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一種基于GaN的超高效功率模塊

加賀富儀艾電子 ? 來源:富士通電子 ? 2020-04-27 16:46 ? 次閱讀

氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體技術(shù)為提高RF/微波功率放大的性能水平作出了巨大貢獻。通過降低器件的寄生參數(shù),以及采用更短的柵極長度和更高的工作電壓,GaN晶體管已實現(xiàn)更高的輸出功率密度、更寬的帶寬和更好的DC轉(zhuǎn)RF效率。

前不久,Hangzhou Zhongheng Electric Co., Ltd(HZZH)就利用Transphorm的TPH3205WS-GaN器件成功開發(fā)出一種基于GaN的超高效功率模塊。

Transphorm TPH3205WSBQA (圖片來源:Transphorm)

3kW ZHR483KS采用Transphorm的GaN器件,效率達到98%,成為迄今為止電信行業(yè)效率最高的GaN驅(qū)動模塊。原始設(shè)計制造商(ODM)可以將提供標(biāo)準化輸出連接器配置的ZHR483KS與現(xiàn)有的同功率模塊交換,從而以較低的總體系統(tǒng)成本實現(xiàn)高可靠性、高性能解決方案。

高可靠、高性價比助力打造電信行業(yè)新標(biāo)桿

ZHR483KS是HZZH首個基于GaN的功率解決方案,也是新產(chǎn)品線的龍頭產(chǎn)品。該模塊的輸入電壓范圍為85伏至264伏,而其輸出電壓范圍為42伏至58伏。Transphorm的TPH3205WS-GaN器件用于交錯無橋圖騰式PFC,以實現(xiàn)98%的半負載效率。GaN器件降低了功率模塊的開關(guān)損耗和驅(qū)動損耗,因此ZHR483KS的性能優(yōu)于以前使用超級結(jié)硅MOSFET的模塊。

HZZH首席技術(shù)官Guo博士表示:“我們在尋找一種功率晶體管,幫助我們?yōu)榭蛻糸_發(fā)一種更高效、更具成本效益的解決方案。我們曾考慮碳化硅器件,但在低電壓條件下無法達到預(yù)期優(yōu)勢。然后,我們審查了幾家GaN制造商的器件,最終鑒于可靠性、器件成本和實現(xiàn)簡單,我們選擇了Transphorm的GaN場效應(yīng)晶體管(FET)?!?/p>

四大關(guān)鍵因素挖掘?qū)拸VGaN“護城河”

Transphorm的GaN FET是一種雙芯片增強型場效應(yīng)晶體管,可采用標(biāo)準的TO-XXX封裝和普通現(xiàn)成驅(qū)動器驅(qū)動的PQFN模塊。當(dāng)前的Gen III系列提供了GaN半導(dǎo)體行業(yè)最高閾值電壓(4V)和最高門穩(wěn)健性(±20V)。因此,客戶能夠輕松地設(shè)計出高可靠性的GaN解決方案,以實現(xiàn)該技術(shù)的高功率密度優(yōu)勢。

Transphorm亞洲區(qū)銷售副總裁Kenny Yim說:“Transphorm在開發(fā)每一代GaN平臺時都考慮了四個關(guān)鍵因素:可靠性、可驅(qū)動性、可設(shè)計性和可重復(fù)性。HZZH認為,我們的客戶打破市場需要這四個因素,因此選擇我們作為其GaN合作伙伴,于此,我們感到自豪。正是此次合作,我們的GaN被設(shè)計成各種不同的多千瓦電力系統(tǒng),創(chuàng)造了行業(yè)記錄。我們預(yù)計,隨著我們未來在產(chǎn)品上的繼續(xù)合作,HZZH將繼續(xù)創(chuàng)新。”

ZHR483KS目前正在生產(chǎn)中。

關(guān)于Transphorm

富士通電子旗下代理品牌 Transphorm,是一家設(shè)計、生產(chǎn)氮化鎵功率轉(zhuǎn)換器和模塊的企業(yè)。 2007年成立,Transphorm以美國加州大學(xué)圣塔芭芭拉分校的教授和研究人員為主體,致力于設(shè)計、生產(chǎn)GaN(氮化鎵)功率轉(zhuǎn)換器和模塊,已獲得了包括谷歌、富士通、凱鵬華盈、考菲爾德及拜爾斯、索羅斯基金管理公司、量子戰(zhàn)略合作伙伴在內(nèi)的眾多投資機構(gòu)的青睞。 2013年,Transphorm推出了當(dāng)時業(yè)內(nèi)唯一經(jīng)過JEDEC認證的GaN器件,建立了業(yè)界第一個也是唯一通過JEDEC認證的600V GaN產(chǎn)品線。 2014年2月,Transphorm與富士通半導(dǎo)體的功率器件業(yè)務(wù)部進行了業(yè)務(wù)合并,Transphorm負責(zé)設(shè)計、富士通半導(dǎo)體負責(zé)制造并代理銷售。 2015年,Transphorm和安森美建立合作關(guān)系,共同推出基于GAN的電源方案。公司創(chuàng)立十多年來,Transphorm一直專注于將高壓GaN FET推向市場。致力于為電力電子市場(數(shù)據(jù)中心服務(wù)器、PV轉(zhuǎn)換器、感應(yīng)/伺服電機、工業(yè)及汽車等商業(yè)供電市場)設(shè)計、制造和銷售GaN產(chǎn)品。 2017年3月,又推出了市場上僅有的一款經(jīng)過AEC-Q101認證的650V車用GaN器件。

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原文標(biāo)題:打造電信行業(yè)最高效GaN驅(qū)動模塊?Transphorm這樣實力助攻

文章出處:【微信號:Fujitsu_Semi,微信公眾號:加賀富儀艾電子】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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