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ICMAX攜領全方位存儲方案亮相2020年存儲行業(yè)趨勢峰會 宏旺半導體將致力于存儲芯片國產化替代

半導體動態(tài) ? 來源:宏旺半導體 ? 作者:宏旺半導體 ? 2019-11-29 16:08 ? 次閱讀

信息時代到智能時代,存儲世界瞬息萬變,存儲在數(shù)字經濟中更是發(fā)揮著基石作用。如何讓存儲更便捷?讓數(shù)據(jù)創(chuàng)造出更多的商業(yè)價值?11月27日晚,存儲行業(yè)頂級盛會——2020年存儲行業(yè)趨勢峰會(簡稱:MTS2020)圓滿落幕,來自全球半導體及存儲領域的企業(yè)高管、專家學者、行業(yè)用戶、意見領袖等1000多位重量級嘉賓齊聚一堂,共話2020年存儲市場新趨勢、新變化。

宏旺半導體作為贊助商之一,不僅參與了此次峰會,與業(yè)界同仁就存儲品牌、存儲生態(tài)進行了深度交流,還以“中國芯、宏旺夢”為主題,帶領旗下四大類存儲產品亮相現(xiàn)場,向與會專家及全球客戶全方位展示了宏旺半導體的產品實力、存儲解決方案以及先進的封測服務。

獨領風騷 ICMAX攜領全方位存儲方案亮相現(xiàn)場

在本次峰會上,各路專家學者、存儲行業(yè)領袖分別從存儲器的市場供需、技術方向、應用領域等方面,對半導體及存儲產業(yè)未來發(fā)展趨勢進行了全方位解讀與剖析。

集邦咨詢DRAMeXchange研究副總經理郭祚榮、研究協(xié)理陳玠瑋等人分析認為,2020年全球存儲市場傳統(tǒng)存儲芯片制造商將繼續(xù)維持寡頭壟斷格局,盡管目前民族企業(yè)還不足以打破這一格局,但是這些國產存儲新“芯”正在迅猛發(fā)展,已成為一股不可忽視的重要力量。

宏旺半導體作為國內存儲芯片設計領域的資深企業(yè)之一,始終與存儲國際品牌看齊,堅持自主研發(fā)、生產高品質的存儲產品。在本次峰會上,宏旺半導體以“中國芯·宏旺夢”為主題,攜領全方位的存儲方案亮相現(xiàn)場,向與會人員及全球客戶展示了嵌入式存儲、移動式存儲、SSD、內存條四大產品線,覆蓋eMMC/eMCP/DDR/LPDDR/UFS/UMCP/SLC/SSD/NAND-FlASH等多個產品,展現(xiàn)了宏旺半導體技術實力和品牌性能。

峰會現(xiàn)場熱鬧非凡,宏旺半導體的展臺更是大咖客戶不斷。宏旺半導體獨樹一幟的存儲產品系列,領先的研發(fā)實力、優(yōu)異的硬件設計能力和封測工藝等,吸引了眾多國內外一線廠商前來交流溝通,探索更多深入合作??蛻魧で蠛献鞯囊庀驖M滿,訂單不斷。

創(chuàng)芯無限 ICMAX打造領先的研發(fā)與封測實力

存儲芯片的發(fā)展離不開技術的創(chuàng)新。宏旺半導體自誕生以來,便不斷加大研發(fā)投入、造就核心技術、完善人才儲備、引進先進管理制度等,15年來用匠心精神去做好產品、好品牌,立志為民族半導體行業(yè)的發(fā)展貢獻綿薄之力。

重視研發(fā)、人才和專利,是宏旺半導體技術領先的秘訣。宏旺半導體研發(fā)人員的數(shù)量占公司總人數(shù)的60%,同時,公司擁有獨立的 HW / FW / SYS 等研發(fā)團隊,并配備了專業(yè)的FAE隊伍。研發(fā)中心各部門leader均為國立清華大學、國立交通大學、浙江大學等碩博以上的學歷,核心研發(fā)人員集中了MTK、華為、TCL、創(chuàng)維、群聯(lián)、金士頓等行業(yè)翹楚。高新技術人才的引進和配置,為宏旺半導體的研發(fā)實力奠定了基石。

同時,為了保證存儲芯片的良品率,宏旺半導體的芯片都要經過至少186項的可靠性測試,并獲得了中興、創(chuàng)維、TCL等國內知名品牌的肯定。

賦能未來 ICMAX致力于存儲芯片國產化替代

據(jù)集邦咨詢半導體研究中心的數(shù)據(jù)顯示,2018年全球DRAM存儲器市場規(guī)模989億美元,這其中依然呈現(xiàn)著美韓等企業(yè)寡頭壟斷的局面,存儲芯片國產化迫在眉睫。由于國際存儲大廠仍在不斷壘高技術門檻,民族存儲事業(yè)仍有很長一段路要走,這其中,技術與創(chuàng)新將是成敗的關鍵。

作為國產存儲“芯”勢力,宏旺半導體一直以赤誠的“芯”專注產品研發(fā)測試,保持全方位的存儲產品線以滿足終端客戶對標準化、規(guī)模化存儲產品的需求,并且為不同場景提供定制化存儲方案。

正如宏旺半導體董事長李斌先生所說的那樣:民族存儲企業(yè)要爭當一個與產業(yè)共同進步的“貢獻者”,要讓中國力量在世界舞臺上快速崛起。未來,宏旺半導體將始終以“中國芯·宏旺夢”為愿景,開展存儲芯片全產業(yè)鏈科技園建設項目,建立以存儲芯片封裝、測試等為核心的產業(yè)基地,致力于存儲芯片國產化替代。
責任編輯:wv

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