資料來源：Kioxia Kioxia（原為東芝存儲）有望創(chuàng)建3D NAND閃存的后繼產(chǎn)品，與QLC NAND閃存相比，該產(chǎn)品可提供更高的存儲密度。這項于周四宣布的新技術(shù)允許存儲芯片具有更小的單元
2019-12-23 10:32:21
4222 ，消費者可能正在考慮使用諸如NAND和SSD之類的NAND閃存設(shè)備的成本顯著增加。 NAND閃存的整體價格可能會在2020年急劇上升，可能會使價格上漲40％ 如果這個預測是正確的，那么消費者應該會看到SSD或任何使用NAND閃存產(chǎn)品的價格急劇上漲。到2020年，從2.5英寸固態(tài)硬盤，M.2固態(tài)硬
2020-01-06 11:15:333821 根據(jù)IDC的預測，2011-2016年復合增長率將達到12.8%。隨著新技術(shù)的革新與用戶需求的轉(zhuǎn)變，信息安全市場必將迎來新一輪競爭格局的改變。為了應對這種改變，國內(nèi)外安全廠商需關(guān)注云計算、物聯(lián)網(wǎng)
2013-02-19 09:21:46582 據(jù)業(yè)內(nèi)人士稱，由于高端智能手機的銷量疲軟，導致第三季度對NAND閃存的需求可能會弱于預期。 7月份NAND的價格下降了5%左右，并可能在8到9月份繼續(xù)下降。
2013-07-30 10:37:56965 國產(chǎn)手機勢頭越來越強勁，把三星和蘋果的市場份額搶占不少，但繁榮背后是對核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國廠商壟斷了。近日，高啟全接受媒體采訪時表示，長江存儲將在2019年開始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存，這個消息無疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。
2017-05-09 15:10:042255 在設(shè)計使用NAND閃存的系統(tǒng)時，選擇適當?shù)奶匦云胶夥浅Ｖ匾?閃存控制器還必須足夠靈活，以進行適當?shù)臋?quán)衡。 選擇正確的閃存控制器對于確保閃存滿足產(chǎn)品要求至關(guān)重要。NAND閃存是一種大眾化
2020-12-03 13:52:282455 本文轉(zhuǎn)自公眾號,歡迎關(guān)注 開放NAND閃存接口ONFI介紹 (qq.com) 一.前言 ? ONFI即 Open NAND Flash Interface, 開放NAND閃存接口.是一個由100多家
2023-06-21 17:36:325876 
NAND閃存是一種電壓原件，靠其內(nèi)存電壓來存儲數(shù)據(jù)。
2023-07-12 09:43:211446 
IDC FutureScape對中國AR/VR市場的預測
2021-02-04 06:41:01
IDC FutureScape對中國智能家居市場的預測
2021-01-21 06:10:03
導讀：IDC對2017年中國可穿戴設(shè)備市場做出十大預測，其中之一是曲面屏將在可穿戴設(shè)備上得到更大規(guī)模應用，另一預測是身份認證將成為可穿戴設(shè)備的重要功能。
市場調(diào)研公司IDC12月19日發(fā)布
2016-12-22 11:33:26
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 編輯
NAND閃存深入解析
2012-08-09 14:20:47
在半導體業(yè)，有非常多與接口標準、性能規(guī)格、功能特性和設(shè)計的真實可能性有關(guān)聯(lián)的假設(shè)、術(shù)語和誤解。因此，弄清事實很重要。本文將闡明關(guān)于NAND閃存的錯誤觀念。
2021-01-15 07:51:55
幾乎所有微控制器都使用內(nèi)部 NOR 閃存作為隨機存取指令或數(shù)據(jù)存儲器。NAND 內(nèi)存是從起始頁面地址開始的順序訪問，不支持直接獲取指令（必須先將內(nèi)容復制到 RAM）。這是閃存架構(gòu)的根本區(qū)別。我不記得 ST 明確聲明內(nèi)部閃存是基于 NOR 的，但這等同于聲明 ST 控制器使用基于半導體的門來實現(xiàn)邏輯。
2023-01-31 07:34:49
大家好， 我正在研究 IMXRT1176，我對內(nèi)存使用有一些疑問： XIP 是否通過 QSPI 支持 NAND 閃存？如果 IMXRT1170 從 NAND 閃存啟動，則加載程序必須將應用程序復制到
2023-03-29 07:06:44
根據(jù)數(shù)據(jù)表，斯巴達6家族有廣泛的第三方SPI（高達x4）和NOR閃存支持功能豐富的Xilinx平臺閃存和JTAG但是，如果它支持NAND閃存，我不太清楚嗎？我想構(gòu)建和FPGA + ARM平臺，我當時
2019-05-21 06:43:17
目前，針對NOR Flash設(shè)計的文件系統(tǒng)JFFS/JFFS2在嵌入式系統(tǒng)中已得到廣泛的應用;隨著NAND作為大容量存儲介質(zhì)的普及，基于NAND閃存的文件系統(tǒng)YAFFS(Yet Another Flash File SySTem)正逐漸被應用到嵌入式系統(tǒng)中。
2019-10-28 06:39:19
親愛的大家，任何人都可以讓我知道ZYNQ 7020支持的最大并行NAND閃存。我的客戶正在設(shè)計他的7020定制板，并有興趣知道所支持的并行NAND閃存的最大密度。問候錢德拉以上來自于谷歌翻譯以下
2019-02-27 14:22:07
大家好我使用 stm32h743 和與 fmc 連接的 nand 閃存。我搜索以查看如何為 nand 創(chuàng)建自己的外部加載器（我找不到任何用于 nand 閃存的外部加載器）。我想我只需要使 Loader_Src.c 文件適應 nand 閃存 hal 函數(shù)和一個鏈接器來構(gòu)建 .stldr？我走對路了嗎？
2022-12-20 07:17:39
我正在嘗試啟動 IMX6ULL NAND 閃存。供您參考，我使用 buildroot 2018_11_4 成功啟動了 IMX6ULL NAND 閃存。（uboot 4.15 和 linux 4.15
2023-04-20 07:55:17
NAND閃存技術(shù)已經(jīng)遠離ML403板支持的CFI兼容性，您無法再找到與Xilinx為ML403板提供的閃存核心兼容的閃存芯片。我目前的項目僅限于Virtex 4平臺，由于速度需求，不能使用帶有MMC
2020-06-17 09:54:32
U-BOOT是什么NAND閃存工作原理是什么從NAND閃存啟動U-BOOT的設(shè)計思路
2021-04-27 07:00:42
采用Magma Finesim的NAND閃存仿真戰(zhàn)略
摘要: NAND閃存是一種非易失性存儲器，主要用于存儲卡、MP3播放器、手機、固態(tài)驅(qū)動器(SSD)等產(chǎn)品中。除了存儲單元陣列以外，它還有大量
2010-06-10 16:25:03
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NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989年
2010-08-30 15:48:01183 韓國三星電子公司周一說，它和蘋果電腦公司就合資生產(chǎn)NAND閃存芯片的談判已告失敗。NAND閃存芯片是蘋果最新便攜音樂播放
2006-03-13 13:05:36389 Intel、美光宣布投產(chǎn)25nm NAND閃存
由Intel、美光合資組建的IM Flash Technologies, LLC(IMFT)公司今天宣布，已經(jīng)開始使用25nm工藝晶體管試產(chǎn)MLC NAND閃存芯片，并相信足以
2010-02-01 11:15:12771 鎂光年中量產(chǎn)25nm NAND閃存
鎂光公司NAND閃存市場開發(fā)部門的經(jīng)理Kevin Kilbuck近日透露鎂光計劃明年將其NAND閃存芯片制程轉(zhuǎn)向25nm以下級別，他表示鎂光今年年中將開始批
2010-03-04 11:02:511088 爾必達計劃收購Spansion NAND閃存業(yè)務
據(jù)國外媒體報道，日本爾必達公司表態(tài)計劃收購美國Spansion（飛索半導體）旗下的NAND閃存業(yè)務資產(chǎn)。Spansion由AMD和富士通公司于1993年
2010-03-05 10:16:19660 NOR閃存/NAND閃存是什么意思
NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現(xiàn)在：
1) 閃存芯片讀寫的基本單位不同
2010-03-24 16:34:358226 NAND閃存的自適應閃存映射層設(shè)計
閃存存儲器主要分為NAND和XOR兩種類型，其中NAND型是專為數(shù)據(jù)存儲設(shè)計。本文的閃存映射方法主要是針對NAND類型的
2010-05-20 09:26:23770 
介紹了一種最新DDR NAND閃存技術(shù),它突破了傳統(tǒng)NAND Flash 50 MHz的讀寫頻率限制,提供更好的讀寫速度,以適應高清播放和高清監(jiān)控等高存儲要求的應用。分析該新型閃存軟硬件接口的設(shè)計方法
2011-12-15 17:11:3151 據(jù)IHS iSuppli公司的NAND閃存動態(tài)簡報，盡管超級本領(lǐng)域使用的固態(tài)硬盤（SSD）不斷增加，但與NAND閃存供應商相比，專門生產(chǎn)快速SSD的廠商卻處于劣勢。NADN閃存供應商擁有廣闊的市場以及令
2012-07-06 09:39:14807 
東芝(微博)公司計劃將NAND閃存芯片的產(chǎn)量削減30%，為2009年以來首次減產(chǎn)。
2012-07-24 09:08:06793 對于許多消費類音視頻產(chǎn)品而言，NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲方案，這在不超過4GB的低容量應用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品
2012-07-27 17:03:381471 
東京—東芝公司 （TOKYO：6502）今天宣布，該公司在閃存峰會（Flash Memory Summit）上展示其最新的NAND閃存和存儲產(chǎn)品。
2014-09-03 11:40:13849 內(nèi)存市場日益擴大，研調(diào)機構(gòu) IC Insights 最新報告預測，DRAM 與 NAND 閃存等，未來 5 年年均復合增長率（CAGR）可達 7.3%，產(chǎn)值將從去年的 773 億美元擴增至 1，099 億美元。
2017-01-10 11:28:23599 三星NAND閃存規(guī)格書 K9F4G08U0D
2017-10-17 09:42:2635 是芯片復位后進入操作系統(tǒng)之前執(zhí)行的一段代碼，完成由硬件啟動到操作系統(tǒng)啟動的過渡，為運行操作系統(tǒng)提供基本的運行環(huán)境，如初始化CPU、堆棧、初始化存儲器系統(tǒng)等，其功能類似于PC機的BIOS. NAND閃存
2017-10-29 11:29:272 今年Q1季度到Q2季度以來，NAND閃存價格一直在下滑，市場供需情況已經(jīng)變了，本來預計Q3季度會有蘋果新機拉貨導致的需求提升，藉此提振下NAND價格，不過現(xiàn)在來看這些廠商想的太樂觀了，Q3季度NAND閃存價格還會繼續(xù)下滑，這種情況持續(xù)下去，不排除2020年NAND市場大洗牌。
2018-07-17 11:58:00681 2018年DRAM、NAND型快閃存儲器供需預估將持續(xù)呈現(xiàn)吃緊。三星電子27日盤中下跌4.2%，創(chuàng)一年多以來最大跌幅。三星競爭對手SKHynix一度下跌3.6%，創(chuàng)10月底以來最大跌幅。韓國股市27日早盤遭逢來自外資與法人的賣壓，以三星電子為首的科技股領(lǐng)跌。
2017-11-28 12:19:39678 固態(tài)硬盤終于快要降價了，多年不平衡的供需局面將會有所改善，預計明年年初為3D NAND開始走向正軌。
2017-12-12 15:39:121069 NAND閃存芯片是智能手機、SSD硬盤等行業(yè)中的基礎(chǔ)，也是僅次于DRAM內(nèi)存的第二大存儲芯片，國內(nèi)的存儲芯片幾乎100%依賴進口。好在國產(chǎn)NAND閃存目前已經(jīng)露出了曙光，紫光集團旗下的長江存儲正在
2018-05-16 10:06:003750 DVEVM可以啟動或（默認），與非門，或通用異步接收機/發(fā)射機（UART）。NOR 閃存提供了一個字節(jié)隨機的優(yōu)點訪問和執(zhí)行就地技術(shù)。NAND閃存不是那么容易用它需要閃存轉(zhuǎn)換層（FTL）軟件讓它訪問；然而，由于它的價格低，速度快，壽命長，許多客戶想設(shè)計NAND閃存代替或NOR閃存。
2018-04-18 15:06:579 對于許多消費類音視頻產(chǎn)品而言，NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲方案，這在不超過4GB的低容量應用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND正被證明極具
2018-06-06 12:27:009847 
據(jù)外媒7月10日報道，頂級NAND閃存芯片制造商三星宣布已開始大規(guī)模生產(chǎn)其第五代V-NAND閃存芯片。
2018-07-13 14:22:053682 今年DRAM內(nèi)存、NAND閃存漲價救了美光公司，他們本周一正式收購了華亞科公司，內(nèi)存業(yè)務如虎添翼，而閃存方面，美光也公布了兩個好消息——該公司的3D NAND閃存產(chǎn)能日前正式超過2D NAND閃存
2018-08-03 16:15:031188 2017年經(jīng)歷市況樂觀的一年后，NAND閃存（flash）市場在2018年將繼續(xù)明顯降溫。根據(jù)分析師表示，去年持續(xù)一整年的NAND組件短缺現(xiàn)象已經(jīng)轉(zhuǎn)為供過于求了，從而導致價格持續(xù)走低。
2018-08-07 11:44:063570 
從NAND閃存中啟動U-BOOT的設(shè)計 隨著嵌入式系統(tǒng)的日趨復雜,它對大容量數(shù)據(jù)存儲的需求越來越緊迫。而嵌入式設(shè)備低功耗、小體積以及低成本的要求,使硬盤無法得到廣泛的應用。NAND閃存 設(shè)備就是
2018-09-21 20:06:01485 東芝公司近日發(fā)布了BENAND產(chǎn)品。該產(chǎn)品基于單層存儲單元（SLC）NAND閃存，并且內(nèi)嵌錯誤糾正功能（ECC）。BENAND產(chǎn)品正式批量生產(chǎn)的時間為2012年3月。BENAND在東芝公司最先
2018-10-08 17:11:001940 由于閃存的成本取決于其裸片面積，如果可以在同樣的面積上存儲更多數(shù)據(jù)，閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型：單層單元（SLC）、多層單元（MLC）和三層單元（TLC）。顧名思義，在相同
2018-12-17 15:50:241684 由于閃存的成本取決于其裸片面積，如果可以在同樣的面積上存儲更多數(shù)據(jù)，閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型：單層單元(SLC)、多層單元(MLC)和三層單元(TLC)。顧名思義，在相同
2019-04-17 16:32:345462 
近日，HPE 3PAR存儲單元副總裁兼總經(jīng)理Ivan Iannaccone進行了一次大膽預測，在他看來，存儲級內(nèi)存（SCM）或?qū)⒃?0年內(nèi)取代NAND閃存，成為企業(yè)首選的高速存儲介質(zhì)。
2019-02-19 14:06:365827 IDC調(diào)整了其對NAND閃存的供需預測，稱2019年和2020年的比特量（bit volume）將同比增長39％和38％。并預計閃存價格的降低趨勢可能會放緩。 據(jù)IDC數(shù)據(jù)顯示，2019年上半年閃存
2019-03-20 15:09:01282 據(jù)業(yè)內(nèi)人士預測，NAND閃存價格的大幅下滑將加速SSD存儲的采用，到今年底前PCIe/NVMe SSD可能將占據(jù)市場一半的份額。
2019-04-02 10:34:432724 2019年全球半導體市場從牛市進入了熊市，領(lǐng)跌的就是DRAM內(nèi)存及NAND閃存兩大存儲芯片，其中NAND閃存芯片從2018年初就開始跌價，迄今已經(jīng)連跌了6個季度。
2019-05-12 09:37:222630 NAND閃存與機械存儲設(shè)備一樣，默認情況下是不可靠的 - 這是電子世界中不尋常的情況。它的不可靠性通過使用專用控制器來處理。另一方面，DRAM被認為是“非常”可靠的。服務器通常具有錯誤檢測（并且可能是校正）電路，但消費者和商業(yè)機器很少這樣做。我將專注于DRAM。
2019-08-07 10:02:579805 
據(jù)韓媒BusinessKorea報道，市場研究公司預測，基于固態(tài)硬盤（SSD）密度和性能提升，明年全球NAND閃存需求將增加，5G通信、人工智能、深度學習和虛擬現(xiàn)實將引領(lǐng)明年全球DRAM和NAND閃存市場的增長。
2019-12-20 15:18:463156 12 月 22 日訊，據(jù)韓媒報道，市場研究公司預測，基于固態(tài)硬盤密度和性能提升，明年全球 NAND 閃存需求將增加，5G 通信、人工智能、深度學習和虛擬現(xiàn)實將引領(lǐng)明年全球 DRAM 和 NAND 閃存市場的增長。
2019-12-23 14:13:44647 任何了解SD卡，USB閃存驅(qū)動器和其他基于NAND閃存的解決方案基礎(chǔ)知識的人都知道，控制這些最小化故障率的關(guān)鍵組件是NAND閃存控制器。
2020-01-22 09:46:00634 
據(jù)消息報道，臺灣內(nèi)存芯片制造商的消息人士預測，NAND閃存合同價格將在2020年上漲40％。這將包括硬件產(chǎn)品，例如存儲卡、USB閃存驅(qū)動器和固態(tài)驅(qū)動器。根據(jù)DRAMeXchange的說法，SSD的合同價格已經(jīng)下降了幾年，在生產(chǎn)問題導致NAND產(chǎn)量下降之后，直到2019年第二季度才開始再次上漲。
2020-01-03 17:15:482761 3月13日消息，據(jù)國外媒體報道，此前外媒曾預計NAND閃存和DRAM內(nèi)存的合約價格，在今年二季度的漲幅將達到兩位數(shù)，現(xiàn)在外媒也逐步給出了具體的預測。
2020-03-14 10:18:501780 的投資額就達8萬億韓元（約合470億元人民幣）。新冠肺炎疫情導致NAND市場的不確定性大增。然而，三星電子過往多選擇在景氣低迷時大舉投資，以此增強其在存儲器領(lǐng)域的競爭力，此次再度大舉投資擴產(chǎn)，或?qū)悠渌?b class="flag-6" style="color: red">NAND閃存廠商的跟進，再掀NAND閃存的擴產(chǎn)浪潮。
2020-06-16 10:07:173162 無論消費者還是企業(yè)機構(gòu)，大多數(shù)人在談到閃存時，首先想到的就是NAND閃存。從一定的現(xiàn)實意義上來講，NAND閃存可以說已經(jīng)成為固態(tài)硬盤的代名詞?；趬K尋址結(jié)構(gòu)和高密度，使其成為磁盤的完美替代品。
2020-07-30 11:09:0314751 
通常情況下，固態(tài)硬盤（SSD）的底層NAND架構(gòu)會因模型而異。NAND 閃存的每種類型——SLC、MLC、eMLC和TLC——都有不同的特性，并因此對您的數(shù)據(jù)存儲產(chǎn)生不同的影響，在這篇文章中，我們會討論這些差異。
2020-08-28 11:15:46716 
我們都知道，構(gòu)成SSD的主要IC有主控芯片和NAND閃存，目前閃存制造廠主要分為三星與東芝聯(lián)合的ToggleDDR陣營和英特爾與美光為首的ONFI陣營，今天小編就來你了解閃存產(chǎn)品的核心—NAND閃存芯片的分類。
2020-09-18 14:34:527052 據(jù)國外媒體報道，專注于3D NAND閃存設(shè)計制造的長江存儲，將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:492025 近日閃存芯片行業(yè)又現(xiàn)巨震，英特爾將自己的NAND閃存業(yè)務以90億美元的價格出售給了SK海力士。
2020-10-29 12:11:472207 美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù)，達到了創(chuàng)紀錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚鑣之后，自己獨立研發(fā)的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:212081 存儲器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術(shù)達到創(chuàng)紀錄的176層堆疊。預計通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu)，可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計算以及智能手機存儲
2020-11-12 16:02:552599 ? ? NAND非易失性閃存存儲器作為存儲行業(yè)的突破性革新已有多年發(fā)展歷史，隨著2D NAND容量達到極限，以及晶體管越來越小，NAND的編程時間變長，擦寫次數(shù)變少，能夠?qū)?nèi)存顆粒堆疊起來的3D
2020-12-09 10:35:492766 從96層NAND閃存芯片開始，海力士一直在推動4D技術(shù)的發(fā)展。本文介紹的176層NAND芯片，已經(jīng)發(fā)展到第三代。從制造上來說，其能夠確保業(yè)內(nèi)最佳的每片晶圓產(chǎn)出。
2020-12-15 17:55:342755 由于成本上的優(yōu)勢，目前市場上的NAND閃存主流已經(jīng)變成了TLC、QLC，MLC都很罕見了，SLC閃存更是鳳毛麟角，消費級市場上幾乎消失了。
2021-01-08 09:19:002400 日本芯片制造商Kioxia開發(fā)了大約170層的NAND閃存，加入了與美國同行Micron Technology和韓國的SK Hynix的競賽。
2021-02-20 11:10:002580 NAND閃存是用于SSD和存儲卡的一種非易失性存儲體系結(jié)構(gòu)。它的名字來源于邏輯門（NOT-AND），用于確定數(shù)字信息如何存儲在閃存設(shè)備的芯片中。
2021-03-02 17:54:143918 
本文檔重點介紹 NAND 閃存與使用靜態(tài)存儲器控制器（Static Memory Controller，SMC）的 EBI 的接口。
2021-04-01 10:17:5510 寫入問題確實是NAND閃存的在企業(yè)級應用中的一個限制么？
2021-04-01 17:50:562894 EE-344：在Blackfin處理器上使用NAND閃存控制器
2021-04-13 08:02:427 在Blackfin處理器上使用NAND閃存控制器的EE-344
2021-06-16 20:17:088 該NAND閃存控制器IP支持以前所未有的速度輕松可靠地訪問片外NAND閃存器件。更新后的控制器能以各種速度支持所有ONFI規(guī)范模式。
2021-08-05 15:30:561299 NAND 閃存內(nèi)部存儲結(jié)構(gòu)單元是基于 MOSFET（金屬-氧化層-半導體-場效應晶體管）， 與普通場效應晶體管的不同之處在于，在柵極（控制柵）與漏極/源極之間存在浮置柵，利用該浮置柵存儲數(shù)據(jù)。
2022-02-10 11:39:231 在3D NAND技術(shù)賽跑中，三星長期處于領(lǐng)先地位，截至目前，其3D NAND閃存已經(jīng)陸續(xù)演進至128層。
2022-06-14 15:21:152100 
本規(guī)范定義了標準化的NAND閃存設(shè)備接口，該接口提供了以下方法：用于設(shè)計支持一系列NAND閃存設(shè)備而無需直接設(shè)計的系統(tǒng)關(guān)聯(lián)前。該解決方案還提供了系統(tǒng)無縫利用的方法在設(shè)計系統(tǒng)時可能不存在的新NAND設(shè)備。
2022-09-09 16:10:2415 在NAND閃存的應用中，程序/擦除周期存在一個限制，稱為“P/E周期”。在NAND閃存中，當每個塊的P/E周期達到最大值時，這些塊將變得不可工作，需要一個備用塊來替換它。當這些備用塊用完時，此NAND閃存將無法再使用。
2022-10-24 14:30:111230 
圍繞基于NAND閃存的存儲系統(tǒng)的對話已經(jīng)變得混亂。通常，當人們討論存儲時，他們只談論NAND閃存，而忽略了單獨的，但同樣重要的組件，即控制器。但是為什么需要控制器呢？簡單地說，沒有它，一切都不起作用。
2022-10-25 09:29:32863 
在NAND閃存的應用中，編程/擦除周期存在限制，稱為“P/E周期”。在NAND閃存中，當每個塊的P/E周期達到最大值時，這些塊變得不可工作，需要一個備用塊來替換它。當這些備用塊用完時，此NAND閃存將無法再使用。
2022-11-30 15:00:431519 
本規(guī)范定義了標準化NAND閃存設(shè)備接口，該接口提供了設(shè)計的系統(tǒng)支持一系列NAND閃存設(shè)備，無需直接設(shè)計預關(guān)聯(lián)。該解決方案還為系統(tǒng)提供了無縫利用在系統(tǒng)設(shè)計時可能不存在的新NAND器件。
2022-12-13 16:50:450 一、NAND閃存市場分析 據(jù)歐洲知名半導體分析機構(gòu)Yole發(fā)布的報告顯示，2020年起，NAND閃存市場發(fā)展趨勢保持穩(wěn)定增長，2021年，NAND閃存市場份額達到了近670億美元（見圖1），同年
2022-12-26 18:13:09991 
我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:392147 NAND閃存上的位密度隨著時間的推移而變化。早期的NAND設(shè)備是單層單元（SLC）閃存。這表明每個閃存單元存儲一個位。使用多層單元（MLC），閃存可以為每個單元存儲兩個或更多位，因此位密度會增加
2023-05-25 15:36:031197 
內(nèi)存和NOR型閃存的基本存儲單元是bit，用戶可以隨機訪問任何一個bit的信息。而NAND型閃存的基本存儲單元是頁（Page）（可以看到，NAND型閃存的頁就類似硬盤的扇區(qū)，硬盤的一個扇區(qū)也為512
2023-06-10 17:21:001983 據(jù)《電子時報》報道，三星提出的512gb nand閃存晶片單價為1.60美元，比2023年初的1.40美元約上漲15%。但消息人士表示，由于上下nand閃存的庫存緩慢，很難說服上調(diào)價格。
2023-08-02 11:56:24762 三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲領(lǐng)域的競爭愈加激烈，三星電子計劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存，三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53282 三星計劃NAND閃存價格談判 欲漲價15%—20% 三星認為NAND Flash價格過低；在減產(chǎn)和獲利優(yōu)先政策的促使下三星計劃與客戶就NAND閃存價格重新談判，目標價位是漲價15%—20%。
2024-03-14 15:35:22222
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