東芝存儲(chǔ)：存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存比采用SLC技術(shù)的TLC快10倍
東芝存儲(chǔ)公司6日宣布推出一種新的存儲(chǔ)器（SCM）——XL-FLASH，并開(kāi)始提供樣品。該產(chǎn)品使用1位/單元SLC技術(shù)，使用96層堆疊工藝實(shí)現(xiàn)3D閃存BiCSFLASH的高速讀寫(xiě)。128Gbit芯片的樣品出貨將于9月開(kāi)始，大規(guī)模生產(chǎn)將于2020年開(kāi)始。
XL-FLASH采用16物理平面結(jié)構(gòu)，具有出色的并行處理能力，以及與現(xiàn)有TLC（3位/單元）BiCSFLASH相比可實(shí)現(xiàn)高速處理的電路技術(shù)。它實(shí)現(xiàn)了5μs或更短的讀取延遲，速度提高了10倍，并且定位為新的存儲(chǔ)器層次結(jié)構(gòu)，填補(bǔ)了DRAM和NAND閃存之間的性能差異。
此外，與傳統(tǒng)DRAM相比，該產(chǎn)品可降低每比特成本，并且是支持NAND閃存等大容量的非易失性存儲(chǔ)器。東芝存儲(chǔ)將通過(guò)XL-FLASH響應(yīng)不斷擴(kuò)大的SCM市場(chǎng)的需求，包括用于數(shù)據(jù)中心和企業(yè)存儲(chǔ)的高速SSD。
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