（文章來源：任哥論道）

據(jù)中國科學院報道，金屬所制備出硅-石墨烯-鍺高速晶體管。

中國科學院金屬研究所沈陽材料科學國家研究中心先進炭材料研究部科研人員在《自然-通訊》上在線發(fā)表了題為《垂直結構的硅-石墨烯-鍺晶體管》的研究論文?？蒲腥藛T首次制備出以肖特基結作為發(fā)射結的垂直結構的硅-石墨烯-鍺晶體管，成功將石墨烯基區(qū)晶體管的延遲時間縮短了1000倍以上，可將其截止頻率由兆赫茲（MHz）提升至吉赫茲（GHz）領域，并在未來有望實現(xiàn)工作于太赫茲（THz）領域的高速器件。

據(jù)報道，目前，金屬所科研人員提出半導體薄膜和石墨烯轉移工藝，首次制備出以肖特基結作為發(fā)射結的垂直結構的硅-石墨烯-鍺晶體管（圖1）。與已報道的隧穿發(fā)射結相比，硅-石墨烯肖特基結表現(xiàn)出目前最大的開態(tài)電流和最小的發(fā)射結電容，從而得到最短的發(fā)射結充電時間，使器件總延遲時間縮短了1000倍以上，可將器件的截止頻率由約1.0 MHz提升至1.2 GHz。通過使用摻雜較重的鍺襯底，可實現(xiàn)共基極增益接近于1且功率增益大于1的晶體管?？蒲腥藛T同時對器件的各種物理現(xiàn)象進行了分析。通過基于實驗數(shù)據(jù)的建模，科研人員發(fā)現(xiàn)該器件具備了工作于太赫茲領域的潛力。

簡單地說，這種復合材料已經(jīng)研制成功。據(jù)報道，這種材料的晶體結構非常穩(wěn)定，由于有石墨烯和鍺的參與，目前保守估計，在1納米級乃至皮米級斗毆沒有問題。并且，這種材料的導電性遠遠超過單晶硅，是它的1000倍。目前，我國的芯片制造業(yè)正在以前所未有的速度趕超國際最先進的技術。硅-石墨烯-鍺的研制成功將打破芯片制造的壟斷局面。

這回美國自以為豪的芯片產(chǎn)業(yè)開始松動，英特爾也不像以前那樣耀武揚威了。因為他們知道，一旦誰先掌握了芯片高端制造材料，誰就有話語權。
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