隨著臺積電、英特爾、三星晶圓代工的先進邏輯制程在下半年拉高產(chǎn)能量產(chǎn)，半導體廠的12英寸硅晶圓庫存已在第三季底調節(jié)至季節(jié)性正常水位。由于硅晶圓需求已在10月下旬回溫，且明年7、5納米邏輯制程、1z納米DRAM及100層以上3D NAND等進入量產(chǎn)，對高端12英寸硅晶圓需求度高，法人看好環(huán)球晶圓、臺勝科最壞情況已過，第四季起進入新的成長循環(huán)。

半導體生產(chǎn)鏈上半年受到美中貿(mào)易摩擦影響，包括晶圓代工廠、IDM廠、存儲器廠等均暫緩或放慢擴產(chǎn)計劃，加上產(chǎn)能利用率滑落，導致硅晶圓庫存水位逐季墊高，也造成硅晶圓價格松動。以今年12英寸硅晶圓價格來看，合約價雖有長約鎖住但仍緩跌，現(xiàn)貨價則出現(xiàn)20～30%的跌幅。第三季因為半導體廠端的硅晶圓庫存仍在去化階段，也造成環(huán)球晶圓、臺勝科等營收表現(xiàn)旺季不旺。

環(huán)球晶圓因受到長約保護，12英寸硅晶圓長約涵蓋率高達90%，銷售價格變動不大，第三季因應客戶拉貨而將部分出貨遞延，合并營收雖季減2.7%、年減5.7%達143.03億元（新臺幣，下同），但表現(xiàn)仍優(yōu)于預期。

至于臺勝科現(xiàn)貨比重較高，受到現(xiàn)貨價跌幅擴大影響，第三季合并營收季減11.6%，達25.27億元，更較去年同期大減40.7%，但10月下旬訂單已見回流，10月合并營收止跌回溫、月增1.8%達8.95億元。

第四季以來，邏輯制程硅晶圓受惠于晶圓代工廠先進制程投片量增加，產(chǎn)能利用率維持高檔，需求已見回溫且?guī)齑嫠豢吹綔p少，應用在存儲器的拋光硅晶圓則仍受到DRAM及NAND Flash市場庫存過高影響。整體來看，半導體廠的庫存已在第三季底回到季節(jié)性正常水準，第四季開始增加采購量，環(huán)球晶圓及臺勝科的12英寸硅晶圓出貨回升，代表市場最壞情況已過，價格也止跌回穩(wěn)。

至于明年硅晶圓市場能見度已明顯提高，臺積電、英特爾、三星等大廠今年資本支出不減反增，代表明年邏輯制程新產(chǎn)能將陸續(xù)開出，包括臺積電及三星晶圓代工明年將進入5納米世代，英特爾提高10納米產(chǎn)能及試產(chǎn)7納米制程。存儲器廠則加速1z納米DRAM、100層以上3D NAND產(chǎn)能轉換。

法人表示，邏輯或存儲器先進制程需要的硅晶圓價格較高，在出貨量持穩(wěn)回升下，看好環(huán)球晶圓、臺勝科的第四季營收重回成長軌道，而且毛利率表現(xiàn)也會同步提升。明年硅晶圓市況供需平衡，下半年旺季期間有機會見到價格止跌回升。
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