有媒體報道稱，今年底，長江存儲晶圓產(chǎn)能將從目前每月約2萬片（64層），提升至5萬-10萬片；與此同時，其128層晶圓將于年底取得突破。 隨后，觀察者網(wǎng)向長江存儲方面求證，對方就上述事項回應：此前已披露產(chǎn)能計劃，上述消息并非最新。另外，128層晶圓的具體量產(chǎn)時間目前未對外公布。

長江存儲核心廠區(qū)近況 圖片來自長江存儲官網(wǎng)

事實上，觀察者網(wǎng)早在1月15日就已報道，長江存儲副董事長楊道虹表示，將盡早達成64層三維閃存產(chǎn)品月產(chǎn)能10萬片，并按期（二期）建成30萬片/月產(chǎn)能，提升國家存儲器基地的規(guī)模效應。

楊道虹指出，國家存儲器基地近年來堅持研究布局新型存儲器、特種存儲器、物聯(lián)網(wǎng)芯片（5G芯片）以及智能芯片產(chǎn)品的研發(fā)，增強核心競爭力。此外，還聯(lián)合國內(nèi)70余家集成電路產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)和科研院所，牽頭組建半導體三維集成制造創(chuàng)新中心，成立中國半導體三維集成制造產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟。

2019年第四季度全球NAND閃存市場營收數(shù)據(jù)三星、鎧俠、美光、海力士等國外廠商占據(jù)份額超99%

2017年1月，國家存儲器基地項目在武漢開工，總投資1600億。該項目由紫光集團聯(lián)合國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北科投共同投資建設，長江存儲為項目實施主體。

同一年，長江存儲在全資子公司武漢新芯12英寸集成電路制造工廠的基礎上，通過自主研發(fā)和國際合作相結合的方式，成功設計并制造了中國首批3D NAND閃存芯片。

2019年9月2日，長江存儲宣布，其已開始量產(chǎn)基于Xtacking?架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存（每顆裸芯片的存儲容量為256千兆字位，每個存儲單元為三個字位的三維閃存），以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求，這也是中國首款64層3D NAND閃存。

長江存儲官網(wǎng)截圖

長江存儲聯(lián)席首席技術官程衛(wèi)華當時表示：“通過將Xtacking?架構引入批量生產(chǎn)，能夠顯著提升產(chǎn)品性能，縮短開發(fā)周期和生產(chǎn)制造周期，從而推動高速大容量存儲解決方案市場的快速發(fā)展?！?/p>

長江存儲成立于2016年7月，是我國核心半導體制造企業(yè)紫光集團旗下公司，也是中國高端芯片聯(lián)盟發(fā)起單位之一，主要業(yè)務為3D NAND閃存設計制造等。

長江存儲64層3D NAND閃存晶圓