日前，紫光集團旗下武漢新芯集成電路制造有限公司（以下簡稱“武漢新芯”）在其官方新聞中表示，自主研發(fā)的50納米浮柵式（50nm Floating Gate）工藝代碼型閃存（SPI NOR Flash）芯片已全線量產。

目前，在全球NOR Flash存儲芯片領域，業(yè)界通用技術為65納米。武漢新芯新一代50納米技術，已逼近此類芯片的物理極限，無論是存儲單元面積還是存儲密度，均達到國際先進水平。

據了解，武漢新芯50納米閃存技術于2019年12月取得突破，隨后投入量產準備。從65納米到50納米的躍升，武漢新芯用了18個月。

Flash指非易失性存儲介質。此次量產產品為寬電源電壓產品系列XM25QWxxC，容量覆蓋16Mb到256Mb。性能測試顯示，在1.65V至3.6V電壓范圍內，該系列NOR Flash存儲芯片的工作頻率可達133MHz（在所有單/雙/四通道和QPI模式下均支持），即使在零下40℃或105℃這種極端溫度下，依然不會停止“芯跳”。其無障礙重復擦寫可達10萬次，數據保存時間長達20年。

研發(fā)人員介紹，作為NOR Flash存儲芯片中的“閃電俠”，該芯片在連續(xù)讀取模式下，能實現高效的存儲器訪問，僅需8個時鐘的指令周期，即可讀取24位地址，從而實現真正的XIP（execute in place）操作。不僅如此，它還可使便攜式設備的電池壽命延長1.5倍以上，令用戶通過寬電壓功能實現更好的庫存管理。

“對此次研發(fā)而言，最難的挑戰(zhàn)是速度、功耗和可靠性?！蔽錆h新芯運營中心副總裁孫鵬說，隨著50納米NOR閃存的重大突破，武漢新芯將在性能和成本上進一步提高競爭力，針對快速發(fā)展的物聯(lián)網和5G市場，持續(xù)研發(fā)自有品牌的閃存產品，不斷拓展產品線。

近日。武漢新芯還與物聯(lián)網核心芯片和解決方案平臺樂鑫科技達成長期戰(zhàn)略合作的，后續(xù)雙方將圍繞物聯(lián)網應用市場，在物聯(lián)網、存儲器芯片與應用方案開發(fā)上展開合作。樂鑫科技CEO張瑞安表示，武漢新芯NOR Flash存儲芯片，支持低功耗、寬電壓工作，能滿足該平臺全系物聯(lián)網芯片、智能家居及工業(yè)模組的應用要求。

在今年4月，《電子工程專輯》還報道了位于安徽省合肥市廬陽經濟開發(fā)區(qū)的合肥恒爍半導體有限公司，宣布成功研發(fā)面向物聯(lián)網應用的50納米128M高速低功耗NOR Flash存儲芯片。目前，恒爍半導體第一款50nm 128Mb NOR Flash芯片也是在武漢新芯實現量產

武漢新芯成立于2006年，專注于NOR Flash存儲芯片的研發(fā)制造，并以全球領先的半導體三維集成制造技術，在圖像傳感器、射頻芯片、DRAM存儲器等產品上，不斷實現性能和架構突破。
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