欧美性猛交xxxx免费看_牛牛在线视频国产免费_天堂草原电视剧在线观看免费_国产粉嫩高清在线观看_国产欧美日本亚洲精品一5区

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

多種MOSFET雙脈沖測試,探討MOSFET的反向恢復(fù)特性

454398 ? 來源:ROHM技術(shù)社區(qū) ? 作者:ROHM技術(shù)社區(qū) ? 2020-12-21 14:25 ? 次閱讀

本文我們將根據(jù)使用了幾種MOSFET的雙脈沖測試結(jié)果,來探討MOSFET的反向恢復(fù)特性。該評估中的試驗電路將使用上一篇文章中給出的基本電路圖。另外,相應(yīng)的確認(rèn)工作也基于上次內(nèi)容,因此請結(jié)合上一篇文章的內(nèi)容來閱讀本文。

通過雙脈沖測試評估MOSFET反向恢復(fù)特性

為了評估MOSFET的反向恢復(fù)特性,我們使用4種MOSFET實施了雙脈沖測試。4種MOSFET均為超級結(jié)MOSFET(以下簡稱“SJ MOSFET”),我們使用快速恢復(fù)型和普通型分別進(jìn)行了比較。

先來看具有快速恢復(fù)特性的SJ MOSFET R6030JNZ4(PrestoMOS?)和具有通常特性的SJ MOSFET R6030KNZ4的試驗結(jié)果。除了反向恢復(fù)特性之外,這些SJ MOSFET的電氣規(guī)格基本相同,在試驗中,將Q1和Q2分別替換為不同的SJ MOSFET。

圖1為上次給出的工作③的導(dǎo)通時的ID_L波形,圖2為導(dǎo)通損耗Eon_L的波形。

o4YBAF_gPtGAeNFfAAFH2LUJuXo824.png

圖1:快速反向恢復(fù)型PrestoMOS?和普通型SJ MOSFET的漏極電流ID_L的波形

o4YBAF_gPu-Afvc3AAFmAxFWovU819.png

圖2:快速反向恢復(fù)型PrestoMOS?和普通型SJ MOSFET的功率損耗Eon_L的波形

從圖1可以看出,快速反向恢復(fù)型R6030JNZ4(PrestoMOS?)的Q1的反向恢復(fù)電流Irr和反向恢復(fù)電荷Qrr要比普通型R6030KNZ4小得多。

從圖2可以看出,Qrr較大的普通型MOSFET的導(dǎo)通損耗Eon_L要比快速反向恢復(fù)型大,可見當(dāng)Q1的Qrr變大時,開關(guān)損耗就會增加。

接下來請看相同條件下快速反向恢復(fù)型R6030JNZ4(PrestoMOS?)和另一種快速反向恢復(fù)型SJ MOSFET之間的比較結(jié)果。圖3為與圖1同樣的ID_L波形比較,圖4為與圖2同樣的Eon_L比較。

pIYBAF_gPwCAY7oJAAFOhSVh7LM788.png

圖3:快速反向恢復(fù)型R6030JNZ4和另一種快速反向恢復(fù)型SJ MOSFET的漏極電流ID_L的波形

pIYBAF_gPw2AHm9ZAAFqfERry5s383.png

圖4:快速反向恢復(fù)型R6030JNZ4和另一種快速反向恢復(fù)型SJ MOSFET的功率損耗Eon_L的波形

如圖3所示,與另一種快速反向恢復(fù)型SJ MOSFET相比,R6030JNZ4(PrestoMOS?)的Irr和Qrr更小,因此ID_L的峰值較小,如圖4所示,其結(jié)果是Eon_L較小。

從這些結(jié)果可以看出,將MOSFET體二極管特性中的反向恢復(fù)電流Irr和反向恢復(fù)電荷Qrr控制在較小水平的MOSFET,其導(dǎo)通損耗Eon_L較小。這一點(diǎn)對快速反向恢復(fù)型之間進(jìn)行比較也是同樣的結(jié)論。所以,在設(shè)計過程中,要想降低損耗時,需要通過這樣的方法對MOSFET的反向恢復(fù)特性進(jìn)行評估,并選擇最適合的MOSFET。

最后,提一個注意事項:在本次研究中,設(shè)定的前提是具有快速反向恢復(fù)特性的MOSFET是可以降低損耗的,但在某些情況下,具有快速反向恢復(fù)特性的MOSFET是無法降低導(dǎo)通損耗的。其原因之一是誤啟動現(xiàn)象。這是由MOSFET的柵極電容引起的現(xiàn)象。關(guān)于誤啟動,將會在下一篇文章中進(jìn)行詳細(xì)說明。

關(guān)鍵要點(diǎn):

?反向恢復(fù)電流Irr和反向恢復(fù)電荷Qrr較低的MOSFET,導(dǎo)通損耗EON_L也較小。

?快速反向恢復(fù)型MOSFET之間進(jìn)行比較也得出同樣的結(jié)論。

?對MOSFET的反向恢復(fù)特性進(jìn)行評估對于降低損耗非常重要。

?請注意,受誤啟動現(xiàn)象的影響,有時即使MOSFET具有快速恢復(fù)特性,也無法降低導(dǎo)通損耗。
編輯:hfy

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    147

    文章

    7248

    瀏覽量

    214332
收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    二極管的反向恢復(fù)時間

    在電子電路中,二極管是一種基本的半導(dǎo)體器件,用于整流、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種應(yīng)用。二極管的反向恢復(fù)時間是衡量其在高頻開關(guān)應(yīng)用中性能的關(guān)鍵參數(shù)。 一、反向恢復(fù)時間的定義 當(dāng)二極管從正向?qū)顟B(tài)突然變?yōu)?/div>
    的頭像 發(fā)表于 02-07 09:34 ?100次閱讀

    SiC碳化硅MOSFET功率器件脈沖測試方法介紹

    碳化硅革新電力電子,以下是關(guān)于碳化硅(SiC)MOSFET功率器件脈沖測試方法的詳細(xì)介紹,結(jié)合其技術(shù)原理、關(guān)鍵步驟與應(yīng)用價值,助力電力電子領(lǐng)域的革新。
    的頭像 發(fā)表于 02-05 14:34 ?84次閱讀
    SiC碳化硅<b class='flag-5'>MOSFET</b>功率器件<b class='flag-5'>雙</b><b class='flag-5'>脈沖</b><b class='flag-5'>測試</b>方法介紹

    SiC MOSFET的參數(shù)特性

    碳化硅(SiC)MOSFET作為寬禁帶半導(dǎo)體材料(WBG)的一種,具有許多優(yōu)異的參數(shù)特性,這些特性使其在高壓、高速、高溫等應(yīng)用中表現(xiàn)出色。本文將詳細(xì)探討SiC
    的頭像 發(fā)表于 02-02 13:48 ?123次閱讀

    Diode的反向恢復(fù)特性的機(jī)理和模型原理

    現(xiàn)代集成電路中MOSFET的體二極管的反向恢復(fù)特性對系統(tǒng)安全具有重要影響,本文探討了Diode的反向恢復(fù)
    的頭像 發(fā)表于 01-03 10:36 ?206次閱讀
    Diode的<b class='flag-5'>反向恢復(fù)</b><b class='flag-5'>特性</b>的機(jī)理和模型原理

    1000字搞懂MOSFET規(guī)格書中體二極管的關(guān)鍵參數(shù)以及電路設(shè)計關(guān)注點(diǎn)

    MOSFET中也沒能完全解決這個問題,既然無法避免,那我們要考慮的是了解它,應(yīng)用它。關(guān)于MOSFET的體二極管,datasheet一般會給出以下幾個參數(shù),體二極管連續(xù)正向電流,體二極管脈沖電流,體二極管正向電壓,體二極管
    的頭像 發(fā)表于 12-08 01:10 ?1594次閱讀
    1000字搞懂<b class='flag-5'>MOSFET</b>規(guī)格書中體二極管的關(guān)鍵參數(shù)以及電路設(shè)計關(guān)注點(diǎn)

    功率二極管的反向恢復(fù)原理

    功率二極管的反向恢復(fù)現(xiàn)象是電力電子領(lǐng)域中一個至關(guān)重要的概念,它涉及到二極管在正向?qū)顟B(tài)與反向偏置狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換時的動態(tài)行為。以下是關(guān)于功率二極管的反向恢復(fù)現(xiàn)象的詳細(xì)闡述,包括其定義、原理、特性
    的頭像 發(fā)表于 10-15 17:57 ?1543次閱讀

    二極管的反向恢復(fù)損耗定義

    二極管作為一種重要的半導(dǎo)體器件,在電子電路中扮演著至關(guān)重要的角色。然而,在二極管的實際應(yīng)用中,反向恢復(fù)損耗是一個不容忽視的問題。本文將對二極管的反向恢復(fù)損耗進(jìn)行詳細(xì)探討,包括其定義、產(chǎn)生機(jī)理、計算方法以及降低損耗的措施等方面。
    的頭像 發(fā)表于 10-12 16:53 ?1995次閱讀

    寬帶隙功率半導(dǎo)體脈沖測試解決方案

    圍繞 SiC 和 GaN MOSFET 構(gòu)建的新型電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計需要精心設(shè)計和測試以優(yōu)化性能。 脈沖測試 (DPT) 可有效測量開啟、關(guān)閉
    的頭像 發(fā)表于 09-30 08:57 ?338次閱讀
    寬帶隙功率半導(dǎo)體<b class='flag-5'>雙</b><b class='flag-5'>脈沖</b><b class='flag-5'>測試</b>解決方案

    二極管反向恢復(fù)的頻率響應(yīng)是什么意思

    二極管反向恢復(fù)的頻率響應(yīng)是一個涉及二極管在高頻操作條件下性能的重要概念。它主要描述了二極管在經(jīng)歷從正向?qū)顟B(tài)到反向偏置狀態(tài)(或相反過程)時,其電流和電壓變化對頻率的依賴關(guān)系。以下是對二極管反向恢復(fù)頻率響應(yīng)的詳細(xì)闡述。
    的頭像 發(fā)表于 09-13 16:31 ?534次閱讀

    二極管反向恢復(fù)的定義和原理

    二極管反向恢復(fù)是二極管在特定操作條件下展現(xiàn)出的一個重要特性,它涉及到二極管從正向?qū)顟B(tài)轉(zhuǎn)換到反向偏置狀態(tài)(或相反過程)時的動態(tài)行為。以下是對二極管反向恢復(fù)的定義、原理以及相關(guān)
    的頭像 發(fā)表于 09-10 15:31 ?2641次閱讀

    二極管的反向恢復(fù)時間,你了解多少!

    。 (1)如果脈沖持續(xù)時間比二極管反向恢復(fù)時間長得多,這時負(fù)脈沖能使二極管徹底關(guān)斷,起到良好的開關(guān)作用; (2) 如果脈沖持續(xù)時間和二極管的反向恢復(fù)
    發(fā)表于 07-16 10:52

    MOSFET的基本結(jié)構(gòu)與工作原理

    -電壓關(guān)系基本一致;柵極沒有觸發(fā)時,MOSFET反向導(dǎo)通是極型二極管特性;柵極觸發(fā)時,MOSFET
    發(fā)表于 06-13 10:07

    探秘功率二極管反向恢復(fù)抑制的三大法寶

    為解決功率二極管反向恢復(fù)問題已經(jīng)出現(xiàn)了很多種方案。一種思路是從器件本身出發(fā),尋找新的材料力圖從根本上解決這一問題,比如碳化硅二極管的出現(xiàn)帶來了器件革命的曙光,它幾乎不存在反向恢復(fù)的問題。
    發(fā)表于 03-27 11:25 ?2186次閱讀
    探秘功率二極管<b class='flag-5'>反向恢復(fù)</b>抑制的三大法寶

    功率 MOSFET 特性脈沖測試簡介

    對于經(jīng)驗豐富的專業(yè)人士來說,不言而喻的事情有時可能會給經(jīng)驗不足的人帶來誤解。作為測試設(shè)備制造商,我們意識到用戶對脈沖測試有不同的看法。
    的頭像 發(fā)表于 03-11 14:39 ?1315次閱讀
    功率 <b class='flag-5'>MOSFET</b> <b class='flag-5'>特性</b><b class='flag-5'>雙</b><b class='flag-5'>脈沖</b><b class='flag-5'>測試</b>簡介

    什么是脈沖測試技術(shù)

    ),并測量其響應(yīng)來工作。 脈沖測試是一種專門用于評估功率開關(guān)元件,如MOSFET和IGBT的開關(guān)特性及與之并聯(lián)的體二極管或快速
    的頭像 發(fā)表于 02-23 15:56 ?8504次閱讀
    什么是<b class='flag-5'>雙</b><b class='flag-5'>脈沖</b><b class='flag-5'>測試</b>技術(shù)