9月27日，2020世界新能源汽車大會云峰會之一——“第三代半導(dǎo)體Sic技術(shù)應(yīng)用”在線上舉行。多位行業(yè)專家學(xué)者圍繞第三代寬禁帶半導(dǎo)體Sic技術(shù)，從芯片、模塊、封裝、材料、工藝、測試及其在電機控制器的應(yīng)用等方面進行了討論，聚焦前沿技術(shù)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

本次峰會由國家新能源汽車技術(shù)創(chuàng)新中心副總經(jīng)理鄒廣才主持。線上會議中，清華大學(xué)微電子所長聘教授王燕首先對器件模型的類型進行了介紹，并針對SiC功率MOSFET器件模型的研究現(xiàn)狀、存在問題等進行分析，同時對器件的不同建模方法中I–V特性表征的優(yōu)缺點進行對比。另外，對于其帶領(lǐng)的研究團隊基于DataSheet緊湊模型建立方法所做的相關(guān)研究工作進行了詳細介紹。

安徽大學(xué)特聘教授曹文平進行了題為“面向未來電動汽車的碳化硅IPM2.0技術(shù)”的演講，介紹了其帶領(lǐng)的研究團隊在SiC智能功率模塊技術(shù)（IPM2.0）方面的最新研究進展與成果，對其未來產(chǎn)業(yè)化落地充滿期待。

中國科學(xué)院電工研究所研究員徐菊進行了題為“SiC電力電子模塊熱管理辦法及封裝材料發(fā)展趨勢”的演講，從熱管理角度分析了影響電力電子模塊可靠性的關(guān)鍵因素，對電力電子器件及模塊的散熱管理方法及封裝趨勢等進行介紹，并分享了電工所在熱管理相關(guān)材料性能與工藝等方面的最新研究進展與成果。

中國科學(xué)院微電子研究所副研究員許恒宇圍繞“SiC芯片篩選評估技術(shù)”主題進行演講，針對SiC芯片在材料、器件和工藝、功率模塊等方面該如何進行篩選評估展開介紹，并分享了其研究團隊在SiC芯片篩選研究方面的實踐經(jīng)驗，提出了關(guān)于SiC芯片可靠性和器件篩選新的研究方向。

來源：騰訊新聞

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