安森美半導(dǎo)體NTBG020N090SC1 SiC MOSFET是一款使用全新的技術(shù)碳化硅 （SiC） MOSFET，它具有出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。此外，該SiC MOSFET具有低導(dǎo)通電阻和緊湊的芯片，可確保低電容和柵極變化。因此NTBG020N090SC1 SiC MOSFET系統(tǒng)的好處包括最高效率、更快工作頻率、增加的功率密度、更低EMI以及更小的系統(tǒng)尺寸。典型應(yīng)用包括DC-DC轉(zhuǎn)換器、升壓逆變器、UPS、太陽能和電源。

特性

典型值 RDS（on）=20mΩ（典型值）

超低柵極電荷 （QG（tot）=200nC）

低有效輸出電容 （Coss=295pF）

100%經(jīng)雪崩測試

符合RoHS指令

優(yōu)勢

20毫歐

200nC的

295pF

應(yīng)用

DC-DC轉(zhuǎn)換器

升壓逆變器

終端產(chǎn)品

UPS

太陽能的

電源

產(chǎn)品型號：NTBG020N090SC1

碳化硅MOSFET，N溝道，900V，20mΩ，D2PAK-7L

產(chǎn)品信息

制造商： ON Semiconductor

產(chǎn)品種類： MOSFET

RoHS： 詳細(xì)信息

技術(shù)： SiC

安裝風(fēng)格： SMD/SMT

封裝 / 箱體： D2PAK-7

通道數(shù)量： 1 Channel

晶體管極性： N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓： 900 V

Id-連續(xù)漏極電流： 112 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻： 28 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓： - 10 V， 19 V

Vgs th-柵源極閾值電壓： 4.3 V

Qg-柵極電荷： 200 nC

最小工作溫度： - 55 C

最大工作溫度： + 175 C

Pd-功率耗散： 477 W

配置： Single

通道模式： Enhancement

封裝： Cut Tape

封裝： Reel

晶體管類型： 1 N-Channel

商標(biāo)： ON Semiconductor

正向跨導(dǎo) - 最小值： 49 S

下降時間： 13 ns

產(chǎn)品類型： MOSFET

上升時間： 52 ns

工廠包裝數(shù)量： 800

子類別： MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間： 58 ns

典型接通延遲時間： 39 ns

NVMFS5C628N功率MOSFET

安森美半導(dǎo)體NVMFS5C628N功率MOSFET是采用高效設(shè)計的緊湊型汽車用功率MOSFET，具有較高的散熱性能。這些MOSFET采用5mm×6mm扁平引線封裝，包括可濕性側(cè)翼選項，用于增強型光學(xué)檢測。NVMFS5C628N功率MOSFET具有低RDS（on）值、QG值和柵極電容，可最大限度地降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗。典型應(yīng)用包括反向電池保護、開關(guān)電源、電源開關(guān)、電磁閥驅(qū)動器、電機控制和負(fù)載開關(guān)。

特性

占位面積小 （5mm x 6mm），用于緊湊型設(shè)計

汽車設(shè)計

低RDS（on）值，可最大限度地降低導(dǎo)通損耗

低QG和電容值，可最大限度地降低驅(qū)動器損耗

NVMFS5C628NWF - 可潤濕側(cè)面選項，用于增強型光學(xué)檢測

符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)并具有PPAP功能

無鉛，符合RoHS指令

優(yōu)勢

最小化傳導(dǎo)損耗

最小化開關(guān)損耗

緊湊的設(shè)計和標(biāo)準(zhǔn)尺寸，可直接插入

增強光學(xué)檢查

汽車設(shè)計

應(yīng)用

反向電池保護

開關(guān)電源

電源開關(guān)（高側(cè)驅(qū)動器，低側(cè)驅(qū)動器，H橋等）

電磁驅(qū)動器

電機控制

負(fù)載開關(guān)

終端產(chǎn)品

電磁驅(qū)動器– ABS，燃油噴射

電機控制– EPS，刮水器，風(fēng)扇，座椅等

負(fù)載開關(guān)– ECU，底盤，車身

產(chǎn)品型號：NVMFS5C628NWFT1G

MOSFET-電源，單N通道60V，3.0mΩ，150 A

產(chǎn)品說明：MOSFET T6 60V SG

制造商： ON Semiconductor

產(chǎn)品種類： MOSFET

技術(shù)： Si

安裝風(fēng)格： SMD/SMT

封裝 / 箱體： DFN-5

通道數(shù)量： 1 Channel

晶體管極性： N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓： 60 V

Id-連續(xù)漏極電流： 150 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻： 3 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓： 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓： 4 V

Qg-柵極電荷： 34 nC

最小工作溫度： - 55 C

最大工作溫度： + 175 C

Pd-功率耗散： 110 W

配置： Single

通道模式： Enhancement

資格： AEC-Q100

封裝： Cut Tape

封裝： MouseReel

封裝： Reel

晶體管類型： 1 N-Channel

商標(biāo)： ON Semiconductor

正向跨導(dǎo) - 最小值： 110 S

下降時間： 6.2 ns

產(chǎn)品類型： MOSFET

上升時間： 5.8 ns

工廠包裝數(shù)量： 1500

子類別： MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間： 25 ns

典型接通延遲時間： 16 ns

單位重量： 107.200 mg
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