關(guān)于這兩個(gè)電子器件在很多電路中都會(huì)遇到，比如場(chǎng)效應(yīng)管可以作為電磁爐中的開(kāi)關(guān)振蕩管、電瓶車(chē)充電器電路中作為開(kāi)關(guān)管使用，場(chǎng)效應(yīng)管尤其在電腦主板中用的比較多；對(duì)于晶閘管我們俗稱可控硅，這個(gè)器件我第一次接觸是在學(xué)習(xí)晶閘管變流技術(shù)中使用過(guò)，隨著后面的學(xué)習(xí)我發(fā)現(xiàn)晶閘管用的也非常多，比如在一些調(diào)速風(fēng)扇的電路中就能夠見(jiàn)到可控硅、在智能調(diào)光電路中也是用的可控硅和在洗衣機(jī)電路中都可以用到可控硅，下面我們來(lái)談?wù)勥@兩個(gè)器件有何區(qū)別吧。

第一點(diǎn)是場(chǎng)效應(yīng)管與晶閘管的控制方式不同

1、場(chǎng)效應(yīng)管

隨著電子技術(shù)不斷進(jìn)步，場(chǎng)效應(yīng)管的種類有好幾種，我們最常見(jiàn)的有結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（FET管）和金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET管）這兩類。這兩類場(chǎng)效應(yīng)管都有一個(gè)共同的特點(diǎn)，它們都是利用半導(dǎo)體內(nèi)的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制場(chǎng)效應(yīng)管電流大小的，下面我用金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管，也就是我們俗稱的MOS管來(lái)說(shuō)明這個(gè)問(wèn)題。比如下圖的N溝道場(chǎng)效應(yīng)管，當(dāng)柵極與源極間的Ugs電壓大于一定值時(shí)，并且Uds大于零，這時(shí)Rds的等效電阻非常小，就可以有較大的電流由漏極流向源極，它們之間就好像用一根導(dǎo)線連起來(lái)一樣。

當(dāng)柵極G與源極S間的Ugs電壓小到一定值的時(shí)候，或者Ugs電壓等于零的時(shí)候，那么漏極D和源極S之間的等效電阻就非常大，就像斷開(kāi)的導(dǎo)線一樣無(wú)論如何是沒(méi)有電流通過(guò)的。由此可見(jiàn)場(chǎng)效應(yīng)管是通過(guò)在柵極和源極之間建立了一定的電壓后才控制了漏極與源極之間的接通的。

2、晶閘管

下面我們?cè)僬f(shuō)一說(shuō)這個(gè)晶閘管，它是一個(gè)功率半導(dǎo)體器件，是在二極管的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的，可用于整流半導(dǎo)體器件。下面我們說(shuō)說(shuō)如何控制它的通斷，要使晶閘管導(dǎo)通要滿足兩個(gè)條件，第一個(gè)是要給晶閘管的控制極G加一個(gè)觸發(fā)信號(hào)，也就是在門(mén)極G和晶閘管的陰極K之間加一個(gè)足夠大的正向電流與電壓，同時(shí)呢晶閘管的陽(yáng)極要高于陰極，這樣陽(yáng)極A與陰極K之間的等效電阻就非常小了，就像用導(dǎo)線連接起來(lái)一樣。

當(dāng)要關(guān)斷晶閘管時(shí)，只要我們把陽(yáng)極A與陰極K之間的電流減小到一定值的時(shí)候，這個(gè)晶閘管的陽(yáng)極A與陰極K之間就像斷開(kāi)一樣，無(wú)法有電流通過(guò)?；蛘呶覀儼丫чl管的陽(yáng)極A的電壓低于陰極K的電壓也可以關(guān)斷這個(gè)晶閘管。

通過(guò)上面的分析我們可以知道，場(chǎng)效應(yīng)管與晶閘管的控制方式是不同的，場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制其通斷的半導(dǎo)體器件，我們稱它是壓控型器件；晶閘管的控制方式是由一定的電流值來(lái)觸發(fā)晶閘管的導(dǎo)通，我們俗稱它是流控型器件而且它是一個(gè)半控型半導(dǎo)體器件，也就是說(shuō)晶閘管的門(mén)控極G只能控制晶閘管的導(dǎo)通而不能控制晶閘管的關(guān)斷。

第二點(diǎn)是場(chǎng)效應(yīng)管與晶閘管的輸入電阻不同

場(chǎng)效應(yīng)管的直流等效輸入電阻非常高，其阻值可以達(dá)到10九次方歐姆，對(duì)于MOSFET管來(lái)說(shuō)最高可以達(dá)到10十五次方歐姆，鑒于這樣的特點(diǎn)來(lái)說(shuō)由場(chǎng)效應(yīng)管組成的電路功耗都比較小、它的穩(wěn)定性和抗干擾能力都很強(qiáng)，所以現(xiàn)在很多集成芯片中都采用的是場(chǎng)效應(yīng)管組成的集成電路，有的工作電壓可以低到2V以下。

而對(duì)與晶閘管組成的電路來(lái)說(shuō)在輸入直流等效電阻方面它比較低、這樣就決定了它的功耗非常大，抗干擾能力遠(yuǎn)不如場(chǎng)效應(yīng)管，這也就說(shuō)明了晶閘管組成的電路它的穩(wěn)定性也不如場(chǎng)效應(yīng)管。

第三點(diǎn)是場(chǎng)效應(yīng)管與晶閘管的作用不同

我們從它們的組成結(jié)構(gòu)可以看出，對(duì)于場(chǎng)效應(yīng)管來(lái)說(shuō)它可以放大信號(hào)，因此可以用在放大電路中作為放大器來(lái)用，也可以作為高速電子開(kāi)關(guān)控制負(fù)載的通斷，比如開(kāi)關(guān)電源中的場(chǎng)效應(yīng)管就起到這個(gè)功能，同時(shí)運(yùn)用場(chǎng)效應(yīng)管還可以實(shí)現(xiàn)調(diào)速控制，比如PWN波的調(diào)制輸出、令外在調(diào)光電路、調(diào)溫電路等都可以用到。

從晶閘管的工作過(guò)程來(lái)看它不能用來(lái)放大電路的信號(hào)，因此它是不可以作為器放大器來(lái)使用的。一般晶閘管用在整流電路和控制大負(fù)載電路中。當(dāng)它作為電子開(kāi)關(guān)使用時(shí)，其工作頻率也沒(méi)有場(chǎng)效應(yīng)管高，一般只能用在低速控制的場(chǎng)合。

第四點(diǎn)是場(chǎng)效應(yīng)管與晶閘管的集成度不同

從場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)可以看出它的結(jié)構(gòu)相對(duì)來(lái)說(shuō)比較簡(jiǎn)單，尤其在制造工藝上要比晶閘管簡(jiǎn)單許多，再加上其功耗小，噪聲低同時(shí)熱穩(wěn)定性也很好，抗輻射能力也強(qiáng)。對(duì)于集眾多優(yōu)點(diǎn)于一身的它在大規(guī)模和超大規(guī)模的集成電路中都會(huì)被用到，對(duì)于晶閘管來(lái)說(shuō)就無(wú)法做到這一點(diǎn)。

第五點(diǎn)是場(chǎng)效應(yīng)管與晶閘管的“短板”不一樣

場(chǎng)效應(yīng)管在平時(shí)儲(chǔ)存保管的時(shí)候?qū)o電要求非常高，由于MOS管的輸入阻抗非常高，在MOS管不使用的時(shí)候一定要將柵極G、源極S和漏極D這三個(gè)電極短接在一起，這樣可以防止場(chǎng)效應(yīng)管因靜電場(chǎng)的電壓較高使場(chǎng)效應(yīng)管損壞。所以場(chǎng)效應(yīng)管的弱點(diǎn)是對(duì)靜電的要求比較嚴(yán)格。因此我們?cè)诤附訄?chǎng)效應(yīng)管時(shí)所使用的電烙鐵要有外接地線，這樣可以屏蔽掉交流電場(chǎng)，防止場(chǎng)效應(yīng)管遭到損壞，當(dāng)我焊接場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)，特別是MOSFET管時(shí)，我都是先把烙鐵的電源斷掉，然后用烙鐵的余熱去焊接場(chǎng)效應(yīng)管。而對(duì)于晶閘管來(lái)說(shuō)，它的“軟肋”是過(guò)電流的能力比較差，在組成電路時(shí)要設(shè)計(jì)很多的保護(hù)環(huán)節(jié)，使用相對(duì)比較麻煩。