引言：串行Nor Flash是一類使用比較多的存儲器件，在特殊應(yīng)用場景中具有不可替代的地位，本節(jié)是數(shù)字存儲器件系列第一節(jié)，介紹串行Nor Flash的結(jié)構(gòu)和參數(shù)特性。
2023-09-05 10:09:34
1669 
NAND Flash 和NOR Flash 的差別在哪兒呢？從字面意思上看， NAND = not AND(與非)，NOR = not OR(或非)，也有可能是NMOS AND/OR。同為非揮發(fā)
2023-09-11 16:59:231905 
目前，NOR FLASH和NAND FLASH是市場上主要的非易失性閃存技術(shù)，但是據(jù)我了解，還是有很多工程師分不清NAND FLASH與NOR FLASH。
2023-10-01 14:05:00471 
據(jù)集邦咨詢2020第一季NOR Flash廠商市占數(shù)據(jù)，NOR Flash營收市占第一是旺宏，其制程在業(yè)界相對領(lǐng)先，目前采用55nm制程生產(chǎn)，月產(chǎn)能約在20K左右。由于該公司NOR Flash產(chǎn)品線
2020-11-08 09:26:2524454 使用的FLASH是SST39VF3201按照芯片手冊編寫了寫編程程序和擦除程序，發(fā)現(xiàn)擦除或?qū)懢幊?0多次才偶爾有一次擦除成功，哪位高手知道是什么原因嗎？程序代碼為：assign Flash
2014-05-22 08:49:56
Flash型存儲器SST39SF020的資料下載內(nèi)容主要介紹了：SST39SF020性能特點SST39SF020讀寫操作和特定指令代碼SST39SF020應(yīng)用子程序
2021-04-15 06:33:46
NOR FLASH的原理是什么？NOR FLASH的命令是怎樣去操作的？
2021-10-29 07:29:26
NOR FLASH_MX29LV160DBTINOR flash帶有SRAM接口，有足夠的地址引腳來尋址，可以很容易地存取其內(nèi)部的每一個字節(jié)。NOR flash是只讀存儲器，可以輕易的讀，卻不能
2021-07-29 08:46:24
)閃存芯片讀寫的基本單位不同 應(yīng)用程序?qū)?b class="flag-6" style="color: red">NOR芯片操作以“字”為基本單位。為了方便對大容量NOR閃存的管理，通常將NOR閃存分成大小為128KB或者64KB的邏輯塊，有時候塊內(nèi)還分成扇區(qū)。讀寫
2014-04-23 18:24:52
閃存芯片讀寫的基本單位不同 應(yīng)用程序?qū)?b class="flag-6" style="color: red">NOR芯片操作以“字”為基本單位。為了方便對大容量NOR閃存的管理，通常將NOR閃存分成大小為128KB或者64KB的邏輯塊，有時候塊內(nèi)還分成扇區(qū)。讀寫時需要
2013-04-02 23:02:03
嗨，所有的，我有一個定制板基于以下配置：-PIC32 MZ2048 EFM - SST26VF064 B連接到[SqICS1] --[RD5] [SqILK] --- [RG13] [SqID1
2019-04-08 06:24:31
嗨，我在我的應(yīng)用程序中使用SST26VF0閃存。我有來自微芯片站點的驅(qū)動程序，運行良好。我有應(yīng)用程序，就像我在使用GPRS模塊一樣，并且向服務(wù)器發(fā)送分組。如果沒有GPRS連接，系統(tǒng)將把分組存儲到
2020-03-31 07:06:27
`SST39VF160系列芯片資料（英文版）[hide][/hide]`
2017-03-04 13:26:59
SST39VF040系列芯片資料（英文版）[hide][/hide]
2017-03-04 18:12:49
SST39VF400A - Mbit / 4 Mbit / 8 Mbit (x16) Multi-Purpose Flash - Microchip Technology
2022-11-04 17:22:44
我試圖使用SST26VF驅(qū)動程序，但是沒有太多麻煩。調(diào)用在drv_sst26.c atDRV_SST26_READ_FLASH_ID中的2023行失敗，而drv_sqi.c中的124行失敗，因為
2020-03-13 08:16:17
”。 Nor Flash市場應(yīng)用 嵌入式存儲是Nor Flash的主要應(yīng)用領(lǐng)域，基于其讀寫速度快、可靠性高、成本高、可芯片內(nèi)執(zhí)行程序的特點，多用來存儲少量代碼、程序、操作系統(tǒng)等重要信息。 近幾年
2023-02-17 14:06:29
我試圖使用DRV_SST25VF064C和諧函數(shù)（v 1.09）。我不是如何使用DRV_SST25VF064C_BlockEventHandlerSet函數(shù)。示例說
2019-05-27 11:47:56
(); BlockErase(0); Write(FLASH[0x0000], 0x6666); FlashReset();}Busy = false;}下圖是在SST39VF800A上實現(xiàn)的"FLASH二次
2012-02-27 07:50:00
在網(wǎng)上找了一下SST25VF032驅(qū)動資料很少。不過幸運，參考別人的思路移植好了。
??這里分享出來。
sst25vf032b -datasheet.pdf (735.75 KB )
SST25VF016B-cn中文數(shù)據(jù)手冊(1).pdf (4.17 MB )
FLASH.rar (2.51 KB )
2020-07-23 06:43:17
[tr=transparent]ULN2003 步進電機擴展板資料.zip 步進電機資料[/tr]Ex020-串行Flash(SST25VF016B)例程_2011-09-01.rar
2018-06-28 06:34:40
大家好，我用SST26VF064B通過SPI與TMS320F28075微控制器連接。雖然我正在執(zhí)行寫啟用，但我不能執(zhí)行寫操作。而且，讀狀態(tài)寄存器和配置寄存器總是返回0。當我試圖檢查JEDEC-ID
2019-10-17 10:30:53
handle in Impact a Vitrex 5 with a 39VF1602 Flash as configuration device ?Impact does not recognize
2019-03-11 13:26:25
我有困難擦除SST26VF032 B我正在使用的芯片擦除命令。（SST25是EOL）我在4MHzI使用SPI模式重置寫保護（設(shè)置所有10到0x00）發(fā)送寫命令（0x06）發(fā)送ERASE命令（0xC7
2020-05-12 10:14:47
/ww./en/SST26VF032B。還有SQI數(shù)據(jù)表中的初始化代碼?？磥砦业脑O(shè)備不與Flash BeaAUS通信，我不會讀和寫。我試圖讀JEDECID，但結(jié)果是0x058DE380，如果我發(fā)出錯誤的命令。我該怎么辦？我花了2個星期才解決它。（我不知道，我的COD或PIN連接有什么問題？）
2020-04-28 11:19:59
概述：SST39VF1601A采用48腳封裝，具備快速讀寫（70～90ns），快速擦除的功能（70ms）。供電為3.3V，＃37腳為3.3V供電引腳。
2021-04-12 06:01:26
pic32mx795F512L的flash Memoirs SST25VF064C，并且我想尋找最佳的使用方式（連接圖，…）起動器套件的這個內(nèi)存，但它是不可訪問的，會有痕跡嗎？
2019-10-10 06:23:52
ＤＳＰ與ＦＬＡＳＨ構(gòu)成的最小系統(tǒng)是什么？Ｃ５４０２的并行１６位引導(dǎo)裝載方法是什么？怎樣采用C5402外掛FLASH存儲器SST39VF400A去實現(xiàn)一種在系統(tǒng)編程？
2021-06-26 07:23:31
我用mega128的spi和sst25vf032flash通信，為什么存的數(shù)不對？
2011-07-22 12:00:44
FLASH芯片是SST25VF032B的。是不是FLash芯片在寫的時候起始地址只能為偶數(shù)地址?，F(xiàn)在我用的就是SST25VF032B的FLASH芯片，寫的時候就遇到這樣的問題，AAI編程的時候起始
2014-06-13 15:01:03
最近調(diào)程序很不順??！自編寫的燒寫sst39vf1601代碼，燒寫數(shù)據(jù)有規(guī)律性的錯誤，燒寫完不斷電用ccs->memory看，數(shù)據(jù)完全正確，可是掉電后，用ccs->memory看發(fā)現(xiàn)
2018-07-31 06:30:01
NOR Flash的三種基本操作
2020-11-10 07:55:09
寫入到FLASH。主要是一個問題：HEX文件寫入FLASH是逐位WORD對齊依次寫入的嗎？我的FLASH是SST39VF800A，是16位的，轉(zhuǎn)換為HEX是采用CCS自己生成的HEX方式。非常感謝！
2018-08-23 18:50:59
簡要比較NOR 和NAND 兩種Flash 技術(shù)，分析嵌入式Linux 系統(tǒng)MTD 子系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)；詳細介紹在編譯Linux 內(nèi)核時， 如何在MTD 子系統(tǒng)內(nèi)對使用的NOR Flash 芯片進行配置和定制。
2009-04-15 11:05:04
30 深圳市港禾科技有限公司所上傳的產(chǎn)品圖片均為實物拍攝。SST39VF6401B-70-4I-EKE 由于電子元器件價格因市場浮動，網(wǎng)站展示價格僅為參考價，不能作為最后成交價
2022-11-07 16:48:46
SST39LF/VF160是一個1M16的CMOS多功能Flash(MPF)器件,由SST特有的高性SuperFlash技術(shù)制造而成.SuperFlash技術(shù)的分裂閘(split-gate)單元結(jié)構(gòu)和厚氧化物制程的采用可提供可靠性更強、工藝更完善的解
2009-07-24 14:03:0375 本文介紹了LPC2220外部擴展存儲器的設(shè)計方法，以FLASH存儲器（SST39VF160）和SRAM 存儲器(IS61LV25616AL)為實例，給出具體應(yīng)用電路，以及EMC 內(nèi)部寄存器的配置和初始化程序源代碼。
2009-08-06 10:34:1875 本文介紹了一種基于先進的ARM 微處理器的溫室自動監(jiān)測控制器系統(tǒng)的實現(xiàn)過程，系統(tǒng)硬件選用S3C44B0X 嵌入式芯片構(gòu)建硬件平臺，存儲系統(tǒng)包括一片4M×16bit 的Flash（SST39VF160）和一片4M
2009-08-17 08:40:4626 本文介紹了嵌入式實時操作系統(tǒng)VxWorks 的flash 文件系統(tǒng)TFFS 的結(jié)構(gòu)，分析了其算法，描述了其在SST39VF160 型號flash 上的構(gòu)建步驟。最后以TFFS 作為VxWorks 映像的加載途徑，這種加載方
2009-08-24 08:10:0913 并行NOR Flash每次傳輸多個bit位的數(shù)據(jù)，而串行NOR Flash每次傳輸一個bit位的數(shù)據(jù)。并行NOR Flash比串行NOR Flash具有更快的傳輸速度。
2010-03-09 16:06:5049 串行NOR Flash介紹，串行NOR Flash分類、串行NOR Flash選型以及串行NOR Flash命名規(guī)則
2010-03-10 14:52:1830 pin-count packageoccupying less board space and ultimately lowering totalsystem costs. SST25VF020/040 SPI serial flash memories
2010-08-31 16:17:2543 摘要：目前的嵌入式系統(tǒng)多使用FLASH作為主存，因此，如何有效管理FLASH上的數(shù)據(jù)非常重要。文章以SST39VF160芯片為例，討論了在Nor Flash上建立ｕClinux的JFFS2文件系統(tǒng)的
2006-03-11 12:38:301270 
nand nor flash區(qū)別
NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR
2008-06-30 16:29:231163 本文介紹了TMS320C6713浮點DSP芯片和SST公司提供的SST39VF400A FLASH存儲器的基本特點，給出了使用該FLASH存儲器設(shè)計和實現(xiàn)完整的TMS320C6713 DSP引導(dǎo)裝載系統(tǒng)的具體方法。
2011-09-20 12:08:241633 
顯示FLASH(SST25VF016B)內(nèi)容 3.2寸(ILI9325)屏 ucos ucgui 應(yīng)用例程
2015-11-24 11:39:2010 SST89E516仿真芯片的仿真操作步驟.SST89E516仿真芯片的仿真操作步驟-
2015-12-28 14:25:340 全為公司開發(fā)設(shè)計用的IC資料，39VF3201數(shù)據(jù)手冊
2016-12-13 23:14:586 NOR FLASH編程指南,可以下來看看。
2016-12-11 21:31:5531 SST25VF016B數(shù)據(jù)手冊下來看看。
2016-12-16 22:45:0454 SST39VF160系列芯片資料（英文版）
2017-01-04 11:44:420 SST25VF010數(shù)據(jù)手冊
2016-12-29 11:33:090 SST25VF020數(shù)據(jù)手冊
2016-12-29 11:33:090 VDRF256M16是珠海歐比特公司自主研發(fā)的一種高速、大容量的NOR FLASH，可利用其對大容量數(shù)據(jù)進行高速緩存。文中介紹了該芯片的結(jié)構(gòu)和原理，并同時給出了一個系統(tǒng)中大容量、高速數(shù)據(jù)傳輸要求
2017-10-15 12:20:5423 該文檔是SST25VF010A（串行閃存）中文資料用戶手冊，SST25VF010A的應(yīng)用特征、功率參數(shù)、應(yīng)用范圍和基本電路。還包括SST25VF010A應(yīng)用電路圖和引腳配置圖，是最全的SST25VF010A中文資料，歡迎大家免費下載。
2017-10-30 15:01:5019 該文檔是SST25VF040B（串行閃存）中文資料用戶手冊，SST25VF040B的應(yīng)用特征、功率參數(shù)、應(yīng)用范圍和基本電路。還包括SST25VF040B應(yīng)用電路圖和引腳配置圖，是最全的SST25VF040B中文資料，歡迎大家免費下載。
2017-10-30 15:04:5346 該文檔是SST25VF080B（串行閃存）中文資料用戶手冊，SST25VF080B的應(yīng)用特征、功率參數(shù)、應(yīng)用范圍和基本電路。還包括SST25VF080B應(yīng)用電路圖和引腳配置圖，是最全的SST25VF080B中文資料，歡迎大家免費下載。
2017-10-30 15:07:1631 該文檔是SST25VF512（串行閃存）中文資料用戶手冊，SST25VF512的應(yīng)用特征、功率參數(shù)、應(yīng)用范圍和基本電路。還包括SST25VF512應(yīng)用電路圖和引腳配置圖，是最全的SST25VF512中文資料，歡迎大家免費下載。
2017-10-30 16:22:0717 該文檔是SST26VF016/SST26VF032（串行閃存）中文資料用戶手冊，SST26VF016/SST26VF032的應(yīng)用特征、功率參數(shù)、應(yīng)用范圍和基本電路。還包括SST26VF
2017-10-30 16:34:11132 該文檔是SST26VF064B/SST26VF064BA（串行閃存）中文資料用戶手冊SST26VF064B/SST26VF064BA的應(yīng)用特征、功率參數(shù)、應(yīng)用范圍和基本電路。還包括
2017-10-30 16:37:2168 該文檔是SST38VF6401/6402/6403/6404（串行閃存）中文資料用戶手冊SST38VF6401/6402/6403/6404的應(yīng)用特征、功率參數(shù)、應(yīng)用范圍和基本電路。還包括
2017-10-30 16:43:4819 該文檔是SST39LF010/020/040/SST39VF010/020/040（高性能CMOS的SuperFlash技術(shù)）中文資料用戶手冊SST39LF010/020/040
2017-10-30 16:47:0121 該文檔是SST39LF200A/400A/800A/SST39VF200A/400A/800A（高性能CMOS的SuperFlash技術(shù)）中文資料用戶手冊SST39LF200A/400A/800A
2017-10-30 16:50:1614 該文檔是SST39VF401C/402C/SST39LF401C/402C（高性能CMOS的SuperFlash技術(shù)）中文資料用戶手冊SST39VF401C/402C/SST39
2017-10-30 16:54:2927 該文檔是SST39VF801C/802C/SST39LF801C/802C（高性能CMOS的SuperFlash技術(shù)）中文資料用戶手冊SST39VF801C/802C/SST39
2017-10-30 16:58:2822 該文檔是SST39VF1601/1602/SST39VF3201/3202（CMOS的SuperFlash技術(shù)）中文資料用戶手冊SST39VF1601/1602/SST39VF3201/3202
2017-10-30 17:05:3130 該文檔是SST39VF1681/SST39VF1682（CMOS的SuperFlash技術(shù)）中文資料用戶手冊SST39VF1681/SST39VF1682的應(yīng)用特征、功率參數(shù)、應(yīng)用范圍和基本電路
2017-10-30 17:10:1716 他方法相比，分離柵極單元設(shè)計和厚氧化層隧穿注入器
可實現(xiàn)更高的可靠性和可制造性。 SST39VF3201C/3202C 使用 2.7-3.6V 電源進行寫操作 （編程或擦
除）。這些器件遵從 x16 存儲器的 JEDEC 標準引腳分配。
2018-06-30 11:23:0018 SST39VF1601C/1602C 器件具有高性能的字編程能力，其典型字編程時間為 7 μs。這些器件使用翻轉(zhuǎn)
位、數(shù)據(jù) # 查詢或 RY/BY# 引腳來指示編程操作是否完成。為了防止意外寫操作
2018-06-29 15:23:0018 25 系列串行閃存采用四線、兼容 SPI 的接口，從而實現(xiàn)占用較少電路板空間的低引腳數(shù)封裝，并最終降
低總系統(tǒng)成本。SST25VF020B 器件是增強型器件，提高了工作頻率并降低了功耗
2018-06-29 15:23:0010 層隧穿注入器可實現(xiàn)更高的可靠性和可制
造性。SST39WF400B 使用 1.65-1.95V 電源進行寫操作（編程或擦除）。該器件遵從 x16 存儲器的
JEDEC 標準引腳分配。
2018-06-29 15:23:003 SST39WF800B 是采用 SST 專有的高性能 CMOS SuperFlash? 技術(shù)制造的 512K x16 CMOS 多用途閃存
（Multi-Purpose Flash，MPF）器件
2018-06-29 15:23:006 本文檔列出了從SST25VF016B和SST25VF032B移植 到SST26VF016B或SST26VF032B/032BA所需的所有 固件和硬件更改。
2018-06-28 07:25:00100 本文主要介紹了64Mb（x16）高級多用途閃存+SST38VF6401B/SST38VF6402B/SST38VF6403B/SST38VF6404B資料。
2018-06-28 08:25:0010 Flash存儲器又稱閃速存儲器，是20世紀80年代末逐漸發(fā)展起來的一種新型半導(dǎo)體不揮發(fā)存儲器。它兼有RAM和ROM的特點，既可以在線擦除、改寫，又能夠在掉電后保持數(shù)據(jù)不丟失。NOR Flash是Flash存儲器中最早出現(xiàn)的一個品種，與其他種類的Flash存儲器相比具有以下優(yōu)勢。
2018-09-17 08:01:009268 
NOR的特點是芯片內(nèi)執(zhí)行（XIP， eXecute In Place），這樣應(yīng)用程序可以直接在flash閃存內(nèi)運行，不必再把代碼讀到系統(tǒng)RAM中。
2018-09-18 10:59:4352662 Nor Flash的接口和RAM完全相同，可以隨機訪問任意地址的數(shù)據(jù)，在其上進行讀操作的效率非常高，但是擦除和寫操作的效率很低，另外，Nor Flash的容量一般比較小，通常，Nor Flash用于存儲程序。
2018-10-07 15:39:0010675 本文所用藍牙模塊采用英國CSR公司的BC417芯片，并與SST公司的8M的FLASH芯片39VF800A構(gòu)成了模塊。
2019-09-28 17:53:0017647 
Flash（快閃或閃存）由Intel公司于1988年首先推出的是一種可用電快速擦除和編程的非易失性存儲器，其快速是相對于EEPROM而言的。Flash從芯片工藝上分為Nor Flash和Nand
2020-12-07 14:17:013046 1.1接口差別NOR Flash帶有SRAM接口,有足夠的地址引腳來尋址,可以直接和CPU相連,CPU可以直接通過地址總線對NOR Flash進行訪問，可以很容...
2020-12-14 22:48:021624 NOR Flash主要用來存儲代碼及少量數(shù)據(jù)，近幾年因5G、IoT、TWS耳機、AMOLED屏幕、TDDI等市場快速發(fā)展而備受重視。 NOR Flash和Nand Flash是目前兩種主要的非易失閃
2021-03-03 16:17:18703 關(guān)于S29GL256S系列并行nor flash的讀寫擦除操作實驗(做嵌入式開發(fā)用什么電腦好點)-fpga verilog實現(xiàn) S29GL256S 系列 并行 nor flash 的讀寫擦除操作功能
2021-08-04 11:42:13107 1、NOR flashNOR flash數(shù)據(jù)線和地址線分開，可以實現(xiàn)ram一樣的隨機尋址功能，可以讀取任何一個字節(jié)。但是擦除仍要按塊來擦。2、NAND flashNAND flash數(shù)據(jù)線和地址
2021-12-02 12:21:0630 使用FlashMemory作為存儲介質(zhì)。 根據(jù)硬件上存儲原理的不同，Flash Memory主要可以分為NOR Flash和NAND FLASH兩類。主要的差異如下所示： NAND FLASH讀取速度
2022-01-25 17:25:1259808 
1.1接口差別NOR Flash帶有SRAM接口,有足夠的地址引腳來尋址,可以直接和CPU相連,CPU可以直接通過地址總線對NOR Flash進行訪問，可以很容...
2022-01-26 17:12:5213 在嵌入式系統(tǒng)領(lǐng)域，作為存儲設(shè)備的NOR Flash和NAND Flash，大家應(yīng)該不陌生。早期NOR Flash的接口是并行口的形式，也就是把數(shù)據(jù)線，地址線并排設(shè)置在IC的管腳中。但是由于不同容量
2023-03-06 09:49:174893 非易失性存儲元件有很多種，如EPROM、EEPROM、NOR FLASH和NAND FLASH，前兩者已經(jīng)基本被淘汰了，因此我僅關(guān)注后兩者
2023-06-29 09:06:051888 
NOR Flash的讀取和我們常見的SDRAM的讀取是一樣，即可以根據(jù)地址隨機讀寫，用戶可以直接運行裝載在NOR FLASH里面的代碼，這樣可以減少SRAM的容量從而節(jié)約了成本。因為其讀取速度快，多用來存儲程序、操作系統(tǒng)等重要信息。
2023-08-07 09:47:03764 
為什么Nor Flash可以實現(xiàn)XIP，而Nand flash就不行呢？ Flash存儲器是一種常用的非易失性存儲器，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。它們的價值在于它們可以快速讀取和寫入數(shù)據(jù)，同時因為沒有
2023-10-29 16:32:58647 NAND Flash和NOR Flash是兩種常見的閃存類型。
2023-11-30 13:53:20735 
閃存編程也不涉及將數(shù)據(jù)寫入存儲單元，為確保準確編程，Nor Flash 支持字節(jié)級編程，允許寫入或修改單個字節(jié)，而無需擦除整個塊。
2023-12-05 14:03:22390 Nor Flash 中的編程和擦除操作涉及寫入數(shù)據(jù)和擦除存儲單元的特定步驟。
2023-12-05 15:19:06321
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