1.中國產(chǎn)能逐漸開出 內(nèi)存價格2019將下滑；

內(nèi)存價格從2016年起一路上揚，但自2018下半年起，由于各廠商產(chǎn)能陸續(xù)開出，因此資策會MIC預(yù)測內(nèi)存價格將于開始下滑。

資策會MIC資深產(chǎn)業(yè)顧問洪春暉表示，2018年的半導(dǎo)體市場概況是近5年來難得的樂觀，盡管2018年內(nèi)存價格成長空間有限，但NAND Flash需求仍然持續(xù)增加。 因此，預(yù)估2018年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模將成長10.1％，其中最大的原因是各應(yīng)用終端內(nèi)存需求持續(xù)增加，以及車用電子等新興應(yīng)用帶動。

洪春暉進一步指出，內(nèi)存受惠于市場價格上揚，2018年全年***內(nèi)存產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值將成長25％，產(chǎn)值達2，053億新臺幣。 但自2018年第二季起，內(nèi)存價格由于各新廠產(chǎn)能陸續(xù)開出價格開始松動，由其是在中國大陸，無論是DRAM或是NAND Flash產(chǎn)能都在持續(xù)開出；盡管目前尚未進入穩(wěn)定量產(chǎn)階段，但預(yù)期2018下半年內(nèi)存價格仍有下跌空間， 在未來兩年內(nèi)存也不容易再出現(xiàn)價格飆漲的狀況。

由于內(nèi)存供給有望增加，因此展望2019年，預(yù)計內(nèi)存成長趨緩，預(yù)期成長幅度為3.8％。 觀測***產(chǎn)業(yè)，半導(dǎo)體則因高階制程與內(nèi)存市場帶動呈穩(wěn)定成長，預(yù)估2018年***半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值將達2.46兆新臺幣，較2017年成長8.1％，成長動力與全球平均水平相當(dāng)。 但預(yù)期在2019年，DRAM制程將轉(zhuǎn)進至1x和1y納米，F(xiàn)lash產(chǎn)能也持續(xù)增加，預(yù)計內(nèi)存價格下滑將對臺廠造成沖擊。新電子

2.2018全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成長估達10.1%；

資策會產(chǎn)業(yè)情報研究所（MIC）發(fā)表全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)趨勢指出，2018年全球半導(dǎo)體概況，預(yù)估市場規(guī)模將成長10.1%，主要來自各應(yīng)用終端內(nèi)存需求持續(xù)增加，及車用電子等新興應(yīng)用帶動；展望2019年，內(nèi)存成長趨緩， 預(yù)期成長幅度為3.8%，預(yù)計2018年下半年，這波產(chǎn)業(yè)景氣就會逐漸落底。 觀測***產(chǎn)業(yè)，半導(dǎo)體因高階制程與內(nèi)存市場帶動呈穩(wěn)定成長，預(yù)估2018年***半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值將達2.46兆新臺幣，較2017年成長8.1%，成長動力與全球平均水平相當(dāng)。

資策會MIC資深產(chǎn)業(yè)顧問洪春暉表示，***半導(dǎo)體各次產(chǎn)業(yè)表現(xiàn)皆可期。 關(guān)于IC設(shè)計，隨著***廠商手機處理器全球市占提升，再加上***廠商在無線連網(wǎng)芯片、TDDI等芯片市場需求增加，將讓***IC設(shè)計產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值年成長6.2%，產(chǎn)值達5，798億新臺幣。 而隨著人工智能及物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用崛起，也帶動***IC設(shè)計產(chǎn)業(yè)中，非3C應(yīng)用IC的營收占比逐年成長，再加上非3C產(chǎn)品芯片規(guī)格多元化，吸引IC設(shè)計業(yè)者投入提供AISC設(shè)計服務(wù)，預(yù)期2019年經(jīng)營模式將朝多元化發(fā)展。 晶圓代工則在2018下半年因挖礦機需求較減緩，預(yù)估全年成長約6.4％，產(chǎn)值達1.2兆新臺幣。 展望2019年，隨著臺積電7+制程將量產(chǎn)，未來***先進制程比例可望進一步提升，預(yù)估2019年成長率達8~10％。

3.美光轉(zhuǎn)向電荷捕捉 3D Xpoint暖身時間不多了；

由于對未來技術(shù)發(fā)展路線的看法出現(xiàn)歧異，英特爾（Intel）與美光（Micron）在NAND Flash方面的技術(shù)合作將在一年后告終。 未來美光的第四代3D NAND Flash將放棄使用浮閘（Floating Gate）技術(shù)，轉(zhuǎn)向電荷捕捉（Charge Trap）。 業(yè)界常將此事解讀為電荷捕捉技術(shù)大獲全勝，成為未來NAND Flash所采用的主流技術(shù)，因為目前除了英特爾跟美光之外，三星（Samsung）、東芝（Toshiba）與海力士（SK Hynix）都已改用電荷捕捉來生產(chǎn)3D NAND Flash。

西瓜偎大邊 電荷捕捉大獲全勝

在半導(dǎo)體的世界里，一項技術(shù)能否成功，供需兩端的規(guī)模都是非常重要的因素。 美光的NAND Flash產(chǎn)品發(fā)展路線決定從浮閘轉(zhuǎn)向電荷捕捉，正是因為除了英特爾跟美光之外，業(yè)內(nèi)已經(jīng)沒有其他供貨商采用浮閘技術(shù)。

由于美光決定轉(zhuǎn)向，未來還會堅守浮閘技術(shù)的NAND Flash供貨商將只剩下英特爾。 對英特爾來說，這是一個相當(dāng)不利的情況。 一來日后所有的研發(fā)費用將必須獨自承擔(dān)，二來設(shè)備供應(yīng)鏈業(yè)者愿意力挺到何種程度，也是個問題。 英特爾的設(shè)備采購訂單再大，也無法跟三星、東芝、海力士等業(yè)者的設(shè)備需求總量相比。 設(shè)備業(yè)者在商言商，其NAND Flash相關(guān)設(shè)備的研發(fā)重心必然往電荷捕捉移動，未來還能分配多少資源給浮閘制程所使用的設(shè)備，是個大哉問。

事實上，類似的情況在DRAM產(chǎn)業(yè)就曾發(fā)生過。 在21世紀(jì)的前十年，DRAM產(chǎn)業(yè)就曾發(fā)生過溝槽式（Trench）與堆棧式（Stack）的架構(gòu)大戰(zhàn)。 溝槽式DRAM（圖1）的電容在閘極下方，堆棧式DRAM（圖2）的電容器則在閘極上方，是這兩種DRAM最大的差異。

在溝槽式DRAM的制程中，必須先在基板蝕刻出溝槽，然后在溝槽中沉積出介電層，以形成電容器，然后在電容器上方再制造出閘極，構(gòu)成完整的DRAM Cell。 這種制程最大的技術(shù)挑戰(zhàn)有二，一是隨著線寬越來越細(xì)，溝槽的寬深比跟著增加，如何蝕刻出這種溝槽，是相當(dāng)大的技術(shù)挑戰(zhàn)。 其次，在進行沉積制程時，由于溝槽的開口越來越細(xì)，要在溝槽里面沉積足夠的介電材料，形成容值夠高的電容器，也越來越難。 相較之下，堆棧式DRAM則沒有上述問題，因此隨著制程節(jié)點越往前推進，溝槽式DRAM的采用者越來越少。

兩大技術(shù)陣營從130奈米開始一路纏斗到75奈米，最后只剩下奇夢達（Qimonda）還能做出溝槽式DRAM，其他DRAM業(yè)者則早已改采堆棧式架構(gòu)。 而在這個過程中，DRAM業(yè)者不斷跳槽到堆棧式架構(gòu)，設(shè)備業(yè)者對溝槽式制程的支持也越來越少。 最后，隨著奇夢達破產(chǎn)，溝槽式DRAM也宣告走入歷史。

如果歷史經(jīng)驗有任何參考價值，溝槽式DRAM與堆棧式DRAM的大戰(zhàn)告訴我們，英特爾可能做出了很危險的決策。 臺語俗諺說「西瓜偎大邊」，看準(zhǔn)趨勢發(fā)展方向，站在主流方，可獲得的生態(tài)系統(tǒng)資源也越多，規(guī)模經(jīng)濟效應(yīng)也越明顯。 而站錯邊的廠商，最后往往只能黯然退出市場。

人多的地方不要去

照理說，英特爾應(yīng)該也看得出固守浮閘技術(shù)的危險性，但英特爾/美光宣布分手已經(jīng)幾個月過去，英特爾看起來沒有改變NAND Flash技術(shù)發(fā)展路線的打算。 有些媒體認(rèn)為，英特爾應(yīng)該只是不愿公開承認(rèn)浮閘技術(shù)已經(jīng)走到盡頭，試圖做最后的努力。

但對英特爾而言，浮閘技術(shù)或許仍有值得賭一把的理由。 筆者認(rèn)為，英特爾不是一家會為了面子死撐的企業(yè)，從Wireless USB、WiMAX到WiDi，英特爾技術(shù)發(fā)展押錯寶的例子其實不少，最后都是以壯士斷腕的結(jié)局收場。 因此，另一個可能是，英特爾對自己的浮閘技術(shù)掌握度深具信心，認(rèn)為至少還能再支撐一個世代以上，然后將自家內(nèi)存產(chǎn)品過渡到Optane，也就是3D Xpoint技術(shù)。

事實上，筆者認(rèn)為，對手握3D Xpoint技術(shù)的英特爾來說，以浮閘技術(shù)為基礎(chǔ)的NAND Flash，最大的任務(wù)是爭取時間，而不是真的要一直靠此技術(shù)跟其他NAND Flash供貨商競爭。

雖說西瓜偎大邊，但「人多的地方不要去」也是商業(yè)競爭的常識。 NAND Flash內(nèi)存跟DRAM一樣，是同構(gòu)型很高的產(chǎn)品，也因為如此，供貨商之間的競爭武器，直言之只有三項法寶--產(chǎn)品開發(fā)速度、成本控管跟口袋深度。 誰的產(chǎn)品開發(fā)速度領(lǐng)先同業(yè)，誰就能掌握新產(chǎn)品上市初期的高獲利時機；成本控管能力較佳、口袋深度夠深的業(yè)者，則更有籌碼打價格戰(zhàn)，在市況不佳的時候熬過市場寒冬。

相較于其他內(nèi)存供貨商，英特爾其實有很多策略選項，Optane就是一路活棋，而且是其他內(nèi)存供貨商所沒有的獨家技術(shù)。 Optane的讀寫效能理論上接近DRAM，但卻具有NAND Flash的非揮發(fā)特性，被認(rèn)為是非常有潛力的次世代內(nèi)存。 不過，目前Optane固態(tài)硬盤（SSD）的效能其實跟NAND Flash SSD相去不遠，價格卻高出一大截，因此市場接受度并不理想。 也因為如此，英特爾還需要時間為Optane做更多準(zhǔn)備，包含平臺架構(gòu)/軟件的調(diào)整跟優(yōu)化，以及最重要的降低成本，Optane的市場接受度才有機會提升。

另一方面，Optane除了用在SSD之外，也可以DIMM模塊的型態(tài)出現(xiàn)。 目前英特爾已經(jīng)提供基于Optane的DIMM模塊工程樣品給特定客戶，預(yù)計2019年開始量產(chǎn)。 這是一項非常值得關(guān)注的產(chǎn)品，即便短期內(nèi)Optane DIMM不可能取代DRAM的地位，但至少有攪局的潛力。

某內(nèi)存相關(guān)業(yè)者就直言，主板上的DIMM插槽總數(shù)不太有增加的機會。 換言之，只要Optane DIMM占掉一個插槽，DRAM的DIMM插槽就少一個。 由于DRAM報價居高不下，英特爾在2017年拱手把盤據(jù)數(shù)十年的全球半導(dǎo)體營收龍頭寶座讓給了三星，而Optane DIMM這項產(chǎn)品在此刻現(xiàn)身，其實頗有牽制三星的意味存在。

前面提到，英特爾不是純內(nèi)存業(yè)者，而是運算平臺的主導(dǎo)者，因此，相較于其他內(nèi)存業(yè)者只能在英特爾制定的平臺框架內(nèi)競爭，在技術(shù)上，英特爾可以用平臺設(shè)計來拉抬Optane，在商業(yè)模式上也有捆綁銷售的可能性。

供貨商家數(shù)不足恐成普及障礙

雖然Optane有其特殊性，而且英特爾還可以將其包裹在平臺中推廣，但整體來說，這項技術(shù)未來的最大隱憂，恐怕就是它的特殊性。 3D Xpoint是英特爾跟美光連手開發(fā)的次世代內(nèi)存技術(shù)，目前已經(jīng)商品化的廠商則只有英特爾一家，美光則不愿意將基于3D Xpoint技術(shù)的內(nèi)存運用在SSD產(chǎn)品上，甚至寧可讓其廠房閑置，也不愿生產(chǎn)3D Xpoint內(nèi)存。

某種程度上，這也是Optane SSD價格居高不下的原因之一，因為產(chǎn)能實在太低。 沒有量就不會有Cost Down，是電子業(yè)的基本規(guī)律。 此外，單一供貨商也會使原始設(shè)備制造商（OEM）跟品牌廠持觀望態(tài)度。

或許也是考慮到單一供貨商可能造成的問題，加上3D Xpoint的部分關(guān)鍵技術(shù)也來自美光，因此在英特爾、美光宣布停止合作開發(fā)下一代NAND Flash內(nèi)存的同時，美光也明確表示，雙方在3D Xpoint技術(shù)上的合作將繼續(xù)進行。

美光的盤算應(yīng)該是將3D Xpoint內(nèi)存運用在DIMM模塊產(chǎn)品上，而非SSD。 但即便英特爾跟美光連手提供3D Xpoint內(nèi)存，其供應(yīng)量相對于整個DRAM或NAND Flash產(chǎn)業(yè)來說還是太小，只能稍微紓解單一供貨商的疑慮。

總結(jié)來說，3D Xpoint雖有發(fā)展?jié)摿?，但其市場普及仍有諸多障礙需要克服，英特爾跟美光的操盤手，對此必須小心翼翼，做好縝密規(guī)畫。

4.臺積帶動半導(dǎo)體群聚效應(yīng) 設(shè)備鏈靠攏；

***半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展，全球晶圓代工龍頭臺積電撐起半邊天， 不但多年蟬聯(lián)***制造研發(fā)和總資本支出冠軍，臺積電匯集全球半導(dǎo)體最先先進制程的能量，更吸引材料和設(shè)備供應(yīng)鏈向***聚集，形成強化的群聚效應(yīng)。

半導(dǎo)體業(yè)者表示，臺積電堅持技術(shù)自主及領(lǐng)先，這幾年不斷提升研發(fā)人員與研發(fā)支出，奠定***半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在全球具舉足輕重地位。

工研院產(chǎn)經(jīng)中心（IEK）統(tǒng)計，去年***IC產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值達2.46兆元，僅次美國和南韓；今年估可超越2.6兆元。

5.半導(dǎo)體展5日登場 臺積四巨頭力挺；

2018臺北國際半導(dǎo)體展（SEMICON TAIWAN）本周三（5日）登場，臺積電創(chuàng)辦人張忠謀、董事長劉德音、 副董事長曾繁城與總裁魏哲家等「四巨頭」開幕當(dāng)天都將出席，探討***半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展及未來趨勢。

根據(jù)主辦單位國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會（SEMI）規(guī)畫，今年臺積電四巨頭出席半導(dǎo)體展，將由張忠謀打頭陣進行專題演講、曾繁城帶領(lǐng)來賓回顧***半導(dǎo)體發(fā)展，魏哲家和劉德音則分別主掌上午場與下午場壓軸。

SEMI表示，今年會展將有超過2，000個攤位展出，規(guī)模為歷屆最大；同時，今年也將邀請上百位重量級講師，并舉辦超過22場國際論壇，一同揭示未來半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展脈動。

今年臺北國際半導(dǎo)體展適逢***發(fā)展集成電路（IC）60周年，主辦單位舉辦「IC 60大師論壇」，除了臺積電四巨頭罕見同日登場力挺之外，也邀請閃存發(fā)明者、 現(xiàn)任交大榮譽講座教授施敏與會并進行專題演講。

6.德國開發(fā)出世界最小單原子晶體管

德國卡爾斯魯厄理工學(xué)院托馬斯?希梅爾教授領(lǐng)導(dǎo)的團隊開發(fā)出了單原子晶體管——一種利用電流控制單個原子位移實現(xiàn)開關(guān)的量子電子元件。單原子晶體管可在室溫下操作，并消耗很少電能，這為未來信息技術(shù)開辟了新的應(yīng)用前景。這項成果已被刊登在 雜志上。

數(shù)字化對能源有巨大需求，在工業(yè)化國家中，信息技術(shù)目前用電量占整個工業(yè)用電量的10%以上，無論是計算機處理中心、個人電腦，還是從洗衣機到智能手機的各種嵌入式應(yīng)用系統(tǒng)。目前一個幾歐元的USB存儲器就含有上億個晶體管。卡爾斯魯厄理工學(xué)院開發(fā)的單原子晶體管未來可顯著提高信息技術(shù)的能源效率，希梅爾教授稱，“有了這個量子電子元件，能耗將低于傳統(tǒng)硅技術(shù)電子元件一萬倍”。希梅爾教授是卡爾斯魯厄理工學(xué)院單原子電子與光子研究中心主任，被譽為單原子電子學(xué)先驅(qū)。

在雜志上刊登的論文里，研究人員介紹了如何在只有單一金屬原子寬度的縫隙間建立兩個微小金屬觸點，實現(xiàn)目前晶體管所能達到的最小極限。希梅爾教授稱，“我們在此縫隙通過電控脈沖移動單個銀原子，完成電路閉合；當(dāng)我們再將銀原子移出縫隙，電路被切斷”，由此實現(xiàn)世界上最小晶體管在接通電源情況下單個原子的受控可逆運動。與傳統(tǒng)量子電子元件不同，單原子晶體管不需要在接近絕對零度的低溫條件工作，它可以一直在室溫下工作，這是未來應(yīng)用的一個決定性優(yōu)勢。

為開發(fā)單原子晶體管，卡爾斯魯厄理工學(xué)院研究人員還開發(fā)了一套全新的工藝，單原子晶體管完全由金屬構(gòu)成，不含半導(dǎo)體材料。其結(jié)果是所需電壓極低，因此能耗也極低。研究人員之前制作單原子晶體管需要依靠液體電解質(zhì)，現(xiàn)在希梅爾教授及其團隊首次應(yīng)用固體電解質(zhì)的工作原理，通過水溶性銀電解質(zhì)凝膠與熱解法二氧化硅凝膠電解質(zhì)結(jié)合，從而改善了安全性，更便于單原子晶體管的處理。