北京時間21日消息，三星電子公司周四表示，其在韓國的第六條代工芯片生產(chǎn)線已于本月較早時破土動工，計劃明年下半年開始生產(chǎn)，將生產(chǎn)邏輯芯片，以減少其對波動較大的存儲芯片部門的依賴。

三星正與臺積電在代工生產(chǎn)業(yè)務(wù)上展開競爭，以贏得高通等客戶的訂單。

新的生產(chǎn)線位于距首爾兩小時車程的平澤市京畿道華城工廠的V1生產(chǎn)線上。將使用極紫外線（EUV）光刻技術(shù)，生產(chǎn)先進(jìn)的5納米芯片。

據(jù)悉，V1 主要是基于極紫外線 (EUV) 工藝技術(shù)的生產(chǎn)線，于今年 2月開始運(yùn)行。三星電子在去年4月份完成了基于 EUV 工藝的 5 納米制程技術(shù)的開發(fā)，有望在今年年底或明年年初建立一個完整的 5 納米量產(chǎn)系統(tǒng)，預(yù)計V1生產(chǎn)線將代工高通的驍龍X60芯片。

相較之下，臺積電已經(jīng)建立了一條5納米的生產(chǎn)線，并預(yù)計在下個月開始量產(chǎn)高通驍龍X60芯片。如果該消息屬實(shí)，臺積電將是第一家成功使用 5 納米EUV鑄造工藝大規(guī)模生產(chǎn)芯片的公司。

三星電子和臺積電不僅在5納米工藝領(lǐng)域競爭，而且競先開發(fā)3納米工藝。三星電子決心在全球代工領(lǐng)域中占據(jù)領(lǐng)先地位，該公司將在今年加快3納米工藝的研發(fā)，并為此投資約1.33萬億韓元，以便在2030年成為系統(tǒng)半導(dǎo)體領(lǐng)域的龍頭。

對此，臺積電也開始大規(guī)模投資研發(fā)3納米工藝。該公司宣布計劃投資150億美元進(jìn)行研發(fā)，并招聘4000余名新員工。

一名產(chǎn)業(yè)高管表示：“各大廠商除了在半導(dǎo)體微制造工藝市場率先發(fā)展技術(shù)外，最先量產(chǎn)以獲得產(chǎn)品訂單的競爭也越來越激烈。”

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