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用指針式萬(wàn)用表對(duì)MOS管進(jìn)行判別

fcsde-sh ? 來(lái)源:張飛實(shí)戰(zhàn)電子 ? 2020-07-08 09:04 ? 次閱讀

MOS管是金屬—氧化物—半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或稱是金屬—絕緣體—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下,這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的,即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。

雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后,在輸出端輸出一個(gè)大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比(beta)。另一種晶體管,叫做場(chǎng)效應(yīng)管(FET),把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transconductance,定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道,以下為N溝道和P溝道符號(hào)。

用指針式萬(wàn)用表對(duì)MOS管進(jìn)行判別~

01 用測(cè)電阻法判別結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的電極

根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)管的PN結(jié)正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象,可以判別出結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的三個(gè)電極。

具體方法:將萬(wàn)用表?yè)茉赗×1k檔上,任選兩個(gè)電極,分別測(cè)出其正、反向電阻值。當(dāng)某兩個(gè)電極的正、反向電阻值相等,且為幾千歐姆時(shí),則該兩個(gè)電極分別是漏極D和源極S。因?yàn)閷?duì)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管而言,漏極和源極可互換,剩下的電極肯定是柵極G。也可以將萬(wàn)用表的黑表筆(紅表筆也行)任意接觸一個(gè)電極,另一只表筆依次去接觸其余的兩個(gè)電極,測(cè)其電阻值。

當(dāng)出現(xiàn)兩次測(cè)得的電阻值近似相等時(shí),則黑表筆所接觸的電極為柵極,其余兩電極分別為漏極和源極。若兩次測(cè)出的電阻值均很大,說(shuō)明是PN結(jié)的反向,即都是反向電阻,可以判定是N溝道場(chǎng)效應(yīng)管,且黑表筆接的是柵極;若兩次測(cè)出的電阻值均很小,說(shuō)明是正向PN結(jié),即是正向電阻,判定為P溝道場(chǎng)效應(yīng)管,黑表筆接的也是柵極。若不出現(xiàn)上述情況,可以調(diào)換黑、紅表筆按上述方法進(jìn)行測(cè)試,直到判別出柵極為止。

02 用測(cè)電阻法判別場(chǎng)效應(yīng)管的好壞

測(cè)電阻法檢測(cè)MOS管是用萬(wàn)用表測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)管的源極與漏極、柵極與源極、柵極與漏極、柵極G1與柵極G2之間的電阻值同場(chǎng)效應(yīng)管手冊(cè)標(biāo)明的電阻值是否相符去判別管的好壞。

具體方法:首先將萬(wàn)用表置于R×10或R×100檔,測(cè)量源極S與漏極D之間的電阻,通常在幾十歐到幾千歐范圍(在手冊(cè)中可知,各種不同型號(hào)的管,其電阻值是各不相同的),如果測(cè)得阻值大于正常值,可能是由于內(nèi)部接觸不良;如果測(cè)得阻值是無(wú)窮大,可能是內(nèi)部斷極。然后把萬(wàn)用表置于R×10k檔,再測(cè)柵極G1與G2之間、柵極與源極、柵極與漏極之間的電阻值。

當(dāng)測(cè)得其各項(xiàng)電阻值均為無(wú)窮大,則說(shuō)明管是正常的;若測(cè)得上述各阻值太小或?yàn)橥?,則說(shuō)明管是壞的。要注意,若兩個(gè)柵極在管內(nèi)斷極,可用元件代換法進(jìn)行檢測(cè)。

03 用感應(yīng)信號(hào)輸人法估測(cè)場(chǎng)效應(yīng)管的放大能力

具體方法:用萬(wàn)用表電阻的R×100檔,紅表筆接源極S,黑表筆接漏極D,給場(chǎng)效應(yīng)管加上1.5V的電源電壓,此時(shí)表針指示出的漏源極間的電阻值。然后用手捏住結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的柵極G,將人體的感應(yīng)電壓信號(hào)加到柵極上。這樣,由于管的放大作用,漏源電壓VDS和漏極電流Ib都要發(fā)生變化,也就是漏源極間電阻發(fā)生了變化,由此可以觀察到表針有較大幅度的擺動(dòng)。如果手捏柵極表針擺動(dòng)較小,說(shuō)明管的放大能力較差;表針擺動(dòng)較大,表明管的放大能力大;若表針不動(dòng),說(shuō)明管是壞的。

根據(jù)上述方法,我們用萬(wàn)用表的R×100檔,測(cè)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管3DJ2F。先將管的G極開路,測(cè)得漏源電阻RDS為600Ω,用手捏住G極后,表針向左擺動(dòng),指示的電阻RDS為12kΩ,表針擺動(dòng)的幅度較大,說(shuō)明該管是好的,并有較大的放大能力。

04 用測(cè)電阻法判別無(wú)標(biāo)志的場(chǎng)效應(yīng)管

具體方法:首先用測(cè)量電阻的方法檢測(cè)MOS管得找出兩個(gè)有電阻值的管腳,也就是源極S和漏極D,余下兩個(gè)腳為第一柵極G1和第二柵極G2。把先用兩表筆測(cè)的源極S與漏極D之間的電阻值記下來(lái),對(duì)調(diào)表筆再測(cè)量一次,把其測(cè)得電阻值記下來(lái),兩次測(cè)得阻值較大的一次,黑表筆所接的電極為漏極D;紅表筆所接的為源極S。用這種方法判別出來(lái)的S、D極,還可以用估測(cè)其管的放大能力的方法進(jìn)行驗(yàn)證,即放大能力大的黑表筆所接的是D極;紅表筆所接地是8極,兩種方法檢測(cè)結(jié)果均應(yīng)一樣。當(dāng)確定了漏極D、源極S的位置后,按D、S的對(duì)應(yīng)位置裝人電路,一般G1、G2也會(huì)依次對(duì)準(zhǔn)位置,這就確定了兩個(gè)柵極G1、G2的位置,從而就確定了D、S、G1、G2管腳的順序。

05 用測(cè)反向電阻值的變化判斷跨導(dǎo)的大小

具體方法:對(duì)VMOSN溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)量跨導(dǎo)性能時(shí),可用紅表筆接源極S、黑表筆接漏極D,這就相當(dāng)于在源、漏極之間加了一個(gè)反向電壓。此時(shí)柵極是開路的,管的反向電阻值是很不穩(wěn)定的。將萬(wàn)用表的歐姆檔選在R×10kΩ的高阻檔,此時(shí)表內(nèi)電壓較高。當(dāng)用手接觸柵極G時(shí),會(huì)發(fā)現(xiàn)管的反向電阻值有明顯地變化,其變化越大,說(shuō)明管的跨導(dǎo)值越高;如果被測(cè)管的跨導(dǎo)很小,用此法測(cè)時(shí),反向阻值變化不大。

06 管腳測(cè)定MOS管好壞

①柵極G的測(cè)定:用萬(wàn)用表R&TImes;100檔,測(cè)任意兩腳之間正反向電阻,若其中某次測(cè)得電阻為數(shù)百Ω),該兩腳是D、S,第三腳為G。

②漏極D、源極S及類型判定:用萬(wàn)用表R&TImes;10kΩ檔測(cè)D、S問(wèn)正反向電阻,正向電阻約為0.2&TImes;10kΩ,反向電阻(5一∞)X100kΩ。在測(cè)反向電阻時(shí),紅表筆不動(dòng),黑表筆脫離引腳后,與G碰一下,然后回去再接原引腳,出現(xiàn)兩種情況:

●若讀數(shù)由原來(lái)較大值變?yōu)?(0&TImes;10kΩ),則紅表筆所接為S,黑表筆為D。用黑表筆接觸G有效,使MOS管D、S間正反向電阻值均為0Ω,還可證明該管為N溝道。

●若讀數(shù)仍為較大值,黑表筆不動(dòng),改用紅表筆接觸G,碰一下之后立即回到原腳,此時(shí)若讀數(shù)為0Ω,則黑表筆接的是S極、紅表筆為D極,用紅表筆接觸G極有效,該MOS管為P溝道。

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