邁入2020年，DRAM模組及NAND Flash終端產(chǎn)品現(xiàn)貨價(jià)持續(xù)上漲，與存儲(chǔ)顆粒合約價(jià)之間的溢價(jià)差持續(xù)擴(kuò)大，包括威剛、十銓、廣穎等存儲(chǔ)模組廠對(duì)2020年?duì)I運(yùn)展望樂(lè)觀，而且看好2020年獲利表現(xiàn)
2020-01-15 09:36:01
4993 至3~8%。展望第四季，TrendForce集邦咨詢認(rèn)為，由于DRAM供給將持續(xù)上升，預(yù)估價(jià)格漲幅會(huì)更進(jìn)一步收斂，或?qū)⒃斐?b class="flag-6" style="color: red">價(jià)格上漲的壓力，3~8%。
2021-07-14 09:49:446928 今年NAND Flash存儲(chǔ)器需求將持續(xù)走揚(yáng)。IC Insights研究指出，為滿足使用者對(duì)低功耗、快速存取與高畫(huà)質(zhì)影音儲(chǔ)存需求，3C產(chǎn)品導(dǎo)入NAND Flash存儲(chǔ)器的比例已愈來(lái)愈高，預(yù)估今年整體銷售額可望達(dá)到300億美元，較去年268億美元，增長(zhǎng)12%。
2013-04-26 09:30:47536 NAND Flash存儲(chǔ)器在移動(dòng)設(shè)備應(yīng)用市場(chǎng)的需求趨緩。根據(jù)IHS初步統(tǒng)計(jì)資料顯示，受到品牌廠與網(wǎng)絡(luò)廠商大舉推出云端儲(chǔ)存服務(wù)影響，第三季智能手機(jī)與平板設(shè)備內(nèi)建NAND Flash存儲(chǔ)器的需求已開(kāi)始減少。
2013-11-26 11:16:171180 
受標(biāo)準(zhǔn)型DRAM存儲(chǔ)器供不應(yīng)求影響，4GB DDR3/DDR4原廠顆?，F(xiàn)貨價(jià)持續(xù)飆漲，本月以來(lái)平均漲幅近15%，第三季度以來(lái)累計(jì)漲幅高達(dá)45%至50%，模組價(jià)格本月漲幅也超過(guò)20%。
2016-10-22 22:04:59591 日經(jīng)新聞2016年10月29日?qǐng)?bào)導(dǎo)，使用于智能手機(jī)、存儲(chǔ)卡的NAND型快閃存儲(chǔ)器（Flash Memory）批發(fā)價(jià)格進(jìn)一步走升，10月份指標(biāo)性產(chǎn)品MLC（Multi-Level Cell）類型
2016-11-01 09:06:10561 根據(jù)TrendForce旗下內(nèi)存儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新研究顯示，受惠于強(qiáng)勁的智能型手機(jī)出貨、eMMC/eMCP平均搭載容量提升及SSD的穩(wěn)健成長(zhǎng)，第四季NAND Flash缺貨情況
2016-12-16 10:22:31725 受益于智能手機(jī)搭載的NAND Flash存儲(chǔ)容量持續(xù)提升，以及PC、服務(wù)器、資料中心積極導(dǎo)入固態(tài)硬盤(pán)（SSD），NAND Flash需求正快速成長(zhǎng)，各家存儲(chǔ)器廠亦由2D NAND Flash加速轉(zhuǎn)進(jìn)
2017-02-07 17:34:128497 
近日，由國(guó)家存儲(chǔ)器基地主要承擔(dān)單位長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（以下簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”）與中國(guó)科學(xué)院微電子研究所聯(lián)合承擔(dān)的3D NAND存儲(chǔ)器研發(fā)項(xiàng)目取得新進(jìn)展。
2017-02-17 07:48:231529 NAND Flash是一種非易失存儲(chǔ)器，也就是掉電不丟失類型，現(xiàn)在我們常見(jiàn)的存儲(chǔ)設(shè)備基本都是NAND Flash，比如U盤(pán)、固態(tài)硬盤(pán)，手機(jī)存儲(chǔ)等等，電腦傳統(tǒng)硬盤(pán)除外。
2022-11-10 17:08:321684 
動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)第四季價(jià)格持續(xù)下跌，存儲(chǔ)器封測(cè)廠受到客戶要求降價(jià)，近期已同意本季調(diào)降調(diào)降封測(cè)售價(jià)5%到10%，將沖擊本季毛利表現(xiàn)。
2011-11-19 00:26:271152 
根據(jù)CINNO Research從存儲(chǔ)器供應(yīng)鏈業(yè)者所掌握到的消息，除了DRAM供給端產(chǎn)出成長(zhǎng)持續(xù)有限外，主要受惠于第二季智能型手機(jī)備貨需求開(kāi)始增溫以及服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心建置持續(xù)暢旺。
2018-05-05 09:48:445008 
最新發(fā)布的存儲(chǔ)器價(jià)格報(bào)告指出，存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)新年伊始就迎來(lái)供需結(jié)構(gòu)反轉(zhuǎn)的消息。
2020-01-21 08:17:001427 而已。被動(dòng)元件廠認(rèn)為，7月出現(xiàn)的第一波客戶備貨潮，將決定下半年的缺口到底會(huì)有多大；9月的蘋(píng)果陣營(yíng)拉貨力道，則是今年旺季的最關(guān)鍵。存儲(chǔ)芯片缺貨漲價(jià)潮，各廠商狂囤芯片！硬之城表示：NAND市場(chǎng)的問(wèn)題將更加
2017-07-04 21:54:04
1. TC58V64 的引腳配置TC58V64的引腳配置如圖所示。在圖中未看到地址引腳，這是因?yàn)槔脭?shù)據(jù)輸人輸出引腳（I／O 1 ～I(xiàn)／O 8 ），能夠以時(shí)分方式賦予數(shù)據(jù)。NAND閃速存儲(chǔ)器只能
2018-04-11 10:10:52
TC58V64的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖所示。閃速存儲(chǔ)器的容量增大，則塊數(shù)也將增加，但內(nèi)部的基本結(jié)構(gòu)沒(méi)有改變。NAND 閃速存儲(chǔ)器的特點(diǎn)①按順序存取數(shù)據(jù)；②存儲(chǔ)器內(nèi)部以塊為單元進(jìn)行分割，而各塊又以頁(yè)為單位進(jìn)行
2018-04-11 10:11:54
感謝Dryiceboy的投遞據(jù)市場(chǎng)分析數(shù)據(jù),DRAM和NAND存儲(chǔ)器價(jià)格近期正在不斷上揚(yáng).許多人認(rèn)為當(dāng)前存儲(chǔ)器市場(chǎng)的漲價(jià)只不過(guò)是暫時(shí)的供需不穩(wěn)所導(dǎo)致的;有些人則認(rèn)為隨著存儲(chǔ)器價(jià)格3D NAND制造
2019-07-16 08:50:19
**第一至第三章**Q1. 若存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)總線寬度為32位，存取周期為200ns，則存儲(chǔ)器的帶寬是多少？存儲(chǔ)器的帶寬指單位時(shí)間內(nèi)從存儲(chǔ)器進(jìn)出信息的最大數(shù)量。存儲(chǔ)器帶寬 = 1/200ns ×32位
2021-07-28 06:23:01
從個(gè)人電腦的角度看嵌入式開(kāi)發(fā)板——小白學(xué)ARM（五）各種存儲(chǔ)器——SRAM、DRAM、SDRAM、ROM、NOR、NAND？？？mini2440開(kāi)發(fā)板vs個(gè)人電腦各種存儲(chǔ)器——SRAM、DRAM
2021-12-21 06:01:19
問(wèn)題一：位圖都存儲(chǔ)在哪了？都在程序存儲(chǔ)器里嗎問(wèn)題二：能不能將位圖存儲(chǔ)到外部?jī)?nèi)存中？問(wèn)題三：F429的程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器有多大？
2020-05-20 04:37:13
NAND FIash存儲(chǔ)器的特點(diǎn)FIash文件系統(tǒng)的應(yīng)用特點(diǎn) FAT文件系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)FAT文件系統(tǒng)的改進(jìn)設(shè)計(jì)
2021-04-25 09:18:53
Flash存儲(chǔ)器分為哪幾類？Flash存儲(chǔ)器有什么特點(diǎn)？Flash與DRAM有什么區(qū)別？
2021-06-18 07:03:45
Flash存儲(chǔ)器是一種基于浮柵技術(shù)的非揮發(fā)性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，一般有NOR、NAND、 DINOR和AND 等幾種類型。作為一類非易失性存儲(chǔ)器 ,Flash存儲(chǔ)器具有自己獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn):不需要特殊的外部高
2020-11-16 14:33:15
據(jù) I/O 是否處于高度繁忙狀態(tài)，都能提高存儲(chǔ)器各級(jí)的執(zhí)行效率；2) 更輕松便捷地管理多個(gè)內(nèi)核和數(shù)據(jù) I/O 之間的緩存一致性；3) 存儲(chǔ)器的保護(hù)與地址擴(kuò)展，以及；4) 將對(duì)軟錯(cuò)誤的保護(hù)進(jìn)一步擴(kuò)展至較高
2011-08-13 15:45:42
自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND閃存等現(xiàn)有存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)在性能方面又超過(guò)了現(xiàn)有幾乎所有的存儲(chǔ)器，因此有可能會(huì)贏得巨大的市場(chǎng)(見(jiàn)表1)。具體在功能方面，自旋注入MRAM與閃存一樣
2022-02-11 07:23:03
讀寫(xiě)次數(shù)和效能上遠(yuǎn)不如SLC芯片，但隨著效能大幅改善后，MLC芯片也逐漸成為NAND Flash產(chǎn)業(yè)主流，并在價(jià)格下滑后，導(dǎo)入多領(lǐng)域應(yīng)用范圍?，F(xiàn)在MLC芯片性價(jià)比提升，也逐漸導(dǎo)入許多應(yīng)用領(lǐng)域包括軍規(guī)
2018-06-14 14:26:38
........等等因素，造成貼片電子料很多物料減產(chǎn)，市場(chǎng)供不應(yīng)求，價(jià)格就會(huì)持續(xù)攀升！希望新老客戶了解市場(chǎng)，接受市場(chǎng)漲價(jià)的形勢(shì)，理解我司漲價(jià)的原由！能一如既往支持平尚，大家一起共度難關(guān)！目前有一部分客戶
2018-03-29 16:30:44
什么是EEPROM存儲(chǔ)器？
2021-11-01 07:24:44
） 功耗小，但是成本高，壽命到期后讀不出來(lái)信息，并且難以修復(fù)?！ ?、光盤(pán)存儲(chǔ)器 價(jià)格低，容量大，耐用，可用于長(zhǎng)期保存數(shù)據(jù)。但是讀出和傳輸速度比硬盤(pán)慢得多。光盤(pán)存儲(chǔ)器三大類型：CD光盤(pán)存儲(chǔ)器，DVD 光盤(pán)存儲(chǔ)器，BD光盤(pán)存儲(chǔ)器。
2019-06-05 23:54:02
代碼執(zhí)行應(yīng)用則要求存儲(chǔ)器的隨機(jī)訪存速度更快。經(jīng)過(guò)研究人員對(duì)浮柵存儲(chǔ)技術(shù)的堅(jiān)持不懈的研究，現(xiàn)有閃存的技術(shù)能力在2010年底應(yīng)該有所提升，盡管如此，現(xiàn)在人們?cè)絹?lái)越關(guān)注有望至少在2020年末以前升級(jí)到更小
2019-06-26 07:11:05
flash中運(yùn)行。嵌入式系統(tǒng)多用一個(gè)小容量的nor flash存儲(chǔ)引導(dǎo)代碼，用一個(gè)大容量的nand flash存放文件系統(tǒng)和內(nèi)核。
1.2 存儲(chǔ)器RAM介紹
RAM有兩大類，一種稱為靜態(tài)RAM（Static
2023-05-19 15:59:37
Flash量產(chǎn)時(shí)間延后，依舊無(wú)法抵擋不斷增長(zhǎng)的產(chǎn)出量，不同于內(nèi)存產(chǎn)品可以應(yīng)用在緩存上，作為各種電子產(chǎn)品主要存儲(chǔ)裝置的閃存，價(jià)格下跌的過(guò)程往往伴隨著搭載量的提升。需求端成長(zhǎng)趕不上產(chǎn)出增加的速度，因此2019年整年度整個(gè)行業(yè)將依舊維持供過(guò)于求的格局至年底。
2021-07-13 06:38:27
1. 嵌入式的外部存儲(chǔ)器嵌入式系統(tǒng)中，外部的存儲(chǔ)器一般是Nand flash和Nor flash，都稱為非易失存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器的物理構(gòu)成包含頁(yè)內(nèi)地址，頁(yè)（Page），塊（Block）?？梢缘贸?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)器
2021-12-10 08:26:49
的測(cè)試系統(tǒng)應(yīng)運(yùn)而生。本文提出了一種多功能存儲(chǔ)器芯片的測(cè)試系統(tǒng)硬件設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)，對(duì)各種數(shù)據(jù)位寬的多種存儲(chǔ)器芯片（SRAM、MRAM、NOR FALSH、NAND FLASH、EEPROM等）進(jìn)行了詳細(xì)的結(jié)口
2019-07-26 06:53:39
如何利用Xilinx FPGA和存儲(chǔ)器接口生成器簡(jiǎn)化存儲(chǔ)器接口？
2021-05-06 07:23:59
隨著集成電路制造工藝水平的提高，半導(dǎo)體芯片上可以集成更多的功能，為了讓產(chǎn)品有別于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的產(chǎn)品特性，在ASIC上集成存儲(chǔ)器可以降低成本和功耗、改善性能、增加系統(tǒng)級(jí)芯片的可靠性。隨著對(duì)嵌入式存儲(chǔ)器需求的持續(xù)增長(zhǎng)，其復(fù)雜性、密度和速度也日益增加，從而需要提出一種專用存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)方法。
2019-11-01 07:01:17
影響存儲(chǔ)器訪問(wèn)性能的因素有哪些？DSP核訪問(wèn)內(nèi)部存儲(chǔ)器和外部DDR存儲(chǔ)器的時(shí)延有什么不同？
2021-04-19 08:32:10
，VCD/DVD/MP3激光頭，回收存儲(chǔ)器IC，內(nèi)存IC，家電IC，電腦IC通訊IC，數(shù)碼IC，LED發(fā)光管，單片機(jī)，模塊，藍(lán)牙芯片，電解電容收購(gòu)等一切電子料，歡迎您24小時(shí)隨時(shí)來(lái)電，我們報(bào)價(jià)快，價(jià)格
2020-11-11 15:01:32
程轉(zhuǎn)換不易，服務(wù)器等需求依然暢旺，Mobile DRAM的裝載量持續(xù)擴(kuò)大，都給2018年DRAM的商機(jī)帶來(lái)足夠的支撐。3D NAND的多層化，既是進(jìn)入障礙也是商機(jī)的來(lái)源，但非存儲(chǔ)器的商機(jī)仍然占了半導(dǎo)體市場(chǎng)
2018-12-24 14:28:00
存儲(chǔ)器可分為哪幾類？存儲(chǔ)器有哪些特點(diǎn)？存儲(chǔ)器有哪些功能？
2021-10-20 06:46:21
未來(lái)DDR4、NAND Flash存儲(chǔ)器芯片該如何發(fā)展
2021-03-12 06:04:41
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 FLASH程序存儲(chǔ)器 FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器各有什么區(qū)別？特點(diǎn)？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器包含三部分，片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴(kuò)展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
、NAND 閃存、EEPROM（可擦除的可編程只讀存儲(chǔ)器）、FRAM（鐵電存儲(chǔ)器），MRAM（磁性 RAM）和 NVSRAM（非易失性靜態(tài)存儲(chǔ)器）等。每種類型存儲(chǔ)器在不同性能指標(biāo)下具有各自的優(yōu)勢(shì)和劣勢(shì)：存儲(chǔ)器
2019-07-23 06:15:10
系統(tǒng)設(shè)計(jì)存在設(shè)計(jì)基于閃存的可靠的嵌入式和存儲(chǔ)系統(tǒng)時(shí)仍然面對(duì)重大挑戰(zhàn)。隨著每代新產(chǎn)品的出現(xiàn)，目前存儲(chǔ)器技術(shù)要求尺寸越來(lái)越小，但耑要較大系統(tǒng)級(jí)變化來(lái)維持系統(tǒng)級(jí)討靠性和性能。NOR和NAND閃存的存儲(chǔ)器架構(gòu)
2018-05-17 09:45:35
`鄭州存儲(chǔ)器IC回收公司 各種存儲(chǔ)器IC回收18899-854-850 QQ1221-49901藍(lán)微興電子回收公司，致力于為客戶提供及時(shí)、專業(yè)、用心的服務(wù)、您撥打我們的回收服務(wù)熱線！長(zhǎng)期回收特瑞仕
2020-07-25 11:47:02
閃速存儲(chǔ)器根據(jù)單元的連接方式，如表所示，可分成NAND、NOR、DINOR（Divided bit Line NOR）及AND幾類。NAND閃速存儲(chǔ)器單元的連接方式如圖 1 所示，NOR閃速存儲(chǔ)器
2018-04-09 09:29:07
2010年NAND Flash價(jià)格發(fā)展持續(xù)兩極化
NAND Flash市場(chǎng)未脫傳統(tǒng)淡季，仍在等待蘋(píng)果(Apple)補(bǔ)貨效應(yīng)出現(xiàn)，2010年1月下旬NAND Flash合約價(jià)大致持平，高容量32Gb和64Gb芯片有
2010-01-27 09:47:59483 預(yù)估未來(lái)三年內(nèi)存價(jià)格將持續(xù)攀升
DRAMeXchange傳來(lái)噩耗稱內(nèi)存芯片的價(jià)格在未來(lái)三年內(nèi)將持續(xù)走高。這家市場(chǎng)分析公司將內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的興衰周期定為3年左右，據(jù)
2010-04-19 11:37:54322 高性能20納米級(jí)NAND閃存存儲(chǔ)器
SAMSUNG電子有限公司推出業(yè)界首個(gè)20納米級(jí)(nm) NAND芯片，用于安全數(shù)字(SD)存儲(chǔ)器卡和嵌入式存儲(chǔ)解決方案中。32
2010-05-17 12:15:021091 提出一種適用于未來(lái)高密度應(yīng)用的與非(NAND) 型共享選通管的三維多層1TXR 阻變存儲(chǔ)器概念。在0.13 m工藝下, 以一個(gè)使用8 層金屬堆疊的1T64R 結(jié)構(gòu)為例, 其存儲(chǔ)密度比傳統(tǒng)的單層1T1R 結(jié)構(gòu)高
2011-12-07 11:02:41
16 DRAMeXchange最新研究顯示，受惠于強(qiáng)勁的智能手機(jī)出貨、eMMC/eMCP平均搭載容量提升及SSD的穩(wěn)健成長(zhǎng)，第四季NAND Flash缺貨情況達(dá)今年最高峰，各產(chǎn)品別價(jià)格續(xù)創(chuàng)年度新高，預(yù)估
2016-12-13 09:57:20540 IC Insights預(yù)計(jì)2017年存儲(chǔ)器價(jià)格還將上漲，從而推動(dòng)全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的853億美元，同比增長(zhǎng)10%。該機(jī)構(gòu)同時(shí)認(rèn)為，今后幾年存儲(chǔ)器市場(chǎng)都將非常健康，在2020年之前每年都能保證增長(zhǎng)，并于2020年達(dá)到1000億美元的規(guī)模。2021年可能接近1100億美元左右。
2016-12-22 09:20:04858 今年Q1季度到Q2季度以來(lái)，NAND閃存價(jià)格一直在下滑，市場(chǎng)供需情況已經(jīng)變了，本來(lái)預(yù)計(jì)Q3季度會(huì)有蘋(píng)果新機(jī)拉貨導(dǎo)致的需求提升，藉此提振下NAND價(jià)格，不過(guò)現(xiàn)在來(lái)看這些廠商想的太樂(lè)觀了，Q3季度NAND閃存價(jià)格還會(huì)繼續(xù)下滑，這種情況持續(xù)下去，不排除2020年NAND市場(chǎng)大洗牌。
2018-07-17 11:58:00681 NAND的價(jià)格在近幾年來(lái)都是水漲船高的局勢(shì)，隨著三星和SK海力士宣布繼續(xù)投產(chǎn)，預(yù)估明年DRAM仍舊是供貨吃緊，因此DRAM價(jià)格下修的可能性也會(huì)很低。
2017-12-18 16:20:13569 根據(jù)2017年的存儲(chǔ)器行業(yè)需求顯露出的價(jià)格上漲，供不應(yīng)求局面，韓系存儲(chǔ)器廠紛紛計(jì)劃擴(kuò)產(chǎn)。但由于存儲(chǔ)器大廠3D NAND良率升，NAND Flash將在2019年后產(chǎn)能過(guò)剩。
2018-01-06 10:32:382146 ，Gartner預(yù)估今年增幅為4%。 這236億美元的上調(diào)金額中，有195億美元來(lái)自存儲(chǔ)器芯片市場(chǎng)。他認(rèn)為，DRAM、NAND Flash存儲(chǔ)器漲價(jià)拉高了整體半導(dǎo)體市場(chǎng)的展望。與此同時(shí)，智能手機(jī)、個(gè)人電腦以及服務(wù)器等關(guān)鍵半導(dǎo)體買(mǎi)家的利潤(rùn)將面臨壓縮。
2018-01-16 12:09:01512 目前存儲(chǔ)器市況呈現(xiàn)兩樣情，DRAM持續(xù)穩(wěn)健發(fā)展，價(jià)格平穩(wěn)或小漲；NAND Flash則因供過(guò)于求，價(jià)格緩跌。外界預(yù)期DRAM市場(chǎng)第3季將可喜迎旺季，而NAND Flash市場(chǎng)價(jià)格也可稍有反彈。
2018-06-22 15:48:00733 NAND Flash(儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器)隨著2D轉(zhuǎn)3D制程良率改善，量產(chǎn)能力大為提升，盡管價(jià)格已經(jīng)松動(dòng)，但包括存儲(chǔ)器、控制IC、封測(cè)等供應(yīng)體系業(yè)者紛紛看好有助于量能提升。存儲(chǔ)器控制IC大廠群聯(lián)電子
2018-07-09 09:52:00513 受惠于北美數(shù)據(jù)中心建案推動(dòng)，從2017年下半以來(lái)服務(wù)器存儲(chǔ)器供貨持續(xù)吃緊，盡管2018年第1季漲幅已見(jiàn)趨緩，但市場(chǎng)價(jià)格仍維持高檔，預(yù)計(jì)2018年上半整體市場(chǎng)供給仍吃緊的看法，全年將可望穩(wěn)定成長(zhǎng)
2018-07-09 11:07:001615 在當(dāng)前NandFlash存儲(chǔ)器仍舊供不應(yīng)求，市場(chǎng)價(jià)格依舊居高不下的情況下，日前全球NandFlash存儲(chǔ)器龍頭企業(yè)的韓國(guó)三星，日前宣布將在本月底正式動(dòng)工的中國(guó)西安NandFlash存儲(chǔ)器廠的擴(kuò)建計(jì)劃，28日正式動(dòng)工，預(yù)計(jì)將在2019年完工啟用。
2018-07-03 11:10:00884 在市場(chǎng)NAND Flash快閃存儲(chǔ)器供應(yīng)仍有缺口，導(dǎo)致價(jià)格繼續(xù)維持高位的情況下，包括國(guó)際大廠三星、SK海力士、東芝，以及中國(guó)廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)存紛紛宣布擴(kuò)產(chǎn)以增加產(chǎn)能之際，7日美商存儲(chǔ)器大廠美光（Micron）也宣布擴(kuò)產(chǎn)，以補(bǔ)足市場(chǎng)供不應(yīng)求的缺口。
2018-06-11 12:01:00922 ，存儲(chǔ)器內(nèi)的信息仍然存在，主要是閃存（Nand FLASH 和 NOR FLASH），NOR 主要應(yīng)用于代碼存儲(chǔ)介質(zhì)中，而 NAND 則用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。
2018-04-09 15:45:33109972 存儲(chǔ)器大廠華邦電（2344）積極搶攻車用存儲(chǔ)器市場(chǎng)，發(fā)表業(yè)界首款最高速度的車用序列式NAND Flash（Serial NAND），在四線序列周邊介面（QSPI）下的最高傳輸速度可達(dá)每秒83MB
2018-06-21 16:33:001565 雖然第二季是存儲(chǔ)器市場(chǎng)傳統(tǒng)淡季，但受惠于工控及車載應(yīng)用需求強(qiáng)勁，加上NOR Flash及SLC NAND漲價(jià)效益開(kāi)始發(fā)酵，旺宏第二季營(yíng)運(yùn)將淡季不淡，營(yíng)收可望追平第一季。旺宏第三季受惠于任天堂大舉拉貨，以及手機(jī)廠及筆電廠擴(kuò)大NOR Flash采購(gòu)，配合價(jià)格持續(xù)調(diào)漲，營(yíng)運(yùn)將旺季更旺。
2018-08-10 16:13:35868 存儲(chǔ)器是半導(dǎo)體三大支柱產(chǎn)業(yè)之一。據(jù)IC Insights數(shù)據(jù)，2015年半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)總額達(dá)835億美元。各類存儲(chǔ)器中，NAND Flash是一個(gè)亮點(diǎn)。其廣泛應(yīng)用于PC、手機(jī)、服務(wù)器等各類電子產(chǎn)品，2015年?duì)I收達(dá)到267億美元，占半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)總額的32%。
2018-08-13 09:01:001349 高容量產(chǎn)品的備貨力度，雖位元出貨量獲得支撐，然而，NAND Flash仍是供過(guò)于求，第二季平均價(jià)格跌幅達(dá)15-20%。
2018-08-20 17:25:411083 背景知識(shí)的情況下，可以比較簡(jiǎn)單地使用大容量的NAND Flash存儲(chǔ)器，降低了使用NAND Flash存儲(chǔ)器的難度和成本。
2018-12-31 11:29:002879 
由于各大內(nèi)存廠產(chǎn)能“剎不住車”，NAND Flash快閃存儲(chǔ)器和DRAM價(jià)格已經(jīng)持續(xù)走低，終結(jié)了持續(xù)兩年的市場(chǎng)供應(yīng)緊俏狀況。
2018-10-27 08:59:143740 在NAND Flash價(jià)格跌幅持續(xù)擴(kuò)大的環(huán)境下，存儲(chǔ)器原廠Q3財(cái)報(bào)卻表現(xiàn)搶眼。其主要是因?yàn)槿?、蘋(píng)果、華為等高端旗艦機(jī)容量向512GB升級(jí)，以及SSD向高容量轉(zhuǎn)移需求帶動(dòng)下，F(xiàn)lash原廠NAND
2018-11-19 18:56:434648 在經(jīng)歷了兩年的瘋狂上漲之后，存儲(chǔ)器市場(chǎng)要進(jìn)行深度的調(diào)整了。美國(guó)花旗銀行預(yù)計(jì)明年存儲(chǔ)器價(jià)格會(huì)大幅下降，NAND價(jià)格會(huì)跌45%，DRAM價(jià)格會(huì)下跌30%，而且明年Q2季度之前不會(huì)見(jiàn)底。
2019-01-02 14:23:40895 存儲(chǔ)器市況需求冷淡，受到庫(kù)存水位偏高，首季價(jià)格跌幅達(dá)到雙位數(shù)，由于預(yù)期市場(chǎng)價(jià)格持續(xù)下探，模塊廠及終端拉貨動(dòng)能
2019-02-18 16:32:192530 不論是DRAM或NAND Flash，現(xiàn)有的存儲(chǔ)器解決方案都面臨著制程持續(xù)微縮的物理極限，這意味著要持續(xù)提升性能與降低成本都將更加困難。為了在有限甚至不改變現(xiàn)有平臺(tái)架構(gòu)的前提下找到新的解決方案，IntelOptane等次世代存儲(chǔ)器近年來(lái)廣受討論。
2019-05-21 16:47:12722 NAND Flash受到東芝存儲(chǔ)器工廠停電事件，將帶動(dòng)NAND Flash價(jià)格止跌走揚(yáng)，威剛科技初估，NAND Flash價(jià)格將調(diào)漲10%至15%；另一存儲(chǔ)器模組廠十銓科技也認(rèn)為不論DRAM或NAND Flash，下半年都將有很大的成長(zhǎng)空間。
2019-07-09 16:02:202513 近日，臺(tái)灣存儲(chǔ)器模組廠威剛否認(rèn)了暫停出貨SSD的傳聞，并表示為應(yīng)對(duì)目前NAND Flash價(jià)格上揚(yáng)，在前景有待觀察的情形下，將限量供貨，并優(yōu)先支持老客戶。
2019-07-11 10:11:113102 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技（YMTC）本周早些時(shí)候表示，已經(jīng)開(kāi)始批量生產(chǎn)采用專有Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND存儲(chǔ)器。
2019-09-09 10:22:161661 隨著5G時(shí)代的逐漸逼近，物聯(lián)網(wǎng)的快速發(fā)展促進(jìn)著存儲(chǔ)器需求的持續(xù)增長(zhǎng)。數(shù)據(jù)表明，中國(guó)消耗全球20%的DRAM及25%的NAND，2017年中國(guó)進(jìn)口存儲(chǔ)器889.21億美元，同比2016年的637.14億美元增長(zhǎng)了39.56%。
2019-09-17 10:47:24791 由于 2019 年的存儲(chǔ)器需求不如去年，韓國(guó)科技大廠三星（Samsung）預(yù)估第三季的利潤(rùn)不到 2018 年同期的一半。
2019-10-09 16:20:362985 ，但因存儲(chǔ)器價(jià)格仍然不好，加上華邦電中科12英寸廠的營(yíng)運(yùn)效率明顯提升，所以高雄12英寸廠的裝機(jī)時(shí)間將遞延到2022年第一季。
2019-12-09 11:10:223034 研調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技存儲(chǔ)器儲(chǔ)存研究（DRAMeXchange）最新調(diào)查指出，2020年首季NAND Flash需求將淡季不淡，而在原廠資本支出相對(duì)保守下，2020年全年供需將逐漸緊張，第1、2季價(jià)格預(yù)計(jì)將持續(xù)走揚(yáng)。
2020-01-02 16:45:023217 美光在二季度財(cái)報(bào)電話會(huì)議上透露，該公司即將開(kāi)始基于全新 RG 架構(gòu)的第四代 3D NAND 存儲(chǔ)器的量產(chǎn)工作。按照計(jì)劃，美光將于 2020 Q3 采集開(kāi)始生產(chǎn)，并于 Q4 像商業(yè)客戶發(fā)貨。作為這家硬件制造商的一次重大技術(shù)轉(zhuǎn)型，第四代 3D NAND 存儲(chǔ)器的層數(shù)達(dá)到了 128 層。
2020-04-02 11:26:521542 盡管智能手機(jī)廠商在主動(dòng)囤積存儲(chǔ)器以搶占更多市場(chǎng)份額，但TrendForce對(duì)今年的行業(yè)預(yù)測(cè)仍不樂(lè)觀。在持續(xù)供過(guò)于求的情況下，固態(tài)硬盤(pán)（SSD）存儲(chǔ)器甚至可能迎來(lái)價(jià)格新低。不過(guò)對(duì)于消費(fèi)者來(lái)說(shuō)，DRAM和NAND存儲(chǔ)器的穩(wěn)步下滑，顯然是一件好事。
2020-10-20 14:39:411499 Nand flash是flash存儲(chǔ)器的其中一種，Nand flash其內(nèi)部采用非線性宏單元模式以及為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。NAND FLASH存儲(chǔ)器具有容量較大和改寫(xiě)速度快
2020-11-03 16:12:083855 
NAND價(jià)格從2022年第1季在缺貨拉抬調(diào)漲報(bào)價(jià)后，市場(chǎng)價(jià)格快速反轉(zhuǎn)走跌，第3季NAND晶圓跌價(jià)約達(dá)3成以上，相當(dāng)于從年初高點(diǎn)下跌約達(dá)50%，由于終端備貨消極，晶圓廠報(bào)價(jià)持續(xù)探底，市場(chǎng)預(yù)估第4季NAND晶圓價(jià)格跌幅將再季減20%。
2022-11-01 12:36:27517 存儲(chǔ)器的歷史始于1984年，彼時(shí) Masuoka 教授發(fā)明了 NAND Flash（NAND 閃存）。1989年，東芝首款 NAND Flash 上市。2001年，許多Flash廠商推出MLC
2022-11-25 14:57:351637 ?“隨著年中促銷旺季來(lái)臨，終端品牌備貨動(dòng)能增強(qiáng)，第二季度面板需求持續(xù)回溫，但品牌客戶為降低成本，多為提前低價(jià)備貨，面板價(jià)格持續(xù)下滑局面將在整個(gè)第二季度中延續(xù)。”
2023-05-22 11:39:42202 
消息人士補(bǔ)充說(shuō)：“盡管
nand閃存
價(jià)格上漲，但中國(guó)
存儲(chǔ)器模塊企業(yè)最近停止了
價(jià)格供應(yīng)和訂單。預(yù)計(jì)不久就會(huì)上調(diào)
價(jià)格，因此模塊企業(yè)計(jì)劃將
價(jià)格上調(diào)8至10%?！?/div>
2023-08-18 09:47:25285 隨著NAND資源供應(yīng)收緊，近期現(xiàn)貨NAND行情持續(xù)回溫，各環(huán)節(jié)陸續(xù)回補(bǔ)庫(kù)存，尤其有實(shí)際需求的終端積極備貨。不過(guò)目前行情主要是基于NAND wafer漲價(jià)，成本上揚(yáng)帶動(dòng)成品價(jià)格反彈，市場(chǎng)整體傾向于
2023-09-05 16:19:52152 
摘要：本文主要對(duì)兩種常見(jiàn)的非易失性存儲(chǔ)器——NAND Flash和NOR Flash進(jìn)行了詳細(xì)的比較分析。從存儲(chǔ)容量、性能、成本等方面進(jìn)行了深入探討，以幫助讀者更好地理解這兩種存儲(chǔ)器的特性和應(yīng)用。
2023-09-27 17:46:06490 隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求日益增長(zhǎng)。作為一種新型的非易失性存儲(chǔ)器，NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等優(yōu)勢(shì)，在各個(gè)領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。本文將對(duì)NAND Flash存儲(chǔ)器的工作原理、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、性能指標(biāo)及應(yīng)用領(lǐng)域進(jìn)行詳細(xì)解析，以期為讀者提供一個(gè)全面的了解。
2023-09-27 18:26:171446 部分存儲(chǔ)模組廠已接到三星通知，要求明年年初至少將DRAM價(jià)格上調(diào)15%以上，且該通知并未涉及NAND閃存定價(jià)，故預(yù)計(jì)后者將會(huì)持續(xù)上漲。DRAM價(jià)格在去年年底上漲2%-3%，不及3D TLC NAND約10%；
2024-01-03 10:46:21550 的局面。緊接著,1989年,東芝公司發(fā)表了 NAND Flash 結(jié)構(gòu),后者的單元電路尺寸幾乎只是 NOR 器件的一半,可以在給定的芯片尺寸內(nèi)提供更高的容量,也就相應(yīng)地降低了價(jià)格。 1.NAND
2024-03-01 17:08:45160 
非易失性存儲(chǔ)器芯片又可分為快閃存儲(chǔ)器 （Flash Memory） 與只讀存儲(chǔ)器 （Read-Only Memory）。其中，快閃存儲(chǔ)器又可以分為 NAND 存儲(chǔ)和 NOR 存儲(chǔ)。
2024-03-22 10:54:1515 
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