目前主流的基于浮柵閃存技術(shù)的非易失性存儲(chǔ)器（NVM）技術(shù)有望成為未來(lái)幾年的參考技術(shù)。但是，閃存本身固有的技術(shù)和物理局限性使其很難再縮小技術(shù)節(jié)點(diǎn)。在這種環(huán)境下，業(yè)界試圖利用新材料和新概念發(fā)明一種更好
2017-12-18 10:02:21
4925 
這幾種存儲(chǔ)器的共同特點(diǎn)其實(shí)是掉電后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失，所以可以歸類為非易失性存儲(chǔ)器(即Non-Volatile Memory)。SRAM、DRAM的共同特點(diǎn)是掉電后數(shù)據(jù)會(huì)丟失，所以也可稱為易失性
2012-01-06 22:58:43
第 4 章 存儲(chǔ)器4.1概述存儲(chǔ)器可分為那些類型現(xiàn)代存儲(chǔ)器的層次結(jié)構(gòu)，為什么要分層一、存儲(chǔ)器分類1.按存儲(chǔ)介質(zhì)分類（1）半導(dǎo)體存儲(chǔ)器TTL、MOS易失（2）磁表面存儲(chǔ)器磁頭、載磁體（3）磁芯存儲(chǔ)器
2021-07-29 07:40:10
存儲(chǔ)器擴(kuò)展方式是什么？IO擴(kuò)展方式是什么？
2022-01-17 08:24:15
存儲(chǔ)器映射是什么意思？其映射過(guò)程是怎樣的？
2022-01-21 07:39:51
存儲(chǔ)器本身不具有地址信息，它的地址是由芯片廠商或用戶分配，給存儲(chǔ)器分配地址的過(guò)程稱為存儲(chǔ)器映射，如果再分配一個(gè)地址就叫重映射存儲(chǔ)器映射ARM 將這 4GB 的存儲(chǔ)器空間，平均分成了 8 塊區(qū)域
2022-01-20 08:21:34
1. 存儲(chǔ)器理解存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)結(jié)構(gòu)的重要組成部分，存儲(chǔ)器是用來(lái)存儲(chǔ)程序代碼和數(shù)據(jù)的部件，有了存儲(chǔ)器計(jì)算機(jī)才具有記憶功能。按照存儲(chǔ)介質(zhì)的特性，可以分“易失性存儲(chǔ)器”和“非易失性存儲(chǔ)器”兩類，易失和非易
2021-07-16 07:55:26
感謝Dryiceboy的投遞據(jù)市場(chǎng)分析數(shù)據(jù),DRAM和NAND存儲(chǔ)器價(jià)格近期正在不斷上揚(yáng).許多人認(rèn)為當(dāng)前存儲(chǔ)器市場(chǎng)的漲價(jià)只不過(guò)是暫時(shí)的供需不穩(wěn)所導(dǎo)致的;有些人則認(rèn)為隨著存儲(chǔ)器價(jià)格3D NAND制造
2019-07-16 08:50:19
存儲(chǔ)器的分類存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來(lái)存放程序和數(shù)據(jù)，從不同的角度對(duì)存儲(chǔ)器可以做不同的分類。1、按存儲(chǔ)介質(zhì)分半導(dǎo)體存儲(chǔ)器（又稱易失性存儲(chǔ)器）：體積小，功耗低，存取時(shí)間短，電源消失的時(shí)候，所存的信息也隨之消失。磁表面存儲(chǔ)器（...
2021-07-26 08:30:22
內(nèi)部程序，其特點(diǎn)是價(jià)格便宜?！ ?、可編程的只讀存儲(chǔ)器（PROM）： 它的內(nèi)容可由用戶根據(jù)自已所編程序一次性寫入，一旦寫入，只能讀出，而不能再進(jìn)行更改，這類存儲(chǔ)器現(xiàn)在也稱為OTP（Only Time
2017-10-24 14:31:49
更改內(nèi)部程序，其特點(diǎn)是價(jià)格便宜?！ ?、可編程的只讀存儲(chǔ)器（PROM）： 它的內(nèi)容可由用戶根據(jù)自已所編程序一次性寫入，一旦寫入，只能讀出，而不能再進(jìn)行更改，這類存儲(chǔ)器現(xiàn)在也稱為OTP（Only
2017-12-21 17:10:53
所謂的寄存器、內(nèi)存等用于存儲(chǔ)信息的復(fù)雜結(jié)構(gòu)。存儲(chǔ)器的分類存儲(chǔ)器分為易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器；所謂易失性存儲(chǔ)器是指設(shè)備掉電，存儲(chǔ)的信息自動(dòng)清除，而非易失性存儲(chǔ)器具有存儲(chǔ)時(shí)間長(zhǎng)的功能。易失性存儲(chǔ)器主要指
2021-12-10 06:54:11
隨著微電子技術(shù)的迅猛發(fā)展，SRAM存儲(chǔ)器逐漸呈現(xiàn)出高集成度、快速及低功耗的發(fā)展趨勢(shì)。在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的發(fā)展中，靜態(tài)存儲(chǔ)器(SRAM)由于其廣泛的應(yīng)用成為其中不可或缺的重要一員。下面詳細(xì)介紹關(guān)于SRAM
2022-11-17 16:58:07
的RAM或常規(guī)的非易失性存儲(chǔ)。該存儲(chǔ)器真正是非易失性的，而不是由電池供電的。引腳配置特征高集成度設(shè)備替代了多個(gè)零件?串行非易失性存儲(chǔ)器?帶鬧鐘的實(shí)時(shí)時(shí)鐘（RTC）?低VDD檢測(cè)驅(qū)動(dòng)復(fù)位?看門狗窗口定時(shí)器
2023-04-07 16:23:11
存儲(chǔ)設(shè)備，包括Flash和EEPROM。一、Flash和EEPROM之間的差異Flash和EEPROM均被視為非易失性存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器意味著該設(shè)備能夠保存數(shù)據(jù)且無(wú)需持續(xù)供電，即使關(guān)閉電源也能保存
2023-04-07 16:42:42
的存儲(chǔ)器的位置。存儲(chǔ)器映射有兩種映射規(guī)則--大端映射和小端映射。存儲(chǔ)器映射是指把芯片中或芯片外的FLASH，RAM，外設(shè)，BOOTBLOCK等進(jìn)行統(tǒng)一編址。即用地址來(lái)表示對(duì)象。這個(gè)地址絕大多數(shù)是由廠家
2014-03-24 11:57:18
本章教程講解DMA存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器模式。存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器模式可以實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)在兩個(gè)內(nèi)存的快速拷貝。程序中，首先定義一個(gè)靜態(tài)的源數(shù)據(jù)，存放在內(nèi)部 FLASH，然后使用DMA傳輸把源數(shù)據(jù)拷貝到目標(biāo)地址上（內(nèi)部SRAM），最后對(duì)比源數(shù)據(jù)和目標(biāo)地址的數(shù)據(jù)，判斷傳輸是否準(zhǔn)確。
2023-04-17 15:28:08
問(wèn)題一：位圖都存儲(chǔ)在哪了？都在程序存儲(chǔ)器里嗎問(wèn)題二：能不能將位圖存儲(chǔ)到外部?jī)?nèi)存中？問(wèn)題三：F429的程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器有多大？
2020-05-20 04:37:13
嵌入式系統(tǒng)的海量存儲(chǔ)器多采用Flash存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)擴(kuò)展，由于Flash存儲(chǔ)器具有有限寫入次數(shù)的壽命限制，因此對(duì)于Flash存儲(chǔ)器局部的頻繁操作會(huì)縮短Flash存儲(chǔ)器的使用壽命。如何設(shè)計(jì)出一個(gè)合理
2019-08-16 07:06:12
Flash存儲(chǔ)器是一種基于浮柵技術(shù)的非揮發(fā)性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，一般有NOR、NAND、 DINOR和AND 等幾種類型。作為一類非易失性存儲(chǔ)器 ,Flash存儲(chǔ)器具有自己獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn):不需要特殊的外部高
2020-11-16 14:33:15
CorePac 的內(nèi)部存儲(chǔ)器架構(gòu)與此前 C6000™ DSP 系列產(chǎn)品相比，主要在四個(gè)方面實(shí)現(xiàn)了增強(qiáng)，而這突出體現(xiàn)在性能指標(biāo)和實(shí)用性方面。這些改進(jìn)旨在實(shí)現(xiàn)如下優(yōu)勢(shì)：1) 無(wú)論多個(gè)內(nèi)核和數(shù)
2011-08-13 15:45:42
當(dāng)系統(tǒng)運(yùn)行了一個(gè)嵌入式實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)時(shí)（RTOS），操作系統(tǒng)通常都是使用非易
失的
存儲(chǔ)器來(lái)運(yùn)行軟件以及采集數(shù)據(jù)。
存儲(chǔ)器的選擇面很廣闊，其中包括電池供電的SRAM（靜態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)儲(chǔ)存
器），各種各樣的閃存以及串口EEPROM（電可擦的，可編程的只讀
存儲(chǔ)器）?！ ?/div>
2019-06-28 08:29:29
從三個(gè)層面認(rèn)識(shí)SRAM存儲(chǔ)器
2021-01-05 07:09:10
SST26VF064B存儲(chǔ)器IoT設(shè)備設(shè)計(jì)需要考慮哪些問(wèn)題？非易失性存儲(chǔ)器怎么選擇？
2021-06-15 07:57:36
大家好，之前玩過(guò)51，知道程序存在ROM，數(shù)據(jù)存在RAM，現(xiàn)在接觸STM32，在讀STM32F103ZET6的數(shù)據(jù)手冊(cè)時(shí)看到，BOOTLOADER存在系統(tǒng)存儲(chǔ)器，手冊(cè)上寫STM32F103ZET6有
2014-11-26 21:05:35
為什么有的電子設(shè)備用eMMC存儲(chǔ)器 ？而有的用DDR存儲(chǔ)器呢？這兩者有什么區(qū)別嗎？
2021-06-18 06:13:25
題目是一個(gè)停車場(chǎng)計(jì)時(shí)系統(tǒng)，用74系列之類的芯片。我們用6116存儲(chǔ)器來(lái)存地址信號(hào)，通過(guò)刷卡產(chǎn)生脈沖，經(jīng)過(guò)延時(shí)出現(xiàn)兩個(gè)相鄰的脈沖分別代表讀和寫信號(hào)，用來(lái)讀取存儲(chǔ)器中對(duì)應(yīng)車的狀態(tài)（在不在車庫(kù)內(nèi)），再將
2016-07-23 00:01:59
。RM0008文檔中可以看出，STM32采用的是Cortex-M3內(nèi)核，因此，有必要了解Cortex-M3的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)。圖中還可以看出，Cortex-M3是通過(guò)各個(gè)總線和Flash、SROM相連接的。2
2018-08-14 09:22:26
什么是EEPROM存儲(chǔ)器？
2021-11-01 07:24:44
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是指通過(guò)對(duì)半導(dǎo)體電路加以電氣控制，使其具備數(shù)據(jù)存儲(chǔ)保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。與磁盤和光盤裝置等相比，具有數(shù)據(jù)讀寫快存儲(chǔ)密度高耗電量少耐震等特點(diǎn)。關(guān)閉電源后存儲(chǔ)內(nèi)容會(huì)丟失的存儲(chǔ)器稱作易失
2019-04-21 22:57:08
你好，作為NVSRAM的一部分，非易失性存儲(chǔ)器的耐力E/P周期是多少？最好的問(wèn)候，井上 以上來(lái)自于百度翻譯 以下為原文Hi, How much are endurance E/P cycles
2018-10-19 15:57:30
外存儲(chǔ)器 外儲(chǔ)存器是指除計(jì)算機(jī)內(nèi)存及CPU緩存以外的儲(chǔ)存器，此類儲(chǔ)存器一般斷電后仍然能保存數(shù)據(jù)?！ ⊥?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)器有哪些 外存儲(chǔ)器有哪些 1、軟盤存儲(chǔ)器 讀寫數(shù)據(jù)的最小單位是扇區(qū)，存取速度慢
2019-06-05 23:54:02
非易失性存儲(chǔ)器(NVM)在半導(dǎo)體市場(chǎng)占有重要的一席之地，特別是主要用于手機(jī)和其它便攜電子設(shè)備的閃存芯片。今后幾年便攜電子系統(tǒng)對(duì)非易失性存儲(chǔ)器的要求更高，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)應(yīng)用需要寫入速度極快的高密度存儲(chǔ)器，而
2019-06-26 07:11:05
EVAL-AD5232SDZ，用于AD5232雙通道，256位，非易失性存儲(chǔ)器數(shù)字電位器的評(píng)估板。 AD5232具有多種可編程性，允許多種工作模式，包括RDAC和EEMEM寄存器中的讀/寫訪問(wèn)，電阻的遞增/遞減
2020-04-01 09:01:26
的載體。因此各種IC卡的應(yīng)用特 點(diǎn)主要體現(xiàn)在IC卡存儲(chǔ)器的類型，存儲(chǔ)器容量的大小和卡片電路的附加控制功能等幾個(gè)方面?！ ≡贗C卡中使用的存儲(chǔ)器類型主要分為兩大類：易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器?！ ∫?b class="flag-6" style="color: red">失
2020-12-25 14:50:34
1. 嵌入式的外部存儲(chǔ)器嵌入式系統(tǒng)中，外部的存儲(chǔ)器一般是Nand flash和Nor flash，都稱為非易失存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器的物理構(gòu)成包含頁(yè)內(nèi)地址，頁(yè)（Page），塊（Block）?？梢缘贸?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)器
2021-12-10 08:26:49
的測(cè)試系統(tǒng)應(yīng)運(yùn)而生。本文提出了一種多功能存儲(chǔ)器芯片的測(cè)試系統(tǒng)硬件設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)，對(duì)各種數(shù)據(jù)位寬的多種存儲(chǔ)器芯片（SRAM、MRAM、NOR FALSH、NAND FLASH、EEPROM等）進(jìn)行了詳細(xì)的結(jié)口
2019-07-26 06:53:39
如何利用Xilinx FPGA和存儲(chǔ)器接口生成器簡(jiǎn)化存儲(chǔ)器接口？
2021-05-06 07:23:59
Flash類型與技術(shù)特點(diǎn)有哪些？如何去選擇uClinux的塊驅(qū)動(dòng)器？如何去設(shè)計(jì)Flash存儲(chǔ)器？
2021-04-27 06:20:01
如何實(shí)現(xiàn)擴(kuò)展存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)？
2021-10-28 08:08:51
擴(kuò)展存儲(chǔ)器讀寫實(shí)驗(yàn)的目的是什么？怎樣去設(shè)計(jì)一種擴(kuò)展存儲(chǔ)器讀寫的電路？擴(kuò)展存儲(chǔ)器讀寫實(shí)驗(yàn)的流程有哪些？
2021-07-14 07:04:49
，并且它還表示在BTXXTALYSTRAP0SP0和BTXXTALYSTRAPHL1上的1的值使得CYW20706／07能夠讀取來(lái)自非易失性存儲(chǔ)器。問(wèn)題：你能幫助我理解如何將XTAL頻率信息存儲(chǔ)到
2018-11-15 15:55:17
隨著集成電路制造工藝水平的提高，半導(dǎo)體芯片上可以集成更多的功能，為了讓產(chǎn)品有別于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的產(chǎn)品特性，在ASIC上集成存儲(chǔ)器可以降低成本和功耗、改善性能、增加系統(tǒng)級(jí)芯片的可靠性。隨著對(duì)嵌入式存儲(chǔ)器需求的持續(xù)增長(zhǎng)，其復(fù)雜性、密度和速度也日益增加，從而需要提出一種專用存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)方法。
2019-11-01 07:01:17
常用存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器的種類RAM存儲(chǔ)器非易失性存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器的種類易失性存儲(chǔ)器： 掉電數(shù)據(jù)會(huì)丟失讀寫速度較快內(nèi)存非易失性存儲(chǔ)器：掉電數(shù)據(jù)不會(huì)丟失讀寫速度較慢機(jī)械硬盤RAM存儲(chǔ)器RAM是“Random
2021-12-10 07:09:20
影響存儲(chǔ)器訪問(wèn)性能的因素有哪些？DSP核訪問(wèn)內(nèi)部存儲(chǔ)器和外部DDR存儲(chǔ)器的時(shí)延有什么不同？
2021-04-19 08:32:10
您好，我在MCU上使用程序內(nèi)存的一部分作為NVM（非易失性存儲(chǔ)器）。我已經(jīng)設(shè)法寫和讀，但是現(xiàn)在我面臨的問(wèn)題是，我想避免編譯器覆蓋我用于NVM的程序內(nèi)存空間。MCU是PIC32 MX230F064 D。程序存儲(chǔ)器的最后一頁(yè)是NVM的一頁(yè)。謝謝，問(wèn)候，
2019-09-18 10:31:51
STM32的存儲(chǔ)器由哪些組成？怎樣去啟動(dòng)STM32存儲(chǔ)器？
2021-09-24 07:03:23
存儲(chǔ)器可分為哪幾類？存儲(chǔ)器有哪些特點(diǎn)？存儲(chǔ)器有哪些功能？
2021-10-20 06:46:21
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 FLASH程序存儲(chǔ)器 FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器各有什么區(qū)別？特點(diǎn)？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器包含三部分，片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴(kuò)展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
求助：數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器6116和程序存儲(chǔ)器2817怎么搜，在altium designer。貌似不太會(huì)用搜索功能。我總是搜不出來(lái)不知道為什么，求解答。單片機(jī)存儲(chǔ)電路里的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器6116和程序存儲(chǔ)器
2014-07-22 23:10:03
、NAND 閃存、EEPROM（可擦除的可編程只讀存儲(chǔ)器）、FRAM（鐵電存儲(chǔ)器），MRAM（磁性 RAM）和 NVSRAM（非易失性靜態(tài)存儲(chǔ)器）等。每種類型存儲(chǔ)器在不同性能指標(biāo)下具有各自的優(yōu)勢(shì)和劣勢(shì)：存儲(chǔ)器
2019-07-23 06:15:10
方便移動(dòng)設(shè)備應(yīng)用.存儲(chǔ)器系統(tǒng)設(shè)計(jì)必須支持增長(zhǎng)的帶寬需求及更少的功耗.非易失性固態(tài)存儲(chǔ)器與傳統(tǒng)的NOR閃存相比，被證實(shí)可以減少功耗。存儲(chǔ)器子系統(tǒng)架構(gòu)存儲(chǔ)器子系統(tǒng)架構(gòu)是嵌入式設(shè)計(jì)者面臨的主要挑戰(zhàn).存儲(chǔ)器參數(shù)
2018-05-17 09:45:35
程序存儲(chǔ)器(ROM)作用：存放程序、表格或常數(shù)，具有非易失性特點(diǎn)：片內(nèi)ROM與片外ROM可有2種組合方案方案1 ： 4 KB以內(nèi)的地址在片內(nèi)ROM，大于4KB的地址在片外ROM中（圖中折線），兩者
2021-12-13 06:08:21
單片機(jī)中數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器片內(nèi)的地址是00--7FH，程序存儲(chǔ)器的片內(nèi)地址是0000H--0FFFH，請(qǐng)問(wèn)這兩部分是不是有重疊？請(qǐng)具體詳解！~{:1:}
2013-01-15 09:01:22
具有記憶功能。按照存儲(chǔ)介質(zhì)的特性，可以分“易失性存儲(chǔ)器”和“非易失性存儲(chǔ)器”兩類。易失性存儲(chǔ)器斷電后，里面存儲(chǔ)
2022-02-11 07:51:30
ADuCM360/1是否支持存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器DMA傳輸？
2024-01-15 07:43:09
存儲(chǔ)器芯片是什么？存儲(chǔ)器可分為哪幾類？存儲(chǔ)器術(shù)語(yǔ)的定義有哪些？如何去測(cè)試存儲(chǔ)器芯片的功能？測(cè)試向量是什么？它的執(zhí)行方式以及測(cè)試目的分別是什么？
2021-04-15 06:18:54
”。 鐵電存儲(chǔ)器就是利用了這種非易失性。 雖然EEPROM或閃存也會(huì)根據(jù)元件內(nèi)的存儲(chǔ)區(qū)域是否有電荷來(lái)記憶數(shù)據(jù)，但FRAM是根據(jù)極化的方向來(lái)記憶數(shù)據(jù)的，所以兩者具有不同的記憶方式。 FRAM的特長(zhǎng)FRAM
2020-05-07 15:56:37
鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術(shù)一樣，是一種非易失性的存儲(chǔ)器。鐵電存儲(chǔ)器在這兩類存儲(chǔ)類型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種非易失性的RAM。相對(duì)于其它類型的半導(dǎo)體技術(shù)
2011-11-19 11:53:09
鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術(shù)一樣，是一種非易失性的存儲(chǔ)器。鐵電存儲(chǔ)器在這兩類存儲(chǔ)類型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種非易失性的RAM。相對(duì)于其它類型的半導(dǎo)體技術(shù)
2011-11-21 10:49:57
的寫入次數(shù)、并為開(kāi)發(fā)人員提供了一個(gè)全新的靈活度（允許其通過(guò)軟件變更來(lái)完成數(shù)據(jù)內(nèi)存與程序內(nèi)存的分區(qū))。鐵電存儲(chǔ)器相比SRAM、FLASH和EEPROM優(yōu)點(diǎn)多多:非易失性，寫入速度快，無(wú)限次寫入,最關(guān)鍵是
2021-11-10 08:28:08
靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器SRAM存儲(chǔ)數(shù)據(jù)原理
2021-02-26 06:36:26
我們正在構(gòu)建一個(gè)設(shè)備來(lái)測(cè)量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量，所以，我需要做一個(gè)每秒累加的方法。問(wèn)題：非易失性內(nèi)存有寫入限制，所以我需要使用易失性內(nèi)存。寫入易失性存儲(chǔ)器是否有一些限制？我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫入易失性存儲(chǔ)器，每 10 分鐘寫入一次非易失性存儲(chǔ)器。
2023-05-30 08:48:06
S25FS128SDSNFI100，MirrorBit?閃存非易失性存儲(chǔ)器 1.8 V帶CMOS I/O的單電源 具有多I/O的串行外圍接口
2023-02-07 14:23:17
摘 要： 本文簡(jiǎn)單介紹了鐵電存儲(chǔ)器、磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器和相變存儲(chǔ)器這三種比較有發(fā)展?jié)摿?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)器的原理、研究進(jìn)展及存在的問(wèn)題等。引言 更高密度、更大帶寬、更
2006-03-24 13:32:182412 
面向納電子時(shí)代的非易失性存儲(chǔ)器
摘要
目前主流的基于浮柵閃存技術(shù)的非易失性存儲(chǔ)器（NVM）技術(shù)有望成為未來(lái)幾年的參考技術(shù)。但是，閃存本身固有的
2009-12-25 09:37:28636 本文對(duì)目前幾種比較有競(jìng)爭(zhēng)力和發(fā)展?jié)摿Φ男滦?b class="flag-6" style="color: red">非易失性存儲(chǔ)器做了一個(gè)簡(jiǎn)單的介紹。
鐵電存儲(chǔ)器(FeRAM)
鐵電存儲(chǔ)器是一種在斷電時(shí)不會(huì)丟失內(nèi)容的非易
2010-08-31 10:50:591942 
非易失性存儲(chǔ)器是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失者的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
2018-12-23 13:31:0010224 非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)是在關(guān)閉計(jì)算機(jī)或者突然性、意外性關(guān)閉計(jì)算機(jī)的時(shí)候數(shù)據(jù)不會(huì)丟失的技術(shù)。非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)得到了快速發(fā)展，非易失性存儲(chǔ)器主要分為塊尋址和字節(jié)尋址兩類。
2019-01-23 11:33:4117003 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是EEPROM存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)的詳細(xì)資料說(shuō)明。
2019-02-14 08:00:00
10 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是PCB的常用存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)的詳細(xì)資料說(shuō)明包括了：? SDRAM ? FLASH ? SRAM ? DDR ? DDR2 ? DDR3 ? QDR
2019-07-29 08:00:000 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是存儲(chǔ)器及接口設(shè)計(jì)的詳細(xì)資料說(shuō)明。
2020-03-18 14:25:0017 新興的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)主要有五種類型：閃存（Flash），鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（FeRAM），磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（MRAM），相變存儲(chǔ)器（PCM）和RRAM。
2020-05-21 16:34:311840 良好的設(shè)計(jì)是成功制造非易失性存儲(chǔ)器產(chǎn)品的重要關(guān)鍵，包括測(cè)試和驗(yàn)證設(shè)備性能以及在制造后一次在晶圓和設(shè)備級(jí)別進(jìn)行質(zhì)量控制測(cè)試。新興的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的制造和測(cè)試，這些技術(shù)將支持物聯(lián)網(wǎng)，人工智能以及先進(jìn)
2020-06-09 13:46:16847 
對(duì)于存儲(chǔ)器，大家都有所了解，比如我們每天使用的手機(jī)內(nèi)就具備存儲(chǔ)器。為增進(jìn)大家對(duì)存儲(chǔ)器的認(rèn)識(shí)，本文將對(duì)只讀存儲(chǔ)器的種類予以介紹，并對(duì)相變存儲(chǔ)器、存儲(chǔ)器生命周期、技術(shù)進(jìn)行對(duì)比。如果你對(duì)存儲(chǔ)器相關(guān)內(nèi)容具有興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
2020-12-06 10:31:007265 所謂的寄存器、內(nèi)存等用于存儲(chǔ)信息的復(fù)雜結(jié)構(gòu)。存儲(chǔ)器的分類存儲(chǔ)器分為易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器；所謂易失性存儲(chǔ)器是指設(shè)備掉電，存儲(chǔ)的信息自動(dòng)清除，而非易失性存儲(chǔ)器具有存儲(chǔ)時(shí)間長(zhǎng)的功能。易失性存儲(chǔ)器主要指RAM，而RAM分為動(dòng)態(tài)RAM（
2021-11-26 19:36:0437 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MCU片內(nèi)非易失性存儲(chǔ)器操作應(yīng)用筆記.zip》資料免費(fèi)下載
2022-09-22 10:00:540 DRAM屬于易失性存儲(chǔ)器，也就是大家常說(shuō)的內(nèi)存。今天，我們?cè)賮?lái)看看半導(dǎo)體存儲(chǔ)的另一個(gè)重要領(lǐng)域，也就是非易失性存儲(chǔ)器（也就是大家熟悉的閃存卡、U盤、SSD硬盤等）。
2022-10-13 09:24:131348 與EEPROM、FLASH等傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器相比，具有優(yōu)越的高速寫入、高讀寫耐久性和低功耗性能。 由于車載電子控制系統(tǒng)對(duì)于存取各類傳感器資料的需求持
2023-09-27 10:00:51
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論