場(chǎng)效應(yīng)管和可控硅驅(qū)動(dòng)電路是有本質(zhì)上的差異，首要場(chǎng)效應(yīng)管通常分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管，可控硅通常分為單向可控硅和雙向可控硅（可控硅也叫晶閘管，可分單向晶閘管和雙向晶閘管），其間絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管也叫MOS管（有一種場(chǎng)效應(yīng)管、三極管混合的器材叫IGBT俗稱(chēng)門(mén)控管，該器材的驅(qū)動(dòng)電路與場(chǎng)效應(yīng)管的驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)直一樣），這種驅(qū)動(dòng)歸于電壓驅(qū)動(dòng)，在大多運(yùn)用在功率輸出、電力改換等場(chǎng)合，懇求最佳選用PWM（脈寬調(diào)制）信號(hào)來(lái)操控，其輸入到柵極的方波上升沿懇求峻峭（也稱(chēng)圖騰柱輸出），并且要有必定的瞬態(tài)驅(qū)動(dòng)才干（因?yàn)閳?chǎng)效應(yīng)管的柵極等效一個(gè)電容，當(dāng)驅(qū)動(dòng)信號(hào)的瞬態(tài)功率不行時(shí)，其正本的波形將被改動(dòng)，通常等效為一個(gè)積分器），懇求導(dǎo)通時(shí)，其柵極電壓要有對(duì)于源極高10-20V擺布，典型值15V，而關(guān)斷時(shí)為了確保場(chǎng)效應(yīng)管關(guān)斷牢靠，該電壓此刻應(yīng)當(dāng)為-15V，在實(shí)習(xí)運(yùn)用中為了減小場(chǎng)效應(yīng)管的功耗過(guò)大或避免其損壞通常要加如過(guò)流維護(hù)和有關(guān)吸收電路，并且盡量做參與效應(yīng)管的作業(yè)頻率與負(fù)載的諧振頻率一樣，典型運(yùn)用即是電磁爐，流過(guò)爐盤(pán)（加熱線圈）的電流與流過(guò)吸收電容的電流各自盡管都很大，但相位紛歧樣，彼此抵消，經(jīng)疊加后的總電流較小，即流過(guò)場(chǎng)效應(yīng)管（實(shí)習(xí)用IGBT）的電流較小。下圖為場(chǎng)效應(yīng)管的典型驅(qū)動(dòng)電路：

而可控硅屬電流驅(qū)動(dòng)，因?yàn)樗刃в趦蓚€(gè)三極管構(gòu)成正反響拓展，當(dāng)有一個(gè)觸發(fā)信號(hào)后，因?yàn)榻⊥恼错懶Ч?，使之一?dǎo)游通，當(dāng)柵極電壓高于陽(yáng)極電壓或許陽(yáng)極、陰極電壓差小于必定數(shù)值時(shí)正反響才會(huì)失效，即可控硅被復(fù)位，通常情況下，其柵極電壓不會(huì)高于陽(yáng)極，所以可控硅歸于不行關(guān)斷的半控器材，當(dāng)觸發(fā)導(dǎo)通時(shí)無(wú)法經(jīng)過(guò)柵極關(guān)斷，而場(chǎng)效應(yīng)管屬全控器材能夠經(jīng)過(guò)柵極關(guān)斷。下圖為可控硅構(gòu)造及其典型驅(qū)動(dòng)電路：