(nèi)超級(jí)計(jì)算機(jī)研發(fā)
2015-11-30 14:54:14
DDR4。帝歐趙生***QQ1816233102/764029970郵箱
[email protected]?;厥?b class="flag-6" style="color: red">三星
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DDR 2021-03-17 17:59:10
季度開始生產(chǎn)。此舉也創(chuàng)下二次擊敗勁敵三星、獨(dú)吃蘋果處理器大單的新記錄,2017年?duì)I收持續(xù)增長(zhǎng)基本沒什么問(wèn)題。剛剛失去蘋果訂單的三星,日前宣布Note6將用上基于10nm工藝的6GB LPDDR4內(nèi)存,并將于今年下半年上市。這樣一來(lái),臺(tái)積電和三星以及蘋果的性能之爭(zhēng),就轉(zhuǎn)移到Note 6和iPhone 7身上。`
2016-07-21 17:07:54
DNW軟件只能用于三星的ARM芯片嗎?
2019-08-05 22:52:59
功耗的前提下具有與DDR3一樣的速度?!ご鎯?chǔ):8GB(可根據(jù)需要配置16GB以及32GB),采用三星EMMC,時(shí)鐘頻率高達(dá)52MHZ,滿足MMC V4.41協(xié)議標(biāo)準(zhǔn)。 ·PMIC:選用三星自家電源管理芯片
2013-06-18 16:07:28
UltraScale+芯片將配備8GB HBM 2顯存,帶寬460GB/s,號(hào)稱是DDR4內(nèi)存帶寬的20倍,不過(guò)該芯片本身還是配有DDR4內(nèi)存,頻率2666Mbps?! ≈档米⒁獾氖牵m然賽靈思沒有公布8GB HBM
2016-12-07 15:54:22
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2021-07-06 19:32:41
三星ddr3 :DDR3/64*16/K4B1G1646G-BCKODDR3/128*16/K4B2G1646Q-BCKODDR3/128*16/K4B2G1646Q-BYKODDR3/128*16
2021-09-23 19:20:15
三星首家量產(chǎn)40nm級(jí)工藝4Gb DDR3綠色內(nèi)存芯片
三星電子宣布,該公司已經(jīng)在業(yè)內(nèi)第一家使用40nm級(jí)別工藝批量生產(chǎn)低功耗的4Gb DDR3內(nèi)存芯片。
這種內(nèi)存芯片支
2010-02-26 11:33:42
780 現(xiàn)在有消息稱,三星的Galaxy S8有可能會(huì)采用8GB內(nèi)存和UFS 2.1閃存芯片,而今年的10月份,他們就曾發(fā)布公告稱,基于10nm工藝的首款8GB LPDDR4 DRAM成片。
2016-12-26 10:52:43
2404 據(jù)報(bào)道,三星第二代10nm級(jí)別的1y-nm 8Gb DDR4顆粒已經(jīng)正式投產(chǎn)了,8Gb DDR4顆粒采取了先進(jìn)的專用電路設(shè)計(jì)技術(shù),比初代10nm級(jí)別(1x-nm)的高30%,并且高頻內(nèi)存要以3600MHz起步。
2017-12-21 11:42:51
2785 三星在DRAM市場(chǎng)的霸主再一次的得到了增強(qiáng)。據(jù)報(bào)道,三星利用第一代10nm 制程工藝研發(fā)出了8Gb DDR4 芯片,這是目前“全球最小”的 DRAM 芯片。
2017-12-21 13:49:01
1534 三星被人稱為世界最賺錢的公司之一,三星Q3凈利潤(rùn)高達(dá)98.7億美元。近日三星又公布了第二代10納米級(jí)8Gb DDR4 DRAM芯片的消息,更是讓人羨慕不已。
2017-12-22 15:31:33
1472 三星的DRAM市場(chǎng)表現(xiàn)十分強(qiáng)勁,并在近日宣布量產(chǎn)其第二代10納米的8Gb DDR4 DRAM。為迎合市場(chǎng)龐大需求,三星將在明年擴(kuò)大第一代DDR4 DRAM的產(chǎn)量。
2017-12-27 11:22:38
835 據(jù)韓聯(lián)社北京時(shí)間12月20日?qǐng)?bào)道,三星電子今天宣布,已開始量產(chǎn)第二代10納米級(jí)制程工藝DRAM內(nèi)存芯片。
2017-12-29 11:15:41
6063 12月20日,三星宣布已開始量產(chǎn)第二代10nm級(jí)8Gb DDR4 DRAM,并持續(xù)擴(kuò)大整體10nm級(jí)DRAM的生產(chǎn),有助于滿足全球不斷飆升的DRAM芯片需求,繼續(xù)加強(qiáng)三星市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。
2018-07-31 14:55:25
723 三星宣布推出基于10nm級(jí)(指10~18nm)的DDR4 SO-DIMM內(nèi)存模組,用于高性能筆記本產(chǎn)品。新的內(nèi)存模組容量達(dá)到32GB單條,頻率2666MHz,結(jié)構(gòu)上是由16個(gè)16Gb DDR4
2018-08-06 16:38:01
4789 如之前預(yù)告的那樣,在三星開始量產(chǎn)基于第二代 10nm 制程的 8Gb DDR4 RAM 芯片后不久,16Gb 的 GDDR6 內(nèi)存芯片現(xiàn)在也已經(jīng)拍馬趕到了。早些時(shí)候官方公布了開始大規(guī)模量產(chǎn)這款零件
2018-08-13 11:16:00
3468 臺(tái)塑集團(tuán)旗下DRAM大廠南亞科技術(shù)能力大躍進(jìn),完成首顆自主研發(fā)的20nm制程8Gb DDR4 DRAM,并通過(guò)個(gè)人電腦(PC)客戶認(rèn)證,本月開始出貨,為南亞科轉(zhuǎn)攻利基型DRAM多年后,再度重返個(gè)人電腦市場(chǎng),明年農(nóng)歷年后將再切入服務(wù)器市場(chǎng),南亞科借此成為韓系和美系大廠之后,另一穩(wěn)定供貨來(lái)源。
2018-08-28 16:09:21
2734 11月12日消息,SK Hynix(SK海力士)宣布研發(fā)完成基于1Ynm工藝的8Gb(1GB)容量DDR4 DRAM芯片。
2018-11-13 09:50:35
3097 3月21日,三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片,將服務(wù)于高端應(yīng)用場(chǎng)景,這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過(guò)去16個(gè)月。
2019-03-21 16:43:08
3251 ,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)。自開始批量生產(chǎn)第二代10nm級(jí)(1y-nm)8Gb DDR4以來(lái)僅僅16個(gè)月,三星不再使用Extreme Ultra-Violet(EUV)處理的情況下開發(fā)1z-nm 8Gb DDR4,說(shuō)明三星突破了DRAM的擴(kuò)展極限。
2019-03-21 17:30:54
1444 三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片,將服務(wù)于高端應(yīng)用場(chǎng)景,這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過(guò)去16個(gè)月。
2019-03-24 11:36:16
3659 關(guān)鍵詞:DRAM , DDR4 三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片,將服務(wù)于高端應(yīng)用場(chǎng)景,這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過(guò)去16個(gè)月。量產(chǎn)時(shí)間
2019-03-29 07:52:01
215 日前美光公司宣布量產(chǎn)了1Znm工藝的16Gb DDR4內(nèi)存,這是第三代10nm級(jí)內(nèi)存工藝,這次量產(chǎn)也讓美光成為業(yè)界第一個(gè)量產(chǎn)1Znm工藝的公司,這一次進(jìn)度比以往的標(biāo)桿三星公司還要快。
2019-08-26 12:43:00
3359 10月21日,SK海力士宣布開發(fā)適用第三代1Z納米的16Gb(Gigabits)DDR4(Double Data Rate 4) DRAM。
2019-10-21 16:10:36
2869 最近一年來(lái),DDR4內(nèi)存芯片持續(xù)降價(jià),如今8GB DDR4單條內(nèi)存也不復(fù)三年前接近千元的售價(jià)之勇,只要200多塊就可以搞定。
2019-10-30 15:19:00
5766 12月8日消息,近日,七彩虹推出了兩款DDR4 普條,都是DDR4 2666頻率,8GB單條售價(jià)188元,16GB單條售價(jià)299元。
2019-12-09 15:49:49
6112 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)正使用其10G1工藝技術(shù)(即19nm工藝)來(lái)制造4GB和8GB的DDR4內(nèi)存芯片,目標(biāo)是在2020年第一季度上市?,F(xiàn)在,一名用戶就曝光了新款內(nèi)存的外觀和參數(shù)。
2020-02-26 15:01:13
7803 在量產(chǎn)國(guó)內(nèi)首個(gè)8Gb DDR4芯片之后,合肥長(zhǎng)鑫日前又獲得了156億元的巨額投資,將加速開發(fā)17nm工藝的DDR5內(nèi)存研發(fā)及生產(chǎn)。
2020-12-18 09:53:14
4084 據(jù)報(bào)道,韓國(guó)三星代工廠已經(jīng)開始試制其第二代 3 納米級(jí)別工藝技術(shù)的芯片,稱為 SF3。這一發(fā)展標(biāo)志著半導(dǎo)體行業(yè)的一個(gè)重要里程碑,因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">三星與臺(tái)積電競(jìng)爭(zhēng)下一代先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)的量產(chǎn)主導(dǎo)權(quán)。韓國(guó)知名權(quán)威
2024-01-22 16:10:14
456 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/BD/C8/wKgZomWuIt2ATrsWAABbJTPIzg4353.png)
評(píng)論