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中芯國際第二代FinFET N+1可望于2020小批量試產(chǎn)

電子工程師 ? 來源:快科技 ? 作者:快科技 ? 2020-09-26 10:11 ? 次閱讀

作為內(nèi)地規(guī)模最大的晶圓代工廠,中芯國際的一舉一動都牽動人心。

近日有報道稱,在大規(guī)模量產(chǎn)14nm工藝后,中芯國際的N+1代工藝已經(jīng)進入客戶導(dǎo)入階段,可望于2021年進入量產(chǎn)。

對此,中芯國際回應(yīng)稱,該公司的第一代FinFET 14nm工藝已于2019年第四季度量產(chǎn),第二代FinFET N+1工藝已經(jīng)進入客戶導(dǎo)入階段,可望于2020年底小批量試產(chǎn)。

按照這樣的時間表推測,中芯國際N+1代工藝確實會在2021年規(guī)模量產(chǎn)。

N+1是中芯國際對其第二代先進工藝的代號,但從未明確具體數(shù)字節(jié)點,只是說相比于14nm性能提升20%、功耗降低57%、邏輯面積縮小63%、SoC面積縮小55%,之后的N+2工藝性能和成本都更高一些。

今年8月底的時候,中芯國際曾表示,N+1工藝進展順利,已經(jīng)進入客戶產(chǎn)品驗證階段。(來源:快科技

原文標題:恭喜!中芯國際神秘的N+1工藝終于要來了!

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責(zé)任編輯:haq

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原文標題:恭喜!中芯國際神秘的N+1工藝終于要來了!

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