英飛凌是哪個國家的

英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立，是全球領先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門，于1999年獨立，2000年上市。其中文名稱為億恒科技，2002年后更名為英飛凌科技。

總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司，為現(xiàn)代社會的三大科技挑戰(zhàn)領域——高能效、移動性和安全性提供半導體和系統(tǒng)解決方案。

英飛凌發(fā)展歷史

西門子半導體事業(yè)部作為英飛凌科技（中國）有限公司的前身于1995年正式進入中國市場。自1995年在無錫建立第一家企業(yè)以來， 英飛凌的業(yè)務取得非常迅速的增長，在中國擁有約2000名員工，已經(jīng)成為英飛凌全球業(yè)務發(fā)展的重要推動力。英飛凌在中國建立了涵蓋研發(fā)、生產(chǎn)、銷售、市場、技術支持等在內(nèi)的產(chǎn)業(yè)鏈，并在銷售、技術研發(fā)、人才培養(yǎng)等方面與國內(nèi)企業(yè)、高等院校開展了深入的合作。

2018年3月，英飛凌與上汽集團宣布成立合資企業(yè)，為中國充滿活力的電動汽車市場制造功率模塊。合資公司命名為“上汽英飛凌汽車功率半導體（上海）有限公司”，總部設在上海，生產(chǎn)基地位于英飛凌無錫工廠擴建項目內(nèi)。

進入中國以來，英飛凌不斷順應客戶與市場的需求，研發(fā)及生產(chǎn)一系列能夠應用于本地市場的產(chǎn)品。英飛凌先進的半導體解決方案已廣泛應用于各個領域，同時我們憑借雄厚的技術實力和全球領先的經(jīng)驗，與包括中興、華為、方正、握奇等國內(nèi)領先廠商展開深入合作，為中國電子行業(yè)的騰飛做出應有的貢獻。

英飛凌在中國建立了涵蓋研發(fā)、生產(chǎn)、銷售、市場、技術支持等在內(nèi)的完整的產(chǎn)業(yè)鏈。在研發(fā)方面，英飛凌在上海、西安建立了研發(fā)中心，利用國內(nèi)的人才資源，參與全球的重點項目研究；在無錫的后道生產(chǎn)工廠，為中國及全球其他市場生產(chǎn)先進的芯片產(chǎn)品；2011年，英飛凌集成電路（北京）有限公司正式開業(yè)，并在亦莊開發(fā)區(qū)建立了專注于面向風電高鐵等行業(yè)的IGBT模塊的制造。英飛凌中國以北京、上海、深圳和香港為中心在國內(nèi)建立了全面的銷售網(wǎng)絡。同時，我們在銷售、產(chǎn)品代工、技術研發(fā)、人才培養(yǎng)等方面與國內(nèi)領先的企業(yè)、高等院校開展了深入的合作。

2020年4月16日英飛凌宣布：已經(jīng)完成總價值90億歐元（合人民幣693億元）對Cypress賽普拉斯半導體公司的收購案，英飛凌成為全球十大半導體制造商之一。

英飛凌IGBT模塊選用指南

對于一個具體的應用來說，在選擇英飛凌IGBT模塊時需考慮其在任何靜態(tài)、動態(tài)、過載（如短路）的運行情況下：

（i）：器件耐壓;

（ii）：在實際的冷卻條件下，電流的承受力;

（iii）：最適合的開關頻率;

（iv）：安全工作區(qū)（SOA）限制;

（v）：最高運行溫度限制。

一、器件耐壓的選擇

因為大多數(shù)IGBT模塊工作在交流電網(wǎng)通過單相或三相整流后的直流母線電壓下，所以通常IGBT模塊的工作電壓（600V、1200V、1700V）均對應于常用電網(wǎng)的電壓等級?？紤]到過載，電網(wǎng)波動，開關過程引起的電壓尖峰等因素，通常電力電子設備選擇IGBT器件耐壓都是直流母線電壓的一倍。如果結構、布線、吸收等設計比較好，就可以使用較低耐壓的IGBT模塊承受較高的直流母線電壓。下面列出根據(jù)交流電網(wǎng)電壓或直流母線電壓來選擇IGBT耐壓的參考表。

二、電流的選擇

半導體器件具有溫度敏感性，因此IGBT模塊標稱電流與溫度的關系比較大。隨著殼溫的上升IGBT模塊可利用的電流就會下降，英飛凌IGBT模塊是按殼溫TC=80℃來標稱其最大允許通過的集電流極電流（IC）。對于西門子/英飛凌NPT-IGBT芯片來說，當TC≤25℃時，這個電流值通常是一個恒定值，但隨著TC的增加，這個可利用的電流值下降較快，有些公司是按TC＝25℃的電流值來標稱型號，這需用戶特別注意。

需指出的是：IGBT參數(shù)表中標出的IC是集電極最大直流電流，但這個直流電流是有條件的，首先最大結溫不能超過150℃，其次還受安全工作區(qū)（SOA）的限制，不同的工作電壓、脈沖寬度，允許通過的最大電流不同。同時，各大廠商也給出了2倍于額定值的脈沖電流，這個脈沖電流通常是指脈沖寬度為1ms的單脈沖能通過的最大通態(tài)電流值，即使可重復也需足夠長的時間。如果脈沖寬度限制在10μs以內(nèi)，英飛凌NPT-IGBT短路電流承受能力可高達10倍的額定電流值。這種短路也不允許經(jīng)常發(fā)生，器件壽命周期內(nèi)總次數(shù)不能大于1000次，兩次短路時間間隔需大于1s。但對于PT型IGBT，這種短路總次數(shù)不能大于100次，這是由于NPT-IGBT過載能力、可靠性比PT型高的原因。

在電力電子設備中，選擇IGBT模塊時，通常是先計算通過IGBT模塊的電流值，然后根據(jù)電力電子設備的特點，考慮到過載、電網(wǎng)波動、開關尖峰等因素考慮一倍的安全余量來選擇相應的IGBT模塊。但嚴格的選擇，應根據(jù)不同的應用情況，計算耗散功率，通過熱阻核算具最高結溫不超過規(guī)定值來選擇器件。通過最高結溫核標可選擇較小的IGBT模塊通過更大的電流，更加有效地利用IGBT模塊。

三、根據(jù)開關頻率選擇不同的IGBT系列

IGBT的損耗主要由通態(tài)損態(tài)和開關損耗組成，不同的開關頻率，開關損耗和通態(tài)損耗所占的比例不同。而決定IGBT通態(tài)損耗的飽和壓降VCE（sat）和決定IGBT開關損耗的開關時間（ton，toff）又是一對矛盾，因此應根據(jù)不同的開關頻率來選擇不同特征的IGBT。

在低頻如fk《10KHz時，通態(tài)損耗是主要的，這就需要選擇低飽和壓降型IGBT系列。對于英飛凌產(chǎn)品需選用后綴為“KE3”或“DLC”系列IGBT；但英飛凌后綴為“KT3”系列飽和壓降與“KE3”系列飽和壓降相近，“KT3”比“KE3”開關損耗降低20％左右，因而

“KT3”將更有優(yōu)勢?！癒T3”由于開關速度更快，對吸收與布線要求更高。

若開關頻率在10KHz－15KHz之間，請使用英飛凌后綴為“DN2”和“KT3”的IGBT模塊，今后對于fk≤15KHz的應用場合，建議客戶逐步用“KT3”取代“KE3”，“DLC”或“DN2”。

當開關頻率fk≥15KHz時，開關損耗是主要的，通態(tài)損耗占的比例比較小。最好選擇英飛凌短拖尾電流“KS4”高頻系列。當然對于fk在15KHz－20KHz之間時，“DN2”系列

也是比較好的選擇。英飛凌“KS4”高頻系列，硬開關工作頻率可達40KHz；若是軟開關，可工作在150KHz左右。

IGBT在高頻下工作時，其總損耗與開關頻率的關系比較大，因此若希望IGBT工作在更高的頻率，可選擇更大電流的IGBT模塊；另一方面，軟開關主要是降低了開關損耗，可使IGBT模塊工作頻率大大提高。隨著IGBT模塊耐壓的提高，IGBT的開關頻率相應下降，下面列出英飛凌IGBT模塊不同耐壓，不同系列工作頻率fk的參考值。

600V“DLC”開關頻率可達到30KHz

600V“KE3”開關頻率可達到30KHz

1200V“DN2”開關頻率可達到20KHz

1200V“KS4”開關頻率可達到40KHz

1200V“KE3”開關頻率可達到10KHz

1200V“KT3”開關頻率可達到15KHz

1700V“DN2”開關頻率可達到10KHz

1700V“DLC”開關頻率可達到5KHz

1700V“KE3”開關頻率可達到5KHz

3300V“KF2C”開關頻率可達到3KHz

6500V“KF1”開關頻率可達到1KHz