前言

晶圓代工有著高資本壁壘和技術(shù)壁壘，行業(yè)十多年沒有新的競爭者出現(xiàn)且越來越多現(xiàn)有玩家放棄先進制程追趕。根據(jù)金準產(chǎn)業(yè)研究團隊預(yù)測，2019年全球晶圓代工市場約627億美元，占全球半導(dǎo)體市場約15%。預(yù)計2018~2023年晶圓代工市場復(fù)合增速為4.9%。2019年中國大陸晶圓代工市場約2149億元，中國大陸集成電路產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)將繼續(xù)由“小設(shè)計-小制造-大封測”向“大設(shè)計-中制造-中封測”轉(zhuǎn)型，產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)更趨于合理。

一、先進制程比重不斷提升

1.1晶圓代工市場保持增長

根據(jù)gartner預(yù)測，2019年全球晶圓代工市場約627億美元，占全球半導(dǎo)體市場約15%。預(yù)計2018~2023年晶圓代工市場復(fù)合增速為4.9%。

晶圓代工市場占半導(dǎo)體市場約15%

開創(chuàng)專業(yè)分工模式，晶圓代工廠在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中越來越重要。臺積電開創(chuàng)了晶圓代工+IC設(shè)計的模式。隨著半導(dǎo)體制造規(guī)模效應(yīng)的凸顯，以及技術(shù)和資金壁壘的提升，IDM模式下的廠商擴張難度加大，沉沒成本提高。目前垂直分工模式成為了行業(yè)的發(fā)展趨勢，半導(dǎo)體新進入者大多采用Fabless模式，同時有更多的IDM公司如AMD、NXP、TI等都將走向Fabless或Fablite模式。

晶圓代工創(chuàng)造半導(dǎo)體行業(yè)分工模式

在晶圓代工的支持下，IC設(shè)計廠迅速崛起。根據(jù)ICInsight數(shù)據(jù)，2009~2019年IC設(shè)計行業(yè)的收入復(fù)合增速為8%，IDM行業(yè)的收入復(fù)合增速為5%。IC設(shè)計的繁榮興起與先進制程的資本、技術(shù)密度提升，使得以臺積電為代表的晶圓代工廠（Foundry）在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中扮演越來越重要的角色。

IC設(shè)計廠與IDM的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)收入（十億美元）

2020年晶圓代工市場重返增長，0.016micron、0.032micron為當(dāng)前收入占比最高的節(jié)點。根據(jù)Gartner，2019年全球晶圓代工收入627億美元，增速為-0.2%。預(yù)計2020年增速回到8%。結(jié)構(gòu)上，收入貢獻最大的為0.016micron（12/14/16nm），達到97億美元；其次為0.032micron（22/28/32nm），達到86億美元。10nm預(yù)計26億美元，7nm預(yù)計85億美元。臺積電2019年收入為346億美元，占比達55%。

全球晶圓代工行業(yè)收入（億美元）

根據(jù)Gartner，從產(chǎn)能分布角度而言，2019年全球晶圓代工等效8寸片年產(chǎn)能為7838萬片，其中0.18micro達到1363萬片，其次65nm達到982萬片，45nm達到882萬片，32nm達到80萬片。根據(jù)臺積電財報，臺積電2019年等效8寸片產(chǎn)能超過2700萬片，占比約34%。根據(jù)拓璞產(chǎn)業(yè)研究，2019年，28nm以下制程的營收在前五大廠商（臺積電、三星、格芯、聯(lián)電、中芯國際）在的合計營收中占比約44%。

全球晶圓代工行業(yè)產(chǎn)能（等價8寸片；千片）

2019年全球晶圓代工行業(yè)收入分布

2019年全球晶圓代工行業(yè)產(chǎn)能分布

先進制程比重快速提升。根據(jù)ASML在2018年底的預(yù)測，先進制程的占比會迅速提高，其中部分現(xiàn)有制程的產(chǎn)線通過設(shè)備升級成先進制程產(chǎn)線。ASML預(yù)測2025年12寸晶圓的先進制程占比會達到2/3。

全球晶圓代工市場以晶圓廠所在地劃分，全球晶圓代工前三大區(qū)域分別為中國臺灣、中國大陸、韓國。臺灣占比達到66%左右，并在先進制程導(dǎo)入和新型產(chǎn)業(yè)趨勢下引領(lǐng)行業(yè)發(fā)展。大陸處于追趕角色，比重正在持續(xù)提升，從2017年的9.0%提升至2023年的12.9%。韓國三星持續(xù)加大投資，因此韓國的份額也保持略有增長。

全球晶圓代工區(qū)域占比（2019~2023年為預(yù)測數(shù)據(jù)）

2019年中國大陸晶圓代工市場約2149億元，大陸集成電路向“大設(shè)計-中制造-中封測”轉(zhuǎn)型，大陸的設(shè)計、制造將起航。2018年中國大陸集成電路產(chǎn)業(yè)繼續(xù)保持快速增長，規(guī)模達到6531.4億元，同比增長20.7%，預(yù)計到2020年突破9000億。中國大陸集成電路產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)將繼續(xù)由“小設(shè)計-小制造-大封測”向“大設(shè)計-中制造-中封測”轉(zhuǎn)型，產(chǎn)業(yè)鏈逐漸從低端向高端延伸，產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)更趨于合理。

中國大陸集成電路市場規(guī)模（億元）

中國大陸集成電路市場結(jié)構(gòu)（億元）

1.2 12寸硅晶圓保持快速增長

長期維度下電子化趨勢推進，硅含量不斷提升。半導(dǎo)體硅含量代表電子系統(tǒng)中半導(dǎo)體集成電路芯片總價值占電子系統(tǒng)價值的百分比，可用來衡量半導(dǎo)體的滲透率。如果從下游需求分析，硅含量就是下游需求中半導(dǎo)體芯片的滲透率。從長期的維度上來看，電子化是不斷推進的趨勢，而各類電子產(chǎn)品中的半導(dǎo)體含量過去20年來都在不斷上升，簡稱“硅含量”提升。

半導(dǎo)體市場規(guī)模

硅片/硅晶圓是制造芯片的核心基礎(chǔ)材料，高純度要求下工序流程復(fù)雜、設(shè)備參數(shù)要求高。Rawwafer在整體成本中的占比并不高（不到10%，芯片制程越先進占比越?。?，但是，硅晶圓作為芯片制造的基礎(chǔ)核心材料能夠從量上直接觀測行業(yè)芯片的產(chǎn)出、先進制程升級的節(jié)奏。

硅片/晶圓供給的主要增長來自于12寸（300mm），8寸片以存量產(chǎn)能為主。根據(jù)硅片龍頭Sumco在2019Q3的指引，2018~2022年12寸硅片需求數(shù)量復(fù)合增長率預(yù)期為4.1%；12寸硅片供給數(shù)量復(fù)合增長率預(yù)期為3.9%，供給增速低于需求增速。從需求側(cè)分拆，硅片幾大需求包括Nand、Dram、Logic和其他。

全球硅片需求預(yù)測

全球12寸硅片供需預(yù)測（千片/月）

全球12寸硅片需求側(cè)拆分（千片/月）

二、先進制程成為晶圓制造的分水嶺

2.1摩爾定律沒有失效，但資本壁壘迅速提升

摩爾定律：當(dāng)價格不變時，集成電路上可容納的元器件的數(shù)目，約每隔18~24個月便會增加一倍，性能也將提升一倍。英偉達的黃仁勛認為嚴格意義上的摩爾定律已經(jīng)失效，IMEC（比利時微電子研究中心）、ASML等機構(gòu)為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)規(guī)劃的藍圖里摩爾定律持續(xù)演進。摩爾定律沒有失效，但是制程之外的設(shè)計與工藝扮演越來越重要的角色，同時資本密集度的迅速提升使得行業(yè)壁壘發(fā)生變化。

摩爾定律推進，但制程提升貢獻比例在下降。根據(jù)AMD數(shù)據(jù)，過去十年制程升級帶來更高性能、更低功耗，制程升級為半導(dǎo)體性能提升貢獻40%。根據(jù)ASML預(yù)測，2018~2028年的未來十年半導(dǎo)體性能提升進一步加速，制程提升的貢獻為30%左右，剩下增長來自于諸如3DStacking、多核架構(gòu)、內(nèi)存整合、軟件系統(tǒng)、電源管理等多方面的升級。因此，在未來的芯片性能提升中，架構(gòu)、系統(tǒng)、軟件將扮演越來越重要的角色。

晶圓制造行業(yè)發(fā)展趨勢面臨DieSize限制和成本限制。過去十年，CPU及GPU的DieSize呈現(xiàn)上升趨勢，但受制于12寸晶圓產(chǎn)線，DieSize的增長是不可持續(xù)的。同時，相同DieSize的晶圓產(chǎn)線，單位面積成本也不斷攀升，5nm的單位面積成本是45nm的5倍。

CPU/GPU芯片DieSize呈現(xiàn)上升趨勢

先進制程的持續(xù)升級帶來巨額的成本。根據(jù)IBS，3nm芯片的設(shè)計費用約5~15億美元，工藝開發(fā)費用約40~50億美元，興建一條3nm產(chǎn)線的成本約150~200億美元。3nm芯片僅比5nm芯片提升15%性能、降低25%功耗。根據(jù)IMEC論文，7nm以后，每一代升級單個晶圓的工藝成本（ProcessCost）提升幅度達到30%。同樣面積的硅晶圓，即使通過微縮增加了晶體管的數(shù)量，生產(chǎn)成本也會相應(yīng)增加。

2019年單片晶圓價格預(yù)估（等價8寸片計價，美元）

設(shè)計成本：先進IC設(shè)計成本快速增加

投資金額：100K產(chǎn)能對應(yīng)投資額要求（億美元）

工藝成本：7nm之后單位芯片工藝成本每代增加30%

資金、技術(shù)壁壘提升，先進制程的供給端向寡頭壟斷發(fā)展，先進制程供不應(yīng)求。

創(chuàng)新推動先進制程需求。根據(jù)臺積電的產(chǎn)品組合，最先進制程主要是為logic和部分RF提供，主流的成熟制程能覆蓋大部分其他應(yīng)用領(lǐng)域。隨著創(chuàng)新不斷升級，5G、AI、物聯(lián)網(wǎng)等需求提升，創(chuàng)新導(dǎo)入時使用的制程工藝從成熟向先進工藝升級。

供給受限于有限的產(chǎn)能。目前先進制程的供給端只有臺積電、三星、英特爾。英特爾為IDM，自家消費級10nm產(chǎn)品產(chǎn)能不足、市場缺貨。受益于5G、智能手機、HPC、AIoT等需求，7nm及以下先進制程需求旺盛。臺積電為先進制程的核心晶圓代工廠，目前10nm工藝客戶已經(jīng)超過10家，7nmEUV客戶至少5家（蘋果、海思、高通、三星、AMD），6nm客戶除了7nmEUV的5家還多了博通、聯(lián)發(fā)科。臺積電7nm產(chǎn)品持續(xù)滿產(chǎn)，多個客戶爭搶產(chǎn)能，由臺積電進行產(chǎn)能配置。

2.2晶圓制造行業(yè)技術(shù)復(fù)雜度不斷提升

摩爾定律引領(lǐng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)持續(xù)升級需要貫穿整條產(chǎn)業(yè)鏈，包括上游（設(shè)備如光刻機廠商ASML）、晶圓制造（臺積電、英特爾、三星）以及下游（IC設(shè)計如蘋果、AMD、海思、高通、聯(lián)發(fā)科等）等環(huán)節(jié)的廠商協(xié)同。

光刻機從DUV到浸入式DUV，再升級成EUV，成為推進摩爾定律的重要環(huán)節(jié)。根據(jù)ASML預(yù)測，晶圓代工領(lǐng)域節(jié)點會持續(xù)升級；內(nèi)存DRAM領(lǐng)域也將使用EUV；閃存Nand等向3D堆疊發(fā)展，不需要用EUV升級。其他設(shè)備龍頭廠商如AMAT、LamResearch、KLATencor等也紛紛布局先進制程節(jié)點相關(guān)設(shè)備。

ASML預(yù)測半導(dǎo)體制程升級規(guī)劃

先進制程設(shè)備端布局

晶體管結(jié)構(gòu)創(chuàng)新，形態(tài)更加復(fù)雜。2011年，英特爾在22nm時引入FinFET，減少橫向尺寸，增加單位面積設(shè)備密度，同時增加鰭的高度。三星計劃于2021~2022引入GAA，應(yīng)用于其3nm制程。臺積電除了GAA晶體管結(jié)構(gòu)之外，也進行其他方向布局。

晶體管結(jié)構(gòu)變化

下一代晶體管結(jié)構(gòu)

先進封裝技術(shù)是高性能芯片的重要基礎(chǔ)之一。硅通孔（TSV）的三維封裝技術(shù)在超越摩爾定律中扮演重要角色。先進封裝技術(shù)提升了互聯(lián)密度和信號傳輸速率。在已經(jīng)量產(chǎn)的2.5DIC領(lǐng)域，臺積電主推CoWoS工藝，英特爾主推EMIB工藝，三星主推FOPLP。未來通過難度更高的TSV技術(shù)，臺積電將進一步量產(chǎn)SoIC、WoW等3DIC，英特爾推出Foveros技術(shù)，三星推出3DSiC。

臺積電先進封裝技術(shù)一覽

2.3行業(yè)高壁壘、高集中、少進入者

先進制程呈現(xiàn)資金、技術(shù)壁壘不斷提高的趨勢，行業(yè)格局逐漸出清。從制造環(huán)節(jié)而言，行業(yè)資金、技術(shù)壁壘極高，不僅十多年來沒出現(xiàn)新的競爭玩家，而且隨著制程分水嶺的出現(xiàn)，越來越多的參與者從先進制程中“出局”。格羅方德在2018年宣布放棄7nm研發(fā)，聯(lián)電在2018年宣布放棄12nm以下（即7nm及以下）的先進制程投資，因此保持先進制程研發(fā)的玩家僅剩行業(yè)龍頭臺積電、三星、英特爾等，以及處于技術(shù)追趕的中芯國際。

晶圓廠制程升級規(guī)劃

高資金壁壘和技術(shù)壁壘，行業(yè)十多年沒有新的競爭者出現(xiàn)且越來越多現(xiàn)有玩家放棄先進制程追趕。龐大的資金投入使得中小行業(yè)玩家望而卻步，復(fù)雜越來越高的工藝和技術(shù)成為行業(yè)固有護城河，并且隨著“摩爾定律”推進，每一個制程節(jié)點都舉步維艱，擁有高端制程能力的公司屈指可數(shù)。

行業(yè)呈現(xiàn)寡頭壟斷，臺積電強者愈強。根據(jù)拓璞產(chǎn)業(yè)研究，2019年全球十大晶圓代工廠分別為：臺積電、三星、格芯、聯(lián)電、中芯國際、TowerJazz、H-Grace、VIS、PSC、DongbuHiTek。臺積電市占率超過50%，在整個晶圓代工行業(yè)，臺積電不管是技術(shù)領(lǐng)先性還是優(yōu)質(zhì)客戶和訂單的選擇，都是保持比較大的優(yōu)勢。

目前能夠提供7nm及7nm以下先進制程工藝（對應(yīng)英特爾10nm）的廠商僅有臺積電、英特爾和三星。根據(jù)拓璞產(chǎn)業(yè)研究，2019年臺積電先進制程市場份額為52%，英特爾約25%，三星約23%。

先進制程產(chǎn)能分布

晶體管密度不斷提升，但不同廠商命名規(guī)格有區(qū)別。英特爾的10nm工藝晶體管密度介于臺積電7nm和7nmEUV之間。2019年，臺積電7nm制程投資大概100~110K產(chǎn)能，客戶較多。三星7nmLPP（EUV）工藝產(chǎn)能大概10K，三星的晶圓代工業(yè)務(wù)客戶主要是三星、高通、IBM。根據(jù)拓璞產(chǎn)業(yè)研究，2020年臺積電5nm產(chǎn)能預(yù)計60~70K，同時三星預(yù)計也會推出其5nm工藝。

不同制程節(jié)點晶體管密度（標準化工藝節(jié)點以intel10nm為參考節(jié)點）

臺積電積極推動先進制程，引領(lǐng)全行業(yè)。根據(jù)制程性能提升幅度上看，28nm、16nm、7nm等具有顯著提升幅度的節(jié)點，一般具有相對較長的壽命；而提升幅度較少的節(jié)點一般為過渡節(jié)點。臺積電6nm預(yù)計在2020Q1進行風(fēng)險試產(chǎn)，預(yù)計2020年年底量產(chǎn)；5nm進入爬坡提升良率階段，預(yù)計2020年3月開始量產(chǎn)。臺積電的5nm邏輯密度將是之前7nm的1.8倍，SRAM密度是7nm的1.35倍，可以帶來15%的性能提升，以及30%的功耗降低。

臺積電歷代制程PPA（power、performance、Arereduction）環(huán)比提升幅度

英特爾在10nm制程上稍微落后，隨后7nm預(yù)計在2021年量產(chǎn)，并持續(xù)進行優(yōu)化。英特爾制程升級歷史一般是兩年一次，但從2014年的14nm到2019年的10nm，出現(xiàn)明顯的升級放緩。目前，英特爾的10nm工藝已經(jīng)量產(chǎn)，但存在缺貨問題。英特爾預(yù)計2020年推出10nm+，2021年推出7nm及10nm++，2022年推出7nm+，2023年推出7nm++。英特爾的晶圓廠主要用于生產(chǎn)自家CPU。

英特爾2020年capex提升至170億美元，其中一半用于7/5nm和擴大Fab工廠。英特爾的10nm還是采用浸入式DUV設(shè)備，7nm才開始導(dǎo)入EUV設(shè)備。英特爾的芯片從2018H2開始就供不應(yīng)求，因此2019年capex為162億美元，產(chǎn)能增長25%。

英特爾未來制程升級規(guī)劃

英特爾服務(wù)CPU產(chǎn)品路線

三星積極投入晶圓代工領(lǐng)域，加快制程升級。三星在2017年將晶圓代工業(yè)務(wù)部門從系統(tǒng)LSI中獨立出來，主要為全球客戶制造非存儲芯片。截止2019年底，三星晶圓代工專屬線包括6條12寸線和3條8寸線。提供包括65納米、45納米、32/28納米HKMG、14納米FinFET、10納米FinFET、7納米FinFETEUV工藝，客戶包括蘋果、高通、超微半導(dǎo)體、賽靈思、英偉達、恩智浦（NXP）以及韓國本土公司Telechips等。三星計劃在2020年底試產(chǎn)3nm工藝，并專用GAAMCFET工藝技術(shù)。三星計劃在未來十年（至2030年）共投資約1150億美元，用于爭取晶圓代工行業(yè)主導(dǎo)權(quán)。

三星電子晶圓代工制程發(fā)展路徑

2.4半導(dǎo)體需求三駕馬車共振，國產(chǎn)替代迎來機遇

創(chuàng)新趨勢不變：創(chuàng)新是決定電子行業(yè)的估值與持續(xù)成長的核心邏輯，本輪創(chuàng)新由5G驅(qū)動的數(shù)據(jù)中心、手機、通訊等歷史上第一次共振。

中期供需仍緊張：全球半導(dǎo)體投資關(guān)注中期供需的核心變量——需求與資本開支，疫情對短期需求會有一定擾動，但中期三大需求不受本質(zhì)影響，而全球資本開支截止2019Q3末還沒有全面啟動，并有部分企業(yè)由于疫情再次遞延資本開支，中期供需缺口有望繼續(xù)放大。供給方面，全球資本開支除龍頭臺積電外尚未全面啟動，我們預(yù)計本次疫情中部分企業(yè)將再度進行資本開支遞延，中期供需缺口有望進一步放大，中期景氣度有望繼續(xù)保持向上趨勢！

國產(chǎn)替代歷史性機遇開啟，2019年正式從主題概念到業(yè)績兌現(xiàn)，2020年有望繼續(xù)加速。逆勢方顯優(yōu)質(zhì)公司本色，這是19年行業(yè)下行周期中A股半導(dǎo)體公司迭超預(yù)期，優(yōu)質(zhì)標的國產(chǎn)替代、結(jié)構(gòu)改善逐步兌現(xiàn)至報表是核心原因。進入2020年，我們預(yù)計在國產(chǎn)化加速疊加行業(yè)周期景氣上行之下，A股半導(dǎo)體龍頭公司們有望延續(xù)高增長表現(xiàn)。

數(shù)據(jù)中心：數(shù)據(jù)中心回暖，受益于5G持續(xù)發(fā)展。在目前服務(wù)器均價已經(jīng)企穩(wěn)的同時，我們認為在未來隨著5G對其的拉動，內(nèi)部升級將不間斷，5G網(wǎng)絡(luò)帶來的傳輸速度將會較4G有質(zhì)的提升，服務(wù)器將會在應(yīng)對存儲方面呈幾何倍數(shù)增長的需求的同時，還需要保持高帶寬、低時延、高穩(wěn)定性的要求，對于服務(wù)器而言無疑是在性能方面提出了更高的要求。服務(wù)器或有望在未來實現(xiàn)更進一步的價值量的提高，達到價量齊升的平臺。

全球服務(wù)器行業(yè)已經(jīng)歷經(jīng)多年，其出貨量從2013年至2018年也經(jīng)歷了起起伏伏。2018年，全球服務(wù)器市場出貨量再次實現(xiàn)了超越10%的增長，主要源自于云計算、大數(shù)據(jù)、AI等新一代技術(shù)對互聯(lián)網(wǎng)企業(yè)持續(xù)拓展基礎(chǔ)架構(gòu)規(guī)模的推動，同時也刺激了傳統(tǒng)企業(yè)用戶的采購需求。2019年，企業(yè)買家和超大規(guī)模公司通過ODM購買的需求比前幾個季度減少，這影響了第一季度的市場增長速度，但用戶對高配置服務(wù)器的需求將進一步支持平均售價的增長。

全球服務(wù)器年出貨量統(tǒng)計

隨著IoT、AI（尤其智能安防）和智能駕駛時代到來，邊緣計算的快速成長帶來的性能需求將成為中長期半導(dǎo)體的成長驅(qū)動！數(shù)據(jù)中心對服務(wù)器的需求成為整體服務(wù)器市場出貨成長的關(guān)鍵。我們預(yù)計近兩年來數(shù)據(jù)中心服務(wù)器的需求將在2020年前完成規(guī)劃，將繼續(xù)維持每年二至三成的年增率，推動服務(wù)器出貨量及市場的增長。

IDC服務(wù)器裝機量增長趨勢（千臺）

云計算資本開支金額（百萬USD）

根據(jù)IDC以及Gartner對于過往季度的服務(wù)器出貨量以及對未來的服務(wù)器出貨量的預(yù)測進行調(diào)整后，我們預(yù)計在2019年后服務(wù)器行業(yè)將受到5G時代的沖擊，實現(xiàn)長期且穩(wěn)定的出貨量的增長，同時由于服務(wù)器產(chǎn)品的不斷升級，我們也預(yù)計其單價將在未來逐步增長。金準產(chǎn)業(yè)研究團隊預(yù)計全球服務(wù)器的出貨量將會在2020年達到1220萬臺，而隨著5G的逐步鋪設(shè)，在2021年將會繼續(xù)保持約10%的增長，且之后預(yù)計將以每年7%~8%的增速穩(wěn)定且持久的增長。

全球服務(wù)器自2019年后的出貨量預(yù)測（萬臺）

對于中國內(nèi)服務(wù)器需求及出貨量而言，金準產(chǎn)業(yè)研究團隊認為中國作為5G建設(shè)最快國，服務(wù)器方面的建設(shè)也將遙遙領(lǐng)先，同時由于中國在該方面進度略慢于海外，故在2021年之前服務(wù)器出貨量將維持高于全球增速的平臺之上，之后逐步恢復(fù)，與全球的服務(wù)器增速趨同。

中國X86服務(wù)器出貨量及預(yù)測

中國X86服務(wù)器市場規(guī)模

數(shù)據(jù)中心的新SSD儲存需求（ZB/年）

數(shù)據(jù)中心對300mm硅片的需求（千片每月）

根據(jù)Gartner以及IDC的數(shù)據(jù)對服務(wù)器進行了簡單的分類：高性能運算服務(wù)器以及傳統(tǒng)服務(wù)器。根據(jù)預(yù)測，在接下來數(shù)年內(nèi)服務(wù)器市場的增長將主要以可支撐AI計算方面的高性能服務(wù)器為主，同時也將帶動CPU/GPU、以及Dram的高增長。

手機：5G放量“前夜”，單機硅含量提升。中國手機市場正值5G放量的“前夜”。IDC公布全球2019年Q3手機出貨量為3.58億部，同比增長1%，智能手機的市場正在逐漸回暖。按照市場份額來看，排名第一的為三星，三季度出貨7820萬，同比增長8.3%。華為排名第二，三季度出貨6660萬，同比增長28.2%。蘋果三季度出貨4660萬，同比下滑0.6%。

全球智能手機出貨量（百萬臺）

全球智能手機按品牌出貨量（百萬臺）

5G芯片備貨量超預(yù)期，逐漸向中低端滲透。根據(jù)IDC預(yù)測，2019年5G手機出貨量為670萬部，份額僅為0.5%。到2023年，5G手機出貨量將達到整體手機出貨量的26%。各家5G芯片供應(yīng)商紛紛加足馬力備貨，金準產(chǎn)業(yè)研究團隊預(yù)計2020年全球5G手機出貨量為2-3億部。

臺積電7納米制程產(chǎn)能在2019年第3季開始全線爆滿的盛況，2020年上半年都可能出現(xiàn)產(chǎn)能供不應(yīng)求的局面。聯(lián)發(fā)科、高通、三星電子及海思等5G芯片供應(yīng)商，都不斷要求上、下游協(xié)力廠大舉擴充產(chǎn)能，并有效拉高公司內(nèi)外的庫存水平。我們看到5G芯片的備貨開始向中低端加速滲透。

5G芯片備貨量（百萬顆）

移動數(shù)據(jù)傳輸量和傳輸速度的不斷提高主要依賴于移動通訊技術(shù)的變革，及其配套的射頻前端芯片的性能的不斷提高。在過去的十年間，通信行業(yè)經(jīng)歷了從2G到3G再到4G（FDD-LTE/TD-LTE）兩次重大產(chǎn)業(yè)升級。在4G普及的過程中，全網(wǎng)通等功能在高端智能手機中得到廣泛應(yīng)用，體現(xiàn)了智能手機兼容不同通信制式的能力。

根據(jù)QYR Electronics Research Center的統(tǒng)計，從2011年至2018年全球射頻前端市場規(guī)模以年復(fù)合增長率13.10%的速度增長，2018年達149.10億美元。受到5G網(wǎng)絡(luò)商業(yè)化建設(shè)的影響，自2020年起，全球射頻前端市場將迎來快速增長。2018年至2023年全球射頻前端市場規(guī)模預(yù)計將以年復(fù)合增長率16.00%持續(xù)高速增長，預(yù)計2023年接近313.10億美元。

全球射頻前端市場規(guī)模預(yù)測（億美元）

隨著消費者對高質(zhì)量拍照、錄像的需求日益增加，攝像頭模組的進化是智能手機發(fā)展的必經(jīng)之路。伴隨著雙攝、三攝滲透率的提高，市場將會開啟新的成像變革。根據(jù)Statista的預(yù)測，2018年三攝滲透率僅為1.6%，而到了2020年三攝的滲透率將達到24.5%。在采用三攝的機型上，安卓陣營在今明兩年或比蘋果更加積極。

全球手機攝像頭模組消費量（億顆）

國內(nèi)手機攝像頭模組產(chǎn)量（億顆）

旗艦機種的像素不斷升級，由2000萬逐漸升至4000萬。前置攝像頭也逐漸由800萬升級至2400萬，拍照效果提升。此外，國內(nèi)高端機種的鏡頭也逐漸從5P升級到6P，以便實現(xiàn)超級大廣角，大光圈，光學(xué)變焦也不斷升級至三倍，使得夜拍效果逐漸加強。IDC預(yù)計2018年后置鏡頭的6P滲透率約為40%。

智能手機創(chuàng)新進一步提升單機硅含量。金準產(chǎn)業(yè)研究團隊預(yù)計5G智能手機升級將拉動需求，DRAM、camera硅含量翻倍，Nand硅含量增長至8倍。假設(shè)高端手機為4億部不變，5G升級促進高端手機所消耗的硅片將從430K/M提升至533K/M。

通訊：5G基站建設(shè)進入放量期。5G由于需要提供更快的傳輸速度，所使用的頻率將向高頻率頻道轉(zhuǎn)移，從而無法避免的會將其信號的衍射能力（即繞過障礙物的能力）降低，而想要將其解決的辦法既是：增建更多基站以增加覆蓋。

基建建設(shè)帶來的放量降價是每一輪通信周期的必由之路，行業(yè)必然經(jīng)歷一波洗禮，回顧2G-4G的歷史，具有技術(shù)及資本護城河，掌握渠道優(yōu)勢的公司走的更長，需要深入評估每個賽道的競爭格局和公司治理能力。

金準產(chǎn)業(yè)研究團隊預(yù)測，5G宏基站的數(shù)量在2026年預(yù)計將達到475萬個，是2017年底4G基站328萬個的1.45倍左右，配套的小基站數(shù)量約為宏基站的2倍，約為950萬個，總共基站數(shù)量約為1425萬個。PCB是基站建設(shè)中不可缺少的電子材料，如此龐大的基站量，將會產(chǎn)生巨大的PCB增量空間。

宏基站年建設(shè)數(shù)量預(yù)測

結(jié)語

金準產(chǎn)業(yè)研究團隊認為，華為事件加速國產(chǎn)鏈重塑，幾乎所有科技龍頭，甚至部分海外龍頭也在加快國產(chǎn)鏈公司導(dǎo)入。過去我們見證了通信、家電、工程機械、光伏、高鐵、消費電子等核心戰(zhàn)略領(lǐng)域從無到有，從弱到強的過程，半導(dǎo)體行業(yè)已經(jīng)具備市場、系統(tǒng)、下游、技術(shù)突破等成長關(guān)鍵要素?？梢院軜酚^的預(yù)計，2020年國內(nèi)晶圓代工-封測產(chǎn)業(yè)鏈將會繼續(xù)加速發(fā)展。

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