SK海力士本周宣布，他們已經(jīng)開始基于其128層3D NAND閃存采樣產(chǎn)品，該產(chǎn)品不久將開始出現(xiàn)在最終用戶設備中。一年前，他們推出了96層第5代3D NAND，但低價促使他們削減了產(chǎn)量，而第4代72L 3D NAND仍然是其主要閃存產(chǎn)品。

SK Hynix 早在6月宣布其128L 3D NAND已從開發(fā)轉向批量生產(chǎn)，現(xiàn)在已被整合到SSD和UFS模塊中，并已向主要客戶提供樣品。

SK Hynix的128L承諾將速度從1.2GT / s進一步提高到1.4GT / s（盡管由于控制器支持落后，第一輪產(chǎn)品可能無法實現(xiàn)），并以業(yè)界領先的1Tb首次亮相（ 128GB）容量的TLC芯片。短期內，SK海力士計劃將新一代3D NAND引入利潤率最高的細分市場，而其更成熟的72層和96層工藝將繼續(xù)致力于對成本更敏感的產(chǎn)品。

圖1：適用于智能手機的1TB UFS 3.1

SK Hynix使用這些128L 1Tb TLC模具中的八個，開發(fā)了厚度僅為1mm的1TB USF 3.1模塊。他們預計使用這種存儲的智能手機將在2020年下半年開始量產(chǎn)。

圖2：2TB客戶端NVMe SSD

在客戶SSD市場上，OEM廠商現(xiàn)在已經(jīng)使SK Hynix的最新一代M.2 NVMe SSD具備了高達2TB的容量和大約3W的功耗，而使用96L TLC的上一代SSD則為6W。SK Hynix預計這些SSD將在2020年上半年開始出現(xiàn)在筆記本電腦中。

SK Hynix的NVMe SSD控制器仍使用PCIe 3.0而非PCIe 4.0，這不足為奇，因為它們專注于主流市場領域和能效。這種SSD被描述為以1.2GT / s的接口以1.2V的電壓運行閃存，因此，SK Hynix的芯片實際上還沒有按計劃以1.4GT / s的速度運行，或者它們有些退縮以節(jié)省功耗。

圖3：16TB企業(yè)級EDSFF E1.L SSD

128L 3D NAND將需要更長的時間才能進入企業(yè)存儲市場。SK Hynix計劃以EDSFF E1.L尺寸提供高達16TB的容量；計劃在2020年下半年大規(guī)模生產(chǎn)這些驅動器。與客戶端NVMe SSD一樣，SK Hynix仍在使用PCIe 3.0而不是PCIe 4.0，但他們計劃提供對最新NVMe 1.4協(xié)議的支持。

企業(yè)SSD市場是SK海力士關注的重點領域。他們的72層企業(yè)級固態(tài)硬盤的到來和成本效益幫助他們在今年第二季度將市場份額提高到了10.3％，而去年同期僅為1.8％，并且他們希望保持這種勢頭。

除SK Hynix存儲器（NAND和DRAM）外，所有上述產(chǎn)品均使用SK Hynix控制器。他們是僅有的三家具備這種垂直整合能力的公司之一，多年來，三星一直在展示這種策略的強大功能。SK Hynix的前幾代3D NAND因執(zhí)行不佳而受阻，但最近看來他們正在追趕。