LPDDR(Low Power Double Data Rate )是JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會面向低功耗內(nèi)存制定的通信標準,以低功耗和小體積著稱,設(shè)計之初即專門用于移動式電子產(chǎn)品應(yīng)用。 JEDEC認為,LPDDR5有望對下一代便攜電子設(shè)備(手機、平板)的性能產(chǎn)生巨大提升。
美光率先量產(chǎn)LPDDR5內(nèi)存,小米10首發(fā)
今年2月,內(nèi)存大廠美光率先宣布量產(chǎn)LPDDR5 DRAM芯片,并同時宣布首發(fā)于小米10智能手機。
作為客戶,小米對LPDDR5贊不絕口。 雷軍更是以“LPDDR5真?!笨褓澆灰?。
據(jù)小米官方給出的數(shù)據(jù),采用美光LPDDR5內(nèi)存的小米10手機在內(nèi)存性能方面有約30%的大幅提升。由于采用LPDDR5高性能內(nèi)存,小米10手機在5G云游戲、AI運算等場景方面可以有效降低云游戲延遲、確保AI運算數(shù)據(jù)實時同步。在游戲(王者榮耀)場景中,采用LPDDR5可以省電約20%,在微信語音和視頻場景應(yīng)用中,可省電約10%。
雷軍為此直呼,LPDDR5將是2020旗艦手機的標配 。
據(jù)悉,率先量產(chǎn)的美光LPDDR5運用領(lǐng)先的封裝技術(shù),單裸芯片12Gb,其傳輸速率最高6.4Gbps比 LPDDR4快了近一倍,比LPDDR4x快了20%以上,數(shù)據(jù)訪問速度提高了50%。
三星量產(chǎn)速度最高/容量最大LPDDR5內(nèi)存,采用EUV技術(shù)
8月30日,另一家存儲大廠三星也宣布量產(chǎn)LPDDR5內(nèi)存。據(jù)三星介紹,該16Gb LPDDR5內(nèi)存基于其第三代10nm級(1z)工藝打造,是首款采用EUV技術(shù)量產(chǎn)的內(nèi)存,達到了當時移動DRAM產(chǎn)品的最高速度和最大容量。由于采用了更先進的1z工藝制造,三星LPDDR5在尺寸上比上一代產(chǎn)品薄了30%,更能適應(yīng)智能手機對多功能小體積的苛刻要求。
美光再拋殺手锏,宣布量產(chǎn)LPDDR5 DRAM多芯片封裝產(chǎn)品
就在三星宣布推出容量更大的LPDDR5 DRAM芯片之后,10月21日,美光再次拿出殺手锏,宣布量產(chǎn)LPDDR5 DRAM多芯片封裝產(chǎn)品。
據(jù)美光宣稱,這是業(yè)界首款基于低功耗 DDR5(LPDDR5)DRAM 的通用閃存存儲(UFS)多芯片封裝量產(chǎn)產(chǎn)品 uMCP5。該款多芯片封裝產(chǎn)品搭載美光 LPDDR5 內(nèi)存、高可靠性 NAND 以及領(lǐng)先的 UFS3.1 控制器,實現(xiàn)了此前只在使用獨立內(nèi)存和存儲芯片的昂貴旗艦手機上才有的高級功能。
既有DRAM,又有NAND,且集成在一個緊湊封裝中,使智能手機能夠應(yīng)對數(shù)據(jù)密集型 5G 工作負載,顯著提升速度和功效。
美光uMCP5目前可提供四種不同的密度配置:128+8GB,128+12GB,256+8GB 和 256+12GB。
美光uMCP5產(chǎn)品將把LPDDR5推向中端手機等更廣闊市場
美光移動產(chǎn)品事業(yè)部區(qū)域營銷高級經(jīng)理 Mario Endo在接受21ic電子網(wǎng)獨家采訪時表示,“ 雖然LPDDR5 的首次應(yīng)用場景針對的是高端智能手機,而隨著我們開發(fā)基于LPDDR5 的多芯片封裝解決方案——uMCP5,這款產(chǎn)品將在明年被應(yīng)用于中端智能手機 。”而且,不僅高中端手機,就連汽車、5G、人工智能等市場,也是美光LPDDR5的目標市場。
據(jù)Mario Endo介紹,美光LPDDR5的速度和容量完全支持內(nèi)置在移動處理器中的人工智能引擎,這些處理器依賴于美光的內(nèi)置高速LPDDR5 內(nèi)存來增強其機器學習能力。美光的LPDDR5 DRAM 數(shù)據(jù)訪問速度提高了50%,從而滿足了這些需求。美光LPDDR5 還支持5G 智能手機以高達6.4Gbps 的峰值速度處理數(shù)據(jù),為了避免5G 數(shù)據(jù)傳輸遇到瓶頸,這項優(yōu)勢至關(guān)重要。
對于新量產(chǎn)的uMCP5產(chǎn)品,Mario Endo指出,在容量、速度和功耗等方面都取得了實質(zhì)性的改進。在DRAM 層面,LPDDR5接口與LPDDR4x相比,帶寬提高了50%,功耗降低了20%;而在NAND 層面,UFS3.1 接口單通道的帶寬提高了一倍以上,最新的NAND 和控制器技術(shù)可節(jié)省20% 的器件級功耗。
美光的uMCP5 在一個11.5x13mm封裝中提供了高達256GB的存儲空間和12GB的DRAM。這是借助最新的技術(shù)節(jié)點使用高密度裸片實現(xiàn)的:DRAM端提供了12Gb單裸片;NAND端采用96 層(3D)技術(shù)提供了512Gb 單裸片;同時結(jié)合了美光的陣列下CMOS 設(shè)計,將CMOS 邏輯器件置于 NAND陣列之下。
Mario Endo預計,在未來幾年內(nèi),uMCP5 將在整個移動市場得到廣泛采用——尤其是LPDDR 的帶寬增長了50%,彌補了與旗艦產(chǎn)品通常使用的層疊封裝(PoP,Package-on-Package)器件的差距,而旗艦產(chǎn)品已經(jīng)在使用LPDDR5。
正如Mario Endo所說,在小米10帶動下,雷軍振臂高呼下,高端的旗艦手機紛紛啟用LPDDR5內(nèi)存。據(jù)Mario Endo透露,除了小米10,摩托羅拉edge+ 手機中也采用了美光LPDDR5,截止采訪時,美光已經(jīng)向20 多家客戶交付了LPDDR5產(chǎn)品。Mario Endo還表示,環(huán)視市場,三星、OPPO、One Plus(一加)、索尼等其他移動設(shè)備 OEM廠商也非常青睞LPDDR5 這項技術(shù)。
圍繞LPDDR5技術(shù)的競賽正酣,而美光祭出的uMCP5這記殺手锏,會在移動領(lǐng)域這片藍海里掀起什么波瀾?讓我們拭目以待!
責任編輯:haq
-
DDR
+關(guān)注
關(guān)注
11文章
716瀏覽量
65567 -
內(nèi)存
+關(guān)注
關(guān)注
8文章
3064瀏覽量
74382 -
美光
+關(guān)注
關(guān)注
5文章
716瀏覽量
51497 -
小米
+關(guān)注
關(guān)注
70文章
14390瀏覽量
145037
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
黑芝麻智能與美光科技攜手拓展ADAS方案性能
季豐電子開發(fā)出LPDDR5的SER測試方案并在中子輻射下完成SER實驗
![季豐電子開發(fā)出<b class='flag-5'>LPDDR5</b>的SER測試方案并在中子輻射下完成SER實驗](https://file1.elecfans.com/web3/M00/01/6D/wKgZPGdTvgCAAvXSAAAiIYnf1iQ797.png)
美光將在西安工廠率先啟動LPCAMM和MRDIMM內(nèi)存模組量產(chǎn)
三星量產(chǎn)最薄LPDDR5X內(nèi)存,技術(shù)再突破
Introspect DDR5/LPDDR5總線協(xié)議分析儀
三星開始量產(chǎn)其最薄LPDDR5X內(nèi)存產(chǎn)品,助力端側(cè)AI應(yīng)用
新品迅為RK3588-LPDDR5核心板_LPDDR4x與LPDDR5的區(qū)別
美光率先出貨用于AI數(shù)據(jù)中心的關(guān)鍵內(nèi)存產(chǎn)品
美光率先量產(chǎn)232層QLC NAND產(chǎn)品
美光科技推出基于大容量32Gb單塊DRAM芯片的128GB DDR5 RDIMM內(nèi)存
美光率先出貨用于 AI 數(shù)據(jù)中心的關(guān)鍵內(nèi)存產(chǎn)品
![<b class='flag-5'>美</b><b class='flag-5'>光</b><b class='flag-5'>率先</b>出貨用于 AI 數(shù)據(jù)中心的關(guān)鍵<b class='flag-5'>內(nèi)存</b>產(chǎn)品](https://file1.elecfans.com/web2/M00/E3/4B/wKgZomY8Z7-AWPaXAAB18D3VjHc539.jpg)
美光推出Crucial英睿達LPCAMM2內(nèi)存模組,采用LPDDR5X技術(shù),首家聯(lián)發(fā)
宙訊微電子宣布在國內(nèi)率先量產(chǎn)固體裝配型體聲波(BAW)濾波器
![宙訊微電子宣布在國內(nèi)<b class='flag-5'>率先量產(chǎn)</b>固體裝配型體聲波(BAW)濾波器](https://file1.elecfans.com/web2/M00/DA/CD/wKgZomYq_qSAeLHGAAAJai0pPLE337.jpg)
評論